CN101123671B

CN101123671B - 光电转换装置、成像装置和成像系统

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Publication number: CN101123671B
Application number: CN2007101384812A
Authority: CN
Inventors: 山下雄一郎; 加藤智; 小野俊明; 高桥秀和
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2006-08-08
Filing date: 2007-08-08
Publication date: 2012-08-22
Anticipated expiration: 2027-08-08
Also published as: JP2008067344A; US7817199B2; US20080036890A1; US8675107B2; CN101123671A; JP4194633B2; US20100328509A1

Abstract

每个像素都具有：光电转换单元，配置为将光转换为电荷并存储该电荷；放大单元，配置为放大基于存储在光电转换单元中的电荷的信号并向输出线输出该信号；以及复位单元，配置为将放大单元的输入部分复位。配置为限制输出线的电压的限幅单元包括：放大电路，用于放大基于输出线的电压的信号；和MOS晶体管，用于基于栅极和源极之间的电位差限制输出线的电压。所述限幅单元通过放大电路控制MOS晶体管的栅极的电位。

Description

光电转换装置、成像装置和成像系统

技术领域

本发明总的涉及用于防止光电转换装置的图像质量由于从强光源接收光而降低的方法和装置。

背景技术

诸如数码相机的成像装置通常包括拍摄光学系统和光电转换装置，该光电转换装置对由拍摄光学系统形成的物体图像进行光电转换。光电转换装置可以分为无源像素传感器(PPS)或有源像素传感器(APS)。PPS是不放大传感器，其像素没有放大电荷的功能。PPS例如包括CCD图像传感器。APS是放大传感器，其像素具有放大电荷的功能。APS例如包括CMOS图像传感器。CCD图像传感器有利于小型化，并且可以实现简单的驱动方法和系统配置。另一方面，CMOS图像传感器可以降低功耗并且容易加快操作。由于这个原因，CMOS传感器适用于例如需要高操作速度和低功耗的数码相机。

当CMOS传感器接收来自强光源、尤其是例如太阳的光作为聚光照明(spotlight)时，在聚光照明周围已接收光的行和还没有接收光的行之间的输出电位差有时产生亮度差。另外可能发生黑化；被聚光照明的特别强的光分量照射的部分黑化。有很多想法来解决这些问题。

日本专利公开文本2001-230974(第0018段；图2)公开了一种解决在聚光照明周围由已接收光的行和还没有接收光的行之间的输出电位差产生的亮度差的技术。日本专利公开文本2001-230974在读取已接收了强光的像素的信号电平时，通过操作防止垂直输出线的电压低于预定电压的限幅(clip)装置，而防止使用作像素中放大晶体管的负载的负载晶体管断开。这抑制了已接收了聚光照明的行和还没有接收聚光照明的行之间的输出电位差。

日本专利公开文本2004-222273(第0030段；图2)公开了一种使电压调整单元对复位电平的像素输出信号限幅，并用该电压调整单元设置的电压取代通过强光入射而产生的伪信号。在日本专利公开文本2004-222273中描述的电路的操作原理与日本专利公开文本2001-230974中的相同，只是前者不是针对信号电平而是针对复位电平来执行限幅操作。

但是在日本专利公开文本2001-230974的发明中，所设置的像素饱和电压(下面称为“设定饱和电压”)需要与限幅电路设定的垂直输出线的电压值(下面称为“设定限幅电压”)充分分开，如图9A所示。但是，如图9B所示当设定饱和电压应当接近0V时，或者如图9C所示电源电压应当低时，设定限幅电压和设定饱和电压彼此接近。如果设定限幅电压和设定饱和电压彼此接近，则设定限幅电压和设定饱和电压由于像素或限幅电路的源极跟随器晶体管的阈值变化或者设定限幅电压的制造差异而可能颠倒，如图9B和9C中的圆圈所示。当设定限幅电压和设定饱和电压颠倒时，该装置不输出设定饱和电压，而输出由限幅电路设定的预定电压，即使像素接收强光时也是如此。由于这个原因，即使在强光均匀地入射到屏幕上时，像素也会展现出低亮度的输出如灰色，从而导致图像质量的降低。

如果设定限幅电压和设定饱和电压彼此接近，则当像素输出饱和电压时限幅电路的源极跟随器晶体管的栅极和源极之间的电位差很小。这增加了限幅电路的源极跟随器晶体管中的亚阈值电流。在这种情况下，与没有限幅电路的结构或者设定限幅电压与设定饱和电压充分分开的结构相比，位于像素的源极跟随器晶体管之外的额外电流路径导致饱和时的电压改变。由于像素或限幅电路的源极跟随器晶体管的阈值的制造差异，紧密程度在像素或行间变化。这很大程度上降低了图像质量；整个屏幕上的亮度呈现粒状。

在日本专利公开文本2004-222273的发明中，根据操作原理限幅电平必须低于复位电平以防止黑化。但是，如果它们之间具有大的电位差，而且限幅电平低，则在射入强光时不太可能检测到复位电平的降低。因此，需要使设定限幅电位靠近复位电平。但是，如果这两个电位彼此靠近，则由于例如制造差异，复位电平和设定限幅电位可能颠倒，从而导致黑化。

发明内容

提供本发明的目的是有效防止光电转装置的图像质量由于从强光源接收光而导致的降低，由此提高在这种情况下的亚阈值特性。

根据本发明的第一方面，提供了一种光电转换装置，包括多个像素和限幅单元，其中每个像素具有：光电转换单元，配置为将光转换为电荷并存储该电荷；放大单元，配置为放大基于存储在光电转换单元中的电荷的信号并向输出线输出该信号；以及复位单元，配置为将放大单元的输入部分复位，并且其中限幅单元配置为限制输出线的电压，该限幅单元包括：放大电路，用于放大基于输出线的电压的信号；和MOS晶体管，用于基于栅极和源极之间的电位差限制输出线的电压，所述限幅单元通过放大电路控制MOS晶体管的栅极的电位。

根据本发明的第二方面，提供一种成像装置，包括上述光电转换装置，第一扫描电路，用于依次选择布置在该光电转换装置上的多个像素，以及第二扫描电路，用于选择输出线和从第一扫描电路选择的像素依次读取信号。

根据本发明的第三方面，提供了一种成像系统，包括拍摄光学系统，上述成像装置，所述成像装置对物体图像进行光电转换并产生图像信息。

根据本发明的第四方面，提供了一种控制光电转换装置的方法，该光电转换装置包括：光电转换单元，配置为将光转换为电荷并存储该电荷；放大单元，配置为放大基于存储在光电转换单元中的电荷的信号并向输出线输出该信号；复位单元，配置为将放大单元的输入部分复位；以及限幅单元，其配置为限制输出线的电压，该方法包括以下步骤：控制MOS晶体管的栅极的电位，该MOS晶体管通过放大基于输出线的电压的信号来基于栅极和源极之间的电位差限制输出线的电压。

通过下面参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其它特征将变得明显。

附图说明

图1是示出根据本发明第一优选实施例的成像装置的示例性电路的图；

图2是示出布置在图1所示成像装置中的运算放大器的示例性电路和与该运算放大器连接的光电转换装置的图；

图3是在根据本发明第一优选实施例的光电转换装置中使用的一组信号的示例性定时图；

图4是示出根据本发明第二优选实施例的成像装置的示例性电路的图；

图5是示出根据本发明第三优选实施例的成像装置的示例性电路的图；

图6是示出垂直输出线的电压变化相对于浮置扩散的电位变化的示例性图；

图7是示出根据本发明第四优选实施例的成像装置的示例性电路的图；

图8是使用根据本发明优选实施例的成像装置的成像系统的示例性配置的图；

图9A-9C是示出现有技术的问题的图。

具体实施方式

下面参照附图详细描述本发明的优选实施例。

(第一实施例)

图1是示出根据本发明第一优选实施例的成像装置的配置的图。该成像装置包括多个像素101到103。为了方便图示，图1示出3行×2列的像素。但是，本发明不限于此，可以在行和列方向上排列任意数量的像素。每个像素101至103包括用作光电转换元件的光电二极管104、传输晶体管105、浮置扩散FD、选择晶体管106、复位开关107和源极跟随器晶体管108。该成像装置还包括垂直输出线V₁至V_m(m是整数：m≥2，而且下面也一样)、用作源极跟随器晶体管108的负载的电流源负载109、选择器开关140、输出放大器150、垂直扫描电路110、CDS电路130和水平扫描电路120。垂直输出线V₁至V_m通过电流源负载109接地。在选择像素时，每个垂直输出线V₁至V_m与源极跟随器晶体管108及电流源负载109一起构成源极跟随器。节点111接收来自源极跟随器晶体管108的输出。

光电二极管104将入射到成像装置上的光转换为电荷。传输晶体管105根据传输脉冲φTX₁至φTX_n(n是整数：n≥2，而且下面也一样)传输在光电二极管104中产生的电荷。FD临时存储该电荷。根据选择脉冲φSEL₁至φSEL_n将选择晶体管106选择的像素的电荷转换为电压，并通过垂直输出线V₁至V_m输出给节点111。用作限幅装置以限制电压的限幅电路112连接到垂直输出线V₁至V_m，后面将对此描述。节点111向CDS电路130输出所接收的电荷。由水平扫描电路120驱动的选择器开关140选择性地接通以选择输出信号并通过输出放大器150向外输出该信号。复位开关107按照复位脉冲φRES₁至φRES_n消除(复位)存储在FD中的电荷。垂直扫描电路110选择传输晶体管105、选择晶体管106和复位开关107。

图2是更为详细示出布置在图1所示成像装置中的限幅电路112和与其连接的光电转换装置的配置的图。为了方便图示，图2示出三个像素101至103。但是像素的个数不限于此。

限幅电路112和像素101至103共享电流源负载109。限幅电路112使用于放大基于垂直输出线V1的电压的信号的放大电路限制(限幅)垂直输出线V1的电压。用作运算放大器的差分放大器113在非反相输入端114接收用于对垂直输出线V1限幅的控制电压，并且在反相输入端115接收垂直输出线V1的电压。差分放大器113的输出端116与NMOS晶体管117的栅极连接。VCLIP控制电路118向非反相输入端114选择性地提供VCLIP1和VCLIP2(＜VCLIP1)之一。

下面描述根据该实施例的光电转换装置的操作。图3是在根据该实施例的光电转换装置中使用的一组信号的示例性定时图。参照图3，水平轴代表时间，竖直轴代表信号波形。下面以像素101为例说明操作定时。其它像素可以按照相同的方式操作。

在时刻t₀，脉冲信号φSEL₁的电位是L(低)，而脉冲信号φRES₁的电位是H(高)。脉冲信号φTX₁为L从而将光电二极管104与浮置扩散FD电学断开连接。VCLIP控制电路118向非反相输入端114施加相对较高的电压VCLIP1。在这种状态下，选择晶体管106为OFF(断开)，从而不将图1的源极跟随器晶体管108的输出读出至垂直输出线V₁。复位开关107为ON(接通)，从而将位于源极跟随器晶体管108的输入部分的浮置扩散FD的电位设置为复位电平。

在时刻t₁，脉冲信号φSEL₁的电位变为H，而脉冲信号φRES₁的电位变为L。在这种状态下，复位开关107断开，而选择晶体管106接通。因此，源极跟随器晶体管108开始向垂直输出线V₁输出复位电平。在该操作中，如果强光入射到像素101上从而在光电二极管104中产生电荷(电子)，则源极跟随器晶体管108操作以向垂直输出线V₁输出低于复位电平的电压。

在这种情况下，当垂直输出线V₁的电压高于VCLIP1时，差分放大器113使输出端116具有低电位(L)，从而NMOS晶体管117稳定在强断开状态。这将NMOS晶体管117的亚阈值电流抑制为低。当垂直输出线V₁的电压低于VCLIP1时，差分放大器113的输出端116的电位根据差分放大器113的增益突然上升。当VCLIP1和垂直输出线V₁的电压(限幅电路112的输出电位)，即非反相输入端114的电位和反相输入端115的电位变成相等时，流向NMOS晶体管117的电流增加并且变稳定。在任一情况下，都可采用公知方法将后面在节点111出现的电压保持为复位电平。

在时刻t₂，脉冲信号φTX₁的电位变为H，从而接通传输晶体管105。传输晶体管105将光电二极管104中的电荷(电子)传送给浮置扩散FD。源极跟随器晶体管108的栅极的电位与入射到像素101上的光量成比例地降低。因此，垂直输出线V₁的电压下降。当非反相输入端114位于设定的限幅电压VCLIP1，而且垂直输出线V₁的电压变得低于VCLIP1时，差分放大器113操作以将垂直输出线V₁的电压固定为VCLIP1。因此，不可能检测到光致反应。

在时刻t₃，VCLIP控制电路118向非反相输入端114施加相对较低的电压VCLIP2(＜VCLIP1)。结果，当垂直输出线V₁的电压高于VCLIP2时，NMOS晶体管117稳定在强断开状态，并将其亚阈值电流抑制为低。此时，NMOS晶体管117的源极电位高于栅极电位。这中断了相对于限幅电路112构成的负反馈，从而向垂直输出线V₁输出像素输出本身。注意，VCLIP2优选是用于读取二极管104的饱和信号量的电荷的电压。

在时刻t₄，脉冲信号φTX₁的电位变为L以断开传输晶体管105，从而光电二极管104中电荷(电子)的传输结束。

在时刻t₅，脉冲信号φSEL₁的电位变为L，而脉冲信号φRES₁的电位变为H。这使得选择晶体管106断开从而将浮置扩散FD的电位设置在复位电平。

如上所述，该实施例使得能够进行通过借助差分放大动态地控制要施加在NMOS晶体管117的栅极上的电压来将垂直输出线V₁ 的电压设定为VCLIP1或VCLIP2的限幅操作。在该限幅操作开始之前，限幅电路的NMOS晶体管117被迫断开。这使得NMOS晶体管117的亚阈值电流特性几乎可忽略。可忽略的程度取决于差分放大器113的增益。例如，如果差分放大器113的增益是K，则代表限幅电路的NMOS晶体管117的亚阈值电流特性的S因子实际为1/K。这很大程度上等价于使用具有优异断开特性的晶体管构成的限幅电路。

根据该实施例，由于存在使限幅电路的NMOS晶体管117 输出VCLIP1或VCLIP2的反馈，因此可以使NMOS晶体管117中的阈值变化无效。

该实施例使用图2所示的差分放大器113。但是，本发明不限于此，该配置可以考虑电路规模、稳定性和功耗的需要而改变。

在该实施例中，VCLIP控制电路118动态地改变VCLIP1和VCLIP2。但是，为了例如防止垂直输出线V₁上的电压降，非反相输入端114可以直接接收VCLIP2而无需VCLIP控制电路118的介入。

该实施例假定图2所示的差分放大器113总是操作。但是，差分放大器113可以例如只在源极跟随器晶体管108的操作时刻操作。因此，可以通过动态控制差分放大器113的功率供应和功耗来实现低功耗。

(第二实施例)

图4是示出根据本发明第二优选实施例的成像装置的配置的图。该成像装置包括多个像素101至103，这与第一实施例相同。

限幅电路112具有包括公共栅极放大器163和公共源极放大器164的放大电路。公共栅极放大器163根据垂直输出线V₁和VCLIP1之间的差值向节点167输出电压。公共源极放大器164具有节点167作为输入节点。公共源极放大器164和像素101至103的源极跟随器共享电流源负载109。公共源极放大器164的输出节点与垂直输出线V₁连接。

下面描述根据该实施例的成像装置的操作。第一实施例的操作可以直接用于根据该实施例的成像装置的像素的操作定时。因此，下面只描述该实施例的限幅电路112的操作。

在时刻t₁，当在开始向垂直输出线V₁输出复位电平的操作时强光入射到像素101上时，晶体管操作以向垂直输出线V₁输出低于复位电平的电压。此时，如果该电位比VCLIP1低NMOS晶体管165的阈值，则限幅电路112中的公共栅极放大器163检测垂直输出线V₁的电压下降。此时，公共栅极放大器163向节点167输出具有对于垂直输出线V₁中的变化量为正增益的电压，作为公共源极放大器164的输入。由于这个原因，PMOS晶体管168的漏电流根据垂直输出线V₁中的下降而突然上升。当PMOS晶体管168的漏电流和流向公共栅极放大器163的电流之和变得等于流向电流源负载109的电流值时，垂直输出线V₁变稳定。

如上所述，该实施例可以使用少量的晶体管实现具有高限幅能力的限幅电路。

在该实施例中，从高效限幅操作的观点来看，优选将流向用作公共栅极放大器163的电流源负载的PMOS晶体管166的电流值设置为小于流向电流源负载109的电流值，以增加公共栅极放大器的增益。

为了相同的原因，优选将流向公共栅极放大器的电流设置为低于流向PMOS晶体管168的漏电流。为此，晶体管尺寸设计为使得PMOS晶体管168的跨导大于NMOS晶体管165和PMOS晶体管166的跨导，从而使PMOS晶体管168的驱动力更大。

在该实施例中，限幅电路112包括公共栅极放大器和公共源极放大器的级联连接。但是本发明不限于此。

(第三实施例)

在本发明的第三优选实施例中，描述通过针对每一列控制流向第二实施例的限幅电路中的公共栅极放大器163的电流源负载的电流值来控制限幅操作的实施例。该实施例使得能够改善列与列之间的信号不均匀，该信号不均匀是由于制造差异造成的限幅电路之间的特性差异而发生的。

图5是示出根据本发明第三优选实施例的成像装置的配置的图。向公共栅极放大器的电流源负载提供偏压的D/A(数字模拟)转换器210连接到每个限幅电路112。列存储单元220连接到D/A转换器210。外部输入端子240通过列存储选择器开关230连接到每个列存储单元220。

下面描述该成像装置的操作。限幅电路的特性由于例如制造差异而有所不同。这使垂直输出线的限幅电压变化。外部准备的存储表存储列与列之间的限幅电压变化。基于该限幅电压变化，所述装置计算用于校正列与列之间变化的偏压值，并从外部输入端子240向CMOS图像传感器输入该偏压的数字值。列存储单元220通过列存储选择器开关230依次存储从外部输入端输入的校正数据。在存储器中的存储完成之后，D/A转换器210将数字值转换为模拟电压值。可以通过用经过校正的偏压控制限幅电路112中的公共栅极放大器的电流值来校正限幅电压。这使得能够获得改善了列与列之间的信号不均匀性的成像结果。

在该实施例中，该装置从外部准备的存储表依次接收列与列之间的限幅电路的变化量校正数据。但是，反映经过校正的偏压数据的方法不限于此。

(第四实施例)

在本发明的第四优选实施例中，将描述一种可以基于限幅电路中流动的电流可以控制限幅操作的事实根据其驱动条件执行最佳限幅操作的成像装置。

在第二实施例的电路中，电流值控制公共栅极放大器的增益。图6是示出通过增益控制得到的限幅操作中的变化的图。参照图6，水平轴代表FD的电位，竖直轴代表垂直输出线的电压。

当垂直输出线达到由图6的线A表示的预定电压时，限幅电路开始操作。此时，如果限幅电路的公共栅极放大器的增益高，则该装置执行限幅操作，同时稍微降低垂直输出线的电压，如曲线801所示。这改善了限幅能力。

相反，如果增益低，则限幅电路执行曲线802表示的限幅操作。当增益低时，限幅能力也低。但是，由于开关点变得适中，因此抵抗像素输出中的变化的能力增大。

图7示出利用上述特性的成像装置的实施例。成像装置包括像素101至103、限幅电路112、D/A转换器210、模式确定单元300、电流源负载109、垂直扫描电路110、水平扫描电路120、CDS电路130、选择器开关140和输出放大器150。

在图7中，模式确定单元300确定成像装置的驱动条件，以便作为数字值向D/A转换器210施加取决于该驱动条件的偏压。D/A转换器210将该数字值转换为模拟电压，并通过节点200将其施加到限幅电路。

下面描述CDS电路130包括信号放大功能并根据增益调整偏压的例子。当增益高时，确定成像条件为在很难发生黑化的低亮度下的条件。设置用于实施如图6中曲线802所表示的限幅操作的偏压，以进行低噪声设定。当增益低时，确定成像条件为在很容易发生黑化的高亮度下的条件。设置用于实施如图6中曲线801所表示的限幅操作的偏压，重点在于限幅电位变化的减小和更宽的动态范围。

上面描述了根据CDS电路的增益优化限幅操作的方法。但是，在运动图像和静止图像之间切换时或者切换读出机制时，该实施例不仅适用于更改CDS电路的增益，而且还使得能够根据成像装置的驱动条件实现最佳的限幅操作。

第三和第四实施例通过使D/A转换器调整将要施加在用作电流源负载的晶体管的栅极上的偏压来控制电流值。但是，电流值调整方法不限于此。

上述实施例是以包括4个晶体管即选择晶体管、源极跟随器晶体管、复位开关(复位晶体管)和传输晶体管的像素结构为例来描述的。但是，本发明不限于此。任何其它像素结构也都可以采用，只要该像素结构可以保证复位电平和信号电平之间的差异。

(应用示例)

图8是示出使用根据本发明优选实施例的成像装置的成像系统的配置的图。该系统通过使来自物体的光(物体图像)穿过由光阑片1限定的开口，并且由用作拍摄光学系统的透镜2在光电转换装置4上形成图像，来执行光电转换。滤波器组3包括例如截除光的高频分量以防止莫尔纹的光学低通滤波器、颜色校正滤波器和红外线截除滤波器的组合。光电转换装置4使水平扫描电路120和垂直扫描电路110根据来自地址指定单元8的信号以二维方式选择像素，并且向定时调整单元 7输出信号。定时调整单元7调整来自光电转换装置4的一个或多个输出信号的定时。AGC(自动增益控制器)10控制从定时调整单元7输出的信号的电压。A/D转换器11将该信号转换为数字信号，以产生图像信息。相机DSP 12处理运动图像或静止图像的图像信息。用作控制单元的MPU 14在相机DSP 12中设置用于图像处理的参数或执行AF/AE操作。聚焦电机51前后移动聚焦透镜(未示出)以执行AF操作。DRAM 13用作用于图像处理的临时存储区。记录介质18用作非易失存储区。记录介质18的例子包括智能介质、磁带和光盘。视频编码器15和CRT 16显示经过处理的图像。例如采用LCD的取景器17用于在存储于记录介质18之前看物体。输出装置不限于CRT 16和取景器17。例如，也可以使用打印机。振荡器9产生提供给相机DSP 12和MPU 14的时钟信号。显示区指定单元19在例如取景器17上指定用于显示从光电转换装置4读出的图像的显示区域。

虽然参照示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应当被赋予最宽泛的解释，从而涵盖所有这样的修改和等同结构及功能。

Claims

1.一种光电转换装置，包括：

多个像素，每个像素具有：光电转换单元，配置为将光转换为电荷并存储该电荷；放大单元，配置为放大基于存储在光电转换单元中的电荷的信号并向输出线输出该信号；以及复位单元，配置为将放大单元的输入部分复位；以及

限幅单元，配置为限制输出线的电压，该限幅单元包括：放大电路，用于放大基于输出线的电压的信号；和MOS晶体管，用于基于所述MOS晶体管的栅极和源极之间的电位差限制输出线的电压，所述限幅单元通过放大电路控制所述MOS晶体管的栅极的电位，

其中，所述放大电路包括运算放大器，该运算放大器包括：

与输出线连接的反相输入端；以及

被施加预定电压的非反相输入端，

其中，所述放大电路根据施加在反相输入端的电压和施加在非反相输入端的电压之差来输出电压，以及

在输出线的电压低于所述预定电压的情况下，所述MOS晶体管将输出线的电压限幅在所述预定电压处。

2.根据权利要求1的光电转换装置，其中所述限幅单元还包括配置为向非反相输入端施加所述预定电压的控制单元，

其中当由复位单元设定的复位电平被读取到输出线上时，该控制单元向非反相输入端施加第一电压作为所述预定电压，而

当基于存储在光电转换单元中的电荷的信号被读取到输出线上时，该控制单元向非反相输入端施加低于第一电压的第二电压作为所述预定电压。

3.根据权利要求2的光电转换装置，其中当由复位单元设定的复位电平被读取到输出线上时，在输出线的电压低于所述预定电压的情况下，所述运算放大器执行操作以将输出线的电压稳定在第一电压。

4.根据权利要求1的光电转换装置，其中电流源负载与所述输出线连接。

5.一种光电转换装置，包括：

限幅单元，配置为限制输出线的电压，

其中，所述限幅单元包括公共栅极放大器和公共源极放大器，

所述公共栅极放大器包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管具有连接到电流源负载的漏极、连接到所述输出线的源极、以及被施加预定电压的栅极，以及

所述公共源极放大器包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管具有连接到所述NMOS晶体管的漏极的栅极、连接到所述NMOS晶体管的源极和所述输出线的漏极、以及连接到电源的源极。

6.一种成像装置，包括：

权利要求1或5所限定的光电转换装置；

第一扫描电路，用于依次选择布置在该光电转换装置上的所述多个像素；以及

第二扫描电路，用于依次选择输出线并从第一扫描电路选择的像素读取信号。

7.一种成像系统，包括：

拍摄光学系统；

权利要求6所限定的成像装置，所述成像装置对物体图像进行光电转换，并产生图像信息。