CN101375429A - 具有有机层的层结构的电子器件 - Google Patents

具有有机层的层结构的电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101375429A
CN101375429A CNA2006800528745A CN200680052874A CN101375429A CN 101375429 A CN101375429 A CN 101375429A CN A2006800528745 A CNA2006800528745 A CN A2006800528745A CN 200680052874 A CN200680052874 A CN 200680052874A CN 101375429 A CN101375429 A CN 101375429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
type
organic
transport layer
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800528745A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101375429B (zh
Inventor
斯文·穆拉诺
扬·比恩施托克
安斯加尔·维尔纳
马库斯·布格哈特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NovaLED GmbH
Original Assignee
NovaLED GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NovaLED GmbH filed Critical NovaLED GmbH
Priority claimed from PCT/EP2006/012516 external-priority patent/WO2007071450A1/en
Publication of CN101375429A publication Critical patent/CN101375429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101375429B publication Critical patent/CN101375429B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons

Abstract

本发明涉及包括有机层的层结构的电子器件，其中所述层结构包括在n型掺杂有机层与p型掺杂有机层之间的pn结，所述n型掺杂有机层作为掺有n型掺杂剂的有机基体材料提供，所述p型掺杂有机层作为掺有p型掺杂剂的又一有机基体材料提供，并且其中n型掺杂剂和p型掺杂剂均是分子掺杂剂，所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0V，并且所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约－1.5V。

Description

具有有机层的层结构的电子器件
本发明涉及包括有机层的层结构的电子器件。
背景技术
已经提出包括有机层的层结构的电子器件用于不同目的。在这类器件中存在有机发光二极管(OLED)、有机pn二极管、有机光伏器件等。
有机电致发光(EL)器件对于显示或光源领域中的应用而言正变得日益有意义。此类有机发光器件或有机发光二极管是如果施加电位就发光的电子器件。
此类OLED的结构依次包括阳极、有机电致发光介质和阴极。位于阳极与阴极之间的电致发光介质通常由有机空穴输运层(HTL)和电子输运层(ETL)构成。光随后在其中电子和空穴复合形成激子的HTL和ETL之间的界面附近发射。这种层结构由Tang等人在“有机电致发光二极管(Organic Electroluminescent Diodes)”，Applied Physics Letters，51，913(1987)和US-A-4769292中使用，首次展示出高效率的OLED。
此后，公开了许多替代性有机层结构。一个实例是在HTL和ETL之间含有有机发光层(EML)的三层OLED，如由Adachi等人在“具有三层结构的有机薄膜中的电致发光(Electroluminescence in Organic Filmswith Three-Layer Structure)”，日本应用物理月刊(Japanese Journal ofApplied Physics)，27，L269(1988)和由Tang等人在“掺杂有机薄膜的电致发光(Electroluminescence of Doped Organic Thin Films)”，应用物理月刊(Journal of Applied Physics)，65，3610(1989)中公开的实例。EML可以由掺有客体材料的主体材料构成，然而纯粹发光层也可以由单一材料形成。该层结构随后命名为HTL/EML/ETL。进一步的开发展示了额外含有分别在EML和HTL和/或ETL之间的空穴注入层(HIL)和/或电子注入层(EIL)和/或空穴阻挡层(HBL)和/或电子阻挡层(EBL)和/或其它类型中间层的多层OLED。这些开发导致进一步改良器件性能，因为中间层将激子和电荷载流子约束于发射区内并且使在发射区和输运层的界面处的淬灭最小化。它们还可能降低从输运层至发射区的注入势垒，因此导致降低的电致发光器件工作电压。
OLED性能的进一步改良可以如EP0498979A1中所公开那样通过使用掺杂电荷载流子输运层而实现。
为此目的，ETL掺有电子施主如碱金属，其中HTL掺有电子受主如F4-TCNQ。这种氧化还原型掺杂作用基于掺杂剂与基体之间的电荷输运反应，释放电子(在n型掺杂的情况下)或空穴(在p型掺杂的情况下)至电荷载流子输运基体上。掺杂剂作为基体中的带电荷物质保留，在n型掺杂的情况下，电子施主带正电荷，在p型掺杂的情况下，受主掺杂剂带负电荷。
使用掺杂电荷载流子输运层的OLED常称作PIN-OLED。它们以极低工作电压位、常常接近于由发射光的波长所设定的热动力学界限为特征。
对于OLED中掺杂有机层的一个要求是在发射区中产生的激子具有高到足以产生可见光的能量。需要最高能量用于波长为400-475nm的蓝色光谱范围内的发射。为了允许此类光发射，电致发光材料需要充足带隙，该带隙接近发射光子的能量或更高。需要仔细选择HTL和ETL的能级，使得该能级与发射区匹配以避免OLED器件内额外的阻挡。
所述能级经常确定为HOMO(最高占据分子轨道)或LUMO(最低未占据分子轨道)。它们可能分别与材料的氧化电位或还原电位相关。
在这个方面，材料的氧化还原电位可以提供为相对于Fc/Fc+的电压值。Fc/Fc+指二茂铁/二茂铁鎓(ferrocenium)参考对(reference couple)。氧化还原电位可以例如通过循环伏安法在合适的溶液例如乙腈或四氢呋喃中测量。确定还原电位和二茂铁/二茂铁鎓参考对与多种参考电极的关系的循环伏安法和其它方法的细节可以在A.J.Bard等人，“电化学方法：原理和应用(Electrochemical Methods:Fundamentals andApplications)”，Wiley，第二版2000中找到。
在氧化还原型掺杂的情况下，受主或施主掺杂剂的能级也是重要的。它们可以通过电化学方法类似地确定。
用于施主掺杂剂分子的氧化强度(oxidation strength)或HOMO能级能量的替代测量法可以是紫外光电子能谱(UPS)。通过该方法，测定电离电位。必须区分该实验是否在气相或在固相中，即通过研究材料的薄膜而进行。在后一情况下，固态效应(如移除光电子后仍留存于固体中的空穴极化能)产生与气相值相比的电离电位偏移。极化能的常见值是约1eV(E.V.Tsiper等人，Phys.Rev.B 195124/1-12(2001))。
为进一步改善OLED性能如工作寿命，已经提出叠层或级联(cascade)OLED结构，其中几个单独的OLED垂直地叠层。在此类叠层的有机电致发光器件中OLED性能的改良通常归因于工作电流密度的整体减少，以及增加的工作电压，因为单个OLED连接成一排。此类设计导致有机层的较低应力，因为减少了在所述有机层中注入及输运的电流。另外，将几个OLED单元在一个器件中叠层允许在一个器件中混合不同颜色，例如旨在产生发白光的器件。
实现此类叠层或级联的有机电致发光器件例如可以通过使几个OLED垂直地叠层而完成，其中所述OLED各自独立地与电源连接并且因此能够独立地发射相同颜色或不同颜色的光。提出这种设计以在全彩色显示器或具有增加的集成密度的其它发射器件中使用(US-A-5703436、US-A-6274980)。
为了避免连接叠层器件中每个独立OLED的需要，提出替代性设计，其中使几个OLED垂直地叠层，而不分别寻址(addressing)所述单元叠层中的每个OLED。这可以例如通过在独立OLED之间布置电阻率小于0.1Ωcm的中间导电层而完成，所述中间导电层由材料如金属、金属合金或无机化合物构成(US-A-6107734、US-A-6337492)。
作为选择，代替使用导电中间层，在US2003/0189401 A1中公开了使用非导电性电荷生成层(具有不小于105Ωcm的电阻率)。
即便叠层或级联OLED的稳定工作可以利用这种导体或绝缘体中间层方法而可行，然而需要导入额外的层如薄金属。在生产工艺中，这些额外的层将产生额外的成本，尤其当这些层可能用除叠层OLED器件中其它有机层之外的不同类型的蒸发源产生时。
在EP 1478025 A2中公开了用于制造级联OLED的另一种方法。其中，使用在独立OLED之间额外中间pn结的布局(layout)被用来连接OLED单元或电致发光单元，其中所述中间pn结由每一层的电阻率超过10Ωcm的n型掺杂有机层和p型掺杂有机层形成。在该方法中，在独立OLED单元之间的界面由有机层形成，这可以在OLED制造过程中轻易地加工出来。然而，所展示的方法仍需要导入除OLED单元中所用的层之外的层。该方法的明显缺点是这样的事实，即形成pn结的有机层使用无机元素和具有低原子计数的分子进行掺杂。叠层OLED器件在工作期间发生迅速击穿，最可能的原因是掺杂剂移动。
对于叠层器件，仅提供显示适于商业应用的工作寿命的有限寿命数据。
在文献中已知某些具有稍高原子计数的分子有机掺杂剂如F4-TCNQ，这些分子有机掺杂剂可能替代无机化合物用于p型掺杂的有机电荷输运层；然而，这种方法单独没有改善叠层OLED器件的稳定性。尤其，n型掺杂作用仅可能通过用在有机层中起电子施主作用的碱金属或碱土金属掺杂有机层而实现。即便存在其中描述了使用金属盐和金属化合物的现有技术(WO 03/044829 A1)，但是在这些情况下的掺杂效果可能仅归因于释放处于不带电荷状态的金属的盐或化合物分裂。一个实例是用Cs2CO3，加热时分解释放氧、CO2和铯金属的无机盐掺杂。用金属在含有以反方向驱动的pn界面的叠层器件中进行N型掺杂因在结(junction)处的金属移动而导致迅速击穿。
在文献EP-A-1339112中，公开了电子器件中提供为包括有机层层结构的级联有机发光二极管，其中所述层结构包括在n型掺杂有机层与p型掺杂有机层之间的pn结，所述n型掺杂有机层作为掺有n型掺杂剂的有机基体材料提供，所述p型掺杂有机层作为掺有p型掺杂剂的有机基体材料提供。
制造具有稳定工作寿命的叠层或级联OLED器件需要在OLED单元之间使用中间层，如金属、其它导体或绝缘体。这些中间层有时又称作电荷生成层。
发明内容
本发明的目的是提供包括有机层的层结构的电子器件，其中该有机层结构中的pn结得以稳定化。
本发明的另一目的是提供包括简化层结构并仍具有长久工作寿命的带叠层有机电致发光单元的有机发光器件。在此方面，本发明的又一目的是提供在寿命期间具有减少的工作电压增加的带叠层有机电致发光单元的有机发光器件。
根据本发明，提供根据权利要求1的包括有机层的层结构的电子器件。本发明的有利发展在从属权利要求中公开。
本发明人惊讶地发现在有机层结构中包括pn结的有机半导体器件的长久工作寿命可以通过对pn界面处的p型及n型掺杂层使用分子掺杂剂而实现，这允许调节界面稳定性。通过使用分子掺杂剂，可以使得在用金属或小分子掺杂剂掺杂的情况下存在的退化机制最小化或甚至彻底避免。
对于根据本发明的pn结，观察到减少的退化，即器件效率在工作期间不可逆降低的倾向。
在本申请中，就术语“分子”而言，其指由掺杂剂分子中超过6个原子构成的无机或有机化合物。更有利地，形成掺杂剂分子的原子数大于20。分子掺杂剂是有机分子或无机分子，不过也可以是分子盐，即由形成盐的至少两个带电的分子性亚单元构成的盐。分子掺杂剂还可能是其中仅在构成单元之间发生部分电荷输运的电荷输运络合物。在这两种情况下，形成分子盐或分子电荷输运络合物的至少一个亚单元也满足以上定义，即原子计数大于6。优选地，在本发明的一个实施方案中，形成分子盐或分子电荷输运络合物的全部亚单元满足以上定义，即原子计数大于6。
掺杂分子优选地不包括碱金属，因为碱金属极易在输运层内扩散，这极大地限制寿命和热稳定性。
P型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0V，并且n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-1.5V。
在本发明的优选实施方案中，p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0.18V，优选地相对于Fc/Fc+等于或大于约0.24V。在本发明的又一优选实施方案中，n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-2.0V，优选地相对于Fc/Fc+等于或小于约-2.2V。
用于施主掺杂剂分子的氧化强度的替代测量法可以是紫外光电子能谱(UPS)。若通过该方法测量，施主掺杂剂的电离电位在固态中测量时等于或小于约5.5eV，优选地等于或小于约5eV，优选地等于或小于约4.8eV。若在气相中测量，施主掺杂剂的电离电位等于或小于约4.5eV，优选地等于或小于约4eV，更优选地等于或小于约3.8eV。这些值对应于在高动能侧的光发射开始，即最弱的结合光电子。
提出的pn结也有益于叠层有机光伏器件，因为开路电压可能增加至n倍光子能量的最大值。此外，在现有有机光伏器件中，仅少于50％的入射光被吸收在光敏层内。光伏器件的叠层因此允许收获超过50％的入射光，原因在于叠层中存在多于一层的光敏层。
此类pn结的另一种应用是在有机pn二极管当中，其中p型掺杂有机层和n型掺杂有机层的费米能级的巨大差异产生更大的空间电荷区和更大的耗竭带。这将在反偏压工作(reverse-bias operation)下导致较低的生成电流和较高的击穿电压。为了一级近似(to a firstapproximation)，p型掺杂层的费米能级由受主掺杂剂的电子亲和力决定，而n型掺杂层的费米能级由施主掺杂剂的电离电位决定。
显而易见，对于两个提及的实施方案，所希望的是长期稳定性，尤其当施加反向偏压(backward bias)时。这些实例不限制本发明中所述pn结构造的用途。
若电子从电极注入p型掺杂输运层并且空穴从另一个电极注入n型掺杂输运层，则将反向偏压或反向电压施加至pn结。若所述pn结未夹在电极之间，则在这种情况下给予反向操作，其中施加这样的场使得负电荷从所述结的p型掺杂层移动至该结的n型掺杂层并且正电荷沿相反方向移动。
在分子掺杂电荷载流子输运层的情况下，优选地分别通过掺杂剂的高分子量(>300g/mol)及高原子计数的化合物确保掺杂剂的固定，防止掺杂剂移动至n型掺杂层或p型掺杂层。
此外，找到了pn结所用的基体材料的玻璃化转变温度(Tg)对于器件稳定性的有益作用。该基体材料优选地由具有大于约75℃，优选大于约100℃更优选大于约120℃的Tg的材料构成。这个值对掺杂剂迁移率是重要因素；较高的Tg值导致掺杂剂在有机电荷载流子输运层中更牢固的固定。
在PIN-OLED单元之间结处的pn界面的整体稳定性取决于基体的Tg和掺杂剂的尺寸。由较小掺杂剂在具有高Tg的基体中构成的系统可能比由较大尺寸的分子掺杂剂在具有较低Tg的输运基体内构成的系统稳定性更低。
还发现若形成pn结的掺杂层的热稳定性增加，则所述电子器件的稳定性增加。掺杂层的热稳定性可以通过以一个加热速率例如1K/分钟加热掺杂层及监测该层的电导率而测量。对于任何半导体，电导率在加热期间增加。在某个温度(击穿温度)下，电导率因掺杂层的形态活动而再次下降。已经发现基体优选地由具有大于约75℃，优选大于约100℃击穿温度的材料构成。击穿温度随基体材料的Tg和掺杂剂分子的原子计数而增加。
对掺杂剂分子稳定性的另一种量度是其蒸气压。作为一般原则，在某温度下的蒸气压随化合物的原子计数增加而降低。这对于具有高度极性的共轭分子尤其如此。范德华力导致分子强相互作用，需要更多能量以蒸发。相同的范德华力导致掺杂剂分子在基质材料中的强相互作用，引起掺杂剂在掺杂层中的固定。因此，掺杂剂分子的低蒸气压可能有益于掺杂层和用所述掺杂层形成的结的稳定性。
在众多情况下，难以确定分子化合物的蒸气压。在这种情况下，可以使用蒸发温度作为与蒸气压相关的量度。术语蒸发温度是指这样的温度，其中必须将掺杂剂分子在蒸发源中加热至所述温度以便在蒸发源上方的基材平面(substrate place)位置处具有目标沉积速率。沉积速率R可以书写为
R = M 2 πkT ρ 2 P e A 4 π r 2
其中M是所蒸发化合物的摩尔质量，k是玻尔兹曼常数，T是蒸发源温度，ρ是膜的密度，P是蒸气压，A是蒸发源面积，r是蒸发源与基材平面的距离。
在优选的实施方案中，当距离r是约50cm并且蒸发源的面积是3.8cm2时，可以使用在约120℃或更高的蒸发温度、优选约140℃或更高的温度下具有沉积速率0.005nm/秒的掺杂剂来制造稳定pn结。优选低蒸气压，即高蒸发温度，以便在制造过程中导致pn结进一步稳定化。这是因为具有高挥发性的掺杂剂分子将造成毗邻层，尤其pn结的毗邻掺杂层的污染，这归因于加工室中挥发性掺杂剂的高背景压力。
若这种材料可以由分子掺杂剂进行p型掺杂和n型掺杂，则在pn界面处的输运基体材料也可以由同种材料构成。
在本发明的优选实施方案中，提供有机发光器件，其中在一个实施方案中，有机发光器件包括阳极、阴极和多个m(m>1)分别包括电致发光区(EML)的有机电致发光单元(3.1、...、3.m)，其中有机电致发光单元在所述阳极与阴极之间相互以叠层或倒置叠层提供，并且其中pn结提供在毗邻有机电致发光单元之间的界面处。
在本发明的又一优选实施方案中，对于m>2：
-至少不毗邻于阳极(2)或阴极的有机电致发光单元(3.2，......，3.m-1)包括作为p型掺杂空穴输运层的p型掺杂有机层、作为n型掺杂电子输运层的n型掺杂有机层、和在p型掺杂空穴输运层与n型掺杂电子输运层之间形成的电致发光区；
-在叠层或倒置叠层中，第k(2≤k≤m-2)个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层直接继之以第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层，由此提供第k个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层与第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层之间的直接接触；并且
-第一个有机电致发光单元(3.1)包括与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层接触的n型掺杂电子输运层，并且第m个有机电致发光单元(3.m)包括与第(m-1)个有机电致发光单元(3.m-1)的n型掺杂电子输运层接触的p型掺杂空穴输运层。
优选地，对于m＝2：
-第一个电致发光单元(3.1)包括作为n型掺杂电子输运层的n型掺杂有机层；
-第二个电致发光单元(3.2)包括作为p型掺杂空穴输运层的p型掺杂有机层；并且
-第一个电致发光单元(3.1)的n型掺杂电子输运层与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层接触，由此提供在这两个毗邻有机电致发光单元(3.1、3.2)之间的pn结。
叠层有机电致发光单元(又称作OLED单元)的方法具有相对于现有技术已知其它方法的进一步优势，因为单元可以相互地直接层压而无需额外中间层。
在优选的实施方案中。m个有机电致发光单元中至少一个单元进一步包括下列层：空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、在p型掺杂空穴输运层与电致发光区之间的中间层、和在n型掺杂电子输运层与电致发光区之间的又一中间层。
pn结的p型和/或n型掺杂的输运层还可以独立地由至少2层构成以便进一步使pn界面稳定化。尤其对于叠层PIN-OLED，若稳定输运基体显示在电磁波谱的可见光范围内的某些吸收，则这是有利的。这对于白色叠层OLED尤其如此，其中需要在广谱范围上的发射。在这种情况下，使用二层构造允许使界面稳定化，同时使吸收损失最小化，因为稳定化层可以制造得非常薄。
应当理解本发明可以用于叠层PIN-OLED，其中对于不同单元的p型和/或n型掺杂层，使用不同的基体和/或掺杂剂材料。这在叠层多色器件的情况下尤其有益，其中对于独立OLED单元的最佳性能，需要不同能级的输运层。
若更稳定的电荷载流子输运基体比稳定性更低的替代材料更昂贵，则单元的p型或n型掺杂输运层的此类多层构造的另一个优势是降低成本。例如，若使用具有稀有金属或贵金属如铱或铂核心原子的金属络合物，则材料成本将因合成原材料的成本而必定高昂。即便在所述材料以大量生产方式制造时也是如此，而对于标准有机材料而言，大量生产通常导致显著的成本降低。在这种情况下，使用2层构造允许通过最小化由昂贵、稳定材料所形成层的厚度而降低成本。多层结构的另一个优势是可以在结的附近降低p型掺杂层和n型掺杂层的掺杂浓度以产生更宽广的空间电荷区并且由此产生更好的p-n二极管整流作用。其它毗邻层的掺杂浓度可以以如此方式选择使得电导率高到足以减少欧姆损耗。
若器件以AC电压或反向电压脉冲工作，则可能更有益于该器件寿命。向所述器件施加逆向电场(reverse field)将迫使带电掺杂剂离子反向移动，这可以部分地延缓或甚至终止退化掺杂剂移动机制。
还发现pn结的进一步稳定性受掺杂剂浓度影响。对于p型掺杂剂和n型掺杂剂的某些浓度组合，观察到进一步稳定化作用，这可能归因于不同类型掺杂剂之间的盐的形成，抑制了掺杂剂移动。
本发明优选实施方案的描述
以下将例如参考不同实施方案而更详细地描述本发明。在图中显示：
图1包括pn结的电子器件的示意图；
图2对图1中电子器件，电流对电压的图示；
图3带叠层有机电致发光单元的发光器件的示意图；
图4在图3中的发光器件内使用的有机电致发光单元的示意图；
图5a，5b对于根据实施例1(常规)的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图6a，6b对于根据实施例2的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图7a，7b对于根据实施例3的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图8a，8b对于根据实施例4(常规)的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图9a，9b对于根据实施例5的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
图10a，10b对于根据实施例6的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；和
图11a，11b对于根据实施例7的发光器件，分别是亮度对时间(a)和正向电压对时间(b)的图示；
参考图1，示意性地描绘了在阳极12和阴极13之间提供的两层有机层10、11的结构，其中阳极12由铟锡氧化物(ITO)制成，阴极13由铝制成。这两层有机层10、11形成有机pn结。图2显示夹在ITO阳极12和铝阴极13之间的包括p型掺杂空穴输运层和n型掺杂电子输运层的这个有机pn结的电流-电压特性。
有机层10、11和金属在压力10-7毫巴的超高真空系统中真空不中断时，通过热蒸发法沉积在已构图并预清洁的ITO涂布玻璃基材上。沉积速率和沉积层厚度通过使用石英晶体厚度监控仪进行控制。在电极12、13之间的pn结面积是6.35mm2。有机层10由45nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴制成，因而提供p型掺杂空穴输运层。另一有机层11由45nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合(pyrimidinato))二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉制成，因而提供n型掺杂电子输运层。这是有机pn结。
图2显示对图1中电子器件的电流对电压的图示。在-3V电压的反向工作下，测量到0.3mA电流。在+3V电压的正向工作下，电流是8mA。因此，在±3V极低电压下观察到几乎30的整流比。整流比在更高电压下进一步增加。
参考图3，发光器件包括m(m>1)个电致发光单元：
1.  基材，
2.  基电极，空穴注入阳极，
3.1 第一个电致发光单元，
3.2 第二个电致发光单元，
......
3.m 第m电致发光单元，
4.  上电极，电子注入阴极，
其中每个电致发光单元至少具有更接近于所述阳极的p型掺杂空穴输运层、更接近所述阴极的n型掺杂电子输运层和介于二者之间的电致发光层(图3和图4)。
通常，无论阴极和阳极处于叠层中的哪个位置，p型掺杂的空穴输运层都更接近于阳极并且n型掺杂的电子输运层都更接近于阴极。在该实施方案中，对于m>2：
-至少不毗邻于阳极(2)或阴极的有机电致发光单元(3.2，......，3.m-1)包括作为p型掺杂空穴输运层的p型掺杂有机层、作为n型掺杂电子输运层的n型掺杂有机层、和在p型掺杂空穴输运层与n型掺杂电子输运层之间形成的电致发光区；
-在叠层或倒置叠层中，第k(2≤k≤m-2)个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层直接继之以第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层，由此提供第k个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层与第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层之间的直接接触；并且
-第一个有机电致发光单元(3.1)包括与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层(HTL)接触的n型掺杂电子输运层，并且第m个有机电致发光单元(3.m)包括与第(m-1)有机电致发光单元(3.m-1)的n型掺杂电子输运层接触的p型掺杂空穴输运层。
额外的层如电子或空穴阻挡层或中间层可以在电致发光单元中应用以改善效率。在一个实施方案中，基电极可以起到基材的作用。
通过本发明，优化了分别在毗邻n型掺杂电子输运层和p型掺杂空穴输运层之间的界面的稳定性。在OLED中，基电极与毗邻于该基电极的电致发光单元之间的界面以及在毗邻于上电极的第m个电致发光单元与所述上电极之间的界面可以以不同方式形成，以便优化与导电电极相对的有机层界面。例如，已知在ITO电极顶部的氟化碳中间层(CFx)改善与毗邻空穴输运层相对的界面的稳定性。作为另一个实例，LiF或低功函数材料可以改善从上电极至毗邻电子输运层的注入。此类有益的中间层可以与本发明一起使用。
参考图5至11提出下列实施例，以进一步理解本发明。在不同发光器件中使用的材料是展示常规发光器件和本发明优选实施方案中层布局的举例材料。有机层和金属在压力10-7毫巴(基础压力)的超高真空系统中真空不中断下，通过热蒸发法沉积在在已构图并预清洁的铟锡氧化物(ITO)涂布玻璃基材上。沉积速率和沉积层厚度通过使用石英晶体厚度监控仪进行控制。
在下文中描述的器件包括包括阳极、阴极和直接相互叠层的多个m(3.1、......、3.m；m≥2)个有机电致发光单元，形成级联有机电致发光器件。不与所述电极毗邻的有机电致发光单元(OLED单元)至少包括p型掺杂空穴输运层、电致发光层和n型掺杂电子输运层。n型掺杂电子输运层包含掺有分子施主型物质的有机主体材料并且p型掺杂空穴输运层包含掺有分子受主型物质的有机主体材料。
所述有机电致发光单元还可以在EML和HTL和/或ETL之间包括额外的空穴注入层和/或电子注入层和/或空穴阻挡层和/或电子阻挡层和/或其它类型中间层。
存在可以在电致发光单元中作为发光层使用的现有技术已知的众多有机多层发光层结构。电致发光层可以由含有一种或多种有机主体材料和一种或多种荧光性或磷光性电致发光发射体材料的一个或多个连续层构成。
电致发光层可以由有机小分子或由有机聚合物形成。
m个OLED单元以这样的方式相互连续地叠层，即第k个单元(0<k<m)的n型掺杂电子输运层直接继之以第(k+1)个单元的p型掺杂空穴输运层，而无任何额外的中间层。
实施例1(常规)
根据实施例1，用于常规发光器件的结构提供如下：
1.1 50nm掺有2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
1.2 10nm NPB(中间层)；
1.3 20nm螺-DPVBI；
1.4 10nm Bphen；
1.5 45nm掺有Cs的Bphen(n型掺杂电子输运层)；
1.6 50nm掺有2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
1.7 10nm NPB(中间层)；
1.8 20nm螺-DPVBI；
1.9 10nm Bphen；
1.10 20nm掺有Cs的Bphen(n型掺杂电子输运层)；
1.11 100nm铝(反射阴极)。
这是蓝色叠层PIN-OLED，其中层1.1至1.5构成第一个PIN-OLED单元并且层1.6至1.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在9.7V下达到亮度1000cd/m2，电流效率为8.8cd/A。
图5a和5b显示根据实施例1的常规发光器件的寿命特性。在相同基材上的四个接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。驱动电压对时间的特性显示出对于该器件工作期间的驱动电流所需要的正向电压极陡增加。在大约30V下，测量装置达到其电压极限，这可以视作亮度对时间曲线中的亮度击穿。
根据实施例1的常规发光器件包括使用Cs作为元素金属n型掺杂剂的常规pn结构造。还可用清楚地看到，该器件的性能在工作期间发生迅速击穿。即便在相对低的5mA/cm2电流密度下，该器件工作短于50小时。
实施例2
根据实施例2，用于发光器件的结构提供如下：
2.150nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴作为p型掺杂空穴输运层；
2.2 10nm NPB作为中间层，
2.3 20nm螺-DPVBI；
2.4 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
2.5 45nm掺有5摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉作为n型掺杂电子输运层；
2.6 50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴作为p型掺杂空穴输运层；
2.7 10nm NPB作为中间层，
2.8 20nm螺-DPVBI；
2.9 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
2.10 20nm掺有5摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉作为n型掺杂电子输运层；
2.11 100nm铝作为反射阴极。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的蓝色叠层PIN-OLED，其中层2.1至2.5构成第一个PIN-OLED单元并且层2.6至2.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在8.7V下达到亮度1000cd/m2，电流效率11.5cd/A。
图6a和6b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。分子掺杂器件的电压增加相对于使用Cs掺杂的器件(实施例1)而言更平坦。对于最低驱动电流密度5mA/cm2而言，在550小时后达到寿命测量装置的电压极限，这是Cs掺杂样品的10倍长。
实施例3
根据实施例3，用于发光器件的结构提供如下：
3.1 75nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
3.2 10nm NPB(中间层)；
3.3 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
3.4 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
3.5 60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
3.6 45nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
3.7 10nm NPB(中间层)；
3.8 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
3.9 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
3.10 65nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
3.11 100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层3.1至3.5构成第一个PIN-OLED单元并且层3.6至3.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在6.6V下达到亮度1000cd/m2，电流效率61.2cd/A。
图7a和7b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度下被驱动。对于最高电流密度30mA/cm2而言，在大约120小时后达到该测量装置的电压极限，在该实施例中的22V。对于较低的电流密度，在测量的前300小时范围内达不到该电压极限。
实施例4(常规)
根据实施例4，用于常规发光器件的结构提供如下：
4.1 50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
4.2 10nm NPB(中间层)；
4.3 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
4.4 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
4.5 65nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
4. 100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色PIN-OLED。该器件在2.97V下达到亮度1000cd/m2，电流效率16.4cd/A。图8a和8b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。
图8a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度下是11000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图8b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这是极小的值。
实施例5
根据实施例5，用于发光器件的结构提供如下：
5.1 50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
5.2 10nm NPB(中间层)；
5.3 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
5.4 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
5.5 65nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
5.6 60nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(p型掺杂空穴输运层)；
5.7 10nm NPB(中间层)；
5.8 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
5.9 10nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
5.10 60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
5.11 100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层5.1至5.5构成第一个PIN-OLED单元并且层5.6至5.10构成第二个PIN-OLED单元。该器件在5.70V下达到亮度1000cd/m2，电流效率37.1cd/A。这超过对比实施例4中所公开器件的电流效率2倍，然而，达到1000cd/m2亮度所需的工作电压低于两倍。因此，这种叠层OLED的工作参数甚至比非叠层参考器件的工作参数更好。
图9a和9b显示该器件的寿命特性。在相同基材上的四个OLED接触件在DC工作中在不同电流密度上被驱动。图9a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度上是17000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图9b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这对于OLED是极小的值。
实施例5 的器件表明，与非叠层的参考器件相比，叠层产生延长的寿命。
此外，使用Tg>120℃的的铱(III)三(1-苯基异喹啉)作为所述分子掺杂剂的电荷载流子输运基体材料，导致显著改进pn界面稳定性以及改进掺杂膜的稳定性。可以通过该方法降低工作电压的增加至与非叠层OLED相同的水平，因此，器件的寿命不再受限于pn界面的退化。因此可以进行不使用中间层而直接地使PIN-OLED在其上面相互叠层，而不存在涉及效率或寿命的器件性能损失。
实施例6
根据实施例6，用于发光器件的结构提供如下：
6.150nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
6.210 nm NPB(中间层)；
6.320 nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
6.410 nm2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
6.530   nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
6.630 nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
6.730 nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(p型掺杂空穴输运层)；
6.8 30nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
6.9 10nm NPB(中间层)；
6.10 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
6.11 10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
6.12 60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
6.13 100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层6.1至6.6构成第一个PIN-OLED单元并且层6.7至6.12构成第二个PIN-OLED单元。第一个OLED单元的n型掺杂电荷载流子输运层由两层构成，而第二个OLED单元的p型掺杂电荷载流子输运层也由两层构成。在两个PIN-OLED单元界面处的p型掺杂的和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层厚度总计60nm。该器件在5.49V下达到亮度1000cd/m2，电流效率54.4cd/A。
图10a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度下是大约50000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图10b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这对于OLED是极小的值。
实施例7
根据实施例7，用于发光器件的结构提供如下：
7.1 50nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
7.2 10nm NPB(中间层)；
7.3 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
7.4 10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
7.5 掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的55nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉(n型掺杂电子输运层)；
7.6 5nm掺有4摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二 钨(II)的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(n型掺杂电子输运层)；
7.7 5nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的铱(III)三(1-苯基异喹啉)(p型掺杂空穴输运层)；
7.8 55nm掺有4摩尔％2-(6-二氰亚甲基-1，3，4，5，7，8-六氟-6H-萘-2-亚基)-丙二腈的2，2′，7，7′-四-(N，N-二-甲基苯基氨基)-9，9′-螺二芴(p型掺杂空穴输运层)；
7.9 10nm NPB(中间层)；
7.10 20nm掺有铱(III)双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮化合物)的NPB；
7.11 10nm 2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉；
7.12 60nm掺有2摩尔％四(1，3，4，6，7，8-六氢-2H-嘧啶并[1，2-a]嘧啶合)二钨(II)的2，4，7，9-四苯基-1，10-菲咯啉作为n型掺杂电子输运层；
7.13 100nm铝(反射阴极)。
这是在掺杂电荷输运层中使用分子掺杂剂的红色叠层PIN-OLED，其中层7.1至7.6构成第一个PIN-OLED单元并且层7.7至7.12构成第二个PIN-OLED单元。第一个OLED单元的n型掺杂电荷载流子输运层由两层构成，而第二个OLED单元的p型掺杂电荷载流子输运层也由两层构成。在两个PIN-OLED单元的界面处的p型掺杂的和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层厚度总计10nm。该器件在5.66V下达到亮度1000cd/m2，电流效率54.5cd/A。
图11a显示该器件的寿命，其估计在1000cd/m2初始亮度下是大约50000小时。用于驱动在寿命测量期间所施加电流所需的正向电压示于图11b。驱动电压的增加直至器件亮度衰减50％时小于10％，这对于OLED是极小的值。
可以看到，与样品号八相比，显著减少在两个PIN-OLED单元界面处的p型掺杂和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层的厚度没有造成器件性能下降，其中p型掺杂和n型掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层在该器件的两个PIN-OLED单元之间的界面具有60nm总厚度。
减少掺杂的铱(III)三(1-苯基异喹啉)层的厚度有益于使发光器件内发射的光的吸收损耗最小化，此外，掺杂铱(III)三(1-苯基异喹啉)层的厚度减少可能导致在大量生产该器件中的成本降低。
本说明书、权利要求书和/或附图中公开的特征可以是单独或以其各种组合采用的用于在各个实施方案中实现本发明的材料。

Claims (18)

1.一种电子器件，其包括有机层的层结构，其中所述层结构包括在n型掺杂有机层与p型掺杂有机层之间的pn结，所述n型掺杂有机层作为掺有n型掺杂剂的有机基体材料提供，所述p型掺杂有机层作为掺有p型掺杂剂的又一有机基体材料提供，并且其中所述n型掺杂剂和所述p型掺杂剂均是分子掺杂剂，其特征在于
-所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0V，
-所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-1.5V，和
-所述n型掺杂剂的蒸发温度和所述p型掺杂剂的蒸发温度中的至少一个高于约120℃。
2.根据权利要求1的电子器件，其中所述n型掺杂剂的分子量和/或所述p型掺杂剂的分子量大于约300g/mol。
3.根据权利要求1或2的电子器件，其中所述p型掺杂剂的还原电位相对于Fc/Fc+等于或大于约0.18V，优选地相对于Fc/Fc+等于或大于约0.24V。
4.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述n型掺杂剂的氧化电位相对于Fc/Fc+等于或小于约-2.0V，优选地相对于Fc/Fc+等于或小于约-2.2V。
5.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述基体材料的玻璃化转变温度(Tg)和/或又一基体材料的玻璃化转变温度(Tg)等于或大于约75℃，优选地等于或大于约100℃，更优选地等于或大于约120℃。
6.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述基体材料和又一基体材料由相同材料制成。
7.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述n型掺杂有机层提供为多层结构。
8.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述p型掺杂有机层提供为多层结构。
9.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述层结构提供在有机发光器件中。
10.根据权利要求9的电子器件，其中所述有机发光器件包括阳极(2)、阴极(4)和多个分别包括电致发光区(EML)的有机电致发光单元(3.1、......、3.m；m≥2)，其中所述有机电致发光单元在阳极(2)与阴极(4)之间相互以叠层或倒置叠层提供，并且其中所述pn结提供在毗邻有机电致发光单元之间的界面处。
11.根据权利要求10的电子器件，其中对于m>2：
-至少不毗邻于阳极(2)或阴极(4)的有机电致发光单元(3.2，......，3.m-1)包括作为p型掺杂空穴输运层(HTL)的p型掺杂有机层、作为n型掺杂电子输运层(ETL)的n型掺杂有机层、和在p型掺杂空穴输运层(HTL)与n型掺杂电子输运层(ETL)之间形成的电致发光区(EML)；
-在叠层或倒置叠层中，第k(2≤k≤m-2)个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层(ETL)直接继之以第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层(HTL)，由此提供第k个有机电致发光单元(3.k)的n型掺杂电子输运层(ETL)与第(k+1)个有机电致发光单元(3.k+1)的p型掺杂空穴输运层(HTL)之间的直接接触；并且
-第一个有机电致发光单元(3.1)包括与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层(HTL)接触的n型掺杂电子输运层(ETL)，并且第m个有机电致发光单元(3.m)包括与第(m-1)个有机电致发光单元(3.m-1)的n型掺杂电子输运层(ETL)接触的p型掺杂空穴输运层(HTL)。
12.根据权利要求10的电子器件，其中对于m＝2：
-第一个电致发光单元(3.1)包括作为n型掺杂电子输运层(ETL)的n型掺杂有机层；
-第二个电致发光单元(3.2)包括作为p型掺杂空穴输运层(HTL)的p型掺杂有机层；并且
-第一个电致发光单元(3.1)的n型掺杂电子输运层(ETL)与第二个有机电致发光单元(3.2)的p型掺杂空穴输运层(HTL)接触，由此提供这两个毗邻有机电致发光单元(3.1、3.2)之间的pn结。
13.根据权利要求10至12中任一项的电子器件，其中所述有机电致发光单元(3.1、......、3.m；3.1、3.2)的至少一个进一步包括以下层的至少一层：空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、在p型掺杂空穴输运层与电致发光区之间的中间层、和在n型掺杂电子输运层与电致发光区之间的又一中间层。
14.根据权利要求10至13中任一项的电子器件，其中对于所述有机电致发光单元(3.1、......、3.m；3.1、3.2)的至少一个，所述电致发光区由有机层的多层结构形成。
15.根据权利要求10至14中任一项的电子器件，其中对于所述有机电致发光单元(3.1、......、3.m；3.1、3.2)的至少一个，所述电致发光区由小分子材料和/或由有机聚合物形成。
16.根据权利要求10至15中任一项的电子器件，其中所述有机电致发光单元(3.1、......、3.m；3.1、3.2)发射波长不同的光。
17.根据权利要求16的电子器件，其中由多个有机电致发光单元(3.1、......、3.m；3.1、3.2)发射白光。
18.根据前述权利要求中任一项的电子器件，其中所述n型掺杂剂的蒸发温度和所述p型掺杂剂的蒸发温度中的至少一个高于约140℃。
CN2006800528745A 2005-12-23 2006-12-22 具有有机层的层结构的电子器件 Active CN101375429B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05028308 2005-12-23
EP05028308.4 2005-12-23
EP06001231.7 2006-01-20
EP06001231A EP1804309B1 (en) 2005-12-23 2006-01-20 Electronic device with a layer structure of organic layers
PCT/EP2006/012516 WO2007071450A1 (en) 2005-12-23 2006-12-22 Electronic device with a layer structure of organic layers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101375429A true CN101375429A (zh) 2009-02-25
CN101375429B CN101375429B (zh) 2011-02-23

Family

ID=36121269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800528745A Active CN101375429B (zh) 2005-12-23 2006-12-22 具有有机层的层结构的电子器件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7830089B2 (zh)
EP (1) EP1804309B1 (zh)
JP (1) JP5583345B2 (zh)
KR (1) KR101460117B1 (zh)
CN (1) CN101375429B (zh)
DE (1) DE602006001930D1 (zh)
TW (1) TWI367586B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183761A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光器件及其制备方法
CN104253230A (zh) * 2013-06-26 2014-12-31 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN107267138A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 三星显示有限公司 有机发光装置
CN110311045A (zh) * 2019-06-24 2019-10-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件
CN110456247A (zh) * 2019-07-29 2019-11-15 云谷（固安）科技有限公司 测试器件及其测试方法
CN110521014A (zh) * 2017-02-20 2019-11-29 诺瓦尔德股份有限公司 电子半导体器件和制备电子半导体器件的方法
CN114613927A (zh) * 2022-05-11 2022-06-10 南京迪视泰光电科技有限公司 一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法
US11953537B2 (en) 2019-07-29 2024-04-09 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Test device and test method thereof

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI321968B (en) * 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
US8758903B2 (en) * 2005-10-31 2014-06-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
CN101371619B (zh) * 2006-01-18 2013-11-13 Lg化学株式会社 具有堆叠式有机发光单元的oled
JP5568305B2 (ja) 2006-09-29 2014-08-06 ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド 赤外線検出および表示のための方法および装置
EP2167608B1 (de) 2007-05-21 2012-10-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Phosphoreszente metallkomplexverbindung, strahlungsemittierendes bauelement aufweisend eine phosphoreszente metallkomplexverbindung und verfahren zur herstellung einer phosphoreszenten metallkomplexverbindung
WO2009039845A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches strahlungsemittierendes bauteil
EP2068380B1 (de) * 2007-10-15 2011-08-17 Novaled AG Organisches elektrolumineszentes Bauelement
EP2299786B1 (en) * 2008-05-16 2014-03-26 LG Chem, Ltd. Stacked organic light-emitting diode
JP2010041022A (ja) * 2008-07-08 2010-02-18 Sumitomo Chemical Co Ltd 光電変換素子
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
WO2010057471A1 (de) 2008-11-19 2010-05-27 Novaled Ag Chinoxalinverbindungen und halbleitermaterialien
DE102008058230B4 (de) 2008-11-19 2021-01-07 Novaled Gmbh Chinoxalinverbindung, organische Leuchtdiode, organischer Dünnfilmtransistor und Solarzelle
EP2194055B1 (en) 2008-12-03 2012-04-04 Novaled AG Bridged pyridoquinazoline or phenanthroline compounds and organic semiconducting material comprising that compound
DE102008061843B4 (de) 2008-12-15 2018-01-18 Novaled Gmbh Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
DE102009016957A1 (de) 2009-04-14 2010-12-16 Technische Universität Dresden Organisches elektrolumineszentes Bauelement
EP2246862A1 (en) 2009-04-27 2010-11-03 Novaled AG Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
EP2267818B1 (en) 2009-06-22 2017-03-22 Novaled GmbH Organic lighting device
DE102010023619B4 (de) 2009-08-05 2016-09-15 Novaled Ag Organisches bottom-emittierendes Bauelement
US20110248244A1 (en) * 2009-10-05 2011-10-13 Emagin Corporation Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same
EP2312663B1 (en) 2009-10-19 2014-10-15 Novaled AG Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
US8686139B2 (en) 2009-11-24 2014-04-01 Novaled Ag Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
WO2011066396A2 (en) 2009-11-24 2011-06-03 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for sensing infrared radiation
US8829501B2 (en) 2009-12-18 2014-09-09 Novaled Ag Large area light emitting device comprising organic light emitting diodes
US8415620B2 (en) * 2010-01-11 2013-04-09 International Business Machines Corporation Determining doping type and level in semiconducting nanostructures
DE102010004453A1 (de) * 2010-01-12 2011-07-14 Novaled AG, 01307 Organisches lichtemittierendes Bauelement
JP5934656B2 (ja) * 2010-02-05 2016-06-15 日東電工株式会社 効率が向上した有機発光ダイオード
EP2381502B1 (en) 2010-04-23 2013-08-14 Novaled AG Organic semiconducting layer
EP2577747B1 (en) 2010-05-24 2018-10-17 University of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
EP2395571B1 (en) 2010-06-10 2013-12-04 Novaled AG Organic electronic device comprising an organic semiconducting material
KR101805144B1 (ko) 2010-06-14 2017-12-05 노발레드 게엠베하 유기 발광 장치
DE102010023620B4 (de) 2010-06-14 2016-09-15 Novaled Ag Organisches, bottom-emittierendes Bauelement
US8637858B2 (en) 2010-09-24 2014-01-28 Novaled Ag Tandem white OLED
KR20120041460A (ko) * 2010-10-21 2012-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
EP2452946B1 (en) 2010-11-16 2014-05-07 Novaled AG Pyridylphosphinoxides for organic electronic device and organic electronic device
DE102010061013B4 (de) 2010-12-03 2019-03-21 Novaled Gmbh Organisches elektro-optisches Bauelement
EP2463927B1 (en) 2010-12-08 2013-08-21 Novaled AG Material for organic electronic device and organic electronic device
DE102011013897A1 (de) 2011-03-11 2012-09-13 Technische Universität Dresden Organische Solarzelle
BR112013033122A2 (pt) 2011-06-30 2017-01-24 Nanoholdings Llc método e aparelho para detectar radiação infravermelha com ganho
CN102360999A (zh) * 2011-11-08 2012-02-22 福州大学 柔性可控有机pn结场发射电子源
DE102011055233A1 (de) 2011-11-10 2013-05-16 Novaled Ag Lichtemittierende Vorrichtung und flächige Anordnung mit mehreren lichtemittierenden Vorrichtungen
US9722183B2 (en) 2011-11-30 2017-08-01 Novaled Gmbh Display
EP2789028B1 (en) 2011-12-06 2019-02-06 Novaled GmbH Organic light emitting device and method of producing
JP6251670B2 (ja) * 2012-03-29 2017-12-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2013149958A1 (en) 2012-04-02 2013-10-10 Novaled Ag Use of a semiconducting compound in an organic light emitting device
JPWO2014034341A1 (ja) 2012-08-27 2016-08-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP3249714B1 (en) 2013-04-10 2021-03-17 Novaled GmbH Semiconducting material comprising aza-substituted phosphine oxide matrix and metal salt
WO2014192589A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスモジュール
EP2840622B1 (en) 2013-08-19 2019-02-13 Novaled GmbH Electronic or optoelectronic device comprising an anchored thin molecular layer, process for its preparation and compound used therein
EP2860782B1 (en) 2013-10-09 2019-04-17 Novaled GmbH Semiconducting material comprising a phosphine oxide matrix and metal salt
EP2887416B1 (en) 2013-12-23 2018-02-21 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising phosphine oxide matrix and metal dopant
EP2887412B1 (en) 2013-12-23 2016-07-27 Novaled GmbH Semiconducting material
US9209422B2 (en) * 2013-12-31 2015-12-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with micro-cavity structure
EP2963697B1 (en) 2014-06-30 2020-09-23 Novaled GmbH Electrically doped organic semiconducting material and organic light emitting device comprising it
CN104393185B (zh) * 2014-11-25 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种叠层有机电致发光器件及其制作方法
WO2016132460A1 (ja) * 2015-02-17 2016-08-25 パイオニア株式会社 発光装置
EP3059776B1 (en) 2015-02-18 2021-03-31 Novaled GmbH Semiconducting material and naphtofuran matrix compound
EP3079179A1 (en) 2015-04-08 2016-10-12 Novaled GmbH Semiconducting material comprising a phosphine oxide matrix and metal salt
US10749058B2 (en) 2015-06-11 2020-08-18 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices
EP3109915B1 (en) 2015-06-23 2021-07-21 Novaled GmbH Organic light emitting device comprising polar matrix and metal dopant
US10749115B2 (en) 2015-06-23 2020-08-18 Novaled Gmbh N-doped semiconducting material comprising polar matrix and metal dopant
EP3109916B1 (en) 2015-06-23 2021-08-25 Novaled GmbH Organic light emitting device comprising polar matrix, metal dopant and silver cathode
EP3109919B1 (en) 2015-06-23 2021-06-23 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising polar matrix and metal dopant
DE102015110091B4 (de) 2015-06-23 2019-06-06 Novaled Gmbh Phosphepinmatrixverbindung für ein Halbleitermaterial
CN105161627B (zh) * 2015-06-29 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置
CN105161628B (zh) * 2015-06-29 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种串联式有机发光二极管、阵列基板及显示装置
EP3168324A1 (en) 2015-11-10 2017-05-17 Novaled GmbH Process for making a metal containing layer
EP3168886B8 (en) 2015-11-10 2023-07-26 Novaled GmbH Metallic layer comprising alkali metal and second metal
EP3168894B8 (en) 2015-11-10 2023-07-26 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising two metal dopants
EP3374538B1 (en) 2015-11-10 2024-02-21 Novaled GmbH Process for making a metal containing layer
KR102600474B1 (ko) * 2016-03-10 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2017220660A1 (en) 2016-06-22 2017-12-28 Novaled Gmbh Phosphepine matrix compound for a semiconducting material
KR102641712B1 (ko) * 2019-06-24 2024-02-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자
WO2021101247A1 (ko) * 2019-11-19 2021-05-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2022056905A1 (zh) * 2020-09-21 2022-03-24 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制备方法、发光基板及其制备方法和发光装置

Family Cites Families (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP2813428B2 (ja) 1989-08-17 1998-10-22 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置
US7494638B1 (en) 1990-08-30 2009-02-24 Mitsubishi Corporation Form of carbon
US5093698A (en) 1991-02-12 1992-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
EP0676461B1 (de) 1994-04-07 2002-08-14 Covion Organic Semiconductors GmbH Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JP3586939B2 (ja) 1994-12-22 2004-11-10 株式会社デンソー Ｅｌ素子およびその製造方法
JP3327558B2 (ja) 1995-11-28 2002-09-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機／無機合金
JPH10125469A (ja) 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機ｅｌ発光素子
US5811833A (en) 1996-12-23 1998-09-22 University Of So. Ca Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals
US5917280A (en) 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JP3736071B2 (ja) 1997-09-30 2006-01-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
GB9805476D0 (en) 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
WO1999052992A1 (fr) 1998-04-09 1999-10-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif electroluminescent organique
JP3884564B2 (ja) 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
CN100432788C (zh) 1998-07-24 2008-11-12 精工爱普生株式会社 显示装置
JP2000075836A (ja) 1998-09-02 2000-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ発光装置とその駆動方法
US6274980B1 (en) 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP2000231992A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Stanley Electric Co Ltd 面光源装置
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
DE19916745A1 (de) 1999-04-13 2000-10-19 Mannesmann Vdo Ag Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben
WO2000076008A1 (en) 1999-06-09 2000-12-14 Cambridge Display Technology Limited Method of producing organic light-emissive devices
EP1115268A1 (en) 1999-07-07 2001-07-11 Sony Corporation Method and apparatus for manufacturing flexible organic el display
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
BE1012802A3 (fr) 1999-07-28 2001-03-06 Cockerill Rech & Dev Dispositif electroluminescent et son procede de fabrication.
TW474114B (en) 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
US7560175B2 (en) 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
JP4094203B2 (ja) 2000-03-30 2008-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体
GB2361356B (en) 2000-04-14 2005-01-05 Seiko Epson Corp Light emitting device
US6645645B1 (en) 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
JP4385503B2 (ja) * 2000-07-10 2009-12-16 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子
US6956324B2 (en) 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2002082627A (ja) 2000-09-07 2002-03-22 Sony Corp 表示装置
WO2002035890A1 (fr) 2000-10-25 2002-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Element lumineux, dispositif d'affichage et dispositif d'eclairage mettant cet element en application
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US6573651B2 (en) 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
JP4220669B2 (ja) 2000-12-26 2009-02-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
SG107573A1 (en) 2001-01-29 2004-12-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
KR100898304B1 (ko) 2001-03-02 2009-05-19 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 이중 도우프층, 인광 유기 발광 디바이스
US20040119400A1 (en) 2001-03-29 2004-06-24 Kenji Takahashi Electroluminescence device
US6580027B2 (en) 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
US6784016B2 (en) 2001-06-21 2004-08-31 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting devices with blocking and transport layers
JP4152665B2 (ja) 2001-07-11 2008-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
DE10135513B4 (de) 2001-07-20 2005-02-24 Novaled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
JP2003043998A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Pioneer Electronic Corp ディスプレイ装置
KR100439648B1 (ko) 2001-08-29 2004-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자
US6734038B2 (en) 2001-09-04 2004-05-11 The Trustees Of Princeton University Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition
CN100372142C (zh) 2001-09-05 2008-02-27 夏普株式会社 高分子结构体及具有它的功能元件、和晶体管及显示装置
DE10145492B4 (de) 2001-09-14 2004-11-11 Novaled Gmbh Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung, insbesondere als Weißlichtquelle
US6680578B2 (en) 2001-09-19 2004-01-20 Osram Opto Semiconductors, Gmbh Organic light emitting diode light source
JP2003203769A (ja) 2001-10-29 2003-07-18 Sony Corp 線状パターン及びパターン形成方法、画像表示装置及びその製造方法
US7163831B2 (en) 2001-11-22 2007-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus
JP3852916B2 (ja) 2001-11-27 2006-12-06 パイオニア株式会社 ディスプレイ装置
DE10157945C2 (de) 2001-11-27 2003-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektrolumineszierenden Displays sowie ein organisches, elektrolumineszierendes Display
US6734457B2 (en) 2001-11-27 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7012363B2 (en) 2002-01-10 2006-03-14 Universal Display Corporation OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
DE10207859A1 (de) 2002-02-20 2003-09-04 Univ Dresden Tech Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE10209789A1 (de) 2002-02-28 2003-09-25 Univ Dresden Tech Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
JP2004002740A (ja) * 2002-03-22 2004-01-08 Mitsubishi Chemicals Corp 高分子化合物、１，４−フェニレンジアミン誘導体、電荷輸送材料、有機電界発光素子材料および有機電界発光素子
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
DE10215210B4 (de) 2002-03-28 2006-07-13 Novaled Gmbh Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
JP2003297561A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Fuji Photo Film Co Ltd 有機薄膜素子の製造方法及び有機薄膜素子
GB0208506D0 (en) 2002-04-12 2002-05-22 Dupont Teijin Films Us Ltd Film coating
GB2388236A (en) 2002-05-01 2003-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Display and driver circuits
DE10224021B4 (de) 2002-05-24 2006-06-01 Novaled Gmbh Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US20030230980A1 (en) 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6670772B1 (en) 2002-06-27 2003-12-30 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling
DE10229231B9 (de) 2002-06-28 2006-05-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur
GB0215309D0 (en) 2002-07-03 2002-08-14 Cambridge Display Tech Ltd Combined information display and information input device
US6642092B1 (en) 2002-07-11 2003-11-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistors formed on a metal foil substrate
DE10232238A1 (de) 2002-07-17 2004-02-05 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Elektrolumineszierende Vorrichtung aus zweidimensionalem Array
JP2005534145A (ja) 2002-07-23 2005-11-10 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エレクトロルミネセントディスプレイ及びこのようなディスプレイを有する電子デバイス
GB2392023A (en) 2002-08-05 2004-02-18 Gen Electric Series connected oled structure and fabrication method
US7034470B2 (en) 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
TW556446B (en) 2002-09-11 2003-10-01 Opto Tech Corp Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof
US20040067324A1 (en) 2002-09-13 2004-04-08 Lazarev Pavel I Organic photosensitive optoelectronic device
JP4288918B2 (ja) 2002-09-26 2009-07-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器
US6965197B2 (en) 2002-10-01 2005-11-15 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency
JP2004158216A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2004214120A (ja) 2003-01-08 2004-07-29 Sony Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
JP2004234942A (ja) 2003-01-29 2004-08-19 Yodogawa Steel Works Ltd 無機ｅｌ素子の作製方法
KR100560785B1 (ko) 2003-02-03 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자
US6870196B2 (en) 2003-03-19 2005-03-22 Eastman Kodak Company Series/parallel OLED light source
WO2004097954A1 (en) 2003-04-28 2004-11-11 Zheng-Hong Lu Light-emitting devices with fullerene layer
US6936961B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
EP1477892B1 (en) 2003-05-16 2015-12-23 Sap Se System, method, computer program product and article of manufacture for inputting data in a computer system
KR101102282B1 (ko) 2003-07-10 2012-01-03 가부시키가이샤 이디알 스타 발광소자 및 발광장치
JP4194436B2 (ja) 2003-07-14 2008-12-10 キヤノン株式会社 電界効果型有機トランジスタ
DE10335727A1 (de) 2003-08-05 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten
EP1656700A1 (en) 2003-08-12 2006-05-17 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Circuit arrangement for ac driving of organic diodes
JP2005063840A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 自発光表示装置及び有機ｅｌ表示装置
DE10338406A1 (de) 2003-08-18 2005-03-24 Novaled Gmbh Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung
US7180089B2 (en) 2003-08-19 2007-02-20 National Taiwan University Reconfigurable organic light-emitting device and display apparatus employing the same
DE10339772B4 (de) 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2005116193A (ja) 2003-10-02 2005-04-28 Toyota Industries Corp 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス
DE10347856B8 (de) 2003-10-10 2006-10-19 Colorado State University Research Foundation, Fort Collins Halbleiterdotierung
US7432124B2 (en) 2003-11-04 2008-10-07 3M Innovative Properties Company Method of making an organic light emitting device
JP2005156925A (ja) 2003-11-26 2005-06-16 Hitachi Displays Ltd 表示装置
DE10357044A1 (de) * 2003-12-04 2005-07-14 Novaled Gmbh Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten
US7030554B2 (en) 2004-02-06 2006-04-18 Eastman Kodak Company Full-color organic display having improved blue emission
JP4276109B2 (ja) 2004-03-01 2009-06-10 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
DE102004010954A1 (de) * 2004-03-03 2005-10-06 Novaled Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil
TWI265753B (en) 2004-05-11 2006-11-01 Lg Chemical Ltd Organic electronic device
US20050269943A1 (en) 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
US20060014044A1 (en) 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
WO2006015567A1 (de) 2004-08-13 2006-02-16 Novaled Ag Schichtanordnung für ein lichtemittierendes bauelement
CN1738069A (zh) 2004-08-17 2006-02-22 国际商业机器公司 其电极具有增强注入特性的电子器件制造方法和电子器件
DE102004041371B4 (de) 2004-08-25 2007-08-02 Novaled Ag Bauelement auf Basis einer organischen Leuchtdiodeneinrichtung und Verfahren zur Herstellung
KR20060026776A (ko) 2004-09-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
EP1684365A3 (en) 2005-01-20 2008-08-13 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. Transistor
EP2284923B1 (de) 2005-04-13 2016-12-28 Novaled GmbH Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
EP1729346A1 (de) 2005-06-01 2006-12-06 Novaled AG Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung
EP1739765A1 (de) 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
DE502005004675D1 (de) 2005-12-21 2008-08-21 Novaled Ag Organisches Bauelement
EP1804308B1 (en) 2005-12-23 2012-04-04 Novaled AG An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other
DE102006059509B4 (de) 2006-12-14 2012-05-03 Novaled Ag Organisches Leuchtbauelement

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104183761A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光器件及其制备方法
CN104253230A (zh) * 2013-06-26 2014-12-31 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN107267138A (zh) * 2016-04-08 2017-10-20 三星显示有限公司 有机发光装置
CN107267138B (zh) * 2016-04-08 2022-04-26 三星显示有限公司 有机发光装置
CN110521014A (zh) * 2017-02-20 2019-11-29 诺瓦尔德股份有限公司 电子半导体器件和制备电子半导体器件的方法
CN110521014B (zh) * 2017-02-20 2022-08-12 诺瓦尔德股份有限公司 电子半导体器件和制备电子半导体器件的方法
CN110311045A (zh) * 2019-06-24 2019-10-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件
CN110456247A (zh) * 2019-07-29 2019-11-15 云谷（固安）科技有限公司 测试器件及其测试方法
CN110456247B (zh) * 2019-07-29 2021-08-13 云谷（固安）科技有限公司 测试器件及其测试方法
US11953537B2 (en) 2019-07-29 2024-04-09 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Test device and test method thereof
CN114613927A (zh) * 2022-05-11 2022-06-10 南京迪视泰光电科技有限公司 一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE602006001930D1 (de) 2008-09-04
TW200729582A (en) 2007-08-01
JP2009521110A (ja) 2009-05-28
TWI367586B (en) 2012-07-01
EP1804309B1 (en) 2008-07-23
EP1804309A1 (en) 2007-07-04
KR20080087011A (ko) 2008-09-29
US20090045728A1 (en) 2009-02-19
KR101460117B1 (ko) 2014-11-10
US7830089B2 (en) 2010-11-09
JP5583345B2 (ja) 2014-09-03
CN101375429B (zh) 2011-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101375429B (zh) 具有有机层的层结构的电子器件
CN100527458C (zh) 有机器件及有机器件制造方法
US9048447B2 (en) Organic light emitting display device having auxiliary charge generation layer
CN100527464C (zh) 有机器件、有机电致发光器件和有机太阳能电池
CN100527473C (zh) 有机电致发光器件
JP4457071B2 (ja) 有機光電変換素子及び有機光電変換素子の動作効率の向上方法
JP4315874B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4961412B2 (ja) 有機素子、及び、有機素子の製造方法
US20120025171A1 (en) Electronic Component with at Least One Organic Layer Arrangement
US20030230980A1 (en) Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
WO2011010696A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
US6822257B2 (en) Organic light emitting diode device with organic hole transporting material and phosphorescent material
CN101375427A (zh) 有机部件
JP2011522391A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2007071450A1 (en) Electronic device with a layer structure of organic layers
JP4565921B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4565922B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US6525465B1 (en) EL device with insulating layer of a bromide or iodide
US6636001B2 (en) Organic electronic device and nonlinear device
KR20120078298A (ko) 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
JP2012059962A (ja) 有機ｅｌ素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant