CN101356853A - 集成麦克风 - Google Patents

集成麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN101356853A
CN101356853A CN200680050789.5A CN200680050789A CN101356853A CN 101356853 A CN101356853 A CN 101356853A CN 200680050789 A CN200680050789 A CN 200680050789A CN 101356853 A CN101356853 A CN 101356853A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microphone
circuit
tube core
deposition
deposition materials
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200680050789.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101356853B (zh
Inventor
贾森·W·魏戈尔德
约翰·R·马丁
蒂莫西·J·布劳斯尼汉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
InvenSense Inc
Original Assignee
Analog Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analog Devices Inc filed Critical Analog Devices Inc
Publication of CN101356853A publication Critical patent/CN101356853A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101356853B publication Critical patent/CN101356853B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/00246Monolithic integration, i.e. micromechanical structure and electronic processing unit are integrated on the same substrate
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/02Casings; Cabinets ; Supports therefor; Mountings therein
    • H04R1/04Structural association of microphone with electric circuitry therefor
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H04R31/006Interconnection of transducer parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0257Microphones or microspeakers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/07Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0707Monolithic integration, i.e. the electronic processing unit is formed on or in the same substrate as the micromechanical structure
    • B81C2203/0728Pre-CMOS, i.e. forming the micromechanical structure before the CMOS circuit
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones

Abstract

一种用于形成具有可变电容的麦克风的方法,其首先在管芯上沉积高温沉积材料。该高温材料最后形成贡献出所述可变电容的结构。所述方法在沉积所述沉积材料后在管芯上形成电路。所述电路被配置以检测可变电容。

Description

集成麦克风
技术领域
本发明一般地涉及麦克风,更具体地,本发明涉及麦克风和用于生产具有结构和电路两者的麦克风的方法。
背景技术
诸如MEMS麦克风的麦克风通常具有相关联的检测电路,其检测振动膜变形(deflection),并且向其他电路发送这样的变形以进一步处理。但是,在与麦克风相同的管芯(die)上形成这样的电路一般存在多种挑战。
发明内容
依据本发明的一个实施例,一种用于形成具有可变电容的麦克风的方法首先在管芯上沉积高温沉积材料。所述高温材料最后形成有助于所述可变电容的结构。所述方法然后在沉积所述沉积材料后在管芯上形成电路。所述电路被配置以检测可变电容。
所述方法也可以在管芯上形成电路后由所述沉积材料在管芯上形成释放的(released)振动膜。作为替换或者补充,所述方法也可以处理沉积材料以形成未释放的结构。所述沉积材料可以包括多种材料,诸如多晶硅。所述管芯可以是SOI晶片的至少一部分或者单层硅晶片的一部分。在一些实施例中,所述麦克风是MEMS麦克风。
另外,所述方法也可以在所述沉积材料和所述管芯之间添加牺牲性材料,然后选择性地去除所述沉积材料和牺牲性材料的多个部分。这种牺牲性材料去除使得沉积材料(在形成电路后)悬起。而且,为了沉积所述材料,所述方法可以根据要在管芯上形成的电路来确定要沉积所述沉积材料的温度。
依据本发明的另一个实施例,一种麦克风设备具有SOI晶片,在其至少一部分上形成麦克风。所述麦克风具有振动膜和背板,它们形成可变电容器。所述麦克风设备也具有在SOI晶片上形成的电路。所述电路被配置来检测可变电容器的电容。
依据本发明的其他实施例,一种用于形成麦克风的方法首先在管芯上形成用于检测可变电容的电路。接着,所述方法根据所述电路来选择用于在管芯上沉积沉积材料的温度。所述方法然后根据所述温度来选择所述沉积材料,并且在管芯上沉积所选择的沉积材料(即在形成所述电路后)。所述沉积材料是低温沉积材料。所述方法然后处理所述沉积材料以形成结构。
在其他方面中,所述沉积材料可以包括锗化硅。而且,如果所述电路一般可以承受高达给定温度的温度而没有故障,则给定的沉积温度应当小于所述给定的温度。
附图说明
通过下面参考附图对本发明的进一步说明,将更全面地理解本发明的上述优点,其中:
图1A示意地示出了依据本发明的说明性实施例的可以配置的封装麦克风的立体图。
图1B示意地示出了在图1A中所示的封装麦克风的仰视图。
图1C示意地示出了可以依据本发明的说明性实施例而生产的未封装的MEMS麦克风/麦克风芯片的横截面图。
图2A和2B示出了依据本发明的说明性实施例的、用于形成在图1A和1B中所示的麦克风的说明性处理。
图3A示意地示出了在图2A中所示的方法的阶段(步骤200-208)期间麦克风的横截面图。
图3B示意地示出了在图2B中所示的方法的阶段(步骤216)期间麦克风的横截面图。
图3C示意地示出了在图2B中所示的方法的阶段(步骤218)期间麦克风的横截面图。
图3D示意地示出了在图2B中所示的方法的阶段(步骤220)期间麦克风的横截面图。
图3E示意地示出了在图2B中所示的方法的阶段(步骤222)期间麦克风的横截面图。
图4示出了依据本发明的其他实施例的、用于形成在图5中所示的麦克风的工艺。
具体实施方式
在说明性实施例中,MEMS麦克风具有由绝缘体硅晶片(“SOI晶片”)至少部分地支持和/或形成的结构和电路。在其他实施例中,一种用于形成MEMS麦克风的方法在向管芯上添加电路之前,在同一管芯上沉积高温沉积材料。但是,其他实施例在管芯上形成电路之后在同一管芯上沉积低温沉积材料。下面讨论说明性实施例的细节。
图1A示意地示出了依据本发明的说明性实施例的可以配置的封装麦克风1的俯视立体图。以对应的方式,图1B示意地示出了同一封装麦克风1的仰视立体图。
在那些附图中所示的麦克风1具有封装底座2,其与对应的盖子3一起形成内室,该内室包含MEMS麦克风芯片10(如下所述,参见图2A-6D)。在这个实施例中的盖子3是空腔型的盖子,其具有一般从顶部内表面互相垂直地延伸以形成空腔的四壁。盖子3固定到基本平坦的封装底座2的上表面,以形成内室。
盖子3也具有音频输入端口5,其使得音频信号能够进入所述内室内,但是,在替代实施例中,音频端口5在另一个位置,诸如通过封装底座2,或者通过盖子3的侧壁之一。进入内室的音频信号与麦克风芯片10交互,以产生电信号,通过另外的(外部)部件(例如扬声器和伴随电路),所述电信号产生对应于输入可听信号的输出可听信号。
图1B示出了封装底座2的底面6,其具有多个触点7,用于将麦克风与衬底电(并且在许多预期的使用中物理地)连接,所述衬底诸如是印刷电路板或者其他电互连设备。封装麦克风1可以用于广泛的各种应用的任何一种。例如,封装麦克风1可以用于移动电话、路线电话、计算机装置、视频游戏、生物学安全系统、双向无线电、公告系统和转换信号的其他装置。事实上,预期封装麦克风1可以用作扬声器,用于从电信号产生可听信号。
在说明性实施例中,封装底座2是预模制的引线框架类型的封装(也称为“预模制封装”)。但是,可以使用其他类型的封装,诸如陶瓷封装。
图1C示意地示出了依据本发明的说明性实施例可以生产的未封装的MEMS麦克风10(也称为“麦克风芯片10”)。在其他方面中,所述麦克风10包括静止的背板12,该背板支持并与柔性振动膜14形成电容器。在说明性实施例中,从单晶硅(例如如图所示的绝缘体硅晶片的顶层或者未粘结到任何其他晶片的单硅晶片)形成背板12,而从沉积的多晶硅或者锗化硅形成振动膜14。为了便利操作,背板12具有通向背侧空腔18的多个通孔16。
音频信号使得振动膜14振动,因此产生改变的电容。芯上电路19将这个改变电容转换为可以进一步处理的电信号。虽然电路19被示意地示出为在麦克风10上的特定位置的盒子,但是其可以在晶片上的任何便利位置,并且包括用于检测振动膜的移动的传统电路。应当注意,在图1C中所示的麦克风10的讨论仅仅用于说明的目的。因此,其他麦克风可以用于本发明的说明性实施例。
图2示出了依据本发明的说明性实施例的、形成在图1C中所示的麦克风10的处理。图3A-3E图解了这个处理的各个步骤。应当注意,这个处理未描述用于形成麦克风10所需要的所有步骤。相反,其示出了用于形成麦克风10的各个相关步骤。因此,不讨论一些步骤。
处理在步骤200开始,其在绝缘体硅晶片(“SOI晶片”)上蚀刻沟槽。图3A示意地示出了中间设备22,其图解了这个步骤以及步骤202-208。接着,所述处理向沟槽20的壁并且沿着SOI晶片的顶层的上表面的至少一部分添加牺牲性氧化物24(步骤202)。其中,该氧化物24可以被生长或者沉积。继续步骤202,处理然后向氧化物为衬里的沟槽20和顶侧的氧化物24添加牺牲性多晶硅26。
在添加牺牲性多晶硅26后,所述处理在牺牲性多晶硅26中蚀刻孔28(步骤204)。所述处理然后继续到步骤206,其添加更多的氧化物24,以充分封装牺牲性多晶硅26。以类似于添加氧化物24的其他步骤的方式,该氧化物24实质上与它所接触的其他氧化物集成。继续步骤206,所述处理然后添加另外的多晶硅层,该多晶硅层最后形成振动膜14。
所述处理继续到步骤208,其以传统的方式来向麦克风添加电路。如上所述,所述电路可以在麦克风10上的任何便利位置。应当注意,在一些实施例中,在所述处理的随后阶段执行添加电路的步骤。在任何一种情况下,这个实施例当随后不添加随后的高温沉积材料时添加电路。这样的定时有益于帮助保证在这样的高温下会变得损坏的电路的完整性。
所述处理然后曝光振动膜14,并且蚀刻穿过振动膜14的孔34(步骤210)。如下更详细讨论的,这些孔之一(“振动膜孔34A”)最后有助于形成基座42,其在这个处理期间的有限时间支撑振动膜14。
因此,各个实施例根据电路19承受特定温度的能力来将沉积材料当作“高温”材料或者“低温”材料。具体地,如果通常在特定的温度(或者温度范围,两者都被简称为“温度”)下沉积所述沉积材料,并且已知当温度在这样的水平时该温度表现出损害所涉及的具体电路19的较大风险,则认为所述沉积材料是“高温”材料。例如,如果某个有源电路19的接合点和金属轨迹可以承受高达摄氏400度的温度达到用于沉积材料所需要的时间长度,则认为在大约或者大于摄氏400度沉积的沉积材料对于此处理是“高温”材料。在各个实施例中使用的高温材料的一个示例是多晶硅。
继续这个示例,因而将在摄氏400度下沉积的沉积材料认为是“低温”材料。在各个实施例中使用的低温材料的一个示例是锗化硅。尽管如此,仍然应当重申,摄氏400度的讨论仅仅是一个示例,并且不意欲限定各个实施例。因此,总之,沉积温度和其对于特定电路19的影响确定沉积材料是“高温”还是“低温”沉积材料。
本领域技术人员可以使用用于确定电路19承受特定温度的能力的多种方法。在其它方法中,本领域技术人员可以使用软件建模算法来对电路19的热循环和贯穿整个制造处理的扩散进行建模。作为补充或者替代,可以使用实际测试处理来测试电路10。基于本领域技术人员已知的这些或者其他技术,可以选择适当的沉积材料。
返回到图2,所述处理通过添加完全覆盖振动膜14的光致抗蚀剂层36来继续步骤212。在添加光致抗蚀剂后,所述处理曝光振动膜孔34A(图3B的步骤214)。为此,所述处理通过将所选择的部分曝光在光线下来形成通过光致抗蚀剂的孔(“抗蚀剂孔38”)。
在形成抗蚀剂孔38后,所述处理形成通过氧化物24的孔40(图3B的步骤214)。在说明性实施例中,这个氧化物孔40延伸到上SOI晶片的上表面。预期这个氧化物孔40首先将具有基本等于振动膜孔34A的内径的内径。可以使用诸如水HF蚀刻的第二步骤来将氧化物孔40的内径扩大到大于振动膜孔34A的内径。这个被扩大的氧化物孔直径实质上将振动膜14的低侧的一部分曝光。
所述处理然后继续到步骤218,其添加更多的光致抗蚀剂36,以基本上填充氧化物和振动膜孔40和34(图3C)。填充氧化物孔40的光致抗蚀剂接触顶部SOI层的硅以及在振动膜孔34A周围的振动膜14的下侧。
此时,可以去除牺牲性材料。为此,所述处理去除牺牲性多晶硅26(图3D的步骤220)和牺牲性氧化物24(图3E的步骤222)。在其它方式中,说明性实施例使用诸如使用二氟化氙的处理的干刻蚀处理来去除多晶硅。另外,说明性实施例使用湿刻蚀处理来去除氧化物24。当然,可以使用其他的去除处理。
如图3D和3E中所示,在振动膜14和顶部SOI层之间的光致抗蚀剂支撑振动膜14。换句话说,在那个位置的光致抗蚀剂形成支撑振动膜14的底座42。如本领域技术人员所知的,所述光致抗蚀剂基本耐湿刻蚀处理(例如水HF处理,诸如如上所述的那些)。尽管如此,应当注意到,可以使用其他这样的材料。因而,对光致抗蚀剂的讨论是说明性的,而不意欲限定所有实施例的范围。
为了释放振动膜14,所述处理继续到步骤224,其去除光致抗蚀剂/底座42。在其它方式中,可以使用干刻蚀处理。如上所述,可以采取其他步骤来完成麦克风10的生产。例如,如果以批处理进行,则可以将晶片切割以形成多个独立的管芯。应当注意,当讨论各种处理时,可以使用术语“晶片”和“管芯”来表示同一事物,尽管晶片可以形成多个独立的管芯。因此,除非另外明确说明,对于在管芯上的沉积材料的引用应当被认为是对于在晶片上的沉积材料的引用。以类似的方式,对于在晶片上的沉积材料的引用应当被认为是对于在管芯上的沉积材料的引用。
不是使用高温沉积材料,用于实现图2的处理的一些实施例使用低温沉积材料来形成所述结构。但是,应当重申,各个实施例不必然限于图2的处理的许多方面。例如,所述处理可以被适配来使用不同的牺牲性材料,或者不使用底座。
如上所述,与如上所述的处理不同,一些实施例实现用于在已经具有适当电路的管芯上集成MEMS麦克风的后处理方法。在其它方式中,LPCVD处理和PECVD处理可能是足够的。诸如锗化硅的低温沉积材料也可以用于使能够进行这个处理。
图4示出了依据本发明的一些实施例的、用于形成如上所述的麦克风10的处理。应当注意,这个处理未描述用于形成麦克风10所需要的所有步骤。相反,它示出了用于形成麦克风10的各种相关步骤。因此,不讨论一些步骤。而且,所述附图可以包括与本发明的说明性实施例相关的另外信息。这样的信息不必然限于多个实施例。
所述处理在步骤400开始,其在SOI晶片上形成电路19和相关联的部件。以类似于其他实施例的方式,电路19可以包括用于检测在运行期间振动膜14的移动的传统电路。
在形成电路19后,步骤402在曝光的层上沉积振动膜材料(即沉积或者生长在SOI晶片的顶部晶片上),以形成未释放的振动膜14。如上所述,从应当不影响电路性能的低温沉积材料来说明性地形成这个振动膜14材料。例如,其中,预期的应用可以使用锗化硅来作为沉积材料。
所述处理继续到步骤404,其使用传统的微加工处理来形成背侧空腔18和通孔16。所述处理通过释放振动膜14而在步骤406结束。麦克风10然后可以被固定在传统的封装内,诸如在图1A和1B中所示的封装内。
图4的这个处理说明了可以使用低温处理来形成麦克风芯片10的一个处理。其也可以实现类似于上面相对于图2A和2B讨论的那些的步骤。而且,可以不同地执行一些步骤。例如,可以在处理SOI晶片的相对侧之前形成背侧空腔18。
应当重申,可以在诸如单晶硅晶片的其他类型的晶片上实现这个处理。因此,对SOI晶片的讨论是说明性的,并且不意欲限定本发明的所有实施例。而且,不是使用底部SOI层来作为背板12,相关处理可以使用顶部SOI晶片来作为背板。因此,在图2中所示的处理可以被修改以使用这些低温沉积材料实施例的原理。
在其它优点中,这样的低温沉积材料实施例允许在形成所述微结构之前将电路19形成在晶片上。
虽然上述的讨论公开了本发明的各个示范性实施例,但是应当显然,本领域技术人员可以在不脱离本发明的真实范围的情况下进行将获得本发明的一些优点的各种修改。

Claims (20)

1.一种用于形成具有可变电容的麦克风的方法,所述方法包括:
在管芯上沉积高温沉积材料,该高温材料最后形成贡献出所述可变电容的结构;以及
在沉积所述沉积材料后在所述管芯上形成电路,所述电路被配置以检测可变电容。
2.根据权利要求1的方法,还包括:在所述管芯上形成电路后在所述管芯上形成释放的振动膜,该释放的振动膜由所述高温沉积材料形成。
3.根据权利要求1的方法,其中,所述沉积材料是多晶硅。
4.根据权利要求1的方法,还包括:处理所述沉积材料以形成未释放的结构。
5.根据权利要求1的方法,其中,所述管芯是SOI晶片的一部分。
6.根据权利要求1的方法,其中,所述麦克风是MEMS麦克风。
7.根据权利要求1的方法,还包括:
向所述管芯添加牺牲性材料,所述牺牲性材料位于所述沉积材料和所述管芯之间;
选择性地去除所述沉积材料的至少一部分;以及
选择性地去除所述沉积材料的至少一部分,以在形成所述电路后将所述沉积材料悬起。
8.根据权利要求1的方法,其中,沉积包括:
根据要在管芯上形成的电路来确定沉积所述沉积材料的温度。
9.一种麦克风设备,包括:
SOI晶片;
至少部分由所述SOI晶片形成的麦克风,所述麦克风具有振动膜和背板,所述振动膜和背板形成可变电容器;以及
在所述SOI晶片上形成的电路,所述电路被配置用来检测所述可变电容器的电容。
10.根据权利要求9的麦克风,其中,由高温沉积材料来形成所述振动膜。
11.根据权利要求9的麦克风,其中,由低温沉积材料来形成所述振动膜。
12.根据权利要求9的麦克风,其中,由所述SOI晶片的一部分来形成所述背板。
13.一种用于形成麦克风的方法,所述方法包括:
在管芯上形成用于检测可变电容的电路;
选择在所述管芯上沉积沉积材料的温度,所述温度是根据所述电路来选择的;
根据所述温度来选择所述沉积材料;
在形成所述电路后在所述管芯上沉积所选择的沉积材料,所述沉积材料是低温沉积材料;以及
处理所述沉积材料以形成结构。
14.根据权利要求13的方法,其中,所述沉积材料是锗化硅。
15.根据权利要求13的方法,其中,所述管芯是SOI晶片的一部分。
16.根据权利要求13的方法,其中,所述管芯是硅晶片,该硅晶片不是SOI晶片的一部分。
17.根据权利要求13的方法,其中,所述结构包括形成可变电容器的一部分的振动膜,所述电路被配置用来检测所述可变电容器的电容。
18.根据权利要求13的方法,其中,处理包括:
在所述沉积材料和所述管芯之间添加牺牲性材料;以及
选择性地去除所述牺牲性材料以释放所述结构。
19.根据权利要求13的方法,其中,所述电路能够承受高达给定温度的温度而无故障,所述给定沉积温度小于所述给定温度。
20.通过权利要求13的工艺而生产的设备。
CN2006800507895A 2006-01-09 2006-12-19 集成麦克风 Active CN101356853B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US75770306P 2006-01-09 2006-01-09
US60/757,703 2006-01-09
US11/535,804 US7795695B2 (en) 2005-01-27 2006-09-27 Integrated microphone
US11/535,804 2006-09-27
PCT/US2006/048420 WO2007081504A1 (en) 2006-01-09 2006-12-19 Integrated microphone

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101356853A true CN101356853A (zh) 2009-01-28
CN101356853B CN101356853B (zh) 2012-08-29

Family

ID=37891631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800507895A Active CN101356853B (zh) 2006-01-09 2006-12-19 集成麦克风

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7795695B2 (zh)
CN (1) CN101356853B (zh)
WO (1) WO2007081504A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103248994A (zh) * 2012-02-06 2013-08-14 苏州敏芯微电子技术有限公司 集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及芯片

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7795695B2 (en) * 2005-01-27 2010-09-14 Analog Devices, Inc. Integrated microphone
EP2182738B1 (en) * 2008-02-20 2015-11-04 Omron Corporation Electrostatic capacitive vibrating sensor
US8580596B2 (en) * 2009-04-10 2013-11-12 Nxp, B.V. Front end micro cavity
US8571249B2 (en) * 2009-05-29 2013-10-29 General Mems Corporation Silicon microphone package
TWI440366B (zh) * 2009-08-28 2014-06-01 Invensense Inc 雙單晶背面板麥克風系統及其製造方法
US20110073967A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-31 Analog Devices, Inc. Apparatus and method of forming a mems acoustic transducer with layer transfer processes
EP2432249A1 (en) 2010-07-02 2012-03-21 Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. Microphone
US8436435B2 (en) * 2010-07-27 2013-05-07 National Tsing Hua University MEMS capacitive microphone
DE102011005676A1 (de) * 2011-03-17 2012-09-20 Robert Bosch Gmbh Bauteil
TWI484835B (zh) 2011-04-12 2015-05-11 Pixart Imaging Inc 微機電系統麥克風裝置及其製作方法
CN103858446A (zh) 2011-08-18 2014-06-11 美商楼氏电子有限公司 用于mems装置的灵敏度调整装置和方法
US9485560B2 (en) 2012-02-01 2016-11-01 Knowles Electronics, Llc Embedded circuit in a MEMS device
US9402118B2 (en) 2012-07-27 2016-07-26 Knowles Electronics, Llc Housing and method to control solder creep on housing
US9491539B2 (en) 2012-08-01 2016-11-08 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus disposed on assembly lid
US9078063B2 (en) 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US8692340B1 (en) 2013-03-13 2014-04-08 Invensense, Inc. MEMS acoustic sensor with integrated back cavity
US9809448B2 (en) 2013-03-13 2017-11-07 Invensense, Inc. Systems and apparatus having MEMS acoustic sensors and other MEMS sensors and methods of fabrication of the same
US9467785B2 (en) 2013-03-28 2016-10-11 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus with increased back volume
US9503814B2 (en) 2013-04-10 2016-11-22 Knowles Electronics, Llc Differential outputs in multiple motor MEMS devices
US9301075B2 (en) 2013-04-24 2016-03-29 Knowles Electronics, Llc MEMS microphone with out-gassing openings and method of manufacturing the same
US10020008B2 (en) 2013-05-23 2018-07-10 Knowles Electronics, Llc Microphone and corresponding digital interface
US10028054B2 (en) 2013-10-21 2018-07-17 Knowles Electronics, Llc Apparatus and method for frequency detection
US9711166B2 (en) 2013-05-23 2017-07-18 Knowles Electronics, Llc Decimation synchronization in a microphone
JP2016526331A (ja) 2013-05-23 2016-09-01 ノールズ エレクトロニクス,リミテッド ライアビリティ カンパニー Vad検出マイク及びその動作方法
US20180317019A1 (en) 2013-05-23 2018-11-01 Knowles Electronics, Llc Acoustic activity detecting microphone
US9386370B2 (en) 2013-09-04 2016-07-05 Knowles Electronics, Llc Slew rate control apparatus for digital microphones
US9502028B2 (en) 2013-10-18 2016-11-22 Knowles Electronics, Llc Acoustic activity detection apparatus and method
US9147397B2 (en) 2013-10-29 2015-09-29 Knowles Electronics, Llc VAD detection apparatus and method of operating the same
US9352955B2 (en) * 2014-03-27 2016-05-31 Maxim Integrated Products, Inc. MEMS pressure sensor with improved insensitivity to thermo-mechanical stress
US9831844B2 (en) 2014-09-19 2017-11-28 Knowles Electronics, Llc Digital microphone with adjustable gain control
US9554214B2 (en) 2014-10-02 2017-01-24 Knowles Electronics, Llc Signal processing platform in an acoustic capture device
US9743191B2 (en) 2014-10-13 2017-08-22 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus with diaphragm supported at a discrete number of locations
US9743167B2 (en) 2014-12-17 2017-08-22 Knowles Electronics, Llc Microphone with soft clipping circuit
DE112016000287T5 (de) 2015-01-07 2017-10-05 Knowles Electronics, Llc Verwendung von digitalen Mikrofonen zur Niedrigleistung-Schlüsselworterkennung und Rauschunterdrückung
US9830080B2 (en) 2015-01-21 2017-11-28 Knowles Electronics, Llc Low power voice trigger for acoustic apparatus and method
US10121472B2 (en) 2015-02-13 2018-11-06 Knowles Electronics, Llc Audio buffer catch-up apparatus and method with two microphones
US9866938B2 (en) 2015-02-19 2018-01-09 Knowles Electronics, Llc Interface for microphone-to-microphone communications
US9800971B2 (en) 2015-03-17 2017-10-24 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus with side port
WO2016183494A1 (en) 2015-05-14 2016-11-17 Knowles Electronics, Llc Microphone with coined area
US10291973B2 (en) 2015-05-14 2019-05-14 Knowles Electronics, Llc Sensor device with ingress protection
US9478234B1 (en) 2015-07-13 2016-10-25 Knowles Electronics, Llc Microphone apparatus and method with catch-up buffer
US9794661B2 (en) 2015-08-07 2017-10-17 Knowles Electronics, Llc Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package
US10405106B2 (en) 2015-11-19 2019-09-03 Knowles Electronics, Llc Differential MEMS microphone
US9516421B1 (en) 2015-12-18 2016-12-06 Knowles Electronics, Llc Acoustic sensing apparatus and method of manufacturing the same
US10129651B2 (en) * 2015-12-18 2018-11-13 Robert Bosch Gmbh Center-fixed MEMS microphone membrane
DE112016005824T5 (de) 2015-12-18 2018-08-30 Knowles Electronics, Llc Mikrofon mit einem hydrophoben eindringungsschutz
US10158943B2 (en) 2016-02-01 2018-12-18 Knowles Electronics, Llc Apparatus and method to bias MEMS motors
US10349184B2 (en) 2016-02-04 2019-07-09 Knowles Electronics, Llc Microphone and pressure sensor
CN108702574B (zh) 2016-02-04 2021-05-25 美商楼氏电子有限公司 差分mems麦克风
DE112017002666T5 (de) 2016-05-26 2019-02-28 Knowles Electronics, Llc Mikrofoneinrichtung mit integriertem drucksensor
WO2017222832A1 (en) 2016-06-24 2017-12-28 Knowles Electronics, Llc Microphone with integrated gas sensor
US10499150B2 (en) 2016-07-05 2019-12-03 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with digital feedback loop
US10206023B2 (en) 2016-07-06 2019-02-12 Knowles Electronics, Llc Transducer package with through-vias
US10153740B2 (en) 2016-07-11 2018-12-11 Knowles Electronics, Llc Split signal differential MEMS microphone
US9860623B1 (en) 2016-07-13 2018-01-02 Knowles Electronics, Llc Stacked chip microphone
US10257616B2 (en) 2016-07-22 2019-04-09 Knowles Electronics, Llc Digital microphone assembly with improved frequency response and noise characteristics
DE112017003785B4 (de) 2016-07-27 2021-09-02 Knowles Electronics, Llc Mikroelektromechanische Systemvorrichtungs (MEMS-Vorrichtungs)-Packung
US10979824B2 (en) 2016-10-28 2021-04-13 Knowles Electronics, Llc Transducer assemblies and methods
KR102371228B1 (ko) 2016-11-24 2022-03-04 현대자동차 주식회사 마이크로폰 및 이의 제조방법
WO2018106513A1 (en) 2016-12-05 2018-06-14 Knowles Electronics, Llc Ramping of sensor power in a microelectromechanical system device
US10315912B2 (en) 2016-12-28 2019-06-11 Knowles Electronics, Llc Microelectromechanical system microphone
DE112018000811T5 (de) 2017-02-14 2019-10-24 Knowles Electronics, Llc System und Verfahren zum Kalibrieren einer Mikrofon-Grenzfrequenz
EP3379204B1 (en) 2017-03-22 2021-02-17 Knowles Electronics, LLC Arrangement to calibrate a capacitive sensor interface
US10547955B2 (en) 2017-05-25 2020-01-28 Knowles Electronics, Llc Microphone package for fully encapsulated ASIC and wires
US10887712B2 (en) 2017-06-27 2021-01-05 Knowles Electronics, Llc Post linearization system and method using tracking signal
US11274034B2 (en) 2017-07-26 2022-03-15 Knowles Electronics, Llc Acoustic relief in MEMS
DE112018004659T5 (de) 2017-09-08 2020-06-10 Knowles Electronics, Llc Digitale Mikrofon-Rauschdämpfung
CN111095949B (zh) 2017-09-18 2021-06-18 美商楼氏电子有限公司 减少声换能器中噪声的方法和麦克风组件
US10654712B2 (en) 2017-09-21 2020-05-19 Knowles Electronics, Llc Elevated MEMS device in a microphone with ingress protection
US10591326B2 (en) 2017-11-14 2020-03-17 Knowles Electronics, Llc Sensor package with ingress protection
WO2019183283A2 (en) 2018-03-21 2019-09-26 Knowles Electronics, Llc Dielectric comb for mems device
US10820083B2 (en) 2018-04-26 2020-10-27 Knowles Electronics, Llc Acoustic assembly having an acoustically permeable membrane
WO2019222106A1 (en) 2018-05-18 2019-11-21 Knowles Electronics, Llc Systems and methods for reducing noise in microphones
WO2019246152A1 (en) 2018-06-19 2019-12-26 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with reduced noise
WO2019246151A1 (en) 2018-06-19 2019-12-26 Knowles Electronics, Llc Transconductance amplifier
DE112019004979T5 (de) 2018-10-05 2021-06-17 Knowles Electronics, Llc Verfahren zur Herstellung von MEMS-Membranen, die Wellungen umfassen
DE112019004970T5 (de) 2018-10-05 2021-06-24 Knowles Electronics, Llc Mikrofonvorrichtung mit Eindringschutz
CN112840676B (zh) 2018-10-05 2022-05-03 美商楼氏电子有限公司 响应于声学信号来生成电信号的声学换能器和麦克风组件
CN112806026B (zh) 2018-10-09 2022-05-31 美商楼氏电子有限公司 集成电路、麦克风组件、多麦克风系统、处理音频流的方法
WO2020123550A2 (en) 2018-12-11 2020-06-18 Knowles Electronics, Llc Multi-rate integrated circuit connectable to a sensor
US11598821B2 (en) 2019-01-22 2023-03-07 Knowles Electronics, Llc. Leakage current detection from bias voltage supply of microphone assembly
US11197104B2 (en) 2019-01-25 2021-12-07 Knowles Electronics, Llc MEMS transducer including free plate diaphragm with spring members
WO2020160348A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with back volume vent
EP3694222A1 (en) 2019-02-06 2020-08-12 Knowles Electronics, LLC Sensor arrangement and method
US11778390B2 (en) 2019-11-07 2023-10-03 Knowles Electronics, Llc. Microphone assembly having a direct current bias circuit
DE102020133179A1 (de) 2019-12-23 2021-06-24 Knowles Electronics, Llc Mikrofonanordnung, die eine gleichstromvorspannungsschaltung mit tiefer grabenisolation aufweist
US11787690B1 (en) 2020-04-03 2023-10-17 Knowles Electronics, Llc. MEMS assembly substrates including a bond layer
US11240600B1 (en) 2020-11-12 2022-02-01 Knowles Electronics, Llc Sensor assembly and electrical circuit therefor
US11671775B2 (en) 2020-12-30 2023-06-06 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor
US11743666B2 (en) 2020-12-30 2023-08-29 Knowles Electronics, Llc. Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor
US11916575B2 (en) 2020-12-31 2024-02-27 Knowleselectronics, Llc. Digital microphone assembly with improved mismatch shaping
US11909387B2 (en) 2021-03-17 2024-02-20 Knowles Electronics, Llc. Microphone with slew rate controlled buffer
US11897762B2 (en) 2021-03-27 2024-02-13 Knowles Electronics, Llc. Digital microphone with over-voltage protection
US11528546B2 (en) 2021-04-05 2022-12-13 Knowles Electronics, Llc Sealed vacuum MEMS die
US11540048B2 (en) 2021-04-16 2022-12-27 Knowles Electronics, Llc Reduced noise MEMS device with force feedback
US11649161B2 (en) 2021-07-26 2023-05-16 Knowles Electronics, Llc Diaphragm assembly with non-uniform pillar distribution
US11772961B2 (en) 2021-08-26 2023-10-03 Knowles Electronics, Llc MEMS device with perimeter barometric relief pierce
US11780726B2 (en) 2021-11-03 2023-10-10 Knowles Electronics, Llc Dual-diaphragm assembly having center constraint
CN216626054U (zh) * 2021-12-22 2022-05-27 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 一种mems麦克风

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE428081B (sv) 1981-10-07 1983-05-30 Ericsson Telefon Ab L M Tilledningsram for en elektretmikrofon
US4492825A (en) 1982-07-28 1985-01-08 At&T Bell Laboratories Electroacoustic transducer
US4558184A (en) 1983-02-24 1985-12-10 At&T Bell Laboratories Integrated capacitive transducer
US4533795A (en) 1983-07-07 1985-08-06 American Telephone And Telegraph Integrated electroacoustic transducer
US4524247A (en) 1983-07-07 1985-06-18 At&T Bell Laboratories Integrated electroacoustic transducer with built-in bias
US4744863A (en) 1985-04-26 1988-05-17 Wisconsin Alumni Research Foundation Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same
US4853669A (en) 1985-04-26 1989-08-01 Wisconsin Alumni Research Foundation Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same
US4996082A (en) 1985-04-26 1991-02-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same
JPH0726887B2 (ja) 1986-05-31 1995-03-29 株式会社堀場製作所 コンデンサマイクロフオン型検出器用ダイアフラム
US4783821A (en) * 1987-11-25 1988-11-08 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
US4825335A (en) 1988-03-14 1989-04-25 Endevco Corporation Differential capacitive transducer and method of making
US5146435A (en) 1989-12-04 1992-09-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer
US5188983A (en) 1990-04-11 1993-02-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Polysilicon resonating beam transducers and method of producing the same
US5090254A (en) 1990-04-11 1992-02-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Polysilicon resonating beam transducers
US5314572A (en) 1990-08-17 1994-05-24 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures
US5326726A (en) 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5417111A (en) 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
EP0543901B1 (en) 1990-08-17 1995-10-04 Analog Devices, Inc. Monolithic accelerometer
US5113466A (en) 1991-04-25 1992-05-12 At&T Bell Laboratories Molded optical packaging arrangement
US5178015A (en) 1991-07-22 1993-01-12 Monolithic Sensors Inc. Silicon-on-silicon differential input sensors
US5490220A (en) 1992-03-18 1996-02-06 Knowles Electronics, Inc. Solid state condenser and microphone devices
US5317107A (en) 1992-09-24 1994-05-31 Motorola, Inc. Shielded stripline configuration semiconductor device and method for making the same
US5303210A (en) 1992-10-29 1994-04-12 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Integrated resonant cavity acoustic transducer
US5633552A (en) 1993-06-04 1997-05-27 The Regents Of The University Of California Cantilever pressure transducer
US5393647A (en) 1993-07-16 1995-02-28 Armand P. Neukermans Method of making superhard tips for micro-probe microscopy and field emission
JPH07111254A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置の製造方法
US5452268A (en) 1994-08-12 1995-09-19 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer with improved low frequency response
US5596222A (en) 1994-08-12 1997-01-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Wafer of transducer chips
US5956292A (en) 1995-04-13 1999-09-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Monolithic micromachined piezoelectric acoustic transducer and transducer array and method of making same
US5692060A (en) 1995-05-01 1997-11-25 Knowles Electronics, Inc. Unidirectional microphone
NL1001733C2 (nl) 1995-11-23 1997-05-27 Stichting Tech Wetenschapp Stelsel van een substraat en een opnemer.
IL116536A0 (en) 1995-12-24 1996-03-31 Harunian Dan Direct integration of sensing mechanisms with single crystal based micro-electric-mechanics systems
AU2923397A (en) 1996-04-18 1997-11-07 California Institute Of Technology Thin film electret microphone
US5740261A (en) 1996-11-21 1998-04-14 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
DE19648424C1 (de) 1996-11-22 1998-06-25 Siemens Ag Mikromechanischer Sensor
US5870482A (en) 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
US5923995A (en) 1997-04-18 1999-07-13 National Semiconductor Corporation Methods and apparatuses for singulation of microelectromechanical systems
US6121552A (en) 1997-06-13 2000-09-19 The Regents Of The University Of Caliofornia Microfabricated high aspect ratio device with an electrical isolation trench
US5939633A (en) 1997-06-18 1999-08-17 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for multi-axis capacitive sensing
US6122961A (en) 1997-09-02 2000-09-26 Analog Devices, Inc. Micromachined gyros
US5960093A (en) 1998-03-30 1999-09-28 Knowles Electronics, Inc. Miniature transducer
WO1999063652A1 (en) 1998-06-05 1999-12-09 Knowles Electronics, Inc. Solid-state receiver
US6291875B1 (en) 1998-06-24 2001-09-18 Analog Devices Imi, Inc. Microfabricated structures with electrical isolation and interconnections
NL1009544C2 (nl) 1998-07-02 2000-01-10 Microtronic Nederland Bv Stelsel bestaande uit een microfoon en een voorversterker.
US6816301B1 (en) 1999-06-29 2004-11-09 Regents Of The University Of Minnesota Micro-electromechanical devices and methods of manufacture
US6703679B1 (en) 1999-08-31 2004-03-09 Analog Devices, Imi, Inc. Low-resistivity microelectromechanical structures with co-fabricated integrated circuit
US6522762B1 (en) 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6732588B1 (en) 1999-09-07 2004-05-11 Sonionmems A/S Pressure transducer
US6829131B1 (en) 1999-09-13 2004-12-07 Carnegie Mellon University MEMS digital-to-acoustic transducer with error cancellation
US6249075B1 (en) 1999-11-18 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Surface micro-machined acoustic transducers
DK1258167T3 (da) 2000-02-24 2010-02-01 Knowles Electronics Llc Akustisk transducer med forbedret akustisk dæmper
US7153717B2 (en) 2000-05-30 2006-12-26 Ic Mechanics Inc. Encapsulation of MEMS devices using pillar-supported caps
US6987859B2 (en) 2001-07-20 2006-01-17 Knowles Electronics, Llc. Raised microstructure of silicon based device
US6535460B2 (en) 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
WO2002017677A2 (en) 2000-08-24 2002-02-28 Fachhochschule Furtwangen Electrostatic electroacoustical transducer
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US6741709B2 (en) 2000-12-20 2004-05-25 Shure Incorporated Condenser microphone assembly
WO2002052894A1 (en) 2000-12-22 2002-07-04 Brüel & Kjær Sound & Vibration Measurement A/S A micromachined capacitive transducer
US6847090B2 (en) 2001-01-24 2005-01-25 Knowles Electronics, Llc Silicon capacitive microphone
US6859542B2 (en) 2001-05-31 2005-02-22 Sonion Lyngby A/S Method of providing a hydrophobic layer and a condenser microphone having such a layer
US6688169B2 (en) 2001-06-15 2004-02-10 Textron Systems Corporation Systems and methods for sensing an acoustic signal using microelectromechanical systems technology
US7023066B2 (en) * 2001-11-20 2006-04-04 Knowles Electronics, Llc. Silicon microphone
AU2002365352A1 (en) 2001-11-27 2003-06-10 Corporation For National Research Initiatives A miniature condenser microphone and fabrication method therefor
US6677176B2 (en) 2002-01-18 2004-01-13 The Hong Kong University Of Science And Technology Method of manufacturing an integrated electronic microphone having a floating gate electrode
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6667189B1 (en) 2002-09-13 2003-12-23 Institute Of Microelectronics High performance silicon condenser microphone with perforated single crystal silicon backplate
US6943448B2 (en) * 2003-01-23 2005-09-13 Akustica, Inc. Multi-metal layer MEMS structure and process for making the same
US7501703B2 (en) 2003-02-28 2009-03-10 Knowles Electronics, Llc Acoustic transducer module
US6713829B1 (en) 2003-03-12 2004-03-30 Analog Devices, Inc. Single unit position sensor
US7071017B2 (en) * 2003-08-01 2006-07-04 Yamaha Corporation Micro structure with interlock configuration
JP3103711U (ja) 2003-10-24 2004-08-19 台湾楼氏電子工業股▼ふん▲有限公司 高効率コンデンサマイクロホン
US6936524B2 (en) * 2003-11-05 2005-08-30 Akustica, Inc. Ultrathin form factor MEMS microphones and microspeakers
US7034393B2 (en) 2003-12-15 2006-04-25 Analog Devices, Inc. Semiconductor assembly with conductive rim and method of producing the same
US7138694B2 (en) 2004-03-02 2006-11-21 Analog Devices, Inc. Single crystal silicon sensor with additional layer and method of producing the same
US20050255677A1 (en) 2004-05-17 2005-11-17 Weigold Jason W Integrated circuit with impurity barrier
US7521363B2 (en) 2004-08-09 2009-04-21 Analog Devices, Inc. MEMS device with non-standard profile
US7346178B2 (en) * 2004-10-29 2008-03-18 Silicon Matrix Pte. Ltd. Backplateless silicon microphone
US7795695B2 (en) * 2005-01-27 2010-09-14 Analog Devices, Inc. Integrated microphone

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103248994A (zh) * 2012-02-06 2013-08-14 苏州敏芯微电子技术有限公司 集成电路与电容式微硅麦克风单片集成的制作方法及芯片

Also Published As

Publication number Publication date
US20100289097A1 (en) 2010-11-18
CN101356853B (zh) 2012-08-29
US20070087466A1 (en) 2007-04-19
US7795695B2 (en) 2010-09-14
US8169042B2 (en) 2012-05-01
WO2007081504A1 (en) 2007-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101356853B (zh) 集成麦克风
US9938133B2 (en) System and method for a comb-drive MEMS device
US7961897B2 (en) Microphone with irregular diaphragm
US9681234B2 (en) MEMS microphone structure and method of manufacturing the same
CN208337874U (zh) 电声mems换能器、麦克风和电子设备
JP6793208B2 (ja) Memsマイクロホンおよびその準備方法
WO2016192373A1 (zh) Mems麦克风、压力传感器集成结构及其制造方法
KR20080038038A (ko) 전자 장치 및 마이크로폰 장치
US20090114954A1 (en) Method of Forming a Device by Removing a Conductive Layer of a Wafer
JP2008517523A (ja) シリコンマイクロホン
CN115924838A (zh) 一种mems器件及其制备方法、电子装置
US7863069B2 (en) Method of forming an integrated MEMS resonator
CN105323686A (zh) 微机电麦克风及其制造方法
US10604405B2 (en) Forming a microelectromechanical systems (MEMS) device using silicon-on-nothing and epitaxy
TW201334576A (zh) 麥克風元件及其製造方法
CN109721021B (zh) 一种mems器件及制备方法、电子装置
CN107973266B (zh) 一种mems器件及制备方法、电子装置
KR20040046544A (ko) 음향 감지 소자의 제조방법
US20230328426A1 (en) Co-located microelectromechanical system microphone and sensor with minimal acoustic coupling
US8687827B2 (en) Micro-electro-mechanical system microphone chip with expanded back chamber
KR101615106B1 (ko) Mems 마이크로폰 및 이의 제조방법
CN108217577B (zh) 一种mems器件及制备方法、电子装置
US20130101143A1 (en) Micro-electro-mechanical system microphone chip with an expanded back chamber
TW202247669A (zh) 微機電系統振動感測器及其製造方法
CN116692767A (zh) 一种mems器件及其制造方法、电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: AMERICA ANALOG DEVICE INC.

Free format text: FORMER NAME: ANALOG DEVICES INC.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Massachusetts, USA

Patentee after: ANALOG DEVICES, Inc.

Address before: Massachusetts, USA

Patentee before: Analog Devices Inc.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: INVENSENSE INC.

Free format text: FORMER OWNER: AMERICA ANALOG DEVICE INC.

Effective date: 20140128

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140128

Address after: American California

Patentee after: Invensense Inc.

Address before: Massachusetts, USA

Patentee before: ANALOG DEVICES, Inc.

TR01 Transfer of patent right