CN101233626A - 制造电子元件的方法 - Google Patents

制造电子元件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101233626A
CN101233626A CNA2006800279456A CN200680027945A CN101233626A CN 101233626 A CN101233626 A CN 101233626A CN A2006800279456 A CNA2006800279456 A CN A2006800279456A CN 200680027945 A CN200680027945 A CN 200680027945A CN 101233626 A CN101233626 A CN 101233626A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electric functional
functional layer
substrate
surf zone
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800279456A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101233626B (zh
Inventor
A·克诺布洛赫
A·乌尔曼
W·菲克斯
M·韦尔克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PolylC GmbH and Co KG
Original Assignee
PolylC GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PolylC GmbH and Co KG filed Critical PolylC GmbH and Co KG
Publication of CN101233626A publication Critical patent/CN101233626A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101233626B publication Critical patent/CN101233626B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及一种在基底表面上制造电子元件的方法，所述电子元件包括，垂直于基底表面的至少两个电功能层，该两个电功能层是以一个位于另一个之上并且至少在表面区域F中重叠的方式设置。在连续工艺期间，该至少两个电功能层直接或间接在基底上构建。以这样的方式构建至少两个电功能层的第一电功能层，以便第一电功能层的平行于基底表面且在基底相对位移方向上的第一长度/宽度尺寸比表面区域F的在相对位移方向上且平行于该基底表面的长度/宽度尺寸长出/宽出5μm，优选长出/宽出1mm。

Description

制造电子元件的方法
技术领域
本发明涉及一种在基底表面上制造电子元件的方法，其中从与基底表面垂直的角度来看，该电子元件具有至少两个电功能层，该至少两个电功能层被设置为一个在另一个之上并且使它们至少在表面区域F中重叠，其中使用连续工艺在基底上直接或间接构建该至少两个电功能层，并且其中基底相对于构建单元移动。
背景技术
从WO2004/047144A2中，可以获知一个这样的方法。描述了一种有机电子元件，例如有机场效应晶体管(OFET)、具有例如这些的元件的电路以及制造方法。使用低成本印刷工艺形成该电子元件。
DE 101 26 859 A1描述了一种制造导电结构的方法、以该方式制造的有源元件，例如有机场效应晶体管(OFET)或有机发光二极管(OLED)，以及具有例如这些的元件的电路。导电结构例如互连和电极是利用所有已知的印刷工艺在薄的柔性塑胶膜上通过印刷技术，具体地说，例如适合的凹版(intaglio)、凸版(relif)、平版印刷、丝网印刷或移印(tampo printing)制成的。
用于制造电子元件的连续工艺的使用允许以低成本、高工艺速率大量生产。为了获得尽可能均匀的电学值以及电子元件的功能性，必须接连地在工艺中根据预定版图以适当的位置、方向和排列，一个在另一个之上地形成单独的电功能层，由这些单独的电功能层构建电子元件。在连续工艺中为基底和/或构建单元选择的速度越高，越有可能出现相对于已经设置在基底上的另外的电功能层在电功能层的理想位置的区域中的差异。
电功能层的直接形成和同时构建优选通过印刷工艺执行。然而，可选地，电功能层还可以在其形成之后仅仅通过激光或刻蚀技术构建。在这两种情况下，由于工艺，部分电功能层区域没有形成在由版图预定的理想位置。
发明内容
现在，本发明的目的是提供一种制造电子元件的方法，即使在高工艺速率下，其也产生具有所需电特性值的功能电子元件。
关于在基底表面上制造电子元件的方法，其中从与基底表面垂直的角度看，电子元件具有至少两个电功能层，该两个电功能层设置为一个在另一个之上，并且使它们至少在表面区域F中重叠，其中使用连续工艺直接或间接构建在基底上的至少两个电功能层，并且其中基底相对于构建单元移动，实现该目的，在于
a)构建至少两个电功能层的第一电功能层，以便第一电功能层的平行于基底表面且在基底相对于构建单元的相对移动方向上的第一长度尺寸(L1)比表面区域F的在相对移动方向上且平行于基底表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm，优选长出大于1mm，和/或在于
b)构建至少两个电功能层的第一电功能层，以便第一电功能层的平行于基底表面且垂直于基底的相对移动方向上的第一宽度尺寸(B1)相对于构建单元比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。
在这种情况下，需要与电功能层形成电接触的任何电线路或互连都被视为是不伴随各功能层的。
如果基底相对于构建单元移动，那么这意味着基底本身和/或构建单元可移动。在这种情况下，在该工艺期间仅仅基底移动而构建单元保持静止，或者在这种情况下构建单元移动而基底保持静止，否则基底和构建单元都是可动的。
由于与另一电功能层的理想定位的任何较小差异不会影响电子元件的功能性和电特性值，根据本发明的方法使得可以以非常小的努力对另一电功能层定位，意图使该另一电功能层在以这样的方式设计的第一电功能层形成之后形成，并且相对于该第一电功能层对准。因而，根据相对于表面区域F的第一电功能层的理想定位的位置，使用根据本发明的方法形成的电子元件容许(在相对移动方向上和/或垂直于相对移动方向)在第一电功能层的相对于另一电功能层的定位中与版图的差异。这允许进一步增加工艺速率并且降低有缺陷电子元件的出现几率。
在这种情况下，特别优选第一电功能层的在相对移动方向上的第一长度尺寸比表面区域F的在相对移动方向上的长度尺寸长50至500μm。该设计代表了用于电功能层的方法所需的附加间距与得到不工作或仅仅有限程度地工作的元件的几率之间的折中。
已经证明了，为了将要相对于表面区域F定位第一电功能层，从与基底表面垂直的角度看，在版图中使第一电功能层的第一面心(areacentroid)与表面区域F的面心一个位于另一个之上。结果，在根据版图的情况a)中，在相对移动方向上在前面和后面，第一电功能层从表面区域F伸出，因此，可根据版图在相对移动方向上具有与其理想位置的负和正差异地定位另一电功能层的面心。在情况b)中，根据版图，在垂直于相对移动方向，第一电功能层从从表面区域F的两边伸出，因此，可根据版图，在垂直于相对移动方向，具有与其理想位置的负和正横向差异地定位另一电功能层的面心。
如果仅仅发生情况a)，那么还可以取代该情况而结合情况a)和情况b)，以便这样构建至少两个电功能层的第二电功能层，以使第二电功能层的平行于基底表面且垂直于相对移动方向的第二宽度尺寸比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底表面的宽度尺寸宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。这同样确保了，当第一和第二电功能层接连形成时，从垂直于相对移动方向的角度看，可以很大程度地容许基底的在基底平面上的不同定位。
在该情况下，已经证明了，为了在版图中将要相对于表面区域F定位第二电功能层，从垂直于基底表面的角度看，第二电功能层的第二面心与表面区域F的面心一个位于另一个之上。结果，在相对移动方向上，在版图中第二电功能层从表面区域F的两边伸出，因此，在相对移动方向上，可以容许印刷期间发生第二电功能层的与根据版图的理想定位的任何横向差异。
已经证明了，印刷工艺例如凹版、凸版、平版印刷、丝网印刷或移印工艺可用作连续工艺。在该情况下，应该将表达“丝网印刷”理解为同样涵盖模板印刷。
可以以高工艺速率执行例如这些的印刷方法。在该情况下，可通过印刷且在该阶段以所需形式直接在基底上形成电功能层。
同样已经证明了，激光构建方法或光刻构建方法可用作连续工艺，通常在该情况下使用表达“光刻构建方法”表示所有使用掩膜或掩蔽层的刻蚀方法。
例如这些的方法允许电功能层间接形成并且对形成在基底上的电功能层塑形，例如通过气相淀积或溅射。在该情况下，通过激光适当地移除例如气相淀积的电功能层。在相对于已经在基底上形成的电功能层定位激光期间，通常发生与理想位置的较小差异，因此这导致了形成的电功能层与版图之间的差异。
如果在电功能层的整个区域上施加光致抗蚀剂，其通过掩膜暴露，并且移除光致抗蚀剂的未被固化的区域，执行刻蚀工艺，然后移除该光致抗蚀剂，那么，掩膜定位与其理想位置的较小差异同样导致了形成的电功能层与版图之间的差异。
此外，实际上，电功能层可以印刷在例如具有抗刻蚀掩膜层的期望区域，而通过刻蚀移除电功能层的那些未印刷的区域。然后，溶解抗刻蚀掩膜层并且暴露电功能层的那些以期望形状构建并且保留在下面的区域。与当直接印刷电功能层的情形一样，在掩膜层的印刷期间同样发生与理想位置的差异。这些直接从掩膜层转印到以这样方式构建的电功能层。
此外，已经证明了，喷墨构建工艺可用作连续工艺，其中高工艺速率是可能的。在该情况下，通过喷墨印刷且在该阶段以期望形状直接在基底上形成电功能层。然而，为了以该方式构建先前形成的电功能层，喷墨工艺还可以施加掩膜层。
在连续工艺期间，优选将基底相对于构建单元的相对速率选择为在0.5至200m/min的范围内，更优选在10至100m/min的范围内。这允许以低制造成本大量制造电子元件。
在该情况下，特别优选柔性基底，特别是具有多于一层的延长塑胶膜用作基底。例如，由聚酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯或聚酰亚胺构成的塑胶膜是适于该目的的。
已经证明了，基底的厚度可选择为6μm至200μm的范围内，优选在12μm至50μm的范围内。
当在连续工艺期间执行从卷到卷(roll to roll)的传送时，柔性基底的情况是特别有利的。在该情况下，将未涂覆的柔性基底缠绕到一个卷上，基底从卷上拖出并且经过加工机器，在该加工期间其被构建，并且最后缠绕到另一卷上，作为涂覆的基底。这允许处理长基底带，在该情况下，仅仅在新基底卷的开始处需要执行一次相对于加工机器的定位工艺。
已经证明了，至少两个电功能层均形成为厚度在1nm至100μm的范围内，优选在10nm至300nm的范围内的层。
从穿过基底的横截面看，在电子元件中，将至少两个电功能层直接设置为相互邻接。因此至少两个电功能层彼此形成直接接触。
可选地，从穿过基底的横截面看，至少一个第三电功能层可至少设置在电子元件中的至少两个电功能层之间的表面区域F中。因此，至少两个电功能层彼此不形成直接接触。
在该情况下，已经证明了，从垂直于基底表面的角度看，至少一个第三电功能层从表面区域F的所有边伸出，其中至少一个第三电功能层的平行于基底表面且在相对移动方向上的第三长度尺寸比表面区域F的在相对移动方向上且平行于基底表面的长度尺寸长出至少5μm，优选长出大于1mm，以及其中第三电功能层的平行于基底表面且垂直于相对移动方向的第三宽度尺寸比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底表面的宽度尺寸宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。
优选第一电功能层为一个或多个，特别是有机的电极的形式。
在该情况下，所有类型的有机、金属有机和无计塑胶可看作导电“有机”材料。因此，旨在不在教条意义上将其限制为有机材料如包含碳的材料，并且，实际上，其同样旨在涵盖例如硅氧烷的使用。此外，该表达决不旨在限制分子量，特别对于聚合物和/或低聚物材料，并且同样在所有情况下可以使用“小分子”。
已经证明了，特别是聚苯胺或聚吡咯作为导电有机材料。
然而，对于第一电功能层来说，气相淀积或溅射的金属层同样适合作为电极层，其例如由金、银、铜、铝、铂、钛等中的至少一种构成。然后，优选通过激光或刻蚀构建这些金属层。
如果第二电功能层与第一电功能层形成直接接触，那么已经证明了第二电功能层可为电的特别是有机的绝缘层或半导体层特别是有机半导体层的形式。尤其是，已经证明了聚乙烯苯酚作为有机绝缘材料。例如，聚噻吩适合用作有机半导体材料。
如果第一和第二电功能层设置为彼此间有距离，那么已经证明了第二电功能层可以为一个或多个特别是有机的电极的形式。在该情况下，上面已经提及的用于第一电功能层的电极形式的材料同样可用作导电材料。
优选将场效应晶体管、电容器、二极管或具有至少一个过孔的元件形成为电子元件，其中该元件是特别在每种情况下具有至少一个有机电功能层。表达“过孔”表示开口，其通常垂直于基底平面，在功能层叠层中，通过过孔，在相互不形成直接接触的电功能层之间形成电连接。例如通过刻蚀工艺和使用构建层来形成过孔的工艺也可产生上述类型的偏移，在该情况下，过孔位置与根据版图的理想位置间的差异可通过根据本发明的方法补偿。
附图说明
图1a至3b旨在通过实例解释本发明。在这些图中：
图1a示出了涂覆基底的平面视图；
图1b示出了穿过图1a所示涂覆基底的A-A’截面；
图2a示出了另一涂覆基底的平面视图；
图2b示出了穿过图2a所示涂覆基底的B-B’截面；
图3a示出了又一涂覆基底的平面视图；以及
图3b示出了穿过图3a所示涂覆基底的C-C’截面。
具体实施方式
图1a示出了由PET膜构成的基底1的平面视图，其中为了在基底1的表面上制造电子元件，在该例子中是二极管，用三个电功能层2、3、4印刷基底1。从垂直于基底1的表面的角度看，电功能层2、3、4被设置为一个在另一个之上，并且至少在表面区域F中重叠。该例子中的电功能层2形成第一电功能层，其中第一电功能层的在印刷工艺期间形成的平行于基底1的表面且在基底1的相对移动方向上(由图1a中左边箭头示出)的第一长度尺寸L1比表面区域F的在印刷方向上且平行于基底1表面的长度尺寸LF长出约25μm。第一电功能层由导电材料构成，在该例子中是铜，作为电极。电功能层3形成第二电功能层，其通过由聚-3-烷基噻吩构成的第三电功能层4与第一电功能层分开。第二电功能层由银形成。这样形成第二电功能层，以便第二电功能层的平行于基底1表面且垂直于相对移动方向的第二宽度尺寸B2比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底1表面的宽度尺寸BF宽出约50μm。未图示出为了与第一和第二电功能层形成电接触而当然需要的导电供应线或互连。
图1a示出了根据用于电子元件的印刷版图的理想位置，其中第一电功能层相对于表面区域F定位，以便从垂直于基底1的角度看，第一电功能层的第一面心和表面区域F的面心SF一个位于另一个之上，以及第二电功能层相对于表面区域F定位，以便从垂直于基底1的角度看，第二电功能层的第二面心和表面区域F的面心SF同样是一个位于另一个之上。然而，实际上，这不是由于在构建工艺期间发生的差异的情况。
根据版图，相对于图示的理想情况，图1a中示出的层结构容许在相对移动方向上的任何差异或偏移，例如第一功能层的该差异或偏移，和/或第二功能层的在垂直于相对移动方向的任何差异或偏移。
图1b示出了穿过图1a所示的印刷基底的A-A’截面，其中可看到基底1和在上印刷的电功能层2、3、4。在该例子中，电功能层2形成第一电功能层，电功能层3形成第二电功能层，以及电功能层4形成第三电功能层。
图2a示出了由PET膜构成的另一印刷基底1的平面视图，其中为了在基底1的表面上制造电子元件，在该例子中是电容器，用三个电功能层2’、3’、4’印刷基底1。从垂直于基底1的表面的角度看，电功能层2’、3’、4’被设置为一个在另一个之上，并且至少在表面区域F中重叠。该例子中的电功能层2’形成第一电功能层，其中第一电功能层的在基底1的印刷期间平行于基底1的表面且在基底1的相对移动方向上形成(由图2a中左边箭头示出)的第一长度尺寸L1比表面区域F的在相对运动方向上且平行于基底1表面的长度尺寸LF长出约1mm。第一电功能层由导电材料构成，在该例子中是铜，作为电极。电功能层3’形成另一电功能层，其通过由电绝缘聚合物构成的第三电功能层4’与第一电功能层分开。另一电功能层为银电极的形式。
这样形成第一电功能层，以便第一电功能层的平行于基底1表面且垂直于相对移动方向的第一宽度尺寸B1比表面区域F的垂直于印刷方向且平行于基底1表面的宽度尺寸BF宽出约600μm。未图示出为了与第一和另一电功能层形成电接触而当然需要的导电供应线或互连。
图2a示出了用于电子元件的印刷版图的理想位置，其中第一电功能层相对于表面区域F定位，以便从垂直于基底1的角度看，第一电功能层的第一面心和表面区域F的面心SF是一个位于另一个之上，并且第三以及另一电功能层相对于表面区域F定位，以便从垂直于基底1的角度看，它们各自的面心和表面区域的面心SF同样是一个位于另一个之上。然而，实际上，这不是由于在构建工艺期间发生的差异的情况。根据印刷版图，相对于图示的理想情况，图2a中示出的层结构容许在相对移动方向上的任何差异或偏移，例如第一功能层的该差异或偏移，和/或在垂直于相对移动方向的第一功能层的任何差异或偏移。
图2b示出了穿过图2a所示的印刷基底1的B-B’截面，其中可看到基底1和在其上印刷的电功能层2’、3’、4’。在该例子中，电功能层2’形成第一电功能层，电功能层3’形成另一电功能层，以及电功能层4’形成第三电功能层。
图3a示出了由PET膜构成的又一印刷基底1的平面视图，其被印刷为具有两个电功能层2、3作为电子元件制造的初始阶段，在该例子中通过基底1表面上的有机场效应晶体管(OFET)作为实例。从垂直于基底1的表面的角度看，电功能层2、3被设置为一个在另一个之上，并且至少在表面区域F(以粗体印刷的线为界)中重叠。该例子中的电功能层2形成第一电功能层，其中第一电功能层的在基底1的印刷期间所形成的平行于基底1的表面且在基底1的相对移动方向上(由图3a中左边箭头示出)的第一长度尺寸L1比表面区域F的在相对移动方向上且平行于基底1表面的长度尺寸LF长出约1mm。第一电功能层由半导体材料构成，在该例子中是聚烷基噻吩。电功能层3形成另一电功能层。该另一电功能层由银形成且配置为两个梳状结构的形式，这旨在形成OFET的源和漏电极。由于该例子中的电功能层3具有不规则形状，这样限定本例子中的表面区域F，以便电功能层3的最大外部尺寸(在相对移动方向以及在与其垂直方向)预先确定表面区域F的范围，即使在以此方式限定的表面区域F内的任何点处两个电功能层之间都没有重叠。由于在用第一功能层印刷梳状结构期间的目的是完全覆盖梳状结构，在该例子中，对表面区域F的该限定是有利的。
这样形成第一电功能层，以便第一电功能层的平行于基底1表面且垂直于相对移动方向的第一宽度尺寸B1比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于基底1表面的宽度尺寸BF宽出约1mm。未图示出为了与第一和另一电功能层形成电接触而可能需要的导电供应线或互连。
图3a示出了根据用于电子元件的印刷版图的理想位置，其中第一电功能层相对于表面区域F定位，以便从垂直于基底1的角度看，第一电功能层的第一面心和表面区域F的面心SF是一个位于另一个之上，以及另一电功能层相对于表面区域F被定位，以便从垂直于基底1的角度看，其面心和表面区域F的面心SF同样是一个位于另一个之上。然而，实际上，这不是由于在印刷工艺期间发生差异的情况。根据印刷版图，相对于图示的理想情况，图3a中示出的层结构容许在相对移动方向上第一功能层的任何这样的差异或偏移和/或在垂直于相对移动方向上第一功能层的任何差异或偏移。
图3b示出了穿过图3a所示的印刷基底的C-C’截面，其中可看到，基底1和在其上印刷的电功能层2、3。在该例子中，电功能层2形成第一电功能层，以及电功能层3形成另一电功能层。
应注意，图示1a至3b仅仅通过实例解释了本发明的基本构思，并且对于本领域技术人员而言，根据全部上下文存在许多其它选择，以连续的工艺在工艺中脱离本发明的主题而允许根据本发明的方法同样也用于形成其它电子元件的电功能层。

Claims (18)

1.一种在基底(1)的表面上制造电子元件的方法，其中以与所述基底(1)的表面垂直的角度看，所述电子元件具有至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)，所述至少两个电功能层被设置为一个在另一个之上，以便它们至少在表面区域F中重叠，其中使用连续工艺直接或间接在所述基底(1)上构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)，并且其中所述基底(1)相对于构建单元移动，其特征在于，
a)构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第一电功能层，以便所述第一电功能层的平行于所述基底(1)表面且在所述基底(1)相对于所述构建单元相对移动方向上的第一长度尺寸(L1)比所述表面区域F的在相对移动方向上且平行于所述基底(1)表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm，优选长出大于1mm，和/或在于
b)构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第一电功能层，以便所述第一电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述基底(1)的相对移动方向的第一宽度尺寸(B1)相对于所述构建单元比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述第一电功能层的在所述相对移动方向上的所述第一长度尺寸(L1)比所述表面区域F的在所述相对移动方向上的长度尺寸(LF)长50至500μm。
3.根据权利要求1或2中任何一项的方法，其特征在于，所述第一电功能层在版图中相对于所述表面区域F被定位，以便从与所述基底(1)垂直的角度看，所述第一电功能层的第一面心与所述表面区域F的面心(SF)是一个位于另一个之上。
4.根据权利要求1至3中任何一项的方法，其特征在于，对于情况a)，这样构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第二电功能层，以便所述第二电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述相对移动方向的第二宽度尺寸(B2)比所述表面区域F的垂直于所述相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。
5.根据权利要求4的方法，其特征在于，所述第二电功能层在版图中相对于所述表面区域F定位，以便从垂直于所述基底(1)的角度看，所述第二电功能层的第二面心与所述表面区域F的面心(SF)是一个位于另一个之上。
6.根据权利要求1至5中任何一项的方法，其特征在于，印刷工艺用作所述连续工艺，例如凹版、凸版、平版印刷、丝网印刷或移印工艺、激光构建方法、光刻构建方法或喷墨构建方法。
7.根据权利要求1至6中任何一项的方法，其特征在于，在所述连续工艺期间，将所述基底(1)相对于所述构建单元的相对速率选择为在0.5至200m/min的范围内，优选在10至100m/min的范围内。
8.根据权利要求1至7中任何一项的方法，其特征在于，将柔性基底，特别是具有多于一层的拉长塑胶膜用作所述基底(1)。
9.根据权利要求8的方法，其特征在于，所述基底(1)的厚度选择为在6μm至200μm的范围内，优选在12μm至50μm范围内。
10.根据权利要求8或9的方法，其特征在于，在所述连续工艺期间卷到卷地传送所述柔性基底。
11.根据权利要求1至10中任何一项的方法，其特征在于，所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)均形成为具有厚度在1nm至100μm的范围，优选在10nm至300nm的范围内的层。
12.根据权利要求1至11中任何一项的方法，其特征在于，从穿过所述基底(1)的截面中看，在所述电子元件中直接相互邻接地设置所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)。
13.根据权利要求1至11中任何一项的方法，其特征在于，从穿过所述基底(1)的截面中看，至少在所述电子元件中的在所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)之间在所述表面区域F中设置至少一个第三电功能层。
14.根据权利要求13的方法，其特征在于，从垂直于所述基底(1)表面的角度看，所述至少一个第三电功能层从所述表面区域F的所有边伸出，其中所述至少一个第三电功能层的平行于所述基底(1)表面且在相对移动方向上的第三长度尺寸比所述表面区域F的在所述相对移动方向上且平行于所述基底(1)表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm，优选长出大于1mm，以及其中所述第三电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述相对移动方向的第三宽度尺寸比所述表面区域F的垂直于所述相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。
15.根据权利要求1至14中任何一项的方法，其特征在于，所述第一电功能层为一个或多个特别是有机的电极的形式。
16.根据权利要求12和15的方法，其特征在于，所述第二电功能层为电的特别是有机的、绝缘层或半导体层特别是有机半导体层的形式。
17.根据权利要求13和15的方法，其特征在于，所述第二电功能层为一个或多个特别是有机的电极的形式。
18.根据权利要求1至17中任何一项的方法，其特征在于，将场效应晶体管、电容器、二极管或包含至少一个过孔的元件形成为所述电子元件，特别地在每种情况下具有至少一个有机电功能层。
CN2006800279456A 2005-07-29 2006-07-27 制造电子元件的方法 Active CN101233626B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005035589.7 2005-07-29
DE102005035589A DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2005-07-29 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
PCT/EP2006/007441 WO2007014694A1 (de) 2005-07-29 2006-07-27 Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101233626A true CN101233626A (zh) 2008-07-30
CN101233626B CN101233626B (zh) 2010-07-28

Family

ID=37433672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800279456A Active CN101233626B (zh) 2005-07-29 2006-07-27 制造电子元件的方法

Country Status (13)

Country Link
US (1) US7846838B2 (zh)
EP (1) EP1911108B1 (zh)
JP (1) JP2009503829A (zh)
KR (1) KR101325754B1 (zh)
CN (1) CN101233626B (zh)
AT (1) ATE529904T1 (zh)
AU (1) AU2006275070A1 (zh)
CA (1) CA2615285A1 (zh)
DE (1) DE102005035589A1 (zh)
ES (1) ES2375937T3 (zh)
MX (1) MX2008000756A (zh)
TW (1) TWI422085B (zh)
WO (1) WO2007014694A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE102006047388A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
US7723153B2 (en) * 2007-12-26 2010-05-25 Organicid, Inc. Printed organic logic circuits using an organic semiconductor as a resistive load device
US7704786B2 (en) * 2007-12-26 2010-04-27 Organicid Inc. Printed organic logic circuits using a floating gate transistor as a load device
CN109087902B (zh) * 2018-08-15 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种走线结构及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (253)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
DE2102735B2 (de) 1971-01-21 1979-05-10 Transformatoren Union Ag, 7000 Stuttgart Einrichtung zur Regelung des Mengendurchsatzes von Mühlen und Brechern
US3769096A (en) 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
AU488652B2 (en) 1973-09-26 1976-04-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Improvements in or relating to security tokens
JPS543594B2 (zh) 1973-10-12 1979-02-24
DE2407110C3 (de) 1974-02-14 1981-04-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz
JPS54101176A (en) 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
US4246298A (en) 1979-03-14 1981-01-20 American Can Company Rapid curing of epoxy resin coating compositions by combination of photoinitiation and controlled heat application
JPS5641938U (zh) 1979-09-10 1981-04-17
US4340057A (en) 1980-12-24 1982-07-20 S. C. Johnson & Son, Inc. Radiation induced graft polymerization
US4472627A (en) 1982-09-30 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Treasury Authenticating and anti-counterfeiting device for currency
JPS59145576A (ja) 1982-11-09 1984-08-21 ザイトレツクス・コ−ポレ−シヨン プログラム可能なｍｏｓトランジスタ
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
US4554229A (en) 1984-04-06 1985-11-19 At&T Technologies, Inc. Multilayer hybrid integrated circuit
JPS6265472A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Toshiba Corp Ｍｉｓ型半導体素子
US4726659A (en) 1986-02-24 1988-02-23 Rca Corporation Display device having different alignment layers
EP0239808B1 (en) 1986-03-03 1991-02-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Radiation detecting device
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
GB2215307B (en) 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
ATE100616T1 (de) 1988-06-21 1994-02-15 Gec Avery Ltd Herstellung von tragbaren elektronischen karten.
US5364735A (en) 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
FR2644920B1 (fr) 1989-03-21 1993-09-24 France Etat Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent
US6331356B1 (en) 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
DE69018348T2 (de) 1989-07-25 1995-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren.
FI84862C (fi) 1989-08-11 1992-01-27 Vaisala Oy Kapacitiv fuktighetsgivarkonstruktion och foerfarande foer framstaellning daerav.
DE3942663A1 (de) 1989-12-22 1991-06-27 Gao Ges Automation Org Datentraeger mit einem fluessigkristall-sicherheitselement
US5206525A (en) 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US5202677A (en) 1991-01-31 1993-04-13 Crystal Images, Inc. Display apparatus using thermochromic material
DE4103675C2 (de) 1991-02-07 1993-10-21 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung von Wechselspannungs-Eingangssignalen
FR2673041A1 (fr) 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (en) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Video game computer provided with an optical disc drive
US5408109A (en) 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
EP0511807A1 (en) 1991-04-27 1992-11-04 Gec Avery Limited Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
EP0610183B1 (de) 1991-10-30 1995-05-10 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
JP2709223B2 (ja) 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
FR2696043B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Commissariat Energie Atomique Support à réseau d'éléments résistifs en polymère conducteur et son procédé de fabrication.
EP0603939B1 (en) 1992-12-21 1999-06-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. N-type conductive polymer and method of preparing such a polymer
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
EP0615256B1 (en) 1993-03-09 1998-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a pattern of an electrically conductive polymer on a substrate surface and method of metallizing such a pattern
US5567550A (en) 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
DE4312766C2 (de) 1993-04-20 1997-02-27 Telefunken Microelectron Schaltung zur Spannungsüberhöhung
JPH0722669A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
JP3035352B2 (ja) 1993-08-24 2000-04-24 メトリカ・インコーポレーテッド 新規な使い捨て電子検定ディバイス
JP3460863B2 (ja) 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
IL111151A (en) 1994-10-03 1998-09-24 News Datacom Ltd Secure access systems
US6028649A (en) 1994-04-21 2000-02-22 Reveo, Inc. Image display systems having direct and projection viewing modes
JP4392057B2 (ja) 1994-05-16 2009-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機半導体物質を有する半導体装置
IL110318A (en) 1994-05-23 1998-12-27 Al Coat Ltd Solutions containing polyaniline for making transparent electrodes for liquid crystal devices
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5528222A (en) 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US5574291A (en) 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
DE19506907A1 (de) 1995-02-28 1996-09-05 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom
JP3068430B2 (ja) 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH08328031A (ja) 1995-06-02 1996-12-13 Sharp Corp フルカラー液晶表示装置およびその製造方法
JPH0933645A (ja) 1995-07-21 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd トランスポンダの電源回路
US5652645A (en) 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5707894A (en) 1995-10-27 1998-01-13 United Microelectronics Corporation Bonding pad structure and method thereof
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
EP1798592A3 (en) 1996-01-17 2007-09-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical device and three-dimensional display device
US6326640B1 (en) 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
JP3080579B2 (ja) 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19610284A1 (de) 1996-03-15 1997-08-07 Siemens Ag Antennenspule
AU3487197A (en) 1996-06-12 1998-01-07 Trustees Of Princeton University, The Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays
DE19629656A1 (de) 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
DE19648937A1 (de) 1996-11-26 1997-05-15 Meonic Sys Eng Gmbh Elektronisches Etikett
US6259506B1 (en) 1997-02-18 2001-07-10 Spectra Science Corporation Field activated security articles including polymer dispersed liquid crystals, and including micro-encapsulated field affected materials
US6344662B1 (en) 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
US5946551A (en) 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US5841325A (en) 1997-05-12 1998-11-24 Hewlett-Packard Company Fully-integrated high-speed interleaved voltage-controlled ring oscillator
KR100248392B1 (ko) 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (en) 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials
ES2199705T1 (es) 1997-09-11 2004-03-01 Prec Dynamics Corp Transpondor de identificacion con circuito integrado consistente de materiales organicos.
EP1296280A1 (en) 1997-09-11 2003-03-26 Precision Dynamics Corporation Rf-id tag with integrated circuit consisting of organic materials
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
EP0958663A1 (en) 1997-12-05 1999-11-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US5997817A (en) 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
RU2210834C2 (ru) 1998-01-28 2003-08-20 Тин Филм Электроникс Аса Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
US6369793B1 (en) 1998-03-30 2002-04-09 David C. Zimman Printed display and battery
WO1999053371A1 (en) 1998-04-10 1999-10-21 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6107920A (en) 1998-06-09 2000-08-22 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having an article integrated antenna
US5967048A (en) 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
KR100282393B1 (ko) 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
AU751935B2 (en) 1998-06-19 2002-08-29 Mathias Bonse An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6330464B1 (en) 1998-08-26 2001-12-11 Sensors For Medicine & Science Optical-based sensing devices
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE69831243T2 (de) 1998-10-13 2006-08-10 Sony Deutschland Gmbh Herstellungsverfahren einer Licht emittierenden Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
DE60027483T2 (de) 1999-01-15 2007-05-03 3M Innovative Properties Co., Saint Paul Materialstrukturierungsverfahren
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
US6300141B1 (en) 1999-03-02 2001-10-09 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
JP4486261B2 (ja) 1999-03-29 2010-06-23 セイコーエプソン株式会社 組成物、膜の製造方法、並びに機能素子及びその製造方法
EP1113502B1 (en) 1999-03-30 2007-09-19 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing thin-film transistor
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
US6387736B1 (en) 1999-04-26 2002-05-14 Agilent Technologies, Inc. Method and structure for bonding layers in a semiconductor device
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19919448A1 (de) 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
US6736985B1 (en) 1999-05-05 2004-05-18 Agere Systems Inc. High-resolution method for patterning a substrate with micro-printing
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
JP4136185B2 (ja) 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69913745T2 (de) 1999-05-17 2004-10-07 Goodyear Tire & Rubber Rf transponder und verfahren zur steuerung der rf signalmodulation in einem passiven transponder
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
ATE344535T1 (de) 1999-07-06 2006-11-15 Elmos Semiconductor Ag Cmos kompatibler soi-prozess
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
JP4595143B2 (ja) 1999-09-06 2010-12-08 双葉電子工業株式会社 有機ｅｌデバイスとその製造方法
EP1085320A1 (en) 1999-09-13 2001-03-21 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A device for detecting an analyte in a sample based on organic materials
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
CN1376100A (zh) 1999-09-28 2002-10-23 住友重机械工业株式会社 激光钻孔的加工方法及其加工装置
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
EP1149420B1 (en) 1999-10-11 2015-03-04 Creator Technology B.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
JP2001147659A (ja) 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6621098B1 (en) 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
WO2001047044A2 (en) 1999-12-21 2001-06-28 Plastic Logic Limited Forming interconnects
KR100940110B1 (ko) 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
US7002451B2 (en) 2000-01-11 2006-02-21 Freeman Jeffrey R Package location system
JP2002162652A (ja) 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
TW497120B (en) 2000-03-06 2002-08-01 Toshiba Corp Transistor, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP3614747B2 (ja) 2000-03-07 2005-01-26 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 昇圧回路、それを搭載したｉｃカード及びそれを搭載した電子機器
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
AU4960101A (en) 2000-03-28 2001-10-08 Inverness Medical Technology I Continuous process for manufacture of disposable electro-chemical sensor
AU2001259187A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-07 Add-Vision, Inc. Screen printing light-emitting polymer patterned devices
AU2001264879A1 (en) 2000-05-24 2001-12-03 Schott Donnelly Llc Electrochromic devices
US6535057B2 (en) 2000-05-29 2003-03-18 Stmicroelectronics Ltd. Programmable glitch filter
US6329226B1 (en) 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
EP1210643A2 (en) 2000-06-06 2002-06-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid crystal display device and method of manufacturing such
DE10032260B4 (de) 2000-07-03 2004-04-29 Texas Instruments Deutschland Gmbh Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Spannung einer Batterie
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6483473B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Marconi Communications Inc. Wireless communication device and method
JP2004507096A (ja) 2000-08-18 2004-03-04 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 有機電界効果トランジスタ（ｏｆｅｔ），該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
EP1309994A2 (de) 2000-08-18 2003-05-14 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US6699728B2 (en) 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
DE10044842A1 (de) 2000-09-11 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Gleichrichter, Schaltung, RFID-Tag und Verwendung eines organischen Gleichrichters
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
KR20020036916A (ko) 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
US6924688B1 (en) 2000-11-28 2005-08-02 Precision Dynamics Corporation Rectifying charge storage device with antenna
KR100390522B1 (ko) 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
DE10162037A1 (de) 2000-12-18 2002-09-12 Cubit Electronics Gmbh Anordnung zur Aufnahme elektrischer Bausteine und kontaktloser Transponder
GB2371910A (en) 2001-01-31 2002-08-07 Seiko Epson Corp Display devices
DE10105914C1 (de) 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
US6767807B2 (en) 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
JP2002289355A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Pioneer Electronic Corp 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
DE10120686A1 (de) 2001-04-27 2002-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung dünner homogener Schichten mit Hilfe der Siebdrucktechnik, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahren und ihre Verwendung
AU2002340793A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
US20020170897A1 (en) 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
AU2002310593A1 (en) 2001-05-23 2002-12-03 Plastic Logic Limited Laser parrering of devices
DE10126860C2 (de) 2001-06-01 2003-05-28 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung zum Aufbau integrierter Schaltungen
DE10126859A1 (de) 2001-06-01 2002-12-12 Siemens Ag Verfahren zur Erzeugung von leitfähigen Strukturen mittels Drucktechnik sowie daraus hergestellte aktive Bauelemente für integrierte Schaltungen
US6870180B2 (en) 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
JP2003017248A (ja) 2001-06-27 2003-01-17 Sony Corp 電界発光素子
DE20111825U1 (de) 2001-07-20 2002-01-17 Lammering Thomas Printmedium
CN101108783B (zh) * 2001-08-09 2012-04-04 旭化成株式会社 有机半导体元件
DE10141440A1 (de) 2001-08-23 2003-03-13 Daimler Chrysler Ag Tripodegelenk
JP2003089259A (ja) 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6679036B2 (en) 2001-10-15 2004-01-20 Shunchi Crankshaft Co., Ltd. Drive gear shaft structure of a self-moving type mower
DE10151440C1 (de) 2001-10-18 2003-02-06 Siemens Ag Organisches Elektronikbauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE10153656A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Aufbringen einer reaktiven, die organische Halbleiterschicht im Kontaktbereich regio-selektiv dotierenden Zwischenschicht
DE10160732A1 (de) 2001-12-11 2003-06-26 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor mit verschobener Schwellwertspannung und Verwendung dazu
DE10163267A1 (de) 2001-12-21 2003-07-03 Giesecke & Devrient Gmbh Blattgut mit einem elektrischen Schaltkreis sowie Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung des Blattguts
DE10209400A1 (de) 2002-03-04 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung
US6596569B1 (en) 2002-03-15 2003-07-22 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US7204425B2 (en) 2002-03-18 2007-04-17 Precision Dynamics Corporation Enhanced identification appliance
DE10212640B4 (de) 2002-03-21 2004-02-05 Siemens Ag Logische Bauteile aus organischen Feldeffekttransistoren
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
KR100874638B1 (ko) * 2002-06-01 2008-12-17 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로루미네센스 표시소자의 제조장치 및 방법
DE10229168A1 (de) 2002-06-28 2004-01-29 Infineon Technologies Ag Laminat mit einer als Antennenstruktur ausgebildeten elektrisch leitfähigen Schicht
US6812509B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
EP1383179A2 (en) 2002-07-17 2004-01-21 Pioneer Corporation Organic semiconductor device
AT502890B1 (de) 2002-10-15 2011-04-15 Atomic Austria Gmbh Elektronisches überwachungssystem zur kontrolle bzw. erfassung einer aus mehreren sportartikeln bestehenden sportartikelkombination
US6870183B2 (en) 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
WO2004042837A2 (de) 2002-11-05 2004-05-21 Siemens Aktiengesellschaft Organisches elektronisches bauteil mit hochaufgelöster strukturierung und herstellungsverfahren dazu
DE50306538D1 (de) 2002-11-19 2007-03-29 Polyic Gmbh & Co Kg Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
EP1563554B1 (de) 2002-11-19 2012-01-04 PolyIC GmbH & Co. KG Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
TWI233771B (en) * 2002-12-13 2005-06-01 Victor Company Of Japan Flexible rigid printed circuit board and method of fabricating the board
US7088145B2 (en) 2002-12-23 2006-08-08 3M Innovative Properties Company AC powered logic circuitry
EP1434281A3 (en) 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
DE10302149A1 (de) 2003-01-21 2005-08-25 Siemens Ag Verwendung leitfähiger Carbon-black/Graphit-Mischungen für die Herstellung von low-cost Elektronik
JP2004335492A (ja) * 2003-03-07 2004-11-25 Junji Kido 有機電子材料の塗布装置およびそれを使用した有機電子素子の製造方法
US8665247B2 (en) 2003-05-30 2014-03-04 Global Oled Technology Llc Flexible display
US6950157B2 (en) 2003-06-05 2005-09-27 Eastman Kodak Company Reflective cholesteric liquid crystal display with complementary light-absorbing layer
FI20030919A (fi) * 2003-06-19 2004-12-20 Avantone Oy Menetelmä ja laitteisto elektronisen ohutkalvokomponentin valmistamiseksi sekä elektroninen ohutkalvokomponentti
DE10330064B3 (de) 2003-07-03 2004-12-09 Siemens Ag Logikgatter mit potentialfreier Gate-Elektrode für organische integrierte Schaltungen
DE10330063A1 (de) 2003-07-03 2005-02-03 Siemens Ag Verfahren zur Strukturierung und Integration organischer Schichten unter Schutz
US20050023972A1 (en) * 2003-07-29 2005-02-03 Lewandowski Mark A. Method for printing electroluminescent lamps
DE10335336B4 (de) 2003-08-01 2011-06-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene
DE10338277A1 (de) 2003-08-20 2005-03-17 Siemens Ag Organischer Kondensator mit spannungsgesteuerter Kapazität
EP2166543B1 (en) 2003-09-02 2011-03-23 Plastic Logic Limited Production of electronic devices
DE10340641A1 (de) 2003-09-03 2005-04-07 Siemens Ag Strukturierung von Gate-Dielektrika in organischen Feldeffekt-Transistoren
US7102155B2 (en) * 2003-09-04 2006-09-05 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
JP4400327B2 (ja) 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
US7122828B2 (en) 2003-09-24 2006-10-17 Lucent Technologies, Inc. Semiconductor devices having regions of induced high and low conductivity, and methods of making the same
JP4415653B2 (ja) * 2003-11-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US7358530B2 (en) 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry

Also Published As

Publication number Publication date
ATE529904T1 (de) 2011-11-15
MX2008000756A (es) 2008-02-21
CN101233626B (zh) 2010-07-28
DE102005035589A1 (de) 2007-02-01
EP1911108B1 (de) 2011-10-19
TWI422085B (zh) 2014-01-01
CA2615285A1 (en) 2007-02-08
KR101325754B1 (ko) 2013-11-04
AU2006275070A1 (en) 2007-02-08
WO2007014694A1 (de) 2007-02-08
US20080200030A1 (en) 2008-08-21
ES2375937T3 (es) 2012-03-07
EP1911108A1 (de) 2008-04-16
US7846838B2 (en) 2010-12-07
DE102005035589A8 (de) 2007-07-26
JP2009503829A (ja) 2009-01-29
KR20080032124A (ko) 2008-04-14
TW200717891A (en) 2007-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1834358B1 (en) Method of manufacturing an electronic device array
US6946677B2 (en) Pre-patterned substrate for organic thin film transistor structures and circuits and related method for making same
US8372731B2 (en) Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures, and embossing tool
KR101186966B1 (ko) 유기 트랜지스터를 제조하기 위한 자체-정렬 공정
CN101233626B (zh) 制造电子元件的方法
US7737631B2 (en) Flat panel display with repellant and border areas and method of manufacturing the same
JP2007527106A (ja) 薄膜電子部品の製造方法および製造装置ならびに薄膜電子部品
EP2510546B1 (en) Electronic device
JP2000353594A5 (zh)
KR20080045112A (ko) 고성능 유기 장치를 조립하기 위한 레이저 절삭 방법
US20120256657A1 (en) Field effect transistor, and electric circuit
KR20060030034A (ko) 유기 발광 다이오드(ｏｌｅｄ)의 제조방법
EP2533103A1 (en) Method of manufacturing interconnection member and electronic device, interconnection member, multilayered interconnections, electronic device, electronic device array and display device using the method
EP1378016B1 (en) Optoelectronic devices and a method for producing the same
CN101263602B (zh) 电子电路及其制造方法
KR20140026422A (ko) 픽셀 커패시터
JP2005100982A (ja) インクジェットプリント用基板及びその製造方法
US7632705B2 (en) Method of high precision printing for manufacturing organic thin film transistor
KR20110013250A (ko) 회로 기판의 제조 방법 및 회로 기판
WO2012161051A1 (ja) パターン構造体の製造方法
JP4645311B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子製造装置
JP2007237547A (ja) 凸版印刷用インキング装置
US20140356994A1 (en) Method of manufacturing organic electroluminescence device
US10847549B2 (en) Thin-film transistor array and method for producing the same
CN110828521B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant