CN101211084B - 液晶显示板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及液晶显示板及其制造方法。边缘场型液晶显示板增加了像素区的孔径比，包括：设置在基板上的选通线；设置成与所述选通线交叉的数据线，其中，在所述选通线与所述数据线之间设置有栅绝缘膜；像素电极，该像素电极被设置在所述栅绝缘膜上；薄膜晶体管，该薄膜晶体管被设置在所述选通线与所述数据线的交叉区处并直接覆盖所述像素电极的一端；钝化膜，该钝化膜被设置在所述栅绝缘膜上以覆盖所述像素电极和所述薄膜晶体管；公共电极，该公共电极被设置在所述钝化膜上与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，和所述像素电极一起形成用于对液晶进行配向的边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠，以及存储电容器，该存储电容器具有和所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且和所述选通线由相同材料制成的存储电极，其中，所述像素电极被设置成与所述存储电极相交叠，并且在所述存储电极与所述像素电极之间设置有所述栅绝缘膜。

Description

液晶显示板及其制造方法
技术领域
本公开涉及边缘场型平板显示板及其制造方法，更具体地说，涉及适于通过形成与数据线交叠的公共电极来增加像素区的孔径比的边缘场型液晶显示板及其制造方法。
背景技术
液晶显示板使用电场来控制液晶的透光率，由此显示图片。液晶显示板根据驱动液晶的电场方向广义地分类成垂直电场施加型和水平电场施加型。
垂直电场施加型液晶显示板通过形成在公共电极与像素电极之间的垂直电场来驱动扭曲向列（下文中，称为“TN”）模式的液晶，该公共电极和像素电极被设置成在上基板和下基板中彼此面对。垂直电场施加型液晶显示板具有的优点在于其孔径比较高，但具有的缺点在于其视角较窄，大约为90°。
水平电场施加型液晶显示板通过形成在公共电极与像素电极之间的水平电场来驱动板内切换（下文中，称为“IPS”）模式的液晶，该公共电极和像素电极被并行设置在下基板中。水平电场施加型液晶显示板具有的优点在于其视角较宽，大约为160°，但具有的缺点在于其孔径比和透射率较低。
为了改进水平电场施加型液晶显示板的缺点，提出了一种通过边缘场驱动的边缘场切换（下文中，称为“FFS”）型液晶显示板。
在此，FFS型液晶显示板在每一个像素区中包括其间具有绝缘膜的公共电极板和像素电极，并且在公共电极板与像素电极之间形成比上基板和下基板之间的间隙更窄的间隙，由此形成用于驱动填充在上基板与下基板之间的液晶分子的边缘场。
对于如上所述构造的FFS型液晶显示板的情况来说，即使在与数据线相邻的像素区中也形成驱动液晶的边缘场，由此，光在数据线与相邻的像素电极之间漏出，即，垂直串扰。
在现有技术中，为了致力于解决垂直串扰，形成了用于阻挡数据线与像素电极之间泄漏的光的黑底或屏蔽金属，但存在的问题是，因为像素区的孔径比因黑底或屏蔽金属而降低，所以劣化了透光率。
发明内容
根据一个方面，公开了一种边缘场型液晶显示板，其包括：设置在基板上的选通线；设置成与所述选通线交叉的数据线，其中，在所述选通线与所述数据线之间设置有栅绝缘膜；像素电极，该像素电极被设置在所述栅绝缘膜上；薄膜晶体管，该薄膜晶体管被设置在所述选通线与所述数据线的交叉区处并直接覆盖所述像素电极的一端；钝化膜，该钝化膜被设置在所述栅绝缘膜上以覆盖所述像素电极和所述薄膜晶体管；公共电极，该公共电极被设置在所述钝化膜上与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，和所述像素电极一起形成用于对液晶进行配向的边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠，以及存储电容器，该存储电容器具有和所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且和所述选通线由相同材料制成的存储电极，其中，所述像素电极被设置成与所述存储电极相交叠，并且在所述存储电极与所述像素电极之间设置有所述栅绝缘膜。
根据另一方面，公开了一种边缘场型液晶显示板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成选通线；形成和所述选通线交叉以限定像素区的数据线，其中，在所述选通线与所述数据线之间设置有栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成像素电极：在所述选通线与所述数据线的交叉区处形成薄膜晶体管以直接覆盖所述像素电极的一端；在所述栅绝缘膜上形成钝化膜，以覆盖所述像素电极和所述薄膜晶体管；在所述钝化膜上形成公共电极，该公共电极与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，和所述像素电极一起形成用于对液晶进行配向的边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠，以及形成存储电容器，该存储电容器具有和所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且和所述选通线由相同材料形成的存储电极，其中，所述像素电极被形成为与所述存储电极相交叠，并且在所述存储电极与所述像素电极之间形成有所述栅绝缘膜。
根据另一方面，公开了一种边缘场型液晶显示板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一导电图案，该第一导电图案具有选通线、连接至该选通线的栅极和选通焊盘下电极、以及存储电极；形成栅绝缘膜，该栅绝缘膜覆盖形成有所述第一导电图案的所述基板；在所述栅绝缘膜上形成像素电极，该像素电极形成边缘场；在形成有所述像素电极的所述栅绝缘膜上形成包括欧姆接触层和有源层的半导体层，该有源层用于形成沟道；形成第二导电图案，该第二导电图案具有在所述栅绝缘膜上与所述选通线交叉以限定像素区的数据线、连接至该数据线的源极、被形成为面对所述源极并且与所述源极间具有沟道的漏极、以及数据焊盘下电极，所述漏极直接覆盖所述像素电极的一端，并形成具有所述欧姆接触层和形成了所述沟道的所述有源层的半导体图案；形成钝化膜，以覆盖形成有所述半导体图案和所述第二导电图案的所述绝缘膜；在所述钝化膜上形成公共电极，以与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，以形成边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠；以及形成具有存储电极的存储电容器，该存储电极与所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且由与所述选通线相同的材料形成，其中所述像素电极被形成为与所述存储电极交叠，在所述存储电极与所述像素电极之间形成栅绝缘膜。
本公开的其它优点、目的以及特征将在下面的说明中进行部分阐述，并且对于本领域普通技术人员而言在考察下面的内容之后将变清楚，或者可以通过对本发明的具体实践而获知。通过在文字说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构，将认识到并实现本公开的这些目的和其它优点。
应当明白，本公开的前述一般描述和下面的详细描述都是示范性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步阐释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本公开的进一步理解，其被并入并构成了本申请的一部分，例示了本公开的实施方式，并与文字说明一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本公开的边缘场型液晶显示板的平面图。
图2是根据本公开的边缘场型平板显示板的构造截面图。
图3A至3C是根据本公开的边缘场型液晶显示板中形成的薄膜晶体管的构造平面图。
图4A和4B是根据本公开的形成第一导电图案的平板显示板的平面图和横截面图。
图5A和5B是根据本公开的形成有像素电极的平板显示板的平面图和横截面图。
图6A和6B是根据本公开的形成有半导体层的平板显示板的平面图和横截面图。
图7A和7B是根据本公开的形成有第二导电图案的平板显示板的平面图和横截面图。
图8A到8E是例示了根据本公开的形成第二导电图案的工艺图。
图9A和9B是根据本公开的形成有具有接触孔的钝化膜的平板显示板的平面图和横截面图。
图10A和10B是根据本公开的形成有第三导电图案的平板显示板的平面图和横截面图。
具体实施方式
图1和图2描绘了根据本公开的边缘场型液晶显示板100，该边缘场型液晶显示板100包括形成在基板102上的选通线110；被形成为和选通线110交叉并且与选通线110之间具有栅绝缘膜115的数据线120，以限定像素区142；形成在选通线110与数据线120的交叉区处的薄膜晶体管T；形成在栅绝缘膜115上、直接连接至薄膜晶体管T的像素电极140；用于覆盖薄膜晶体管T的钝化膜150；以及形成在钝化膜150上、交叠像素电极140由此形成边缘场的公共电极。
在此，边缘场型液晶显示板100还包括存储电容器170，该存储电容器170由存储电极172和像素电极140组成，该存储电极172和选通线110由相同材料同时形成，该像素电极140被形成为交叠存储电极172和栅绝缘膜115。
而且，边缘场型液晶显示板110包括连接至选通线110的选通焊盘180和连接至数据线120的数据焊盘190。选通线110向薄膜晶体管T的栅极112发送选通信号，该选通信号是从连接至选通焊盘180的选通驱动器（未示出）提供的。在此，选通线110和栅极112由诸如铝Al族金属、铜Cu、铬Cr、钼Mo等栅极金属形成。
数据线120用于与栅极112的通/断互锁地向薄膜晶体管T的源极132和漏极134发送数据信号，该数据信号是与数据焊盘190连接的数据驱动器（未示出）所提供的。数据线120与选通线110交叉并且与选通线110之间具有栅绝缘膜115，用来限定设置有像素电极140的像素区。
薄膜晶体管T响应于选通线110的选通信号，利用数据线120的像素信号对像素电极140进行充电。薄膜晶体管T被设置成包括连接至选通线110的栅极112；连接至数据线120（数据线120被形成为与选通线110交叉并且与选通线110之间具有栅绝缘膜115）的源极122；以及被形成为面对源极122并且与源极122间具有沟道并且以交叠形式连接至像素电极140的漏极124。
而且，薄膜晶体管T还被设置成包括：由有源层132和欧姆接触层134组成的半导体图案，该有源层132被形成为与栅极对应并且与栅极间具有栅绝缘膜115，以形成沟道，该欧姆接触层134形成在有源层132上，以与源极122和漏极124欧姆接触。
在此，薄膜晶体管包括从数据线突出的源极和
Figure GDA00002182601600051
形漏极，该漏极面对源极，与源极之间具有沟道，并且同时直接连接至像素电极。
即，随着将薄膜晶体管T的漏极124形成形，以部分地交叠像素电极140，与现有技术中具有从像素区突出结构的薄膜晶体管相比，像素区140的孔径比显著地增加。
如图3A所示，薄膜晶体管T可以包括从数据线120突出的源极122和“—”形漏极124，该漏极124面对源极122并且与源极122间具有沟道，并且同时直接连接至像素电极140。在源极122与漏极124之间形成有“—”形沟道。
如图3B所示，薄膜晶体管T可以包括从数据线120突出的“U”形源极122和漏极124，该漏极124面对源极122并且与源极122间具有沟道，并且同时直接连接至像素电极140。在源极122与漏极124之间形成有“U”形沟道。
如图3C所示，薄膜晶体管T可以包括形成为与数据线120一体的源极122和
Figure GDA00002182601600061
形的漏极124，该漏极124面对源极122并且与源极122间具有沟道，并且同时直接连接至像素电极140。
在通过薄膜晶体管T提供像素信号的情况下，像素电极140形成边缘场，用于对公共电极160中形成的狭槽162中的液晶进行配向。像素电极140由此被设置成直接连接至薄膜晶体管T的漏极124。在此，像素电极140由诸如ITO等的透明导电材料形成，并且在像素区中形成距数据线120达大约0-3.0μm的间隙。因此，不需要在像素区142中形成空白区来形成连接像素电极140和漏极124的接触孔，由此增加了像素区142的孔径比。
在其中形成有薄膜晶体管T和像素电极140的栅绝缘膜115上形成具有指定厚度的钝化膜150，保护形成有沟道的有源层132免受潮湿、擦伤等。钝化膜150由诸如氮化硅等的无机绝缘材料、或诸如BCB（苯并环丁烯）、PFCB（八氟环丁烷）的有机绝缘材料、或诸如photo-acryl（光丙稀）的有机合成材料形成。
对于钝化膜150由诸如氮化硅（介电系数大约为6.5）的无机绝缘材料形成的情况来说，希望钝化膜150具有不小于
Figure GDA00002182601600062
的厚度，以便防止在数据线120与公共电极160之间产生耦合，公共电极160交叠数据线120并且与数据线120之间具有钝化膜150。
而且，对于钝化膜150由诸如photo-acryl（介电系数大约为3.3）的有机合成材料形成的情况来说，希望钝化膜150具有不小于1.5μm的厚度，以防止在相互交叠的数据线120与公共电极160之间产生耦合。
钝化膜150包括通过掩模工艺形成的第一接触孔152和第二接触孔154。在此，第一开口孔152穿过钝化膜150和栅绝缘膜115以显现选通焊盘下电极182，第二开口孔154穿过钝化膜150以显现数据焊盘下电极192。
公共电极160以与像素电极140交叠的形状形成在像素区中，与像素电极140之间具有钝化膜150，并且和像素电极140一起形成用于按指定方向对像素区中配向的液晶进行驱动的边缘场。公共电极由诸如ITO、IZO等的透明导电材料形成。换句话说，如果通过公共线施加基准电压，则形成用于对像素电极140与狭槽162（狭槽162形成在公共电极160中）之间的液晶进行配向的边缘场。
由于按照可以防止产生耦合的高度形成钝化膜150，因而公共电极160可以被形成为和数据线120匹配，由此，增加了像素区142的孔径比，结果升高了透射率。
在此，将公共电极160形成在薄膜晶体管T的沟道区上，并且还可防止生成在沟道区中流动的泄漏电流和截止电流。
存储电容器170被设置成包括：存储电极172，其和选通线110由相同材料同时形成；像素电极140，其被形成为部分地交叠存储电极172，并且与存储电极172之间具有栅绝缘膜115。
选通焊盘180连接至选通驱动器（未示出），以向选通线110提供选通信号，并且被设置成包括从选通线110延伸的选通焊盘下电极182、和通过第一接触孔152连接至选通焊盘下电极182的选通焊盘上电极184，第一接触孔152穿过钝化膜150和栅绝缘膜115。
构成选通焊盘180的选通焊盘下电极182由和选通线相同的材料形成，而选通焊盘上电极184由和公共电极160相同的材料形成。
数据焊盘190连接至数据驱动器（未示出）以向数据线120提供数据信号，并且被设置成包括从数据线120延伸的数据焊盘下电极192、和通过第二接触孔连接至数据焊盘下电极192的数据焊盘上电极194，第二接触孔穿过钝化膜150。
构成数据焊盘190的数据焊盘下电极192由和数据线相同的材料形成，并且数据焊盘上电极194与公共电极160由相同的材料同时形成。
下文中，对边缘场型液晶显示板100的制造方法进行说明。
首先，如图4A和4B所示，执行根据本公开的第一掩模工艺，在基板102上形成包括选通线110、栅极112、存储电极172以及选通焊盘下电极182在内的第一导电图案。
更具体地说，通过溅射法淀积工艺或类似工艺在基板102的整个表面上淀积栅极金属层。在此，栅极金属层由铝Al族金属、铜Cu、铬Cr、钼Mo等形成。
在将光刻胶涂敷在基板102的整个表面上之后，执行利用第一掩模的光刻法，由此形成露出栅极金属层的光刻胶图案（PR）。通过湿刻法去除根据光刻胶图案PR露出的栅极金属层，接着，对剩余光刻胶图案进行灰化，以在基板102上形成第一导电图案，其包括选通线110、被形成为集成到选通线110中的栅极112、存储电极172以及选通焊盘下电极182。
如上所述，在基板上形成第一导电图案之后，如图5A和5B所示，通过根据本公开的第二掩模工艺在栅绝缘膜上形成像素电极140，该像素电极140形成用于对液晶进行配向的边缘场。
更具体地说，在形成有第一导电图案的基板上形成栅绝缘膜115，接着，通过诸如等离子增强型化学汽相淀积（PECVD）等的淀积工艺在栅绝缘膜115的整个表面上淀积透明导电层。
在透明导电层的整个表面上形成光刻胶之后，执行利用第二掩模的光刻工艺，由此，形成光刻胶图案PR，该光刻胶图案PR露出透明导电层中的除了要形成像素电极140的区域以外的其它区域。
对光刻胶图案PR露出的透明导电层进行刻蚀，然后去除光刻胶图案，从而形成了根据本公开的像素电极140，该像素电极140和公共电极160一起在栅绝缘膜115的像素区142中形成用于对液晶进行配向的边缘场。
在此，将像素电极140形成为部分地交叠存储电极172，并且与存储电极172之间具有栅绝缘膜115，由此形成存储电容器170。而且，像素电极140按与漏极部分交叠的形状连接至该漏极，因而，不需要形成用于露出漏极124的接触孔，由此，增加了像素区142的孔径比。
如上所述，在栅绝缘膜上形成像素电极之后，如图6A和6B所示，通过根据本公开的第三掩模工艺形成沟道和用于欧姆接触的半导体层。
更具体地说，在形成有像素电极140的栅绝缘膜115上顺序地形成由a-Si层和n+硅层组成的半导体层。接着，在该半导体层的整个表面上涂敷光刻胶之后，执行利用第三掩模的光刻工艺，由此，在半导体层中形成露出了与沟道区对应的区域以外的剩余区域的光刻胶图案（PR）。
此时刻蚀光刻胶图案PR露出的半导体层，然后去除剩余的光刻胶图案PR，从而形成了根据本公开的半导体图案130，该半导体图案130由形成沟道的有源层132和用于欧姆接触的欧姆接触层134组成。
如上所述，在沟道区中形成半导体图案之后，如图7A和7B所示，通过第四掩模工艺形成包括数据线120、源极122、漏极124以及数据焊盘下电极192在内的第二导电图案。
更具体地说，如图8A所示，在形成有半导体图案130的栅绝缘膜115上顺序地淀积数据金属层120a。在数据金属层120a的整个表面上涂敷光刻胶，接着，执行利用第四掩模的光刻法，以形成露出数据金属层120a的光刻胶图案PR，如图8B所示。
在此，光刻胶图案具有形成屏蔽部和孔部的结构，该屏蔽部被形成在数据金属层120A中的将形成第二导电图案的区域中，而该孔部被形成在沟道区以外的区域中。刻蚀以去除根据如上所述构造的光刻胶图案露出的数据金属层120A，由此，分离了形成在薄膜晶体管的沟道区中的数据金属层120A，如图8C所示。
接下来，通过干刻法去除因分离了数据金属层120A而露出至沟道区的n+硅层134A，由此，形成由形成薄膜晶体管T的沟道的有源层132和欧姆接触层134组成的半导体图案130，如图8D所示。
在如上所述形成半导体图案130之后，去除数据金属层120A上剩余的光刻胶图案PR，由此形成第二导电图案，并且形成数据焊盘下电极192。第二导电图案包括与选通线110交叉并且与选通线110之间具有栅绝缘膜115的数据线120；连接至数据线120的源极122；面对源极122并且与源极之间具有沟道的漏极。
在此，薄膜晶体管T被形成为具有如图3A到3C所示的各种结构，漏极被形成为部分地交叠像素电极的结构。即，薄膜晶体管的漏极以交叠像素电极140的形状连接，由此，与现有技术中具有向像素区142突出结构的薄膜晶体管相比，像素区142的孔径比显著增加。
如上所述，在栅绝缘膜上形成第二导电图案之后，如图9A和9B所示，根据本公开的第五掩模工艺形成具有接触孔的钝化膜。更具体地说，在形成有第二导电图案的栅绝缘膜115的整个表面上涂敷钝化膜150。
接下来，在钝化膜150的表面上涂敷光刻胶之后执行利用第五掩模的光刻工艺，由此，形成露出钝化膜150的光刻胶图案PR。刻蚀光刻胶图案PR露出的钝化膜150，由此，最终形成第一接触孔152和第二接触孔154，该第一接触孔152穿过钝化膜150和栅绝缘膜115以露出选通焊盘下电极182，而第二接触孔154穿过钝化膜150以露出选通焊盘下电极192。
在此，钝化膜150由诸如氮化硅等的无机绝缘材料、或诸如BCB（苯并环丁烯）、PFCB（八氟环丁烷）的有机绝缘材料、或诸如photo-acryl等的有机合成材料形成。
对于钝化膜150由诸如氮化硅（介电系数大约为6.5）的无机绝缘材料形成的情况来说，形成钝化膜150以使其具有不小于的厚度，可以防止在相互交叠的数据线120与公共电极160之间产生耦合。
而且，对于钝化膜150由诸如photo-acryl（介电系数大约为3.3）的有机合成材料形成的情况来说，形成钝化膜150以使其具有不小于1.5μm的厚度，可以防止在相互交叠的数据线120与公共电极160之间产生耦合。
在如上所述形成具有接触孔的钝化膜之后，如图10A和10B所示，通过第六掩模工艺形成第三导电图案，该第三导电图案包括在钝化膜上形成边缘场的公共电极、选通焊盘上电极、以及数据焊盘上电极。
更具体地说，通过诸如PECVD等的淀积工艺在形成有接触孔152、154的钝化膜150的整个表面上淀积透明导电层。
接下来，在透明导电层的整个表面上涂敷光刻胶之后，执行利用第六掩模的光刻工艺，由此形成露出透明导电层的光刻胶图案PR。在刻蚀光刻胶图案露出的透明导电层之后，去除剩余光刻胶图案PR，由此，形成第三导电图案，第三导电图案包括：具有狭缝162的公共电极160，狭缝162和像素电极140一起形成边缘场；通过第一接触孔152连接至选通焊盘下电极182的选通焊盘上电极184；以及通过第二接触孔154连接至数据焊盘下电极192的数据焊盘上电极194。
在此，形成了公共电极160，公共电极160交叠数据线120和像素电极140，并且与它们之间具有钝化膜150。在像素区142中形成了狭缝图案162，在像素区142中，狭缝图案162和像素电极140一起形成用于按指定方向对液晶进行配向的边缘场。
构成选通焊盘180的选通焊盘上电极184和公共电极160由相同材料同时形成，而构成数据焊盘190的数据焊盘上电极194和公共电极160由相同材料同时形成。
如上所述，根据本公开的边缘场型液晶显示板及其制造方法形成要彼此交叠的数据线和公共电极，由此，具有可以增加像素区的孔径比的效果。
本公开在像素电极与公共电极之间形成由具有指定高度的有机和无机绝缘膜制成的钝化膜，由此，具有可以防止在交叠的数据线与公共电极之间生成寄生电容的效果。
本公开形成公共电极，以覆盖薄膜晶体管的沟道区，由此，具有可以防止在沟道区中生成泄漏电流和截止电流的效果。
尽管根据上述图中所示实施方式对本公开进行了说明，但本领域普通技术人员应当明白，本公开不限于这些实施方式，而是在不脱离本公开的精神的情况下，可以对本公开进行各种变化和修改。因此，本公开的范围应当仅通过所附权利要求及其等同物来确定。
本发明要求2006年12月29日提交的韩国专利申请P2006-0137517的优先权，通过引用将其并入本文中。

Claims (42)

1.一种边缘场型液晶显示板，该边缘场型液晶显示板包括：
设置在基板上的选通线；
设置成与所述选通线交叉的数据线，其中，在所述选通线与所述数据线之间设置有栅绝缘膜；
像素电极，该像素电极被设置在所述栅绝缘膜上；
薄膜晶体管，该薄膜晶体管被设置在所述选通线与所述数据线的交叉区处并直接覆盖所述像素电极的一端；
钝化膜，该钝化膜被设置在所述栅绝缘膜上以覆盖所述像素电极和所述薄膜晶体管；
公共电极，该公共电极被设置在所述钝化膜上与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，和所述像素电极一起形成用于对液晶进行配向的边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠，以及
存储电容器，该存储电容器具有和所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且和所述选通线由相同材料制成的存储电极，其中，所述像素电极被设置成与所述存储电极相交叠，并且在所述存储电极与所述像素电极之间设置有所述栅绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，所述边缘场型液晶显示板还包括：
选通焊盘，该选通焊盘具有连接至所述选通线的选通焊盘下电极和通过在所述钝化膜中限定的第一接触孔连接至所述选通焊盘下电极的选通焊盘上电极；和
数据焊盘，该数据焊盘具有连接至所述数据线的数据焊盘下电极和通过在所述钝化膜中限定的第二接触孔连接至所述数据焊盘下电极的数据焊盘上电极。
3.根据权利要求2所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述选通焊盘下电极和所述选通线同时设置并且由相同材料制成，所述选通焊盘上电极和所述公共电极同时设置并且由相同材料制成。
4.根据权利要求2所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述数据焊盘下电极和所述数据线同时设置并且由相同材料制成，并且所述数据焊盘上电极和所述公共电极同时设置并且由相同材料制成。
5.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述薄膜晶体管包括：
连接至所述选通线的栅极；
连接至所述数据线的源极；
漏极，该漏极面对所述源极并且其间具有沟道，所述漏极直接覆盖位于栅绝缘膜上的像素电极的一端；以及
半导体图案，该半导体图案被设置成交叠所述栅极并且与所述栅极之间具有所述栅绝缘膜，该半导体图案具有欧姆接触层和形成所述源极与所述漏极之间的沟道的有源层。
6.根据权利要求5所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述源极被设置成从所述数据线突出，而所述漏极被设置成
Figure FDA00002182601500021
形，面对所述源极并且与所述源极之间具有所述沟道。
7.根据权利要求5所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述源极被设置成从所述数据线突出，所述漏极被设置成“—”形，面对所述源极并且与所述源极之间具有所述沟道，并且在所述源极与所述漏极之间设置有“—”形沟道。
8.根据权利要求5所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述源极被设置成“U”形，从所述数据线突出，所述漏极被设置成面对所述源极并且与所述源极之间具有所述沟道，并且在所述源极与所述漏极之间设置有“U”形沟道。
9.根据权利要求5所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述源极被设置成与所述数据线集成，而所述漏极被设置成
Figure FDA00002182601500022
形，面对所述源极并且与所述源极之间具有所述沟道。
10.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述像素电极被设置有距所述数据线（120）0-3.0μm的间隙。
11.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述钝化膜包括厚度不小于
Figure FDA00002182601500031
的无机绝缘材料，以防止在所述公共电极与所述漏极之间生成寄生电容。
12.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述钝化膜包括厚度不小于1.5μm的有机绝缘材料，以防止在所述公共电极与所述漏极之间生成寄生电容。
13.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述公共电极被设置成覆盖设置有所述薄膜晶体管的区域。
14.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述公共电极被构图成具有狭槽，在该狭槽处和所述像素电极一起形成边缘场。
15.根据权利要求1所述的边缘场型液晶显示板，其中，所述公共电极包括具有ITO或IZO的透明导电材料。
16.一种边缘场型液晶显示板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
在基板上形成选通线；
形成和所述选通线交叉以限定像素区的数据线，其中，在所述选通线与所述数据线之间设置有栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成像素电极：
在所述选通线与所述数据线的交叉区处形成薄膜晶体管以直接覆盖所述像素电极的一端；
在所述栅绝缘膜上形成钝化膜，以覆盖所述像素电极和所述薄膜晶体管；
在所述钝化膜上形成公共电极，该公共电极与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，和所述像素电极一起形成用于对液晶进行配向的边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠，以及
形成存储电容器，该存储电容器具有和所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且和所述选通线由相同材料形成的存储电极，其中，所述像素电极被形成为与所述存储电极相交叠，并且在所述存储电极与所述像素电极之间形成有所述栅绝缘膜。
17.根据权利要求16所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
形成选通焊盘，该选通焊盘具有连接至所述选通线的选通焊盘下电极和通过在所述钝化膜中限定的第一接触孔连接至所述选通焊盘下电极的选通焊盘上电极；并且
形成数据焊盘，该数据焊盘具有连接至所述数据线的数据焊盘下电极和通过在所述钝化膜中限定的第二接触孔连接至所述数据焊盘下电极的数据焊盘上电极。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述选通焊盘下电极和所述选通线由相同材料同时形成，并且所述选通焊盘上电极和所述公共电极由相同材料同时形成。
19.根据权利要求17所述的制造方法，其中，所述数据焊盘下电极和所述数据线由相同材料同时形成，并且所述数据焊盘上电极和所述公共电极由相同材料同时形成。
20.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述薄膜晶体管包括：
连接至所述选通线的栅极；
连接至所述数据线的源极；
漏极，该漏极面对所述源极并且与所述源极之间具有沟道，并且直接覆盖位于栅绝缘膜上的像素电极的一端；以及
半导体图案，该半导体图案被形成为交叠所述栅极并且与所述栅极之间具有所述栅绝缘膜，并且该半导体图案具有欧姆接触层和形成所述源极与所述漏极之间的沟道的有源层。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述源极被形成为从所述数据线突出，并且所述漏极被形成
Figure FDA00002182601500041
形，面对所述源极并且与所述源极之间具有所述沟道。
22.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述源极被形成为从所述数据线突出，所述漏极被形成为“—”形，面对所述源极并且与所述源极间具有所述沟道，并且在所述源极与所述漏极之间形成“—”形沟道。
23.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述源极被形成“U”形，从所述数据线突出，所述漏极被形成为面对所述源极并且与所述源极之间具有所述沟道，并且在所述源极与所述漏极之间形成“U”形沟道。
24.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述源极被形成为与所述数据线集成，并且所述漏极被形成形，面对所述源极并且与所述源极间具有所述沟道。
25.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述像素电极被形成有距所述数据线（120）0-3.0μm的间隙。
26.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述钝化膜由厚度不小于
Figure FDA00002182601500052
的无机绝缘材料形成，以防止在所述公共电极与所述漏极之间生成寄生电容。
27.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述钝化膜包括厚度不小于1.5μm的有机绝缘材料，以防止在所述公共电极与所述漏极之间生成寄生电容。
28.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述公共电极被形成为覆盖形成有所述薄膜晶体管的区域。
29.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述公共电极被构图成具有狭槽，在该狭槽处和所述像素电极一起形成边缘场。
30.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述公共电极包括具有ITO或IZO的透明导电材料。
31.一种边缘场型液晶显示板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
在基板上形成第一导电图案，该第一导电图案具有选通线、连接至该选通线的栅极和选通焊盘下电极、以及存储电极；
形成栅绝缘膜，该栅绝缘膜覆盖形成有所述第一导电图案的所述基板；
在所述栅绝缘膜上形成像素电极，该像素电极形成边缘场；
在形成有所述像素电极的所述栅绝缘膜上形成包括欧姆接触层和有源层的半导体层，该有源层用于形成沟道；
形成第二导电图案，该第二导电图案具有在所述栅绝缘膜上与所述选通线交叉以限定像素区的数据线、连接至该数据线的源极、被形成为面对所述源极并且与所述源极间具有沟道的漏极、以及数据焊盘下电极，所述漏极直接覆盖所述像素电极的一端，并形成具有所述欧姆接触层和形成了所述沟道的所述有源层的半导体图案；
形成钝化膜，以覆盖形成有所述半导体图案和所述第二导电图案的所述绝缘膜；
在所述钝化膜上形成公共电极，以与直接形成在所述栅绝缘膜上的所述像素电极和所述数据线交叠，以形成边缘场，并且该公共电极被形成为与所述薄膜晶体管的沟道区交叠；以及
形成具有存储电极的存储电容器，该存储电极与所述选通线分离、与所述选通线同时设置并且由与所述选通线相同的材料形成，其中所述像素电极被形成为与所述存储电极交叠，在所述存储电极与所述像素电极之间形成栅绝缘膜。
32.根据权利要求31所述的制造方法，其中所述形成第一导电图案的步骤包括以下步骤：
在所述基板的整个表面上形成栅极金属层；
在所述栅极金属层的表面上形成光刻胶之后，形成光刻胶图案，该光刻胶图案露出要形成所述第一导电图案的区域以外的剩余区域；以及
通过刻蚀所述光刻胶图案露出的所述栅极金属层来形成所述第一导电图案。
33.根据权利要求31所述的制造方法，其中，所述形成第二导电图案的步骤包括以下步骤：
在形成有所述半导体层的所述栅绝缘膜的表面上形成数据金属层；
在所述数据金属层的整个表面上形成光刻胶，之后，通过指定的掩模工艺形成光刻胶图案，该光刻胶图案在沟道区中具有阶梯差；
顺序地刻蚀所述光刻胶图案露出的所述数据金属层和具有所述有源层和所述欧姆接触层的所述半导体层；
在通过灰化所述光刻胶图案露出形成在所述沟道区中的所述数据金属层之后，通过刻蚀露出的所述数据金属层，形成连接至所述数据线的彼此面对并且其间具有所述沟道区的源极和漏极；以及
随着分离所述源极和所述漏极，通过刻蚀所述沟道区中露出的所述欧姆接触层来露出形成沟道的所述有源层。
34.根据权利要求33所述的制造方法，其中，所述源极被形成为从所述数据线突出，而所述漏极被形成
Figure FDA00002182601500071
形，面对所述源极并且与所述源极间具有所述沟道，并且同时直接连接至所述像素电极。
35.根据权利要求33所述的制造方法，其中，所述源极被形成为从所述数据线突出，所述漏极被形成“—”形，面对所述源极并且与源极间具有所述沟道，并且同时直接连接至所述像素电极，并且在所述源极与所述漏极之间形成“—”形沟道。
36.根据权利要求33所述的制造方法，其中，所述源极被形成“U”形，以从所述数据线突出，所述漏极被形成为面对所述源极，与所述源极间具有所述沟道，并且在所述源极与所述漏极之间形成“U”形沟道。
37.根据权利要求33所述的制造方法，其中，所述源极被形成为与所述数据线集成，而所述漏极被形成
Figure FDA00002182601500072
形，面对所述源极并且与所述源极间具有所述沟道，并且同时直接连接至所述像素电极。
38.根据权利要求31所述的制造方法，其中，所述像素电极被形成有距所述数据线（120）0-3.0μm的间隙。
39.根据权利要求31所述的制造方法，其中，所述形成钝化膜的步骤包括以下步骤：
在所述栅绝缘膜上形成覆盖所述第二导电图案的所述钝化膜；
在所述钝化膜的表面上形成光刻胶之后，通过指定的掩模工艺形成光刻胶图案，该光刻胶图案露出要限定接触孔的区域；以及
通过刻蚀所述光刻胶图案露出的区域来限定露出所述选通焊盘下电极的第一接触孔和露出所述数据焊盘下电极的第二接触孔。
40.根据权利要求39所述的制造方法，其中，所述钝化膜由厚度不小于的无机绝缘材料形成，以便防止在所述公共电极与所述漏极之间生成寄生电容。
41.根据权利要求39所述的制造方法，其中，所述钝化膜包括厚度不小于1.5μm的有机绝缘材料，以便防止在所述公共电极与所述漏极之间生成寄生电容。
42.根据权利要求31所述的制造方法，其中，所述公共电极包括具有ITO或IZO的透明导电材料。
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