CN101399006B - 液晶显示器及它和包含它的便携式信息装置的驱动方法 - Google Patents
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Abstract
液晶显示器及它和包含它的便携式信息装置的驱动方法,包括一种通过输入n(n是自然数)位数字信号来显示图像的液晶显示器,它在各个像素中具有n个存储电路。n个存储电路存储n位数字信号,这些数字信号通过各像素中提供的D/A转换器被转换成相应的模拟信号,以便将模拟信号输入到液晶元件。因此,当要显示静止图像时,一旦数字信号被写入存储电路中,所存储的数字信号则被重复使用。在显示静止图像的过程中,源信号线驱动电路和其它电路可以终止其驱动。这样,就可以降低液晶显示器的功耗。
Description
本申请是申请日为2001年8月20日、申请号为01126012.2、发明名称为“液晶显示器及它和包含它的便携式信息装置的驱动方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及半导体显示器(以下称作显示器),具体涉及具有在绝缘体上形成的薄膜晶体管的有源矩阵显示器。更具体地说,本发明涉及一种使用数字信号作为视频信号的有源矩阵液晶显示器。本发明还涉及使用这种显示器的便携式信息装置。便携式信息装置的具体示例包括蜂窝式电话、PDA(个人数字助理)、便携式个人计算机、便携式导航系统以及电子图书,这些装置均包括有源矩阵液晶显示器。
背景技术
近年来,具有在绝缘体上、具体是在玻璃衬底上形成的半导体薄膜的显示器受到了极大的欢迎,在这些显示器中,采用薄膜晶体管(以下称作TFT)的有源矩阵显示器尤其备受青睐。任何采用TFT的有源矩阵显示器均将数万个TFT到数百万个TFT排成矩阵并控制像素的电荷来显示图像。
近来发展的一项技术涉及到用于同时形成像素TFT以及驱动电路TFT的多晶硅TFT。像素TFT是组成像素的TFT,驱动电路TFT是组成驱动电路的TFT,它提供在像素部分的外围。这种技术对液晶显示器减小尺寸和降低功耗有极大的作用。由于这项技术的发展,对于例如近来在日益扩大的范围内得到应用的移动式机器的显示装置,液晶显示器正成为不可缺少的装置。
图13示出由数字方法所驱动的普通液晶显示器的示意图。像素部分1308位于中央。在像素部分之上,安排有源信号线驱动电路1301以控制源信号线。源信号线驱动电路1301包括移位寄存器电路1303、第一闩锁电路1304、第二闩锁电路1305、D/A转换器电路(D/A转换器,又称作DAC)1306以及模拟开关1307等。用于控制栅信号线的栅信号线驱动电路1302安排在像素部分的左侧及右侧。虽然图3中像素部分两侧均提供了栅信号线驱动电路1302,但像素部分的左侧或右侧只可以提供一个栅信号线驱动电路。然而,从驱动效率和驱动可靠性的角度出发,需要在像素部分的每一侧均设置栅信号线驱动电路。
源信号线驱动电路1301具有如图14所示的结构。作为示例的、图14所示的驱动电路是源信号线驱动电路,它具有3位数字灰度级信号的1024像素水平分辩率。驱动电路包括移位寄存器电路(SR)1401、第一闩锁电路(LAT1)1402、第二闩锁电路(LAT2)1403以及D/A转换器电路(D/A)1404等。必要时驱动电路也可以包含缓冲器电路、电平移动器电路等,尽管在图14中未示出。
参照图13和14来简要说明该装置的操作。首先,时钟信号(S-CLK,S-CLKb)和起动脉冲(S-SP)输入到移位寄存器电路1303(图14中用SR表示),并随之输出脉冲。然后,这些脉冲输入到第一闩锁电路1304(图14中用LAT1表示),使同样输入到第一闩锁电路1304的数字信号(数字数据)分别保持在其中。此处,D1是最高有效位(MSB),而D3是最低有效位(LSB)。当第一闩锁电路1304完成了保持对应于一个水平周期的数字信号时,对回扫周期期间的闩锁信号(闩锁脉冲)的输入作出反应,保持在第一闩锁电路1304中的数字信号同时被传送到第二闩锁电路1305(图14中用LAT2表示)。
此后,移位寄存器电路1303又进行操作,以开始保持对应于下一个水平周期的数字信号。同时,保持在第二闩锁电路1305中的数字信号由D/A转换器1306(图14中用D/A表示)转换成模拟信号。该模拟信号通过源信号线写入像素。通过重复这种操作来显示图像。
现将说明采用上述传统液晶显示器的便携式装置。
以便携式信息终端为例来对便携式信息装置进行说明。图34示出传统的便携式信息终端的方框图。便携式信息终端用于根据用户的需要来为用户提供所需的信息。待提供的信息包括存储在便携式信息终端的存储器(例如DRAM1509和闪速存储器1510)中的数据、存储在插入便携式信息终端的存储卡1503中的数据、通过将便携式信息终端经外部接口端口1505连接到外部设备得到的数据以及其它类似的数据。一收到用户通过笔触式书写板1501输入的指令,信息就由CPU1506进行处理,使液晶显示器1513显示该信息。
具体地说,通过笔触式书写板1501输入的信号由检测器电路1502进行检测,然后再输入到书写板接口1518。输入的信号由书写板接口1518进行处理,经处理的信号输入到视频信号输入电路1507和其它电路。CPU1506处理必要的数据,经处理的数据根据存储在VRAM1511中的图像格式被转换成图像数据。图像数据被发送到LCD控制器1512,LCD控制器1512又产生信号来驱动液晶显示器1513。这样,显示器就被驱动来显示信息。
以蜂窝式电话为另一个示例来说明便携式信息装置。图35示出传统的蜂窝式电话的方框图。该蜂窝式电话包括:发送/接收电路1615,用于发送和接收无线电波;音频处理电路1602,用于处理接收的信号;喇叭1614;麦克风1608;键盘1601,用于输入数据;键盘接口1618,用于处理通过键盘1601输入的信号;等等。
一收到用户通过键盘输入的指令,CPU1606就处理信息,使液晶显示器1613来显示信息。该信息可以是存储在存储器(诸如DRAM
1609和闪速存储器1610)中的数据、存储在插入蜂窝式电话的存储卡1603中的数据、通过将蜂窝式电话经外部接口端口1605连接到外部设备所得到的数据以及其它类似的数据。
具体地说,通过键盘1601输入的信号由键盘接口1618进行处理,经处理的信号输入到视频信号处理电路1607和其它电路。CPU1606处理必要的数据,经处理的数据根据存储在VRAM(视频RAM)1611中的图像格式被转换成图像数据。图像数据被发送到LCD控制器1612,LCD控制器1612产生用来驱动液晶显示器1613的信号。这样,显示器就被驱动来显示信息。
图26示出发送/接收电路1615的结构示例。
发送/接收电路1615包括:天线2662;滤波器2663、2667、2668、2672及2676;开关2664;放大器2665、2666及2677;第一频率转换器电路2669;第二频率转换器电路2673;频率转换器电路2671;振荡电路2670和2674;AC/DC转换器2675;数据解调电路2678;以及数据调制电路2679。
在通用有源矩阵液晶显示器中,屏幕显示每秒更新约六十次,以便平滑地显示动画。换句话说,需要为每个新帧提供数字信号,并且这些信号每次均必须写入像素。即使在待显示的图像为静止图像时,同样的信号必须不断地提供给每个新帧,并且外部电路以及驱动电路等必须连续并重复地处理所述同样的数字信号。
另外一种方法就是将静止图像的数字信号写入外部存储电路一次,然后,在每次开始新帧时,从外部存储电路向液晶显示器提供数字信号。然而,还是需要外部存储电路和显示器的驱动电路来连续操作,这点与上述方法没有区别。
同样在传统的便携式信息装置中,同一图像的数据必须向包含在便携式信息装置中的显示器每秒发送六十次,以便在显示器上显示任何图像,即使是静止图像。为了结合附图来进行说明,图34中虚线所包含的电路在图像被显示时必须连续操作(所述电路包括:CPU
1506中的视频信号处理电路1507;VRAM1511;LCD控制器1512;液晶显示器1513的源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路;笔触式书写板1501;检测器电路1502;以及书写板接口1518)。在图35的情况下,图35中虚线所包含的电路在图像被显示时必须连续操作(所述电路包括:CPU1606中的视频信号处理电路1607;VRAM1611;LCD控制器1612;液晶显示器1613的源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路;键盘1601;以及键盘接口1618)。
无源矩阵显示器只有少量的像素,在显示静止图像时,有些无源矩阵显示器可以通过在其驱动IC或控制器中增加存储电路,来终止其VRAM的操作。但是,从芯片大小的角度来看,对于诸如有源矩阵液晶显示器之类使用大量像素的显示器,在驱动或控制器中增加存储电路的方法是不切实际的。这样,多个电路必须在先有技术的便携式信息装置中连续操作,即使是显示静止图像时,因而妨碍了功耗的降低。
移动式机器迫切需要功耗的降低。虽然事实上移动式机器通常都是用于静止图像方式,但在静止图像显示过程中,移动机器的驱动电路仍象上述那样连续操作。因此,阻碍了功耗的降低。
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而作出的,因此,本发明的目的就是要在显示静止图像时降低驱动电路和其它电路的功耗。
为了达到上述目的,本发明采取以下措施。
在每个像素中提供多个存储电路,以便为每个像素存储数字信号。在显示静止图像的情况下,一旦信号被写入,则要写入像素的信息是相同的。因此,可以通过读出存储在存储电路中的信号,而不是在开始新帧时输入信号,来连续显示静止图像。这就是说,如果要显示静止图像,一旦完成了对应于至少一帧的信号处理,源信号线驱动电路、视频信号处理电路以及其它电路可以终止其操作。这就能够极大地降低功耗。
下面将说明本发明的液晶显示器以及包含本发明的液晶显示器的便携式信息装置的结构。
根据本发明,提供了一种包含像素的液晶显示器,其特征在于每个像素均包含多个存储电路和一个D/A转换器。
根据本发明,提供了一种包含像素的液晶显示器,其特征在于每个像素均包含n个(n为等于或大于2的自然数)存储电路和一个D/A转换器,后者用于将存储在n个存储电路中的数字信号转换成模拟信号。
根据本发明,提供了一种包含像素的液晶显示器,每个像素均包含模拟信号被输入到其中的液晶元件,其特征在于每个像素均包含n个(n为等于或大于2的自然数)存储电路和一个D/A转换器,后者用于将存储在n个存储电路中的数字信号转换成模拟信号。
根据本发明,提供了一种包含像素的液晶显示器,其特征在于每个像素均包含nxm个(n和m均为等于或大于2的自然数)存储电路和一个D/A转换器,后者用于将存储在nxm个存储电路中的n位数字信号转换成模拟信号。
根据本发明,提供了一种包含像素的液晶显示器,其特征在于驱动包含像素的液晶显示器的方法,每个像素均包含nxm个(n和m均为等于或大于2的自然数)存储电路和一个D/A转换器,后者用于将存储在nxm个存储电路中的n位数字信号转换成模拟信号,并且每个像素存储对应于m个帧的数字信号。
根据本发明,液晶显示器可以具有以下特征:源信号线被提供,并且存储电路和D/A转换器被布置,以至与源信号线重叠。
根据本发明,液晶显示器可以具有以下特征:栅信号线被提供,并且存储电路和D/A转换器被布置,以至与栅信号线重叠。
根据本发明,提供了一种包含像素的液晶显示器,每个像素均包含液晶元件,其特征在于每个像素均包含一条源信号线、n条(n为等于或大于2的自然数)栅信号线、n个TFT、n个存储器电路及一个D/A转换器;n个TFT均有栅电极,每个栅电极均连接到n条栅信号线的其中一条,并且n个TFT中的每一个均包含一个源区和一个漏区,这两个区的其中之一连接到源信号线,其中的另一个区则连接到n个存储电路的其中之一的输入端;n个存储电路中的每一个存储电路的输出端连接到D/A转换器的输入端;D/A转换器的输出端连接到液晶元件。
根据本发明,提供了包含像素的液晶显示器,每个像素均包含液晶元件,其特征在于每个像素均包含n条(n为等于或大于2的自然数)源信号线、一条栅信号线、n个TFT、n个存储电路及一个D/A转换器;n个TFT均有连接到栅信号线的栅电极,并且n个TFT中的每一个均包含一个源区和一个漏区,这两个区的其中之一连接到n条源信号线的其中之一,其中另一个区则连接到n个存储电路的其中一个存储电路的输入端;n个存储电路中的每一个存储电路的输出端连接到D/A转换器的输入端;D/A转换器的输出端连接到液晶元件。
本发明的液晶显示器可以是一种液晶显示器,其特征在于源信号线驱动电路被提供,并且源信号线驱动电路包括移位寄存器、第一闩锁电路、第二闩锁电路及开关,一从移位寄存器接收到抽样脉冲,第一闩锁电路就保持n位数字信号,直到该n位数字信号被传送给第二闩锁电路,开关选择已传送到第二闩锁电路的n位数字信号,一次一位,以便将选择的信号输入到源信号线。
本发明的液晶显示器可以是一种液晶显示器,其特征在于源信号线驱动电路被提供,并且源信号线驱动电路包括移位寄存器、第一闩锁电路以及第二闩锁电路,一从移位寄存器接收到抽样脉冲,第一闩锁电路就保持1位数字信号,直到该1位数字信号被传送给第二闩锁电路。
本发明的液晶显示器可以是一种液晶显示器,其特征在于源信号线驱动电路被提供,并且源信号线驱动电路包括移位寄存器和第一闩锁电路;一从移位寄存器接收到抽样脉冲,第一闩锁电路就保持n位数字信号。
本发明的液晶显示器可以是一种液晶显示器,其特征在于源信号线驱动电路被提供,并且源信号线驱动电路包括移位寄存器、第一闩锁电路及n个开关;一从移位寄存器接收到抽样脉冲,第一闩锁电路就保持n位数字信号,n个开关将存储在第一闩锁电路中的n位数字信号输入到n条源信号线。
根据本发明,液晶显示器可以具有以下特征:存储电路是静态随机存取存储器(SRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。
根据本发明,液晶显示器可以具有以下特征:存储电路是在玻璃衬底、塑料衬底、不锈钢衬底或单晶片上形成的。
本发明的液晶显示器可以是电视机、个人计算机、便携式终端、摄象机或头戴式显示器,其特征在于包括所述液晶显示器。
根据本发明,提供了驱动一种液晶显示器的方法,该液晶显示器包含多个排成距阵的像素,该方法的特征在于多个所述像素中的每一个均包含多个存储电路和一个D/A转换器,数据被重新写入所有像素中特定行的像素或特定列的像素的多个存储电路中。
根据本发明,提供了驱动一种液晶显示器的方法,该液晶显示器包含多个像素和一个用于将视频信号输入到所述多个像素中的源信号线驱动电路,该方法的特征在于所述多个像素中的每一个均包含多个存储电路和一个D/A转换器,并且在显示静止图像时,源信号线驱动电路的操作被终止。
根据本发明,驱动液晶显示器的方法可以具有以下特点:存储电路是静态随机存取存储器(SRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)。
根据本发明,驱动液晶显示器的方法可以具有以下特点:存储电路是在玻璃衬底、塑料衬底、不锈钢衬底或单晶片上形成的。
本发明的晶体显示器可以是电视机、个人计算机、便携式终端、摄象机或头戴式显示器,其特征在于液晶显示器由上述驱动方法来驱动。
根据本发明,提供了驱动一种便携式信息装置的方法,该便携式信息装置包含液晶显示器和CPU,该方法的特征在于:液晶显示器包括像素,每个像素均包含多个存储电路、一个D/A转换器及一个用于将信号输出到多个存储电路的驱动电路;CPU包括控制所述驱动电路的第一电路和控制输入到便携式信息装置的信号的第二电路;并且当液晶显示器显示静止图像时,第一电路的操作被终止。
根据本发明,提供了驱动一种便携式信息装置的方法,该便携式信息装置包含液晶显示器和VRAM(视频随机存取存储器),该方法的特征在于:液晶显示器包括像素,每个像素均包含多个存储电路和一个D/A转换器;并且当液晶显示器显示静止图像时,从VRAM读取数据的操作被终止。
根据本发明,提供了驱动一种包含液晶显示器的便携式信息装置的方法,其特征在于液晶显示器包含像素,每个像素均包含多个存储电路和一个D/A转换器;并且当液晶显示器显示静止图像时,液晶显示器的源信号线驱动电路的操作被终止。
根据本发明,驱动便携式信息装置的方法可以具有以下特征:多个存储电路中的数据在一帧周期中被读出一次。
根据本发明,提供了驱动包含液晶显示器的便携式信息装置的方法,其特征在于:液晶显示器包含多个排成距阵的像素;多个像素中的每一个均包含多个存储电路和一个D/A转换器;液晶显示器重写所有像素中特定行的像素或特定列的像素的多个存储电路中的数据。
根据本发明,驱动便一种携式信息装置的方法可以具有以下特征:便携式信息装置是蜂窝式电话、个人计算机、导航系统、PDA或电子图书。
附图说明
附图中:
图1是本发明的像素的电路图,其中包含多个存储电路;
图2是说明采用本发明的像素来显示图像的源信号线驱动电路的电路结构的简图;
图3A和3B是采用本发明的像素来显示图像的时间图;
图4是存储电路的详细电路图;
图5是说明不包含第二闩锁电路的源信号线驱动电路的电路结构的简图;
图6是本发明的像素的电路图,其中,该像素由图5中的源信号线驱动电路来驱动;
图7A和7B是采用图5和6所示的电路来显示图像的时间图;
图8是说明本发明液晶显示器的D/A转换器的结构的简图;
图9是说明本发明液晶显示器的D/A转换器的结构的简图;
图10A至10C是说明制作包含本发明的像素的液晶显示器的示例性过程的简图;
图11A至11C是说明制作包含本发明的像素的液晶显示器的示例性过程的简图;
图12A和12B是说明制作包含本发明的像素的液晶显示器的示例性过程的简图;
图13是示意性说明传统的液晶显示器的总体电路结构的简图;
图14是说明传统的液晶显示器的源信号线驱动电路的电路结构的简图;
图15A至15F是说明可以采用包含本发明的像素的显示器的电子设备的简图;
图16A至16D是说明可以采用包含本发明像素的显示器的电子设备的简图;
图17是说明不包含第二闩锁电路的源信号线驱动电路的电路结构的简图;
图18A和18B是采用图17所示电路来显示图像的时间图;
图19A和19B是说明制作反射液晶显示器的过程的示例的简图;
图20是说明本发明的液晶显示器的D/A转换器的结构的简图;
图21是说明本发明的液晶显示器的D/A转换器的结构的简图;
图22是说明包含一位数据处理所需数量的闩锁电路的源信号线驱动电路的电路结构的简图。
图23是说明采用解码器的栅信号线驱动电路的简图,;
图24是说明采用本发明的便携式信息终端的方框图;
图25是说明采用本发明的蜂窝式电话的方框图;
图26是说明蜂窝式电话的发送/接收单元的方框图;
图27A至27C是说明本发明的便携式信息装置的液晶显示器的简图,其中图27A是俯视图,图27B和27C是剖视图;
图28A至28C是说明本发明的便携式信息装置的应用示例的简图;
图29A和29B是说明本发明的便携式信息装置的应用示例的简图;
图30是本发明的便携式信息装置的液晶显示器中像素的俯视图;
图31是说明本发明的便携式信息装置的示例的简图;
图32是说明本发明的便携式信息装置的示例的简图;
图33是说明本发明的便携式信息装置的示例的简图;
图34是传统的便携式信息终端的方框图;
图35是传统的蜂窝式电话的方框图;
图36是说明本发明液晶显示器的像素的结构的简图;
图37是说明本发明液晶显示器的像素的结构的简图;以及
图38是说明本发明液晶显示器的像素的结构的简图。
具体实施方式
[实施例模式]
图2示出源信号线驱动电路的结构和采用包含存储电路的像素的显示器中一些像素的结构。所述电路能够处理3位数字灰度级信号,并且包括移位寄存器电路(SR)201、第一闩锁电路(LAT1)202、第二闩锁电路(LAT2)203、位信号选择开关(SW)204以及像素205。210所表示的是从栅信号线驱动电路或直接从外部提供的信号,稍后将随对像素的解释一道对所述信号进行说明。
图1示出图2中像素205其中之一的详细电路结构。该像素用于3位数字灰度级信号,并且包括液晶元件(LC)、存储电容器(Cs)、存储电路(105至107)以及D/A(D/A转换器111)等。101所表示的是源信号线,102至104表示写栅信号线,108至110表示写TFT。
D/A转换器111的具体示例将在实施例中进行说明。但是,D/A转换器的结构可以与实施例中所描述的有所不同。
图3A和3B是根据本发明的图1所示显示器的时间图。该显示器能够处理3位数字灰度级信号,并且具有VGA级别的分辩率。驱动这种显示器的方法将参照图1至3B进行说明。在本说明中所用的参考符号与图1至3B中所用的相同。
参照图2、图3A及3B。在图3A中,帧周期分别由α、β以及γ来表示。首先说明在周期α中电路的操作。
与传统的数字驱动方法的驱动电路相似,时钟信号(S-CLK,S-CLKb)和起动脉冲(S-SP)被输入到移位寄存器电路201,随后输出抽样脉冲。抽样脉冲被输入到第一闩锁电路202(LAT1),使同样被输入到第一闩锁电路202的数字信号(数字数据)分别被保持在其中。这个周期在本说明中称作点数据(dot data)抽样周期。图3中,对应于一个水平周期的点数据抽样周期从周期1延伸到周期480。数字信号是3位信号,D1是最高有效位(MSB),而D3是最低有效位(LSB)。当第一闩锁电路202完成了保持对应于一个水平周期的数字信号时,对回扫周期的闩锁信号(闩锁脉冲)的输入作出反应,保持在第一闩锁电路202中的数字信号同时被传送到第二闩锁电路203(LAT2)。
随后,第一闩锁电路进行操作,以便对再次从移位寄存器电路201输出的抽样脉冲作出反应,来保持对应于下一个水平周期的数字信号。
另一方面,传送到第二闩锁电路203的数字信号被写入布置在每个像素中的存储电路中。如图3B所示,下一列的点数据抽样周期被分为三个部分,即周期I、周期II以及周期III,以便将保持在第二闩锁电路中的数字信号输出到源信号线。此时,位信号选择开关204被用来将各个位的信号按顺序输出到源信号线。
在周期I,脉冲被输入到写栅信号线102,使TFT108导通,并且数字信号被写入存储电路105。随后,在周期II,脉冲被输入到写栅信号线103,以便使TFT109导通,并且数字信号被写入存储电路106。最后,在周期III,脉冲被输入写栅信号线104,以便使TFT110导通,并且数字信号被写入存储电路107。
上述步骤完成对应于一个水平周期的数字信号的处理。图3B中的周期对应于图3A中由*表示的周期。上述操作重复进行,直到最后阶段被处理,从而完成将对应于一帧的数字信号写入存储电路105至107的过程。
所写入的数字信号通过D/A111转换成模拟信号,并且该模拟信号被输入到液晶元件。液晶元件根据所输入模拟信号来改变其透射比,以便提供灰度级。由于此处的信号是3位信号,因此所获得的亮度范围是0至7,即总共8个等级。
上述操作重复进行以连续显示图像。如果要显示的图像是静止图像,则在第一步操作中,数字信号被存储在存储电路105至107中。一旦存储了数字信号,对于每一个新帧周期,存储在存储电路105至107中的数字信号就被反复地读出。
DAC控制器被适当地用来控制对每个新帧周期中反复地读出存储在存储电路中的数字信号,并在D/A111中将所读出的信号转换成模拟信号。
另一方面,存储电路的输出信号通过读出TFT(未示出)被输入到D/A111。控制读出TFT的启用和停用,以便对于每个新帧周期反复地读出存储在存储电路中的数字信号。
在这种情况下,读出栅信号线驱动电路(未示出)被用来将信号输入到连接读出TFT栅电极的读出栅信号线(未示出)。
这样,当显示静止图像时,源信号线驱动电路可以终止其驱动。
此外,栅信号线可以逐个被用于将数字信号写入存储电路或从存储电路读出数字信号,而不是同时驱动所有栅信号线。换句话说,通过操作源信号线驱动电路仅一小段时间,从而增加显示方法选择,就可能部分重写屏幕。
在这种情况下,就需要使用解码器来作为栅信号线驱动电路。适合使用的解码器为日本专利申请公开特许公报No.Hei8-101669所公开的电路。解码器的示例如图23所示。源信号线驱动电路还可以包括解码器来重写屏幕的一部分。
在这种实施例模式中,一个像素包含三个存储电路,以便存储对应于一帧的3位数字信号。但是,根据本发明的存储电路数量并不限于三个。例如,当要存储对应于m(m是等于或大于2的自然数)帧的n(n是等于或大于2的自然数)位数字信号时,一个像素就包含nxm个存储电路。
安装到像素中的存储电路以上述方式来存储数字信号,以便显示静止图像时,存储在存储电路中的数字信号可以被反复地用于每一个新帧周期。这样能连续地显示静止图像,而不需要驱动外部电路、源信号线驱动电路或其它电路。因此,本发明对液晶显示器中功耗的降低有极大的作用。
考虑到在数量上根据位数来增加的闩锁电路的布置,源信号线驱动电路可以不一定整体在绝缘体上构成。部分或全部的源信号线驱动电路可以在绝缘体之外。
尽管本实施例模式中的源信号线驱动电路配置了多个根据位数的闩锁电路,但仅以一位数据处理所需的数量来提供闩锁电路时,源信号线驱动电路也可以进行操作。在这种情况下,从有效位到较低有效位的数字信号被连续地输入到闩锁电路。
图24说明本发明的便携式信息装置的结构,该便携式信息装置采用了如上所述构成的液晶显示器。当要显示静止图像时,视频信号存储在显示器2413的像素的存储电路中,并且所存储的视频信号被检索以便显示图像。因此,显示静止图像时,在CPU2406内部电路中的视频处理电路2407、VRAM2411以及显示器2413的源信号线驱动电路可以终止其操作,而不是象在先有技术中CPU的所有内部电路都必须进行操作。
下面将给出对上述段落的具体说明。如果持续一段给定时段都没有通过任何笔触式书写板2401输入,或者如果持续一段给定时段都没有从外部接口端口输入请求改变图像显示的信号,则CPU2406判断该装置处于静止图像模式。作出上述判断后,CPU2406进行如下操作。CPU通过LCD控制器2412来终止显示器2413的源信号线驱动电路。具体地说,通过切断提供给源信号线驱动电路的起动脉冲、时钟信号以及视频信号,来终止源信号线驱动电路的操作。此时,栅信号线驱动电路并不终止其操作,而是接收提供信号以便反复从存储电路中读出数据。
栅信号线驱动电路通常以用于驱动源信号线驱动电路的频率的1/100或更小的频率来驱动。因此,如果在显示静止图像期间,栅信号线驱动电路的操作没有终止,那么它也几乎不会影响功耗。当所用的液晶材料不会产生有关诸如老化(burn-in)现象的图像质量问题时,栅信号线驱动电路的操作当然也可以终止。这样,显示器2413在仅终止源信号线驱动电路的操作时或在终止源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路两者时显示静止图像。
接着,CPU2406终止CPU2406中视频信号处理电路2407和VRAM2411的操作。显示器2413采用存储在显示器提供的存储电路中的视频数据来显示图像,如上所述,因此就不需要向显示器输入新的视频数据。在显示静止图像期间,视频信号处理电路2407、VRAM2411以及涉及视频数据的生成和处理的其它电路就不需要进行操作。这样,就可以在CPU2406、VRAM2411以及源信号线驱动电路中实现功耗的降低。
当通过笔触式书写板2401输入信号来输入视频信号时,改变显示内容的指令通过书写板接口2418从笔触式书写板的检测器电路2402发送到CPU2406。接收该指令后,CPU2406即启动已终止操作的VRAM2411和视频信号处理电路2407。然后,起动脉冲、时钟信号以及视频数据通过LCD控制器2412被提供给显示器2413的源信号线驱动电路,以便在像素中写入新的视频信号。
这样,只要图24中虚线所包含的电路(即栅信号线驱动电路、LCD控制器2412、笔触式书写板2401、检测器电路2402以及书写板接口2418)进行操作,便携式信息终端就可以连续显示静止图像。
图25示出采用本发明的蜂窝式电话的示例。蜂窝式电话的操作通常与图24所示的便携式信息终端的操作相同。蜂窝式电话和便携式信息终端之间的差别在于:蜂窝式电话采用键盘2501来输入数据,并且由CPU2506通过键盘接口2518进行控制。另一个差别在于:外部数据通过电话服务公司的通信系统输入到天线,并由CPU2506控制的发送/接收电路2515进行放大。当显示静止图像时,视频信号处理电路2507、VRAM2511以及源信号线驱动电路的操作可以类似于便携式信息终端的那样被终止。
这样,只要图25中虚线所包含的电路(即栅信号线驱动电路、LCD控制器2512、键盘2501以及键盘接口2518)进行操作,蜂窝式电话可以继续显示静止图像。
下面将说明本发明的实施例。
[实施例1]
本实施例对实施例模式中所示电路的像素进行说明,涉及其特定结构(晶体管和其它元件的布置)及其操作。
图8示出类似于图1所示的像素,但此处所示的组成D/A111的电路与图1所示的不同。图8中,与图1相同的元件由相同的参考符号来表示。存储电路105、106以及107分别连接到写TFT108、109以及110,并且由分别由存储电路选择信号线(写栅信号线)102、103以及104进行控制。
图4示出存储电路的示例。虚线框450所包含的区域是一个存储电路(对应于图8中的105、106或107),而451表示一个写TFT(对应于图8中的108、109或110)。图中所示的存储电路450是采用触发器的静态随机存取存储器(SRAM)。但是,存储电路并不限于这种结构。
图8所示的本实施例的电路可以根据实施例模式中结合图3A和3B所述的时间图进行驱动。电路的操作以及实际驱动存储电路选择单元的方法将结合图3A、3B以及图8进行说明。本说明采用图3A、3B以及图8所用的参考符号。
参照图3A和3B。在图3A中,帧周期分别由α、β以及γ来表示。首先说明在周期α中电路的操作。
移位寄存器电路、第一闩锁电路以及第二闩锁电路的操作与实施例模式中所述操作相同,参见实施例模式的说明。
在周期I,脉冲被输入到写栅信号线102以使TFT108导通,并且数字信号被写入存储电路105。随后,在周期II,脉冲被输入到写栅信号线103以使TFT109导通,并且数字信号被写入存储电路106。最后,在周期III,脉冲被输入写栅信号线104以使TFT110导通,并且数字信号被写入存储电路107。
上述步骤完成对应于一个水平周期的数字信号处理。图3B中的周期对应于图3A中由*所表示的周期。上述操作重复进行,直到最后阶段被处理,从而完成将对应于一帧的数字信号写入存储电路105至107的过程。
所写入的数字信号通过D/A111转换成模拟信号,并且该模拟信号输入到液晶元件。液晶元件根据输入模拟信号来改变其透射比,以便提供灰度级。由于此处的信号是3位信号,因此所获得的亮度范围是0至7,即总共8个等级。
这样,对应于一个帧周期的数据被显示。同时,驱动电路将处理
下一帧周期的数字信号。
上述步骤重复进行以显示图像。
要显示静止图像时,在完成将某一帧的数字信号写入存储电路之后,源信号线驱动电路的操作被终止,并且写入存储电路中的相同信号在每次起动新帧时被读取,以便显示静止图像。
虽然图8中未示出,然而还有另一个可供选择的方法。在该另一个可供选择的方法中,每个像素中存储电路的输出均通过读出TFT被输入到D/A,并且对于每个新帧周期,这些信号均通过操作读出TFT被反复从存储电路中读出。操作读出TFT的电路可以具有任何已知结构。
静止图像可以通过另一种方法来显示,在这种方法中,输入到存储电路的信号被不断地输入到D/A电路,并且相应的模拟信号被输出到液晶元件。在这种情况下,相同亮度级的显示连续进行,直到进行了写TFT的选择且信息被新写入存储电路中。这种驱动方法不需要上述的读出TFT等。
这样,显示静止图像过程中的耗电量可以极大地降低。
[实施例2]
本实施例说明了一种情况,在这种情况中,信号按照点序制被写入像素部分的存储电路中,以消除对源信号线驱动电路的第二闩锁电路的需求。
图5示出源信号线驱动电路的结构和采用包含存储电路的像素的液晶显示器中一些像素的结构。这种电路能够处理3位数字灰度级信号,并且包括移位寄存器电路(SR)501、闩锁电路(LAT1)502以及像素503。510所表示的是直接从栅信号线驱动电路等提供的信号,稍后将与对像素的解释一道对这些信号进行说明。
图6示出图5中像素503的其中之一的详细电路结构。正如实施例1那样,该像素用于3位数字灰度级信号,并且包括液晶元件(LC)、存储电容器(Cs)、存储电路(605至607)以及D/A(D/A转换器611)等。601所表示的是第一位(MSB)信号源信号线,602表示第二位信号源信号线,以及603表示第三位(LSB)信号源信号线。参考符号604表示写栅信号线,而608至610表示写TFT。
图7A和7B是关于本实施例的电路驱动的时间图。下面将结合图6以及图7A、7B进行说明。
移位寄存器电路501和闩锁电路(LAT1)502的操作与实施例模式和实施例1中所述相同。如图7B所示,在第一阶段的闩锁操作完成之后,就立即开始写入像素的存储电路的操作。脉冲被输入到写栅信号线604以使写TFT608至610导通并使存储电路准备写入。分别保持在闩锁电路502中按位排序的数字信号通过三条源信号线601至603被同时写入存储电路。
当保持在闩锁电路中的数字信号在第一阶段被写入存储电路时,对后续的抽样脉冲作出反应,下一阶段的数字信号开始保持在闩锁电路中。这样,信号被顺序地写入存储电路。
以上操作被反复进行,直到最后阶段,从而完成一个水平周期。
图7B中的周期对应于图7A中由**所表示的周期。
对于所有水平周期1至480进行同样的操作。
然后完成第一帧的显示周期。在周期β中,下一帧的数字信号被处理。
通过重复以上步骤来显示图像。要显示静止图像时,在完成将某一帧的数字信号写入存储电路之后,源信号线驱动电路的操作被终止,并且被写入存储电路中的相同信号在每次起动新帧时被读取,以便显示静止图像。这样,显示静止图像过程中的耗电量可以极大地降低。此外,闩锁电路的数量减少到实施例模式中闩锁电路数量的一半。因此,本实施例在电路的布置上节省空间,并且有助于显示器整体尺寸的减少。
[实施例3]
本实施例说明一种液晶显示器的示例,这种液晶显示器采用实施例2所述的液晶显示器的电路结构并且不包含第二闩锁电路,并采用点顺驱动将信号写入像素中的存储电路。
图17示出根据本实施例的液晶显示器的源信号线驱动电路的电路结构的示例。该电路能够处理3位数字灰度级信号,并且包括移位寄存器电路1701、闩锁电路1702、开关电路1703以及像素1704。1710所表示的是从栅信号线驱动电路或直接从外部提供的信号。像素的电路结构与实施例2的相同,因此实际上可以参照图6。
图18A和18B是关于本实施例的电路驱动的时间图。下面将参照图6、图17以及图18A、18B来进行说明。
从移位寄存器电路1701输出抽样脉冲到响应抽样脉冲而将数字信号保持在闩锁电路1702中的这些操作与实施例1和2的相同。在本实施例中,开关电路1703放置在闩锁电路1702和像素1704中的存储电路之间。因此,在完成了将数字信号保持在闩锁电路的操作之后,就不立即开始写入存储电路的操作。开关电路1703保持闭合状态,直到点数据抽样周期结束,并且只要开关电路是闭合的,闩锁电路就继续保持数字信号。
如图18B所示,在完成了保持对应于一个水平周期的数字信号之后的回扫周期中,开关电路1703在接收到闩锁信号(闩锁脉冲)时便被立即打开。然后保持在闩锁电路1702中的数字信号同时被写入像素1704中的存储电路。在这个写入操作过程中像素1704的操作以及在下一帧周期的显示的读出操作过程中像素1704的操作与实施例2的相同,因此就不再对它们进行说明。
图18B中的周期对应于图18A中由***表示的周期。
这样,当源信号线驱动电路没有第二闩锁电路时,也可以方便地进行按照点序制的驱动。
[实施例4]
本实施例说明一种情况,在这种情况中,采用一种从许多灰度级电压线中进行选择的D/A转换器。图8示出其电路图。
当电路处理3位数字信号时,提供了八条灰度级电压线,这些电压线分别连接到开关TFT。存储电路的输出被用于通过解码器有选择地驱动开关TFT。开关TFT可以使用传输门。
在图8中,从存储电路105至107的输出包括存储在存储电路中的信号以及所存储信号的反相信号。
本实施例可以随意地与实施例1至3进行组合。
[实施例5]
本实施例说明一种情况,在这种情况中,采用一种D/A转换器,其结构不同于实施例4中参照图8所述的结构。图9示出其电路图。
本实施例的电路是一种从类似于实施例4中参照图8所述的许多灰度级电压线中进行选择的电路。图8的电路包含许多元件,因此这些元件占用了像素的大的面积。在图9中,开关被串联,使这些开关兼作解码器以减少元件数量。这些开关可以使用传输门。
在图9中,从存储电路105至107中的输出包括存储在存储电路中的信号以及所存储信号的反相信号。
本实施例可以随意地与实施例1至3进行组合。
[实施例6]
本实施例说明一种情况,在这种情况中,采用一种D/A转换器,其结构不同于实施例4和5中参照图8和图9所述的结构。图20示出其电路图。
图8和9所示的D/A转换器采用灰度级电压线,要求配线的数量对应于灰度级的数量。因此图8和9的转换器不适合于多灰度级。在图20的转换器中,基准电压被划分,以便按照电容器C1至C3的组合来提供灰度级电压。象这样的电容划分方法按照电容器C1至C3的比例来获得灰度级,从而提供不同的灰度级显示。
象这样的电容划分方法的D/A转换器在“AMLCD99,技术论文文摘”第29-32页中进行了说明。
本实施例可以随意地与实施例1至3进行组合。
[实施例7]
本实施例说明一种情况,在这种情况中,采用一种D/A转换器,其结构不同于实施例4、5以及6中参照图8、图9以及图20所述的结构。图21示出其电路图。
图21所示的转换器是通过进一步简化实施例6中参照图20所述的D/A转换器而得到的电路。在电容器C1、C2以及C3其中每一个电容器的两个电极中,没有连接液晶元件的电极在复位时被连接到VL,而在其它时间则被连接到VH或VL。这种连接仅通过一个开关就能建立。这个开关可以使用传输门。
在图21中,从存储电路105至107中的输出包括存储在存储电路中的信号以及所存储信号的反相信号。
本实施例可以随意地与实施例1至3进行组合.
[实施例8]
如图22所示,以仅一位数据处理所需的数量来提供源信号线驱动电路的闩锁电路。为了弥补较少的电路数量,源信号线驱动电路操作的速度快了三倍,第一位数据、第二位数据以及第三位数据在一条线周期内被依次输入到源信号线驱动电路。这样,本实施例的源信号线驱动电路就可以提供与实施例1相同的效果。
本方法需要外部电路来依次替换数据,但可以减少源信号线驱动电路的尺寸。
[实施例9]
注意,下面将对制作驱动电路(源信号线驱动电路、栅信号线驱动电路以及像素选择线驱动电路)的TFT的步骤进行说明,所述驱动电路提供在使用本发明驱动方法的显示器的像素部分以及在像素部分的外围部分。为了简化说明,图中示出了CMOS电路,该电路是驱动电路部分的基本结构电路。
首先,如图10A所示,基底薄膜5002在衬底5001上形成,其中,基底薄膜5002由诸如氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或氧氮化硅薄膜的绝缘薄膜制成,衬底5001由诸如硼硅酸钡(barium borosilicate)玻璃或硼硅酸铝(aluminum borosilicate)玻璃的玻璃制成,通常由诸如CorningCorp.#7059玻璃或#1737玻璃的玻璃制成。例如,形成氧氮化硅薄膜5002a和氢化氧氮化硅(hydrogenated silicon oxynitride)薄膜5002b的分层薄膜,其中,氧氮化硅薄膜5002a由SiH4、NH3以及N2O通过等离子体CVD制成10至200nm(最好是在50和100nm之间)的厚度,氢化氧氮化硅薄膜5002b类似地由SiH4和N2O制成50至200nm(最好是在100和150nm之间)的厚度。实施例9中基底薄膜5002示出为两层结构,然而,也可以构成单层薄膜的绝缘薄膜以及分层为两层以上的结构。
岛状半导体层5003至5006由晶态半导体薄膜形成,其中晶态半导体薄膜由具有非晶态结构的半导体薄膜经激光晶化方法或已知的热晶化方法来制成。岛状半导体层5003至5006的厚度可以为25至80nm(最好是在30和60nm之间)。对形成晶态半导体薄膜的材料没有限制,但最好是用硅或硅锗(SiGe)合金来形成晶态半导体薄膜。
诸如脉冲振荡类型或连续光发射类型的受激准分子激光器、YAG激光器或YVO4激光器的激光器可以用于通过激光晶化方法来制作晶态半导体薄膜。当使用这些类型的激光器时,可以采用下述方法:先将激光振荡器所发出的激光通过光学系统聚光成直线形状,然后再将此光照射到半导体薄膜上。晶化条件可以由操作人员进行适当地选择,但是,当使用受激准分子激光器时,脉冲振荡频率设置为30Hz,激光能量密度设置为100至400mJ/cm2(通常在200和300mJ/cm2之间)。此外,当使用YAG激光器时,使用二次谐波,并且脉冲振荡频率被设置为1至10kHz,激光能量密度可以设置为300至600mJ/cm2(通常在350和500mJ/cm2之间)。聚光为直线形状的宽度为100至1000μm(例如400μm)的激光便照射到衬底的整个表面。对于线性激光,这可以以80至90%的覆比率实现。
通过覆盖岛状半导体层5003至5006来形成栅绝缘薄膜5007。栅绝缘薄膜5007由厚度为40至150nm含硅的绝缘薄膜通过等离子体CVD或溅射来形成。在实施例9中,形成120nm厚的氧氮化硅薄膜。栅绝缘薄膜当然并不限于这种氧氮化硅薄膜,其它含硅的绝缘薄膜也可以用于单层或分层结构。例如,当使用氧化硅薄膜时,它可以通过以下方法来形成:衬底温度设置为300至400℃,在40Pa的反应压力下,对TEOS(原硅酸四乙酯)和O2的混合物通过等离子体CVD,并通过以0.5至0.8W/cm2的高频(13.56MHz)电功率密度放电。通过随后在400至500℃之间对这样制成的氧化硅薄膜进行加温退火,就可以获得栅绝缘薄膜的良好特性。
随后,第一导电薄膜5008和第二导电薄膜5009在栅绝缘薄膜5007上形成,以便形成栅电极。在实施例9中,第一导电薄膜5008由厚度为50至100nm的Ta薄膜构成,第二导电薄膜5009由厚度为100至300nm的W薄膜构成。
Ta薄膜通过溅射来形成,对Ta靶的溅射由Ar进行。如果适量的Xe和Kr被添加到Ar,则Ta薄膜的内部压力则会减轻,并且可以防止薄膜脱落。α相Ta薄膜的电阻率约为20μΩcm,并且可以用于栅电极,但β相Ta薄膜的电阻率约为180μΩcm,且不适合用于栅电极。如果形成厚度约为10至50nm的氮化钽薄膜作为Ta薄膜的基底(base)以形成α相Ta薄膜,则很容易制成αTa薄膜,其中,氮化钽薄膜具有类似于α相Ta的晶体结构。
W薄膜通过溅射W靶来形成,也可以用六氟化钨(WF6)通过热CVD来形成。无论采用哪一种方法,都需要使薄膜变为低阻性的,以便将它用作栅电极,W薄膜的电阻率最好是等于或小于20μΩcm。可以通过扩大W薄膜的晶粒来降低电阻率,但是,在W薄膜中有诸如氧的许多杂质元素的情况下,晶化被禁止,因而薄膜成为高电阻性。因此,具有纯度为99.9999%的W靶被用于溅射法。此外,通过在形成W薄膜时注意不要让气相中的杂质进入,就可以达到9至20μΩcm的电阻率。
注意,虽然实施例9中,第一导电薄膜5008是Ta薄并且第二导电薄膜5009是W薄膜,但是,Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu族中所选的元素,或者主要成份中包含这些元素之一的合金材料,或者化合物材料等都可以用来形成这两种薄膜。此外,也可以使用半导体薄膜,通常是多晶硅薄膜,其中掺杂了诸如磷的杂质元素。除实施例9中所采用的之外,最佳组合的示例还包括:由氮化钽(TaN)来形成第一导电薄膜5008,并将它与W薄膜形成的第二导电薄膜5009结合;由氮化钽(TaN)来形成第一导电薄膜5008,并将它与Al薄膜所形成的第二导电薄膜5009结合;由氮化钽(TaN)来形成第一导电薄膜5008,并将它与Cu薄膜形成的第二导电薄膜5009结合。无论采用哪种方法,最好是结合能以适当的选择性进行蚀刻的导电材料。
然后,掩模5010由抗蚀剂形成,进行第一蚀刻处理以便形成电极和布线。实施例9中采用ICP(电感耦合等离子体)蚀刻方法。CF4和Cl2的气体混合物被用作蚀刻气体,并在1Pa下向线圈状电极施加500W RF电功率(13.56MHz)来产生等离子体。100W RF电功率(13.56MHz)也被施加到衬底侧(试样阶段),有效地施加负的自偏压。在混合CF4和Cl2的情况下,W薄膜和Ta薄膜被蚀刻到大致相同的水准。
通过使用适当的抗蚀剂掩模形状,按照在上述蚀刻条件下施加到衬底侧的偏压效果,第一导电层和第二导电层的边缘部分被制成锥形。锥形部分的角度为15至45°。蚀刻时间可以适当地增加10至20%,以便在栅绝缘薄膜上不留残渣地进行蚀刻。对于W薄膜,氧氮化硅薄膜的选择性为2至4(通常为3),因此氧氮化硅薄膜大约20至50nm的暴露表面通过这种过蚀刻(over-etching)过程进行蚀刻。这样,按照第一蚀刻过程形成了由第一导电层和第二导电层组成的第一形状导电层5011至5016(第一导电层5011a至5016a以及第二导电层5011b至5016b)。参考数字5007表示栅绝缘薄膜,通过约20至50nm的蚀刻,第一形状导电层5011至5016没有覆盖的区域被制作得更薄。
(图10B)
接着进行第一掺杂过程,产生n型导电性的杂质元素被添加。(图10B)离子掺杂或离子注入可以用于掺杂法。在剂量为1x1013至5x1014原子/平方厘米以及加速电压为60至100keV的条件下进行离子掺杂。周期表15族的元素,通常为磷(P)或砷(As),被用作产生n型导电性的杂质元素,此处用磷(P)。对于这种情况下的n型导电性产生杂质元素,导电层5011至5016成为掩模,并且第一杂质区域5017至5020通过自调整方式来形成。产生n型导电性的杂质元素被添加到第一杂质区域5017至5020,浓度为1x1020至1x1021原子/立方厘米。
(图10B)
接着在不除去抗蚀性掩模的情况下进行第二蚀刻过程,如图10C所示。CF4、Cl2以及O2的混合物被用作蚀刻气体,W薄膜被选择性地蚀刻。通过第二蚀刻过程,形成了第二形状导电层5021至5026(第一导电层5021a至5026a以及第二导电层5021b至5026b)。参考数字5007表示栅绝缘薄膜,并且第二形状导电层5021至5026没有覆盖的区域再次被蚀刻约20至50nm,形成更薄的区域。
按照CF4和Cl2混合气体的W薄膜或Ta薄膜的蚀刻反应可以从所产生的根(radicals)、离子类型以及反应产物的蒸汽压力来进行估计。比较W和Ta的氟化物以及氯化物的蒸汽压力,W氟化物化合物SF6特别高,WCl5、TaF5以及TaCl5的蒸汽压力为相同的级(order)。因此,W薄膜和Ta薄膜均由CF4和Cl2气体混合物来进行蚀刻。但是,如果适量的O2被添加到这种气体混合物中,CF4和Cl2则发生反应,形成CO和F,并且产生大量的F根或F离子。结果,具有高氟化物蒸汽压力的W薄膜的蚀刻速度被提高。另一方面,即使F增加,Ta的蚀刻速度不会相应地提高。此外,与W相比,Ta易被氧化,因此Ta的表面被O2的附加物所氧化。Ta薄膜的蚀刻速度进一步降低,因为Ta氧化物不会与氟化物和氯化物发生反应。因此,在W薄膜和Ta薄膜之间的蚀刻速度就能够有所不同,并且能够使W薄膜的蚀刻速度大于Ta薄膜的蚀刻速度。
然后,如图11A所示,进行第二掺杂过程。在这种情况下,剂量少于第一掺杂过程,并且在高加速电压的条件下,添加产生n型导电性的杂质。例如,在加速电压设置为70至120keV以及剂量为1x1013原子/平方厘米的情况下进行这个过程,以便在组成图10B的岛状半导体层的第一杂质区域内部形成新的杂质区域。掺杂被进行,使第二形状导电层5021至5026被用作杂质元素的掩模,并且杂质元素还被添加到第一导电层5021a至5026a下面的区域中。这样,形成了第二杂质区域5027至5031。添加到第二杂质区域5027至5031的磷(P)的浓度具有按照第一导电层5021a至5026a的锥形部分厚度的平缓浓度梯度。注意,在与第一导电层5021a至5026a锥形部分重叠的半导体层中,杂质元素的浓度在第一导电层5021a至5026a锥形部分的端部至内部略有下降,但浓度还是保持几乎相同的水平。
如图11B所示,进行第三蚀刻过程。通过使用反应离子蚀刻方法(RIE方法——reactive ion etching method)并用CHF6蚀刻气体来进行这个过程。第一导电层5021a至5026a的锥形部分被部分地蚀刻,并且通过第三蚀刻过程,第一导电层与半导体层重叠的区域减少。形成了第三形状导电层5032至5037(第一导电层5032a至5037a和第二导电层5032b至5037b)。此时,未被第三形状导电层5032至5037覆盖的栅绝缘薄膜5007的区域通过蚀刻被制作得薄了20至50nm。
通过第三蚀刻过程,在第二杂质区域5027至5031的情况下,与第一导电层5032a至5037a重叠的第二杂质区域5027a至1031a,以及在第一杂质区域和第二杂质区域之间的第三杂质区域5027b至5231b。
随后,如图11C所示,在岛状半导体层5004中形成第四杂质区域5039至5044,其导电类型与第一导电类型相反,形成p沟道TFT。第三导电层5033b被用作杂质元素的掩模,并且以自调整的方式形成杂质区域。此时,构成n沟道TFT的岛状半导体层5003、5005、存储电容器部分5006以及布线部分5034的整个表面被抗蚀性掩模5038所覆盖。分别以不同的浓度将磷添加到杂质区域5039至5044。采用乙硼烷(B2H6)通过离子掺杂法来形成所述区域,并且各个区域的杂质浓度为2x1020至2x1021原子/立方厘米。
通过以上步骤,在各个岛状半导体层中形成了杂质区域。与岛状半导体层重叠的第三形状导电层5032、5033、5035以及5036起栅电极的作用。数字5034起岛状源信号线的作用。数字5037起电容器布线的作用。
在除去抗蚀性掩模5038之后,激活添加到各个岛状半导体层的杂质元素的步骤用于控制导电类型。采用炉内退火炉(furnace annealoven)通过加温退火方法来执行这个步骤。此外,可以运用激光退火方法或快速加温退火方法(RTA方法)。在氧浓度为1ppm或更小、最好是0.1ppm或更小、温度为400至700℃、通常为500至600℃的氮环境中执行加温退火方法。实施例9中,在500℃下进行热处理4小时。但是,在用于第三形状导电层5032至5037的布线材料不耐热的情况下,最好是在形成层间绝缘薄膜(其主要成份为硅)之后再执行激活,以保护布线等。
此外,在含3至100%的氢的环境中,在300至450℃下进行1至12小时的热处理,并进行使岛状半导体层氢化的步骤。这个步骤是通过热激发氢来终止半导体层中不饱和键的步骤。作为用于氢化的另一种方法,可以进行等离子体氢化(采用由等离子体激发的氢)。
接着,形成厚度为100至200nm的氧氮化硅薄膜的第一层间绝缘薄膜5045。然后,在其上形成有机绝缘材料的第二层间绝缘薄膜5046。此后,进行蚀刻以形成接触孔。
然后,在驱动电路部分,形成接触岛状半导体层的源区的源极布线5047、5048以及接触岛状半导体层的漏区的漏极布线5049。在像素部分,形成连接电极5050以及像素电极5051、5052(图12A)。连接电极5050提供源信号线5034和像素TFT之间的电气连接。应当注意,像素电极5052和存储电容器属于相邻的像素。
这样,可以在同一个衬底上形成包含n沟道TFT和p沟道TFT的驱动电路、像素TFT和包含存储电容器的像素部分。在本说明中,这样的衬底被称作有源矩阵衬底。
此外,像素电极的边缘部分布置为与源信号线和栅信号线重叠,使像素电极间的间隙可以屏蔽光线而不用黑距阵(black matrix)。
另外,根据实施例9所示过程,可以通过使用五个光掩模(一个岛状半导体层图案(pattern)、第一布线图案(源信号线、栅信号线、电容器布线)、p沟道区域掩模图案、接触孔图案以及第二布线图案(包括像素电极和连接电极))来制作有源矩阵衬底。结果,过程可以被减少,这就有助于降低制造费用并增加生产能力。
在获取图12A的有源矩阵衬底之后,在图12B的有源距阵衬底上形成定位薄膜5053,并执行摩擦过程。
准备相对的衬底5054。在相对的衬底5054上形成滤色片层5055至5057以及外涂层5058。形成滤色片层,使具有红色的滤色片层5055以及具有蓝色的滤色片层5056互相重叠,并用作光屏蔽薄膜。需要至少屏蔽TFT、连接电极和像素电极之间的空隙,因此,最好是适当地布置红色滤色片和蓝色滤色片,以便重叠并屏蔽必要的位置。
此外,结合连接电极5050,涂覆红色滤色处片层5055、蓝色滤色处片层5056以及绿色滤色处片层5057,形成隔板(spacer)。通过将颜料混入丙烯酸树脂来形成厚度为1至3μm的各种滤色片。可以采用一种使用感光材料的掩模来形成预定的图案。考虑到1至4μm的涂覆层厚度,隔板的高度作为2至7μm,最好是在4和6μm之间。当有源矩阵衬底和相对衬底结合时由这个高度产生一个间隙。通过光硬化或热硬化来形成涂覆层5058,并使用例如有机树脂材料以及诸如聚酰亚胺和丙烯酸树脂的材料。
隔板的布置可以任意确定,并且例如隔板可以布置在相对衬底5054上,以便与连接电极上方的位置对齐,如图12B所示。此外,隔板还可以布置在相对衬底5054上,以便与驱动电路的TFT上方的位置对齐。隔板可以布置在驱动电路部分的整个表面的上方,并且它们可以布置为覆盖源极布线和漏极布线。
在形成涂覆层5058之后,通过形成图案(patterning)来形成相对电极5059,并且在形成定位薄膜5060之后执行摩擦过程。
然后,其上形成像素部分和驱动电路的有源矩阵衬底和相对衬底通过密封件5062接合到一起。填料被混入密封件5062,这两种衬底被接合到一起,具有由填料和隔板保持的均匀间隙。然后液晶材料5061被注入两个衬底之间,再使用密封材料完全密封(图中未示出)。已知的液晶材料可以用作液晶材料5061。这样便实现了图12B所示的有源矩阵液晶显示器。
尽管按上述过程制作的TFT具有顶部栅(top gate)结构,但本发明也可以运用于底部栅(bottom gate)结构TFT或其它结构TFT。
此外,玻璃衬底被用于本实施例中,但并不限于此。除玻璃衬底以外的衬底,例如塑料衬底、不锈钢衬底以及单晶片,均可以被用于实施。
本实施例可以随意地与实施例1至8进行组合。
[实施例10]
本发明的液晶显示器在其像素部分中包含多个存储电路,因此组成一个像素的元件数量大于一个普通像素中的元件数量。如果液晶显示器属于透射类型,那么较低的孔径比会引起亮度不够。因此,本发明最适合运用于反射液晶显示器类型。本实施例说明制作反射液晶显示器类型的示例。
按照实施例9的说明,制作图19A所示的有源矩阵衬底(该衬底类似于图12A所示的衬底)。然后形成树脂薄膜作为第三层间绝缘薄膜5201。此后,在像素电极中开一个接触孔以便形成反射电极5202。最适合构成反射电极5202的材料是具有良好反射率的材料,例如主要包含Al或Ag薄膜,或者是包含薄膜的Al和包含薄膜的Ag的叠层片。
另一方面,准备相对衬底5054。本实施例中,通过形成图案在相对衬底5054上形成相对电极5205。相对电极5205由透明导电薄膜构成。透明导电薄膜的材料可以包含氧化铟和氧化锡的化合物(此化合物称作ITO)或氧化铟和氧化锌的化合物。
尽管在图中没有示出,但要制作彩色液晶显示器时形成滤色片层。这种情况下的最佳结构是:不同颜色的相邻滤色片层互相重叠,使其兼作用于作为TFT区域的光屏蔽薄膜。
随后,在有源矩阵衬底和相对衬底上分别形成定位薄膜5203和5204,并对定位薄膜进行磨擦处理。
其上形成像素部分和驱动电路部分的有源距阵衬底通过密封件5206被粘合到相对衬底上。密封件5206包含混入其中的填料,并且填料与隔板一道,在两块衬底粘合时使衬底间的距离保持均匀。液晶材料5207被注入衬底之间,然后用最终的密封材料(未示出)完全密封衬底。液晶材料5207可以是已知的液晶材料。这样就实现了图19B所示的反射性液晶显示器。
在本实施例中,也可以使用除玻璃衬底之外的衬底,包括塑料衬底、不锈钢衬底以及单晶片等。
另外,本发明可以容易地运用于半透射性的显示器中,在这种类型的显示器中,一半像素包含反射电极,而其余像素则包含透明电极。
本实施例可以随意地与实施例1至8进行结合。
[实施例11]
本实施例结合图27A至27C,对制作本发明的液晶显示器的示例进行说明。
图27A是一种液晶显示器的俯视图,这种液晶显示器的液晶密封在TFT衬底和其相对衬底之间。图27B是沿图27A的线条A-A′的剖视图。图27C是沿图27A的线条B-B′的剖视图。
提供密封件4009,使其包围像素部分4002、源信号线驱动电路4003、第一和第二栅信号线驱动电路4004a和4004b,它们均在TFT衬底4001上形成。相对衬底4008位于像素部分4002、源信号线驱动电路4003、第一和第二栅信号线驱动电路4004a和4004b上。TFT衬底4001、密封件4009以及相对衬底4008所包围的空间填充液晶材料4210。
在TFT衬底4001上形成的像素部分4002、源信号线驱动电路4003、第一和第二栅信号线驱动电路4004a和4004b均包含许多TFT。图27B说明驱动TFT4201和像素TFT4202,作为这些TFT的代表。驱动TFT(图中所示为一个n沟道TFT和一个p沟道TFT)4201在基底薄膜4010上形成,并且包含在源信号线驱动电路4003中。像素TFT(控制施加于像素电极上的电压的TFT)4202包含在像素部分4002中。
在本实施例中,通过已知方法所形成的p沟道TFT和n沟道TFT被用于驱动TFT4201,通过已知方法所形成的p沟道TFT被用于像素TFT4202。像素部分4002配有存储电容器(未示出),该存储电容器与像素TFT4202的栅电极电气连接。
在驱动TFT4201和像素TFT4202上形成层间绝缘薄膜(平面薄膜(planarization film))4301。在层间绝缘薄膜4301上,形成与像素TFT4202的漏极电气连接的像素电极4203。
在相对衬底4008上形成相对电极4205。尽管在图27B中未示出,但适当地提供滤色片和偏振片。对相对电极4205施加给定电压。
按照上述方法,形成包括像素电极4203、液晶4210以及相对电极4205的液晶元件。
参考符号4005a表示引出连线(lead-out wiring lines),该连线将像素部分4002、源信号线驱动电路4003、第一栅信号线驱动电路4004a以及第二栅信号线驱动电路4004b连接到外部电源。引出连线4005a连接在密封件4009和TFT衬底4001之间,通过各向异性的导电薄膜4300与FPC4006的FPC连线4301进行电气连接。
相对衬底4008可以由玻璃材料、金属材料(通常为不锈钢材料)、陶瓷材料或塑胶材料(包括塑料薄膜)来形成。可用的塑胶材料的示例包括FRP(玻璃纤维增强塑料)片、PVF(聚氟乙烯)薄膜、Mylar薄膜、聚酯薄膜以及丙烯酸树脂薄膜。也可以使用PVF薄膜间或Mylar薄膜间夹入了铝箔的薄片。
如果来自像素电极的光线传播到覆盖件侧,那么覆盖件必须是透明的。在这种情况下,使用诸如玻璃片、塑料片、聚酯薄膜或丙烯酸薄膜的透明材料。
像素电极4203和导电薄膜4203a是同时形成的。形成导电薄膜4203a,以便接触引出连线4005a的顶面,如图27C所示。
各向异性的导电薄膜4300包含导电填料4300a。通过将TFT衬底4001和FPC4006进行热压入配合,导电填料4300a将TFT衬底4001上的导电薄膜4203a电气连接到FPC4006上的FPC连线4301。
本实施例可以随意地与实施例1至10进行结合。
[实施例12]
本实施例对一个示例进行说明,该示例中,在透射性液晶显示器中实现本发明的液晶显示器。
设计规则设置为1μm规则,像素间距设置为约100ppi。像素中的存储电路、D/A转换器以及其它元件可以放置在源信号线的下面,从而解决低孔径比的问题。这就能够将本发明除运用于反射性液晶显示器之外,还可以运用于透射性液晶显示器中。
图30示意性示出上述结构的透射性液晶显示器中像素的俯视图。
参考符号3301表示像素,3302至3304表示存储电路,3305表示D/A转换器,3306表示像素电极,以及3307表示源信号线。图中省略了相对电极、滤色片、存储电容器以及一些其它元件。形成存储电路3302至3304以及D/A转换器3305,以致与源信号线3307重叠。
尽管没有示出,但可以布置存储电路3302至3304以及D/A转换器3305,以致与栅信号线重叠,而不是将它们放置在源信号线3307的下面。
[实施例13]
静态随机存取存储器(SRAM)被用于根据本发明实施例1至12的液晶显示器像素部分的存储电路。但是,存储电路并不限于SRAM。可以提供动态随机存取存储器(DRAM)作为本发明的液晶显示器中像素部分可用的其它存储电路。
尽管在图中没有示出,但可以被用来组成本发明的液晶显示器中像素部分的其它形式的存储电路包括FeRAM(铁电随机存取存储器)。FeRAM是非易失存储器,它具有SRAM和DRAM同样级别的写入速度。FeRAM包括低写入电压在内的特征可以被用来进一步降低本发明液晶显示器的功耗。闪速存储器也可以被用来组成本发明的存储电路。
本实施例可以随意地与实施例1至12进行结合。
[实施例14]
采用根据本发明所形成的驱动电路的有源矩阵液晶显示器具有各种各样的用途。在本实施例中,半导体器件实现了一种显示器,这种显示器采用根据本发明所形成的驱动电路。
下面给出可以作为这样的显示器的示例:便携式信息终端(例如电子图书、移动式计算机或移动电话);摄像机;数字摄像机;个人计算机;电视机和投影机。这些电子设备的示例如图15和16所示。
图15A是一种便携式电话,它包括机身2601、声音输出部分2602、声音输入部分2603、显示部分2604、操作开关2605以及天线2606。本发明可以运用于显示部分2604。
图15B说明一种摄像机,它包括机身2611、显示部分2612、音频输入部分2613、操作开关2614、电池2615以及图像接收部分2616等。本发明可以被运用于显示部分2612。
图15C说明一种移动式计算机或便携式信息终端,它包括机身2621、摄像区2622、图像接收区2623、操作开关2624以及显示部分2625等。本发明可以运用于显示部分2625。
图15D说明头戴式显示器,它包括机身2631、显示部分2632以及挂臂部分2633。本发明可以运用于显示部分2632。
图15E说明一种电视机,它包括机身2641、喇叭2642、显示部分2643、输入装置2644以及放大装置2645。本发明可以用于显示部分2643。
图15F说明一种便携式电子图书,它包括机身2651、显示部分2652、存储媒体2653、操作开关2654以及天线2655,并且该便携式电子图书显示记录在小型盘(MD)和DVD(数字化通用光盘(digitalversatile disc))上的数据以及由天线所记录的数据。本发明可以运用于显示部分2652。
图16A说明一种个人计算机,它包括机身2201、图像输入部分2202、显示部分2203以及键盘2204等。本发明可以被运用于显示部分2203。
图16B说明一种播放器,它采用记录节目的记录媒体(以下称作记录媒体),并且包括机身2211、显示部分2212、喇叭部分2213、记录媒体2214以及操作开关2215。此播放器采用DVD(数字化通用光盘)、CD等作为记录媒体,并且可以被用于音乐欣赏、影片欣赏、游戏以及因特网。本发明可以运用于显示部分2212。
图16C说明一种数字摄像机,它包括机身2221、显示部分2222、取景器部分2223、操作开关2224以及图像接收区(图中未示出)。本发明可以运用于显示部分2222。
图16D说明一种单眼头戴式显示器,它包括主体2231和固定带部分2232。本发明可以运用于显示部分2231。
[实施例15]
本实施例说明根据本发明的便携式信息终端的外观。图31所示的是具有本发明的结构的便携式信息终端。在图31中,2701表示显示面板,2702表示操作面板。显示面板2701在连接装置2703处与操作面板2702相连接。设置了显示面板2701的显示装置2704的面板和设置了操作面板2702的操作键2706的面板在连接装置2703处形成θ角。θ角是可以任意改变的。
图31所示的便携式信息终端具有电话功能,并且显示面板2701配置了音频输出装置2705,使声音从音频输出装置2705输出。本发明的液晶显示装置被用于显示装置2704。
显示装置2704的长宽比可以任意设置,例如16:9或者4:3。显示装置2704的理想尺寸大约是对角线为1至4.5英寸。
操作面板2702除配置了操作键2706之外,还配置了电源开关2707和音频输入装置2708。电源开关2702与图31中的操作键2706分开来提供。但是,电源开关2707可以是操作键2706的其中之一。声音从音频输入装置2708输入。
在图31中,显示面板2701包含音频输出装置2705,而操作面板2702包含音频输入装置2708。但本发明并不限于这种布置,显示面板2701可以包含音频输入装置2708,而操作面板2702包含音频输出装置2705。另外,音频输出装置2705和音频输入装置2708均可以在显示面板2701上来提供,或者音频输出装置2705和音频输入装置2708可以同时在操作面板2702上提供。
图32说明一种情况,在这种情况中,用食指来操作图31所示的便携式信息终端的操作键2706。另一方面,图33说明一种情况,在这种情况中,用大拇指来操作图31所示的便携式信息终端的操作键2706。操作键2706可以在操作面板2702的一个侧面上提供。终端的操作只需要用一只(惯用的)手的食指或大拇指。
[实施例16]
本实施例参照图28A至29B说明运用本发明的便携式信息装置的电子设备。
个人计算机可以作为本发明的便携式信息装置的一个示例。图28A示出一种个人计算机,它包括机身2801、图像输入装置2802、显示装置2803以及键盘2804等。通过采用各个像素均包含存储电路的液晶显示器来作为显示装置2803,可以降低个人计算机的功耗。
导航系统可以作为本发明的便携式信息装置的一个示例。图28B示出一种导航系统,它包括机身2811、显示装置2812、喇叭装置2813、存储媒体2814以及操作开关2815等。通过采用各个像素均包含存储电路的液晶显示器来作为显示装置2812,可以降低导航系统的功耗。
电子图书可以作为本发明的便携式信息装置的一个示例。图28C示出一种电子图书,它包括主体2851、显示装置2852、存储媒体2853、操作开关2854以及天线2855等。电子图书显示记录在小型盘(MD)和DVD(数字化通用光盘)上的数据以及通过天线接收的数据。通过采用各个像素均包含存储电路的液晶显示器来作为显示装置2852,可以降低电子图书的功耗。
蜂窝式电话可以作为本发明的便携式信息装置的一个示例。图29A示出一种蜂窝式电话,它包括显示面板2901、操作面板2902、连接装置2903、显示装置2904、音频输出装置2905、操作开关2906、电源开关2907、音频输入装置2908、天线2909、CCD光接收装置2910以及外部输入端口2911等。通过采用各个像素均包含存储电路的液晶显示器来作为显示装置2904,可以降低蜂窝式电话的功耗。
PDA可以作为本发明的便携式信息装置的一个示例。图29B示出一种PDA,它包括显示装置/笔触式书写板3004、操作开关3006、电源开关3007、外部输入端口3011、输入笔3012等。通过采用各个像素均包含存储电路的液晶显示器来作为显示装置3004,可以降低PDA的功耗。
[实施例17]
本实施例说明一种情况,在这种情况中,DAC控制器(未示出)被用于将保持在各个像素的存储电路中并被输入到D/A转换器中的信号转换成在像素结构与图20相同的液晶显示器中的相应的模拟信号。下面将参照图37进行说明。
在本实施例中,将保持在各个像素的存储电路中并被输入到D/A转换器中的信号转换成相应的模拟信号并将模拟信号从D/A转换器中输出的操作称作存储电路读出操作。
在图37中,像素包含写TFT108至110、存储电路105至107、源信号线101、写栅信号线102至104、D/A转换器400、液晶元件LC以及存储电容器Cs。
写TFT108至110其中的每一个均包含源区和漏区,其中一个区连接到源信号线110,另一个区则连接到其相关存储电路的输入(108连接到105,109连接到106,110连接到107)。写TFT108包含连接到栅信号线102的栅电极,TFT109包含连接到线103的栅电极,以及TFT110包含连接到线104的栅电极。存储电路105至107的输出分别连接到D/A转换器400的输入In1至In3。D/A转换器400的输出OUT连接到液晶元件LC以及存储电容器Cs的电极之一。
D/A转换器400包括NAND电路441至443、反相器444至446以及461、开关447a至449a、开关447b至449b、开关460、电容器C1至C3、复位信号线452、低电压侧灰度级电源线453、高电压侧灰度级电源线454以及中间电压侧灰度级电源线455。
一直到在存储电路105至107中存储数字信号的操作与实施例模式和实施例1中的操作相同。因此便不再对它们进行说明。
现将说明D/A转换器400的操作。
信号RES被输入到复位信号线452,以便接通开关460。连接到OUT端一侧的电容器C1至C3的电位固定为中间电压侧灰度级电源线455的电位VM。高电压侧灰度级电源线453的电位设置为等于低电压侧灰度级电源线453的电位VL的电位。如果数字信号在这时输入到In1至In3,则信号不会被写入电容器C1至C3。
此后,复位信号线452的信号RES改变,开关460断开,从而解除了OUT端侧上的电容器C1至C3电位的固定电位。随后,高电压侧灰度级电源线454的电位改变为电位VH,该电位不同于低电压侧灰度级电源线453的电位VL。这时,NAND电路441至443的输出根据输入到端子In1至In3的信号来改变。NAND电路输出的变化使开关447a和447b的其中之一接通,也使开关448a和448b的其中之一、以及开关449a和449b的其中之一接通。然后,高电压侧灰度级电源线的电位VH或低电压侧灰度级电源线的电位VL施加给电容器C1至C3的电极。
电容器C1至C3的电容量根据位(bit)来设置。例如,C1:C2:C3为1:2:4。
施加给电容器C1至C3的电压改变OUT端侧电容器C1至C3的电位,以便改变输出的电位。换句话说,对应于In1至In3的输入数字信号的模拟信号从OUT端输出。
DAC控制器控制输入到复位信号线452的信号RES、高电压侧灰度级电源线454的电位等,从而根据输入的数字信号来控制从D/A转换器400输出的模拟信号。
一旦数字信号被写入像素的存储电路,上述操作即采用DAC控制器来重复进行,以便反复读出保持在存储电路中的数字信号。这样就可以显示静止图像。
源信号线驱动电路和栅信号线驱动电路可以在显示静止图像的过程中终止其操作。
尽管图37作为示例说明的是包含三个存储电路的像素,但本发明不限于此。概括起来,本实施例可以运用于各个像素均包含n个(n是等于或大于2的自然数)存储电路的液晶显示器。
所使用的DAC控制器可以是已知结构的电路。
[实施例18]
本实施例参照图36说明根据本发明的像素的结构的示例。
在图36中,与图1相同的元件均用同样的参考符号来表示,并且不再对它们进行说明。
在图36中,存储电路105至107的输出分别被发送到读出TFT121至123,然后再输入到D/A111。读出TFT121至123的栅电极连接到读出栅信号线124。
在如图36所示结构的像素中,将信号写入存储电路105至107的操作与实施例模式和实施例1的相同。因此省略了对该操作的说明。
如果要显示静止图像,一旦数字信号被存储在存储电路105至107中,读TFT121至123则通过将信号输入到读出栅信号线124来接通。这使保持在存储电路105至107中的数字信号被输入到D/A111。在各个像素均象本实施例中一样包含读出TFT的情况下,将保持在存储电路105至107中的数字信号输入到D/A111的操作在此被称作存储电路信号读操作。
读出TFT121至123被接通和断开,以便重复读操作,由此显示静止图像。
通过选择读出栅信号线可以实现读操作。读出栅信号线124可以由读出栅信号线驱动电路来驱动。
该读出栅信号线驱动电路可以是任何已知的栅信号线驱动电路。
尽管图36作为示例说明的是包含三个存储电路的像素,但本发明不限于此。概括起来,本实施例可以运用于各个像素均包含n个(n是等于或大于2的自然数)存储电路的液晶显示器。
[实施例19]
本实施例参照图38说明根据本发明的液晶显示器中像素的结构。
在图38中,与图1相同的元件均用同样的参考符号来表示,并且不再对它们进行说明。
各个像素包含存储电路141a至143a以及存储电路141b至143b。
选择开关151选择写TFT108对存储电路141a或对存储电路141b的连接。选择开关152选择写TFT109对存储电路142a或对存储电路142b的连接。选择开关153选择写TFT110对存储电路143a或对存储电路143b的连接。
选择开关154选择D/A111对存储电路141a或对存储电路141b的连接。选择开关155选择D/A111对存储电路142a或对存储电路142b的连接。选择开关156选择D/A111对存储电路143a或对存储电路143b的连接。
采用选择开关151至153和选择开关154至156,可以确定数字信号是否存储在存储电路141a至143a中或数字信号是否存储在存储器141b至143b中。这些开关还被用来选择是将数字信号从存储电路141a至143a输入到D/A111,还是将数字信号从存储电路141b至143b输入到D/A111。
在各个像素中,将数字信号输入到所选存储电路的操作以及读出存储在所选存储电路中的数字信号的操作与实施例模式和实施例1中的相同。因而在此不对这些操作进行说明。
每个像素使用存储电路141a至143a来存储对应于一帧周期的3位数字信号,并使用存储电路141b至143b来存储对应于不同于上述一个帧周期的另一帧周期的3位数字信号。
图38所示的存储电路存储对应于两个帧周期的3位数字信号,但本实施例并不限于此。概括起来,本实施例可以运用于各个像素均存储n(n是等于或大于2的自然数)位对应于m(m是等于或大于2的自然数)帧的数字信号的液晶显示器。
布置在每个像素中的多个存储电路被用来存储数字信号,以便在显示静止图像期间,存储在存储电路中的数字信号可以被重复地用于每一个新帧。这样,当静止图像将被连续地显示时,源信号线驱动电路可以终止其操作。因此,本发明对液晶显示器整体功耗降低具有极大的作用。
视频信号处理电路和用于处理输入到放置于便携式信息装置中的液晶显示器的信号的其它电路也可以在静止图像被连续地显示时终止其操作。因此,本发明对便携式信息装置功耗的降低有极大的作用。
Claims (14)
1.一种显示器设备,包括:
多个像素,该多个像素的每一个包括:
第一存储电路和第二存储电路;
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
源信号线;和
第一栅信号线和第二栅信号线,
其中第一薄膜晶体管连接到源信号线和第一存储电路,
其中第二薄膜晶体管连接到源信号线和第二存储电路,以及
其中第一薄膜晶体管的栅电极连接到第一栅信号线且第二薄膜晶体管的栅电极连接到第二栅信号线。
2.根据权利要求1的显示器设备,其特征在于,所述第一存储电路和所述第二存储电路是在由玻璃衬底、塑料衬底、不锈钢衬底以及单晶片构成的组中选择的一种衬底上形成的。
3.具有根据权利要求1的显示器设备的电子设备,其特征在于,所述电子设备是从由移动电话、摄像机、移动计算机、头戴式显示器、电视机、便携式电子图书、个人计算机及数字摄像机构成的组中选择的一种。
4.根据权利要求1的显示器设备,其特征在于,所述第一存储电路和所述第二存储电路的每一个是从由静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、铁电随机存取存储器及闪速存储器构成的组中选择的一种。
5.根据权利要求1的显示器设备,其特征在于,所述显示器设备是液晶显示器设备。
6.根据权利要求1的显示器设备,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的每一个是写入薄膜晶体管。
7.根据权利要求1的显示器设备,还包括:
在所述多个像素的每一个中的第三存储电路,第三薄膜晶体管和第三栅信号线,
其中第三薄膜晶体管连接到源信号线和第三存储电路,以及
其中第三薄膜晶体管的栅电极连接到第三栅信号线。
8.一种显示器设备,包括:
多个像素,该多个像素的每一个包括:
第一存储电路和第二存储电路;
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
源信号线,所述第一存储电路和所述第二存储电路设置成与所述源信号线重叠;和
第一栅信号线和第二栅信号线,
其中第一薄膜晶体管连接到源信号线和第一存储电路,
其中第二薄膜晶体管连接到源信号线和第二存储电路,以及
其中第一薄膜晶体管的栅电极连接到第一栅信号线且第二薄膜晶体管的栅电极连接到第二栅信号线。
9.根据权利要求8的显示器设备,其特征在于,所述第一存储电路和所述第二存储电路是在由玻璃衬底、塑料衬底、不锈钢衬底以及单晶片构成的组中选择的一种衬底上形成的。
10.具有根据权利要求8的显示器设备的电子设备,其特征在于,所述电子设备是从由移动电话、摄像机、移动计算机、头戴式显示器、电视机、便携式电子图书、个人计算机及数字摄像机构成的组中选择的一种。
11.根据权利要求8的显示器设备,其特征在于,所述第一存储电路和所述第二存储电路的每一个是从由静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、铁电随机存取存储器及闪速存储器构成的组中选择的一种。
12.根据权利要求8的显示器设备,其特征在于,所述显示器设备是液晶显示器设备。
13.根据权利要求8的显示器设备,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的每一个是写入薄膜晶体管。
14.根据权利要求8的显示器设备,还包括:
在多个像素的每一个中的第三存储电路、第三薄膜晶体管和第三栅信号线,
其中第三薄膜晶体管连接到源信号线和第三存储电路,以及
其中第三薄膜晶体管的栅电极连接到第三栅信号线。
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