CN101377618B - 双面压印光刻系统 - Google Patents

双面压印光刻系统 Download PDF

Info

Publication number
CN101377618B
CN101377618B CN200810130342.XA CN200810130342A CN101377618B CN 101377618 B CN101377618 B CN 101377618B CN 200810130342 A CN200810130342 A CN 200810130342A CN 101377618 B CN101377618 B CN 101377618B
Authority
CN
China
Prior art keywords
dual
unit
supporting unit
mold supporting
lithography system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200810130342.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101377618A (zh
Inventor
赵恩亨
左圣熏
孙镇昇
李斗铉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101377618A publication Critical patent/CN101377618A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101377618B publication Critical patent/CN101377618B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。

Description

双面压印光刻系统
技术领域
本发明涉及一种压印光刻系统(imprinting lithography system)，更具体地讲，涉及一种在将被图案化的介质的两面进行纳米压印的双面压印光刻系统。
背景技术
压印光刻是一种利用压力直接在基底上压印模具图案(mold pattern)的技术。在这种情况下，在基底上压印复杂的台阶差(complicated step difference)可被相对简单地形成。在传统的方法中，需要多个光刻工艺来图案化复杂的台阶差。然而，在压印光刻中，由于模具图案被直接压印在基底上，所以通过一次压迫来完成压印。因此，当转印多台阶形状时，压印光刻非常实用。
压印光刻大体上可分成两种方法。第一种方法是用热模压印浮雕图案或者热压印光刻，其中，利用热形成具有流体的聚合物层，接着，通过将聚合物层与具有期望的图案的图案化模具接触，并物理地将它们彼此压在一起而在聚合物层上形成期望的图案。
第二种方法是紫外(UV)辅助压印光刻，其中，具有低粘性的UV树脂被涂覆在基底上，接着，使UV树脂接触具有图案的模具，通过照射UV光线使UV树脂硬化而形成期望的图案。在UV辅助压印光刻法中，由于必须使用UV光线使UV树脂硬化，所以必须使用例如石英形成的透明模具。
上述两种方法根据它们的优点和缺点被广泛用于各种领域。
具体地讲，已经进行了大量的尝试以使用UV辅助压印光刻技术来制造硬盘驱动器(HDD)的图案化介质。与利用高温高压进行的热压印方法相比，由于利用低温低压进行UV辅助压印光刻方法，所以尤其在进行纳米级图案化时，UV辅助压印光刻方法具有优势。
然而，为了使用用于制造图案化介质的UV辅助压印光刻技术，制造图案化介质的工艺必须与制造传统的HDD介质的工艺兼容，并且为了实现大规模生产，需要在图案化介质的两面进行纳米压印工艺。
发明内容
为了解决上述和/或其它问题，本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统通过应用UV辅助压印光刻技术来对图案化介质的两面进行压印，从而制造硬盘驱动器(HDD)的图案化介质。
根据本发明的一方面，提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。
所述双面压印光刻系统还可包括：腔室，容纳介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元；真空设备，连接到腔室。
所述双面压印光刻系统还可包括安装在腔室之上的直线导向件，其中，第一UV照射装置安装在直线导向件上。
所述双面压印光刻系统还可包括安装在直线导向件上的对齐光学装置。
第二UV照射装置可以是将从第一UV照射装置接收的UV光线供应给第二模具的光路改变构件。该光路改变构件可包括环形的凹镜。
所述双面压印光刻系统还可包括UV降低滤光器，该UV降低滤光器安装在UV光线从第一UV照射装置进入到第一模具的区域，以降低照射到第一模具上的UV光线的强度。该UV降低滤光器可以是中性密度(ND)滤光器。
第一模具支撑单元可固定地安装在腔室中，介质支撑单元可以可运动地安装在第一模具支撑单元和第二模具支撑单元之间，竖直运动装置可驱动第二模具支撑单元。
所述双面压印光刻系统还可包括：X-Y台，沿着两个轴向驱动第二模具支撑单元；锁定装置，选择性地固定第二模具支撑单元和介质支撑单元。
所述双面压印光刻系统还可包括使第二模具支撑单元旋转的旋转台。
所述双面压印光刻系统还可包括双面涂覆装置，该双面涂覆装置同时将UV硬化树脂涂覆在介质的两个表面上，其中，该双面涂覆装置包括：固定卡盘，将介质固定；竖直驱动单元，使固定卡盘竖直地运动；旋转驱动单元，使固定卡盘旋转；树脂储存单元，包含有UV硬化树脂。
附图说明
通过参照附图对本发明的示例性实施例进行的详细描述，本发明的上述和其它特点以及优点将会变得更加清楚，其中：
图1是根据本发明实施例的双面压印光刻系统的示意性截面图；
图2是示出图1的双面压印光刻系统的锁定装置的截面图；
图3是示出图1的双面压印光刻系统的双面涂覆装置的截面图；
图4A至图4E是用于解释利用图1的双面压印光刻系统在大尺寸基底上纳米压印图案的方法的截面图；
图5是根据本发明另一实施例的双面压印光刻系统的截面图。
具体实施方式
现在将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明不应该被解释为局限于阐述于此的实施例，相反，提供这些实施例以使本公开彻底和完整，并将本发明的构思充分传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度，相同的标号指示相同的元件。
图1是根据本发明实施例的双面压印光刻系统100的示意性截面图。
参照图1，双面压印光刻系统100包括：介质支撑单元130；第一模具支撑单元120，位于介质支撑单元130之上；第二模具支撑单元140，位于介质支撑单元130之下。
介质132固定在介质支撑单元130上。紫外(UV)硬化树脂涂覆在介质132的第一表面133和第二表面134上，在面对介质132的第一表面133的表面上具有图案的第一模具122固定在第一模具支撑单元120上。在面对介质132的第二表面134的表面上具有图案的第二模具142固定在第二模具支撑单元140上。磁膜(未示出)分别形成在介质132的第一表面133和第二表面134上。
第一模具支撑单元120可被固定地安装在腔室110中。
介质支撑单元130的两端分别连接到第一圆柱形杆136上。第一圆柱形杆136设置在管138中，所述管138引导第一圆柱形杆136按照直线运动运动的方式进行，从而第一圆柱形杆136可在第一模具支撑单元120和第一位置之间运动。当附于第一圆柱形杆136的止动件137位于管138的上端时，止动件137限制介质支撑单元130使其停止在第一位置。
第二模具142安装在第二模具支撑单元140上，第二圆柱形杆144连接到第二模具支撑单元140的下表面上。第二圆柱形杆144通过竖直运动装置146竖直地运动。如果第二模具支撑单元140通过竖直运动装置146向上运动，则介质支撑单元130的介质132接触第二模具支撑单元140的第二模具142。当第二模具支撑单元140进一步向上运动时，介质支撑单元130的介质132接触第一模具支撑单元120的第一模具122。因此，介质132上的树脂按顺序接触第二模具142和第一模具122，从而实现纳米压印。
作为第二圆柱形杆144的运动路径的第一孔112形成在腔室110的下部，为了对齐，可在孔112和第二圆柱形杆144之间形成间隙(例如，几毫米的间隙)(稍后将描述)。
真空设备连接到腔室110，以使腔室110保持在1×10-1托或者更小的压强下。真空设备可以是真空泵116或者真空压力管线(未示出)。第二孔114将腔室110连接到真空泵116或者真空压力管线。
直线导向件150安装在腔室110之上，对齐光学装置152和第一UV照射装置154安装在直线导向件150上。
第二圆柱形杆144可连接到X-Y台(未示出)和旋转台(未示出)。X-Y台沿两个轴向驱动第二模具支撑单元140，旋转台使第二模具支撑单元140旋转。
用于传播UV光线的窗口117形成在腔室110的上部。窗口117可安装有光学透明材料，例如，石英118。窗口117用于观察利用对齐光学装置152进行的模具122与介质132或模具142与介质132之间的对齐情况，并且窗口117利用第一UV照射装置154将UV光线照射到涂覆在介质132的第一表面133上的UV硬化树脂上。
第一聚二甲基硅氧烷(PDMS)衬垫123可安装在第一模具122上，从而当第一模具122被压印时，第一模具122的图案可均匀地压印到大尺寸的介质132上。由于第一PDMS衬垫123是光学透明物，所以不防碍UV硬化。第二PDMS衬垫143可安装在第二模具142和第二模具支撑单元140之间。第二PDMS衬垫143的作用可与第一PDMS衬垫123的作用相同。
第二UV照射装置156可安装在腔室110的底部。第二UV照射装置156可用于将UV光线照射到涂覆在介质132的第二表面134上的UV树脂上。
直线导向件150用于直线地使对齐光学装置152或者第一UV照射装置154位于窗口117上，并用于使对齐光学装置152和第一UV照射装置154运动远离窗口117。还可在直线导向件150上安装用于驱动对齐光学装置152和第一UV照射装置154的控制电机(未示出)。
锁定装置160可安装在介质支撑单元130上，以将第二模具支撑单元140选择性地固定到介质支撑单元130上，稍后将描述锁定装置160的操作。
图2是图1中的锁定装置160的截面图。参照图2，固定销162安装在介质支撑单元130的下侧。固定销162通过电机(未示出)在直线导向件164上直线运动，以将第二模具支撑单元140的下侧选择性地固定到介质支撑单元130上。因此介质支撑单元130可与第二模具支撑单元140一起上下运动，此外，根据X-Y台和旋转台的驱动，可执行介质支撑单元130的介质132与第一模具支撑单元120的第一模具122之间的对齐操作。
利用旋涂法将UV硬化树脂涂覆在介质132的两个表面133和134上。然而，利用传统的旋涂法难以涂覆介质132的两面。在传统的旋涂法中，在对介质132的第一表面133进行旋涂之后，对第二表面134进行旋涂，第二表面134的涂层可比第一表面133的涂层厚。因此，需要图3中的双面涂覆装置170，该双面涂覆装置170可同时旋涂介质132的第一表面133和第二表面134。
图3是图1中的双面涂覆装置170的截面图。
参照图3，使固定卡盘172上下运动的竖直驱动单元176和使固定卡盘172旋转的旋转驱动单元(未示出)安装在树脂储存单元174中，在树脂储存单元174中储存UV硬化树脂。固定卡盘172通过介质132的中心孔固定介质132。
现在将参照附图描述使用双面涂覆装置170的方法。增粘剂(adhesionpromoter)可被涂覆在介质132的两个表面上，以增加介质132的表面能量。增粘剂有利于在介质132的表面上涂覆薄的树脂。
使用竖直运动单元176将固定在固定卡盘172上的介质132浸入树脂储存单元174的树脂中。接着，在使用竖直驱动单元176使固定在固定卡盘172上的介质132向上运动到树脂储存单元174的树脂之上后，使用旋转驱动单元使固定卡盘172旋转。因此，可将具有预定的均匀厚度(例如，100nm或者更薄)的树脂涂覆在介质132的两个表面上。使用上述旋涂法可减小由重力引起的介质132的两个表面之间的厚度差。
根据本发明，可将双面涂覆装置170附于双面压印光刻系统100上而使用该双面涂覆装置170，或者双面涂覆装置170可与双面压印光刻系统100分离地使用。
现在将参照图4A至图4E描述根据本发明实施例的利用双面压印光刻系统100在大尺寸区域上压印纳米级图案的方法。
图4A至图4E是用于解释利用双面压印光刻系统100在介质132的两个大尺寸表面上进行纳米级压印的方法的截面图。
参照图4A，将用于形成图案模具的UV硬化树脂涂覆在介质132的上表面133和下表面134上。在涂覆UV硬化树脂之前，可将增粘剂涂覆在介质132的两个表面上，使得UV硬化树脂可被容易地涂覆在介质132的表面上。接着，将介质132安装在介质支撑单元130上。可使用双面涂覆装置170将UV硬化树脂涂覆在介质132的两个表面上。
其上分别形成有图案的第一模具122和第二模具142安装在第一模具支撑单元120和第二模具支撑单元140上，使得第一模具122和第二模具142的图案面对介质132的第一表面133和第二表面134。自组装单层(SAM)可涂覆在第一模具122和第二模具142的图案上，以便于释放模具122和142。
使用真空泵116使腔室110保持在1×10-1托或者更小的压强下，以当进行大尺寸纳米压印时通过防止空气进入模具122与树脂之间以及模具142与树脂之间而进行均匀的纳米压印。
参照图4B，通过使用竖直运动装置146使第二模具支撑单元140运动，而使介质132的第二表面134接触第二模具142。此时，形成在介质132的第二表面134上的UV硬化树脂被图案化成与第二模具142的图案的形状相对的形状。
接着，直线导向件150上的对齐光学装置152运动到窗口117上，进行第二模具142和介质132之间的对齐。为此，第二模具支撑单元140的第二圆柱形杆144可使用X-Y台和旋转台被驱动。在完成第二模具142和介质132之间的对齐之后，通过使锁定装置160的固定销162向内运动将介质支撑单元130的下部固定。
参照图4C，在完成介质132和第二模具142之间的对齐工艺之后，使用竖直运动装置146使介质支撑单元130和第二模具支撑单元140向上运动，直到介质支撑单元130的运动受到第一模具支撑单元120限制为止。此时，介质132的第一表面133可被第一模具122图案化。
接着，使用对齐光学装置152进行第一模具122和介质132之间的对齐工艺。为此，可使用X-Y台和旋转台驱动第二圆柱形杆144。
在完成第一模具122和介质132之间的对齐之后，直线导向件150上的对齐光学装置152运动远离窗口117，第一UV照射装置154运动到窗口117之上。
接着，利用第一UV照射装置154和第二UV照射装置156将UV光线照射到形成在介质132的第一表面133和第二表面134上的UV硬化树脂上，因此，在介质132的第一表面133和第二表面134上形成纳米压印图案。
参照图4D，当通过驱动竖直运动装置146使第二模具支撑单元140向下运动时，介质支撑单元130和第二模具支撑单元140向下运动，通过止动件137停止在介质支撑单元130的第一位置上。
参照图4E，在释放锁定装置160之后，竖直运动装置146进一步向下运动，介质132从第二模具132被释放。
如果在预先释放锁定装置160之后，第二模具142和介质132向下运动，则介质支撑单元130由于止动件137而停止在第一位置，第二模具支撑单元140进一步向下运动，从而介质132可从第二模具142被释放。
图5是根据本发明另一实施例的双面压印光刻系统200的示意性截面图。相同的标号用于指示与双面压印光刻系统100的元件基本相同的元件，因此将不再重复对其的详细描述。
参照图5，根据本发明当前实施例的用于大尺寸纳米压印的双面压印光刻系统200包括作为第二UV照射装置的光路改变构件256。光路改变构件256通过从第一UV照射装置154接收UV光线而将UV光线供应到第二模具142的下侧。也就是说，使用一个UV照射装置154可将UV光线同时供应给介质32的第一表面133和第二表面134。
窗口117的区域大于介质132的区域。因此，从第一UV照射装置154发出的UV光进入安装在腔室110底部上的光路改变构件256。光路改变构件256可包括位于其上的镜表面，优选地，可具有弯曲的形状，使得在介质132和第二模具142一起位于第一模具122之下的状态下，UV光线可均匀地照射在第二模具142的下表面上。在第一圆柱形杆136和管138之外的区域，光路改变构件256可由环形的凹镜形成。
光路改变构件256可包括波导板，以代替镜子。
降低UV光线的强度的UV降低滤光器(UV reducing filter)219可安装在与石英118的下表面上的第二模具142对应的区域上。UV降低滤光器219可以是中性密度(neutral density，ND)滤光器，通过光路改变构件256可控制UV强度降低的比率，使得照射到第一模具122上的UV光线的强度可与照射到第二模具142上的UV光线的强度相同。
根据当前实施例的驱动双面压印光刻系统200的方法基本与驱动双面压印光刻系统100的方法相同，因此，将不再重复对其的描述。
根据本发明的双面压印光刻系统当被应用于制造HDD的图案化介质时，可降低制造成本，并提高生产率。
虽然已参照本发明的示例性实施例具体地表示和描述了根据本发明的双面压印光刻系统，但本领域普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可对其进行形式和细节上的各种修改。

Claims (10)

1.一种双面压印光刻系统，包括：
介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有UV硬化树脂；
第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；
竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；
第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；
第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线；
腔室，容纳介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元；
X-Y台，沿着两个轴向驱动第二模具支撑单元；
锁定装置，选择性地将第二模具支撑单元固定到介质支撑单元，
其中，第一模具支撑单元固定地安装在腔室中，介质支撑单元可运动地安装在第一模具支撑单元和第二模具支撑单元之间，竖直运动装置驱动第二模具支撑单元。
2.如权利要求1所述的双面压印光刻系统，还包括：
真空设备，连接到腔室。
3.如权利要求1所述的双面压印光刻系统，还包括安装在腔室之上的直线导向件，其中，第一UV照射装置安装在直线导向件上。
4.如权利要求3所述的双面压印光刻系统，还包括安装在直线导向件上的对齐光学装置。
5.如权利要求1所述的双面压印光刻系统，其中，第二UV照射装置是将从第一UV照射装置接收的UV光线供应给第二模具的光路改变构件。
6.如权利要求5所述的双面压印光刻系统，其中，第二UV照射装置包括环形的凹镜。
7.如权利要求5所述的双面压印光刻系统，还包括UV降低滤光器，该UV降低滤光器安装在UV光线从第一UV照射装置进入到第一模具的区域，以降低照射到第一模具上的UV光线的强度。
8.如权利要求7所述的双面压印光刻系统，其中，UV降低滤光器是中性密度滤光器。
9.如权利要求1所述的双面压印光刻系统，还包括使第二模具支撑单元旋转的旋转台。
10.如权利要求1所述的双面压印光刻系统，还包括双面涂覆装置，该双面涂覆装置同时将UV硬化树脂涂覆在介质的两个表面上，其中，该双面涂覆装置包括：
固定卡盘，将介质固定；
竖直驱动单元，使固定卡盘竖直地运动；
旋转驱动单元，使固定卡盘旋转；
树脂储存单元，包含有UV硬化树脂。
CN200810130342.XA 2007-08-29 2008-07-11 双面压印光刻系统 Expired - Fee Related CN101377618B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070087311A KR101289337B1 (ko) 2007-08-29 2007-08-29 양면 임프린트 리소그래피 장치
KR1020070087311 2007-08-29
KR10-2007-0087311 2007-08-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101377618A CN101377618A (zh) 2009-03-04
CN101377618B true CN101377618B (zh) 2013-08-21

Family

ID=40407915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810130342.XA Expired - Fee Related CN101377618B (zh) 2007-08-29 2008-07-11 双面压印光刻系统

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7798802B2 (zh)
JP (1) JP5478854B2 (zh)
KR (1) KR101289337B1 (zh)
CN (1) CN101377618B (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100166906A1 (en) * 2007-05-23 2010-07-01 Pioneer Corporation Inprint equipment
JP5164589B2 (ja) * 2008-01-30 2013-03-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ インプリント装置
CN102171012B (zh) * 2008-07-25 2014-10-01 汉高美国知识产权有限责任公司 用于制造模制品的模具组件和衰减光法
JPWO2010082300A1 (ja) * 2009-01-13 2012-06-28 パイオニア株式会社 転写装置
JP5416420B2 (ja) * 2009-01-22 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写装置
WO2010100712A1 (ja) * 2009-03-02 2010-09-10 パイオニア株式会社 転写装置及び転写方法
WO2010131357A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 パイオニア株式会社 転写装置及び転写方法
WO2010131356A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 パイオニア株式会社 転写装置及び転写方法
EP2298542A4 (en) * 2009-07-09 2015-04-15 Inha Ind Partnership Inst APPARATUS FOR MANUFACTURING A MICROLENS ASSEMBLY AND METHOD FOR MANUFACTURING A MICROLENTILLAL ASSEMBLY
WO2011077882A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 両面インプリント装置
JP5469041B2 (ja) * 2010-03-08 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写方法およびその装置
KR101114469B1 (ko) * 2010-05-24 2012-02-24 부산대학교 산학협력단 ２차원 고분자 광도파로의 제조 방법
US20110305787A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Satoshi Ishii Stamper for transfer of microscopic structure and transfer apparatus of microscopic structure
TWI395657B (zh) * 2010-06-30 2013-05-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 微奈米轉印製程之夾持裝置
WO2012020741A1 (ja) * 2010-08-12 2012-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光インプリント方法及び装置
JP2012109487A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Hitachi High-Technologies Corp 両面インプリント装置
KR20130006744A (ko) 2011-04-05 2013-01-18 삼성전자주식회사 마스크의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP5787691B2 (ja) * 2011-09-21 2015-09-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
WO2013077386A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 インプリント装置およびインプリント方法
EP2815868B1 (en) * 2012-02-14 2017-03-29 Scivax Corporation Imprint device and imprint method
WO2013191206A1 (ja) * 2012-06-21 2013-12-27 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 ローラ式加圧装置、インプリント装置、ローラ式加圧方法
JP6291687B2 (ja) * 2012-08-27 2018-03-14 Ｓｃｉｖａｘ株式会社 インプリント装置およびインプリント方法
CN102929100B (zh) * 2012-11-22 2014-11-19 南昌欧菲光纳米科技有限公司 一种可对准卷对卷uv成型的装置及方法
EP3063008B1 (en) * 2013-10-28 2020-10-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Encapsulating a bonded wire with low profile encapsulation
CN104281004A (zh) * 2014-09-30 2015-01-14 无锡英普林纳米科技有限公司 一种热压法制备pdms印章的方法
CN105414765B (zh) * 2015-12-27 2017-07-28 竺林坤 双面雕刻机
JP5997409B1 (ja) * 2016-05-26 2016-09-28 株式会社 ベアック 両面露光装置及び両面露光装置におけるマスクとワークとの位置合わせ方法
KR102077933B1 (ko) * 2018-08-09 2020-02-14 강성국 Uv를 이용한 필름에 컬러 또는 패턴을 형성하는 방법 및 이에 의해 운용되는 성형장치
KR102128175B1 (ko) * 2018-12-07 2020-06-30 (주)서영 나노 임프린트 방식을 이용한 나노구조의 양면 패턴 형성 방법
KR102302846B1 (ko) * 2020-02-11 2021-09-17 한국기계연구원 정렬 기능이 포함된 임프린트 장치 및 임프린트 방법
KR102598565B1 (ko) * 2021-03-30 2023-11-07 주식회사 고영테크놀러지 임프린팅 장치 및 임프린팅 방법
CN113934110A (zh) * 2021-11-09 2022-01-14 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种可双面压印的纳米压印设备
CN113885296A (zh) * 2021-11-09 2022-01-04 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种可双面压印的纳米压印设备
CN113985699A (zh) * 2021-11-09 2022-01-28 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种双面纳米压印设备
CN113934111B (zh) * 2021-11-09 2023-07-18 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种具有双面压印功能的纳米压印设备
CN114002914B (zh) * 2021-11-09 2023-08-18 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种多功能的纳米压印系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1608832A (zh) * 2003-09-15 2005-04-27 特鲁普工具机械有限及两合公司 制造三维成形主体的设备和方法
US7137803B2 (en) * 2000-07-18 2006-11-21 Chou Stephen Y Fluid pressure imprint lithography

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3322351B2 (ja) * 1992-04-22 2002-09-09 大日本印刷株式会社 両面レリーフパターン複製方法及び装置
JP3285158B2 (ja) * 1992-08-19 2002-05-27 大日本印刷株式会社 真空密着焼付装置
JPH0850357A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Adtec Eng:Kk 露光装置
JP3618057B2 (ja) * 1999-03-03 2005-02-09 シャープ株式会社 光学素子の製造装置
JP4791630B2 (ja) * 2000-12-21 2011-10-12 ウシオライティング株式会社 露光装置
JP2003057853A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Orc Mfg Co Ltd 整合マークおよび整合機構ならびに整合方法
EP1497102B1 (en) * 2002-04-24 2009-08-19 Obducat AB Device and method for transferring a pattern to a substrate
US7252492B2 (en) * 2002-06-20 2007-08-07 Obducat Ab Devices and methods for aligning a stamp and a substrate
WO2004021083A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-11 Obducat Ab Device for transferring a pattern to an object
US7168936B2 (en) * 2004-03-19 2007-01-30 Intel Corporation Light transparent substrate imprint tool with light blocking distal end
JP2006047363A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法
US7363854B2 (en) * 2004-12-16 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography
JP4679585B2 (ja) * 2004-12-16 2011-04-27 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． インプリントリソグラフィに使用されるナノディスクを形成するための方法
JP2007026589A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Sharp Corp ホログラム素子の製造方法および光ピックアップ装置
JP5163929B2 (ja) * 2006-12-25 2013-03-13 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7137803B2 (en) * 2000-07-18 2006-11-21 Chou Stephen Y Fluid pressure imprint lithography
CN1608832A (zh) * 2003-09-15 2005-04-27 特鲁普工具机械有限及两合公司 制造三维成形主体的设备和方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5478854B2 (ja) 2014-04-23
KR101289337B1 (ko) 2013-07-29
CN101377618A (zh) 2009-03-04
US7798802B2 (en) 2010-09-21
US20090061035A1 (en) 2009-03-05
JP2009060091A (ja) 2009-03-19
KR20090022190A (ko) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101377618B (zh) 双面压印光刻系统
US8192637B2 (en) Method and apparatus for imprinting microstructure and stamper therefor
JP4061220B2 (ja) ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
KR100558754B1 (ko) Ｕｖ 나노임프린트 리소그래피 공정 및 이 공정을수행하는 장치
US20060258163A1 (en) Methods of fabricating nano-scale and micro-scale mold for nano-imprint, and mold usage on nano-imprinting equipment
JP5546893B2 (ja) インプリント方法
CN102574327B (zh) 压印用模具及其制造方法、压印装置和压印方法
JP4090374B2 (ja) ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
US7964135B2 (en) Method and apparatus for imprinting energy ray-setting resin, and discs and semiconductor devices with imprinted resin layer
JP2004288783A (ja) ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
KR20140109624A (ko) 대면적 임프린트 장치 및 방법
WO2011077882A1 (ja) 両面インプリント装置
US8021141B2 (en) Imprint apparatus
JP4220282B2 (ja) ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
EP2138896B1 (en) Nano imprinting method and apparatus
KR101390389B1 (ko) 대면적 나노 임프린트 리소그래피 장치
KR100894736B1 (ko) 롤가압 및 연속수지도포가 가능한 대면적 임프린트장치
KR100495055B1 (ko) 자외선 경화수지의 패턴 형성 장치 및 방법
KR20140026814A (ko) 나노 패턴 구조물의 제조 장치
Peng et al. Continuous roller nanoimprinting: next generation lithography
KR100755233B1 (ko) 임프린팅 리소그래피 장치
Schift Roll embossing and roller imprint
KR101515180B1 (ko) 유체압을 이용한 기판접합 장치 및 기판접합 방법
Cui et al. Nanofabrication by Replication
Kang et al. Continuous roll nano-imprinting technology for large-scale nano-and microstructures

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130821

Termination date: 20210711