CN101044600A - 包含表面活性剂的化学机械抛光(cmp)组合物 - Google Patents

包含表面活性剂的化学机械抛光(cmp)组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN101044600A
CN101044600A CNA2005800360044A CN200580036004A CN101044600A CN 101044600 A CN101044600 A CN 101044600A CN A2005800360044 A CNA2005800360044 A CN A2005800360044A CN 200580036004 A CN200580036004 A CN 200580036004A CN 101044600 A CN101044600 A CN 101044600A
Authority
CN
China
Prior art keywords
acid
polishing composition
polishing
weight
surface active
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005800360044A
Other languages
English (en)
Inventor
孙韬
罗伯特·梅兹克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
CMC Materials Inc
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Priority to CN201110150388.XA priority Critical patent/CN102337080B/zh
Publication of CN101044600A publication Critical patent/CN101044600A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Abstract

本发明提供一种抛光组合物,其包括热解法氧化铝,α-氧化铝,二氧化硅,非离子表面活性剂,金属螯合有机酸,及液体载体。本发明还提供一种化学机械抛光基板的方法,其包括将基板与抛光垫和化学机械抛光组合物接触,并磨掉至少部分基板以抛光该基板。

Description

包含表面活性剂的化学机械抛光(CMP)组合物
                        技术领域
本发明涉及抛光组合物及使用该抛光组合物抛光基板的方法。
                        背景技术
对增加内存或硬盘容量的需求以及内存或硬盘小型化的趋势(因为计算机设备中需要更小磁盘驱动器)持续不断,强调内存或硬盘片制造方法的重要性,包括这类盘片的平坦化或抛光,以确保性能最佳。尽管存在几种用于与半导体装置制造相关的化学机械抛光(CMP)组合物及方法,但是几乎没有常规的CMP方法或商购的CMP组合物非常适于内存或硬盘片的平坦化或抛光。
随着对增加储存容量的需求的增加,因此需要改进抛光这类内存或硬盘片的方法。“内存或硬盘片”是指以电磁形式保持信息的任何磁盘、硬盘、硬盘片或记忆盘片。内存或硬盘片通常具有包含镍-磷的表面,但是内存或硬盘片表面也可以包含任何其它适宜的材料。由于磁盘驱动器的读写头与内存或硬盘片表面间的距离减小,所以必须提高内存或硬盘片的平坦度。减少内存或硬盘片的缺陷率(换言之,减少表面粗糙度)对增加记录密度是必需的。为了增加记录密度,在内存或硬盘片上每单位面积的记录密度也必须增加。
在抛光内存或硬盘片时,典型上盘片边缘接受到比盘片其余表面高的来自抛光工具的压力。典型地,抛光使用研磨剂、抛光垫、及液体载体的组合进行,其中研磨剂可悬浮在液体载体中,或可固定在抛光垫表面。因为抛光法主要由以研磨剂和/或垫机械研磨盘片所组成,与存在化学药品的作用相关,且研磨的速率至少部分为施加压力的函数,盘片边缘经历比盘片其它部分更高速率的研磨。这导致在盘片边缘上弯曲或圆形轮廓的形成,在本领域称为磨掉(rub-off或dub-off)。这类在盘片上圆形的区域对记录来说为不适当的。如此,若可减少磨掉的量,则可增加盘片的记忆容量。
因此,已扩大在改良内存或硬盘片的均匀抛光方法的研究中重要的努力。例如,美国专利6488729揭示包括抛光材料、抛光加速剂、羟丙基纤维素或羟烷基烷基纤维素及水的抛光组合物。美国专利6645051揭示包括聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚或聚氧乙烯聚氧丙烯共聚物、无机或有机酸、研磨剂及水的内存硬盘抛光组合物。
然而,这留下对以高速平坦化或抛光内存或硬盘片同时将表面缺点最小化的其它组合物或方法的需求。本发明提供这样的组合物及方法。本发明的这些及其它优点以及其它发明特征由此处提供的发明描述将变得明显。
                        发明内容
本发明提供包含(a)热解法氧化铝、(b)α-氧化铝、(c)二氧化硅、(d)10至1000ppm非离子表面活性剂、(e)金属螯合有机酸及(f)液体载体的抛光组合物。本发明还提供包括下面步骤的化学机械抛光基板的方法:(i)将基板与抛光垫和包含(a)热解法氧化铝、(b)α-氧化铝、(c)二氧化硅、(d)10至1000ppm非离子表面活性剂、(e)金属螯合有机酸及(f)液体载体的化学机械抛光组合物接触,(ii)将抛光垫相对于基板作移动,二者间具有化学机械抛光组合物,及(iii)磨掉至少部分基板以抛光基板。
                        具体实施方式
本发明提供一种包含(a)热解法氧化铝、(b)α-氧化铝、(c)二氧化硅、(d)10至1000ppm的非离子表面活性剂、(e)金属螯合有机酸及(f)液体载体的抛光组合物。该抛光组合物适当地让边侵蚀减少同时让抛光如内存硬盘的金属表面的移除速率增强。
抛光组合物包含热解法氧化铝、α-氧化铝及二氧化硅的混合物。热解法金属氧化物(如热解法氧化铝及热解法二氧化硅)可由任何适当挥发或非挥发前体制备。热解法金属氧化物可由挥发性前体水解和/或在高温火焰(H2/空气或H2/CH4/空气)中氧化前体(如金属氯化物)而产生,以产生感兴趣的金属氧化物。热解法金属氧化物可由非挥发性前体通过将其溶解或分散在适当溶剂(如水、醇、或酸-基溶剂)中而制备。含前体的溶液可利用液滴发生器喷洒到高温火焰中,之后可收集金属氧化物聚集体。典型的液滴发生器包括双流体喷雾器、高压喷嘴及超声波喷雾器。
热解法氧化铝为无定形的氧化铝,而α-氧化铝是指在1400℃以上的高温下形成的结晶多晶型(crystalline polymorph)氧化铝。α-氧化铝通常是指包含50重量%或更多的α-多晶型物的氧化铝。热解法氧化铝通常比α-氧化铝较少研磨作用。两种形式的氧化铝在本领域为熟知的且在宽范围的颗粒大小及表面积为商业上可得的。
二氧化硅可为任何适宜形式的二氧化硅。优选二氧化硅为胶体或热解法二氧化硅。热解法二氧化硅是指通过本文所述的方法生产的材料。
在本发明的上下文中,适宜的胶体二氧化硅包括湿法形式的二氧化硅颗粒(如冷凝聚合的二氧化硅颗粒)。冷凝聚合二氧化硅颗粒通常由冷凝Si(OH)4制备以形成胶体颗粒,这里胶体被定义为具有1nm至1000nm的平均颗粒尺寸。这种研磨颗粒可根据美国专利5230833制备,也可以由各种商售产品的形式得到,例如安科智诺贝尔(Akzo Nobel)的宾得士尔(Bindzil)50/80产品及纳尔科(Nalco)1050、2327及2329产品,以及其它可由杜邦(DuPont)、拜尔(Bayer)、应用研究(Applied Research)、日产化学(Nissan Chemical)及科莱恩(Clariant)得到的相似产品。
可用于本发明的研磨颗粒(即热解法氧化铝、α-氧化铝、二氧化硅及其它这类组分)优选具有至少3nm或更大(如3至1000nm)的平均颗粒尺寸。更优选研磨颗粒具有10nm或更大(如10至500nm甚至50至300nm)的平均颗粒尺寸。通常,研磨颗粒具有1000nm或更小(如800nm或更小)的平均颗粒尺寸。优选研磨颗粒具有500nm或更小(如300nm或更小)的平均颗粒尺寸。
抛光组合物可包含任何适当比例的热解法氧化铝、α-氧化铝及二氧化硅的混合物。通常,抛光组合物包含0.01重量%或更多(如0.05重量%或更多)的热解法氧化铝,0.01重量%或更多(如0.05重量%或更多)的α-氧化铝,及0.01重量%或更多(如0.05重量%或更多)的二氧化硅。优选地,抛光组合物包含5重量%或更少(如2重量%或更少)的热解法氧化铝,5重量%或更少(如2重量%或更少)的α-氧化铝,及10重量%或更少(如5重量%或更少)的二氧化硅。更优选抛光组合物包含0.2重量%至1重量%的热解法氧化铝,0.1重量%至1重量%的α-氧化铝,及0.1重量%至4重量%的胶体二氧化硅。
优选研磨颗粒是胶体稳定的。术语胶体是指研磨颗粒于液体载体中的悬浮液。胶体稳定性指长时间保持悬浮。就本发明而言,当将研磨剂置于100ml量筒中并使之在不搅拌的情况下静置2小时时,若量筒底部50ml中的颗粒浓度([B],以g/ml表示)与量筒顶部50ml中的颗粒浓度([T],以g/ml表示)之间的差除以研磨组合物中的初始颗粒浓度([C],以g/ml表示)小于或等于0.5(即{[B]-[T]}/[C]≤0.5),则研磨剂被视为是胶体稳定的。更优选{[B]-[T]}/[C]的值小于或等于0.3,最优选该值小于或等于0.1。
抛光组合物包含非离子表面活性剂。非离子表面活性剂的目的是减少在金属表面抛光中观察到的边抛光量和增强金属表面的移除速率。在金属表面的抛光中,通常边缘经历较高的来自抛光工具的向下力。因为研磨部分地为施加在表面上的压力的函数,金属边缘经历比表面其它部分快的金属侵蚀速率。这样不平均抛光金属表面的结果造成边缘侵蚀,这在本领域中称之为磨掉。不打算受任何特定理论的束缚,据信非离子表面活性剂吸附在金属表面上,进而形成润滑膜。
表面活性剂存在的典型缺点是降低金属表面的整体移除速率。表面活性剂在金属表面上的吸附减少研磨颗粒与金属表面的接触,而且由于研磨颗粒与金属表面的接触是磨蚀金属表面的主要机制,所以移除速率降低,常低于实用速率,如此限制了表面活性剂在抛光组合物中的可用性。然而,就本发明的抛光组合物而言,非离子表面活性剂的存在有利地增加整体金属移除速率。
通常,存在于抛光组合物中的非离子表面活性剂的量为至少10ppm(如10至1000ppm)。优选地,存在于抛光组合物中的非离子表面活性剂的量为1000ppm或更少(如800ppm或更少,或者600ppm或更少)。若非离子表面活性剂的量太低,则无法看到添加非离子表面活性剂的优点。若非离子表面活性剂的量过多,则会观察到金属移除速率降低和不利的磨掉效果。
非离子表面活性剂可以是任何适宜的非离子表面活性剂。适宜的非离子表面活性剂包括含有硅氧烷单元、氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂。前述共聚物表面活性剂的结构可以是线性的、悬垂的或三硅氧烷类型。这类共聚物表面活性剂的优选实例可以是商售的具有悬垂结构的硅维特(SilwetTM)族表面活性剂。包含硅氧烷单元、氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂可具有任何适宜的分子量或结构。
适宜的非离子表面活性剂还包括含有丙烯酸酯的聚合物。优选的含有丙烯酸酯的聚合物包含酯单体的醇组分上被氟取代的丙烯酸酯单体,例如其中醇组分的至少一个氢原子被氟取代。这类含有丙烯酸酯的聚合物的优选实例是商业上可得的福瑞德(FluoradTM)表面活性剂。
适宜的非离子表面活性剂还包括一端具有全氟烷基链而另一端具有羟基或烷基的氧化乙烯的线性聚合物。这类聚合物的优选实例包括商业上得自杜邦(DuPont)的隆尼尔(ZonylTM)系表面活性剂。
另外,适宜的非离子表面活性剂还包括具有氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的乙二胺的共聚物。这类共聚物的优选实例包括商业上可得自巴斯夫(BASF)的泰厝尼克(TetronicTM)族的嵌段共聚物表面活性剂。
抛光组合物还包含金属螯合有机酸。金属螯合有机酸为能与至少一个金属离子形成环状化合物(如螯合物)的有机羧酸。优选的金属螯合有机酸选自:丙二酸,琥珀酸,己二酸,乳酸,顺-丁烯二酸,苹果酸,柠檬酸,甘氨酸,天冬氨酸,酒石酸,葡萄糖酸,亚氨二乙酸,及反-丁烯二酸,或者任何羧酸或氨基羧酸。
抛光组合物可包含任何适量的金属螯合有机酸,通常包含0.0001重量%或更多的这类酸。优选抛光组合物包含0.001重量%或更多(如0.001重量%至0.5重量%)的金属螯合有机酸,更优选包含0.005重量%或更多(如0.005重量%至0.25重量%)的金属螯合有机酸。通常,抛光组合物包含1重量%或更少的金属螯合有机酸。优选抛光组合物包含0.5重量%或更少(如0.25重量%或更少)的金属螯合有机酸。
应当理解,前述羧酸可以盐(如金属盐、铵盐等)、酸、或以其部分盐的形式存在。例如,酒石酸盐包括酒石酸及其单盐和双盐。此外,包含碱性官能团的羧酸可以其碱性官能团的酸加成盐的形式存在。例如,甘氨酸包括甘氨酸及其酸加成盐。此外,一些化合物既可充当酸又可充当螯合剂(如某些氨基酸等)。
液体载体用来促进研磨剂(特别是热解法氧化铝、α-氧化铝及二氧化硅),表面活性剂,金属螯合有机酸,及任选添加剂到要抛光或平坦化的适宜基板表面的应用。液体载体通常为水性载体且可只是水,可包括水及适当可溶于水的溶剂,或者可以是乳液。适宜的可溶于水的溶剂包括醇(如甲醇、乙醇等)。优选水性载体由水组成,更优选由去离子水组成。
抛光组合物可具有任何适当的pH。优选抛光组合物的pH为7或更低(如6或更低)。优选抛光组合物的pH为1或更高(如2或更高)。更优选抛光组合物的pH为2至5。
抛光组合物的pH可通过任何适当的方法达到和/或维持。更具体地,抛光组合物可进一步包含pH调整剂、pH缓冲剂或其组合。pH调整剂可为任何适当的pH调整化合物。例如,pH调整剂可为硝酸、氢氧化钾或其组合。pH缓冲剂可为任何适当缓冲剂,例如,其可以为磷酸盐、硫酸盐、乙酸盐、硼酸盐、铵盐等。抛光组合物可包含任何适量的pH调整剂和/或pH缓冲剂,只要使用适宜的量以达到和/或维持抛光组合物在前述范围内的pH。抛光组合物还可包含氧化剂。优选的氧化剂选自:过氧化氢,过氧化氢脲,过硫酸,过氧乙酸,过硼酸,它们的盐类,及其组合。当氧化剂存在于抛光组合物中时,优选氧化剂占该组合物的10重量%或更少(如8重量%或更少,或者6重量%或更少)。
在优选的实施方案中,抛光组合物包含:(a)0.2至1重量%的热解法氧化铝,(b)0.1至1重量%的α-氧化铝,(c)0.1至4重量%的胶体二氧化硅,(d)10至1000ppm的选自包含硅氧烷单元、氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂的非离子表面活性剂,(e)酒石酸,及(f)水。在另一优选实施方案中,抛光组合物包含:(a)0.2至1重量%的热解法氧化铝,(b)0.1至1重量%的α-氧化铝,(c)0.1至4重量%的胶体二氧化硅,(d)10至1000ppm选自包含氧化乙烯单元和氧化丙烯单元的乙二胺共聚物的非离子表面活性剂,(e)酒石酸,及(f)水。
抛光组合物可由任何适当技术制备,许多这些技术是本领域的普通技术人员公知的。抛光组合物可以分批或连续方法制备。通常,抛光组合物可通过按任何次序混合其组分制备。本文中所用术语“组分”包含个别成分(如酸、碱等)以及各成分(如酸、碱、表面活性剂等)的混合物。
例如,研磨剂可分散在适当液体载体中。然后可添加非离子表面活性剂和金属螯合有机酸,并以能混合组分至抛光组合物中的任何方法混合。若需要氧化剂,则可在抛光组合物制备中的任何时间添加氧化剂。抛光组合物可在使用前制备,在正要使用之前(如在使用前1分钟内,或在使用前1小时内,或在使用前7天内)添加一种或多种组分(如任选的氧化剂)至抛光组合物中。抛光组合物也可以在抛光操作中通过在基板表面上混合各组分而制备。
抛光组合物可以包含热解法氧化铝、α-氧化铝、二氧化硅、非离子表面活性剂、金属螯合有机酸及液体载体的一个包装系统供应。作为选择,热解法氧化铝、α-氧化铝及二氧化硅可以第一容器中的液体载体中的分散液供应,非离子表面活性剂和金属螯合有机酸可在第二容器中以干的形式或以在液体载体中的溶液或分散液供应。任选的组分(如氧化剂)可置于第一和/或第二容器或第三容器中。此外,在第一或第二容器中的组分可为干的形式,而同时在相应容器中的组分可为水溶液分散液的形式。另外,在第一或第二容器中的组分具有不同pH值为适当的,或作为选择具有基本上相似(甚至相等)的pH值。若任选的组分(氧化剂)为固体,其可由干的形式或在液体载体中的混合物的形式供给。优选氧化剂同抛光组合物其它组分分离地供给,并由例如终端用户在使用前(如使用前1周或更短,使用前1天或更短,使用前1小时或更短,使用前10分钟或更短,或使用前1分钟或更短)与抛光组合物的其它组分结合。其它二容器(或三或更多的容器)的抛光组合物组分的组合在本领域普通技术人员的知识中。
本发明抛光组合物可由打算在使用前以适量液体载体稀释的浓缩物的形式提供。在该实施方案中,抛光组合物浓缩物可包含热解法氧化铝、α-氧化铝、二氧化硅、非离子表面活性剂、金属螯合有机酸及液体载体,其含量使得以适当量的水稀释浓缩物后,抛光组合物的每一组分以上面所述每一组分的适当范围内的量存在抛光组合物中。例如,热解法氧化铝、α-氧化铝、二氧化硅、非离子表面活性剂及金属螯合有机酸每一种可比上面所述每一组分的浓度大2倍(如3倍、4倍、或5倍)的浓度存在,使得当浓缩物以等量的液体载体(如分别以2等体积的液体载体、3等体积的液体载体或4等体积的液体载体)稀释时,每一组分将以上面所述每一组分的范围内的量存在抛光组合物中。此外,如本领域的普通技术人员将了解的,浓缩物可含有适当比例的存在最终抛光组合物中的液体载体以确保非离子表面活性剂、金属螯合有机酸及其它适当添加剂至少部分或完全溶解在浓缩物中。
尽管抛光组合物可在使用前或甚至使用前的短时间内制好,但是抛光组合物也可以通过在或接近使用点混合抛光组合物的组分而产生。本文所用术语“使用点”是指将抛光组合物涂布到基板表面(如抛光垫或基板表面本身)的点。当以使用点混合的方式制备抛光组合物时,抛光组合物的各组分分开储存在二个或更多的储存装置中。
为了混合储存装置中所含的组分以在或接近使用点产生抛光组合物,储存装置通常装有一条或多条流动管线,由各储存装置引导到抛光组合物的使用点(如压磨板(platen)、抛光垫或基板表面)。术语“流动管线”意指由个别储存容器到储存组分的使用点的流动路径。所述一条或多条流动管线可各自直接引导到使用点,或在使用超过一条流动管线的情况下,二条或多条流动管线可在任何点结合成引导至使用点的单一流动管线。此外,一条或多条流动管线的任何一条(如个别流动管线或结合的流动管线)可在达到组分的使用点之前先引导至一个或多个其它装置(如泵送装置、测量装置、混合装置等)。
抛光组合物的组分可单独输送到使用点(如将组分输送到基板表面并在抛光过程中进行混合),或者组分也可以在输送到使用点前立刻混合。若组分在达到使用点之前小于10秒混合,以达到使用点之前小于5秒为优选,以达到使用点之前小于1秒更优选,甚至在输送到使用点的同时(如组分在分配器混合),此即“在输送到使用点之前立刻混合”。若组分在使用点的5m内,如在使用点的1m内,甚至在使用点的10cm内(如在使用点的1cm内)混合,这也是“在输送到使用点之前立刻混合”。
当二种或多种的抛光组合物组分在达到使用点之前混合时,组分可在流动管线中混合并输送到使用点而不使用混合装置。作为选择,可以将一条或多条流动管线引导到混合装置,以促进二种或多种组分的混合。可使用任何适当的混合装置。例如,混合装置可为二种或多种组分流动通过的喷嘴或喷射头(如高压喷嘴或喷射头)。作为选择,混合装置可以是包括一个或多个将抛光淤浆的二种或多种组分导入到混合器中的注入口及至少一个让混合的组分离开混和器输送(直接或通过装置的其它组件(如通过条或多条流动管线))到使用点的出口的容器型混合装置。此外,混合装置可包括一个以上的小室,每小室具有至少一个注入口和至少一个出口,其中二种或多种组分在每小室中混合。若使用容器型混合装置,则优选该混合装置包括进一步促进组分混合的混合机构。混合机构通常是本领域中公知的,包括搅拌器、掺混器、震动器、桨挡板、气体分布器系统、振动器等。
本发明还提供一种化学机械抛光基板的方法,包括:(i)将基板与抛光垫及包含本文所述组分的抛光组合物接触,(ii)相对基板移动抛光垫,二者之间具有抛光组合物,及(iii)磨掉至少部分基板以抛光基板。
利用本发明的方法抛光的基板可以是任何适宜的基板。优选的基板包括至少一层金属层。适宜的基板包括但不限于内存或硬盘片、集成电路、金属、层间介电(ILD)装置、半导体、微电子机械系统、铁电物质及磁头。
金属层可包含任何适当金属。例如,金属层可包含铜、钽、钛、钨、铝、镍、镍-磷、其组合、及其合金。特别适合的金属基板包含铝、镍-磷涂布的铝、或镍涂布的铝。基板还可包含至少一层绝缘层。该绝缘层可为金属氧化物、多孔金属氧化物、玻璃、有机聚合物、氟化有机聚合物、或任何其它适当的高或低κ绝缘层。
本发明的抛光方法特别适合与化学机械抛光(CMP)装置相关的用途。通常,该装置包括在使用时运动且具有由轨道、线性或圆周运动产生的速度的压磨板、接触压磨板并在运动时随压磨板移动的抛光垫、及通过接触并相对抛光垫表面移动支撑欲抛光基板的载体。基板抛光通过将基板与抛光垫及本发明抛光组合物接触且之后抛光垫相对基板移动完成,使至少部分基板磨掉以抛光基板。
本发明的抛光方法同样适合与为抛光内存或硬盘片而设计的抛光装置的联合使用。通常,该装置包括一对压磨板(即上压磨板与下压磨板)及一对抛光垫(即固定在上压磨板的上抛光垫与固定在下压磨板的下抛光垫)。上压磨板及上抛光垫有一系列的孔或沟道让抛光组合物或淤浆通过上压磨板及上抛光垫到欲抛光的硬盘片表面。下压磨板还包括一系列的内和外齿轮,用于旋转一个或多个盘片载体。载体支撑一片或多片硬盘片,使硬盘片的各主要表面(即上和下表面)可接触上和下抛光垫。当使用时,硬盘片表面与抛光垫及抛光组合物或淤浆接触,上和下压磨板独立地绕共同轴旋转。还驱动下压磨板的齿轮,使载体绕在上和下压磨板和/或上和下抛光垫的表面中的轴线或轴旋转。产生的圆周运动(因压磨板及抛光垫的旋转)及轨道运动(因载体的循转)的组合平衡地抛光硬盘片的上和下表面。
基板可由化学机械抛光组合物以任何适当抛光垫(即抛光表面)平坦化或抛光。适当抛光垫包括但不限于例如织物或无纺物抛光垫。此外,适当的抛光垫可包括密度、硬度、厚度、压缩性能、压缩后弹回的能力及压缩模数变化的任何适当聚合物。适当的聚合物包括例如聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龙、碳氟化物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其相应的共形成产物、及其混合物。
适当地,CMP装置还包含原位抛光终点侦测系统,许多此系统为本领域已知的。通过分析工件表面反射的光或其它辐射检查并监视抛光过程的技术为本领域已知的。这类方法在例如美国专利5196353、美国专利5433651、美国专利5609511、美国专利5643046、美国专利5658183、美国专利5730642、美国专利5838447、美国专利5872633、美国专利5893796、美国专利5949927、及美国专利5964643中描述。适当地,检查或监视相关欲抛光工件的抛光过程的进展能决定抛光终点,即决定何时停止相关特定工件的抛光过程。
实施例
下面实施例进一步描述本发明但当然不应解释为以任何方式限制本发明的范围。
在每一个实施例中,包含镀Ni-P的铝盘片的相似基板以包含在水中的0.2重量%的热解法氧化铝、0.8重量%的平均0.35μm颗粒直径的α-氧化铝、3重量%的胶体二氧化硅、0.8重量%的酒石酸及1.2重量%的过氧化氢的抛光组合物抛光。对照抛光组合物不含其它成分(即没有表面活性剂)。本发明抛光组合物还包含实施例中所述的非离子表面活性剂。抛光试验通常包括商业上可得到的装有抛光垫的抛光装置,所有抛光试验的抛光参数皆相同。
下面的抛光,移除速率以/分钟测定,且边缘抛光参数使用测量与远离测试基板边缘移除材料相比较从边缘过量移除的材料的技术测定。较低的数字指示较低程度的边缘抛光(即较低量的磨掉)。
实施例1
本实施例显示以本发明抛光组合物观察到的选自硅维特表面活性剂的包含硅氧烷单元、氧化乙烯单元、及氧化丙烯单元的不同共聚物表面活性剂对于移除速率及边缘抛光的效果。由镀Ni-P的铝盘片组成的相似基板以不含表面活性剂的对照抛光组合物及含200ppm的所述表面活性剂的本发明抛光组合物抛光。结果列在表1中。
表1:不同硅维特表面活性剂对于移除速率及边缘抛光的效果
  表面活性剂   移除速率(/分钟)   边缘抛光
  无(对照)   2612   13.8
  硅维特L7622   2762   14.2
硅维特L77 3220 12.5
  硅维特L7200   3460   7.4
  硅维特L7602   3151   12.8
由表1所列的结果可看出,除了一种之外所有本发明抛光组合物比对照抛光组合物减少边缘抛光的量。所有本发明抛光组合物比对照抛光组合物增加移除速率。使用硅维特7200明显减少边缘抛光约46%同时增加移除速率约32%。如此,此实施例的结果证明含有包含硅氧烷单元、氧化乙烯单元、及氧化丙烯单元的非离子表面活性剂的本发明抛光组合物在镀Ni-P的铝盘片的抛光上边缘抛光减少及移除速率改良。
实施例2
本实施例显示以本发明抛光组合物观察到的增加具有氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的乙二胺共聚物的表面活性剂(特别是泰厝尼克904)的量对于边缘抛光及移除速率的效果。由镀Ni-P的铝盘片组成的相似基板以不含表面活性剂的对照抛光组合物及以含各种量的泰厝尼克904的本发明抛光组合物抛光。结果列在表2中。
表2:增加泰厝尼克904的量对于移除速率及边缘抛光的效果
  表面活性剂的量(ppm)   移除速率(/分钟)   边缘抛光
  无(对照)   2455   14.5
  50   2701   11.1
  200   2897   7.3
  400   2947   8.2
  600   3106   9.7
  1000   3159   11.7
由表2所列的结果可看出,泰厝尼克904的量由零增加到1000ppm使移除速率比对照抛光组合物增加约29%。边缘抛光量的减少在200ppm及400ppm量的泰厝尼克904下最佳,边缘抛光约为对照组合物的43-50%,且比对照抛光组合物增加约20%的移除速率。在高水平的泰厝尼克904下(如600ppm及1000ppm),边缘抛光的量由200ppm和400ppm稍微增加,同时移除速率比对照抛光组合物增加。如此,此实施例的结果证明在镀Ni-P的铝盘片的抛光中,通过控制本发明组合物中非离子表面活性剂的量可达到改良的抛光效果。
实施例3
本实施例显示以本发明抛光组合物观察到的增加包含硅氧烷单元、氧化乙烯单元、及氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂(特别是硅维特7200)的量对于移除速率及边缘抛光的效果。由镀Ni-P的铝盘片组成的相似基板以不含表面活性剂的对照抛光组合物及含各种量的硅维特7200的本发明抛光组合物抛光。结果列在表3中。
表3:增加硅维特7200的量对于移除速率及边缘抛光的效果
  表面活性剂的量(ppm)   移除速率(/分钟)   边缘抛光
  无(对照)   2437   13.7
  50   2725   9.5
  100   2697   10.4
  200   2939   7.9
  400   2995   9.1
  600   2502   10.7
  1000   2543   12.6
由表3所列的结果可看出,硅维特7200的量由零增加到1000ppm使边缘抛光减少,在200ppm的表面活性剂观察到约42%的最大减少,之后边缘抛光的量随表面活性剂的量增加而增加到接近对照抛光组合物水平。使用含200ppm和400ppm的硅维特7200的抛光组合物的移除速率相应地增加到比对照抛光组合物观察到的移除速率大约21%的最大值,同时增加表面活性剂的量展现比最佳表面活性剂的量观察到较低的移除速率。如此,此实施例的结果证明本发明抛光组合物中非离子表面活性剂的量在镀N-P的铝盘片的抛光上的效果。
实施例4
本实施例显示以本发明抛光组合物观察到的增加包含在一端的全氟化烷基链及在另一端的羟基的氧化乙烯线性聚合物的共聚物表面活性剂(特别是隆尼尔FSO)的量对于边缘抛光及移除速率的效果。由镀Ni-P的铝盘片组成的相似基板以不含表面活性剂的对照抛光组合物及以含各种量的隆尼尔FSO的本发明抛光组合物抛光。结果列在表4中。
表4:增加隆尼尔FSO的水平对于移除速率及边缘抛光的效果
表面活性剂的量(ppm) 移除速率(/分钟) 边缘抛光
  无(对照)   2714   14.9
  50   2570   12.4
  100   2341   11.8
  200   2862   9.7
  400   2604   8.2
  600   2896   7.7
  1000   2948   8.3
由表4所列的结果可看出,在抛光组合物中增加隆尼尔FSO的量使边缘抛光减少,在600ppm观察到最大的减少,在此点边缘抛光的量比对照抛光组合物观察到的量低约48%。抛光组合物中隆尼尔FSO对于移除速率的效果有点不规则,但在600ppm表面活性剂下比对照抛光组合物观察到的移除速率约增加7%。如此,此实施例的结果证明本发明抛光组合物中隆尼尔FSO的量在镀N-P的铝盘片的抛光上的效果。

Claims (26)

1.一种抛光组合物,包含:
(a)热解法氧化铝,
(b)α-氧化铝,
(c)二氧化硅,
(d)10至1000ppm的非离子表面活性剂,
(e)金属螯合有机酸,及
(f)液体载体。
2.根据权利要求1的抛光组合物,其中该抛光组合物包含0.2至1重量%的热解法氧化铝,0.1至1重量%的α-氧化铝,及0.1至4重量%的胶体二氧化硅。
3.根据权利要求1的抛光组合物,其中该非离子表面活性剂选自包含硅氧烷单元、氧化乙烯单元和氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂。
4.根据权利要求1的抛光组合物,其中该非离子表面活性剂选自包含丙烯酸的聚合物。
5.根据权利要求1的抛光组合物,其中该非离子表面活性剂选自一端为全氟化烷基链而另一端为羟基或烷基的氧化乙烯线性聚合物。
6.根据权利要求1的抛光组合物,其中该非离子表面活性剂选自具有氧化乙烯单元和氧化丙烯单元的乙二胺共聚物。
7.根据权利要求1的抛光组合物,其中该金属螯合有机酸选自丙二酸,琥珀酸,己二酸,乳酸,顺-丁烯二酸,苹果酸,柠檬酸,甘氨酸,天冬氨酸,酒石酸,葡萄糖酸,亚氨二乙酸,及反-丁烯二酸。
8.根据权利要求1的抛光组合物,其中该液体载体包括水。
9.根据权利要求8的抛光组合物,其中该抛光组合物的pH为1至7。
10.根据权利要求9的抛光组合物,其中该抛光组合物的pH为2至5。
11.根据权利要求1的抛光组合物,还包含选自下列的氧化剂:过氧化氢,过氧化氢脲,过硫酸,过氧乙酸,过硼酸,它们的盐,及其组合。
12.根据权利要求1的抛光组合物,包含:
(a)0.2至1重量%的热解法氧化铝,
(b)0.1至1重量%的α-氧化铝,
(c)0.1至4重量%的二氧化硅,
(d)10至1000ppm选自包括硅氧烷单元、氧化乙烯单元和氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂的非离子表面活性剂,
(e)酒石酸,及
(f)水,
其中该抛光组合物的pH为2至5。
13.根据权利要求1的抛光组合物,包含:
(a)0.2至1重量%的热解法氧化铝,
(b)0.1至1重量%的α-氧化铝,
(c)0.1至4重量%的二氧化硅,
(d)10至1000ppm选自具有氧化乙烯单元和氧化丙烯单元的乙二胺共聚物的非离子表面活性剂,
(e)酒石酸,
(f)过氧化氢,及
(g)水,
其中该抛光组合物的pH为2至5。
14.一种化学机械抛光基板的方法,包括:
(i)将基板与抛光垫和包含下面组分的化学机械抛光组合物接触:
(a)热解法氧化铝,
(b)α-氧化铝,
(c)二氧化硅,
(d)10至1000ppm的非离子表面活性剂,
(e)金属螯合有机酸,及
(f)液体载体,
(ii)将抛光垫相对于基板移动,二者间具有化学机械抛光组合物,以及
(iii)磨掉至少部分基板以抛光该基板。
15.根据权利要求14的方法,其中该抛光组合物包含0.2至1重量%的热解法氧化铝,0.1至1重量%的α-氧化铝,及0.1至4重量%的胶体二氧化硅。
16.根据权利要求14的方法,其中该非离子表面活性剂选自包括硅氧烷单元、氧化乙烯单元和氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂。
17.根据权利要求14的方法,其中该非离子表面活性剂选自丙烯酸酯的三元共聚物。
18.根据权利要求14的方法,其中该非离子表面活性剂选自一端为全氟化烷基链而另一端为羟基或烷基的氧化乙烯线性聚合物。
19.根据权利要求14的方法,其中该非离子表面活性剂选自具有氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的乙二胺的共聚物。
20.根据权利要求14的方法,其中该金属螯合有机酸选自丙二酸,琥珀酸,己二酸,乳酸,顺-丁烯二酸,苹果酸,柠檬酸,甘氨酸,天冬氨酸,酒石酸,葡萄糖酸,亚氨二乙酸,及反-丁烯二酸。
21.根据权利要求14的方法,其中该液体载体包括水。
22.根据权利要求21的方法,其中该抛光组合物的pH为1至7。
23.根据权利要求22的方法,其中该抛光组合物的pH为2至5。
24.根据权利要求14的方法,还包含选自下列的氧化剂:过氧化氢,过氧化氢脲,过硫酸,过氧乙酸,过硼酸,它们的盐,及其组合。
25.根据权利要求14的方法,其中该化学机械抛光组合物包含:
(a)0.2至1重量%的热解法氧化铝,
(b)0.1至1重量%的α-氧化铝,
(c)0.1至4重量%的二氧化硅,
(d)10至1000ppm选自包括硅氧烷单元、氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的共聚物表面活性剂的非离子表面活性剂,
(e)酒石酸,及
(f)水,
其中该抛光组合物的pH为2至5。
26.根据权利要求14的方法,其中该化学机械抛光组合物包含:
(a)0.2至1重量%的热解法氧化铝,
(b)0.1至1重量%的α-氧化铝,
(c)0.1至4重量%的二氧化硅,
(d)10至1000ppm选自具有氧化乙烯单元及氧化丙烯单元的乙二胺共聚物的非离子表面活性剂,
(e)酒石酸,
(f)过氧化氢,及
(g)水,
其中该抛光组合物的pH为2至5。
CNA2005800360044A 2004-10-28 2005-10-21 包含表面活性剂的化学机械抛光(cmp)组合物 Pending CN101044600A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110150388.XA CN102337080B (zh) 2004-10-28 2005-10-21 包含表面活性剂的化学机械抛光组合物

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/975,585 2004-10-28
US10/975,585 US7524347B2 (en) 2004-10-28 2004-10-28 CMP composition comprising surfactant

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110150388.XA Division CN102337080B (zh) 2004-10-28 2005-10-21 包含表面活性剂的化学机械抛光组合物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101044600A true CN101044600A (zh) 2007-09-26

Family

ID=35840204

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110150388.XA Expired - Fee Related CN102337080B (zh) 2004-10-28 2005-10-21 包含表面活性剂的化学机械抛光组合物
CNA2005800360044A Pending CN101044600A (zh) 2004-10-28 2005-10-21 包含表面活性剂的化学机械抛光(cmp)组合物

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110150388.XA Expired - Fee Related CN102337080B (zh) 2004-10-28 2005-10-21 包含表面活性剂的化学机械抛光组合物

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7524347B2 (zh)
EP (1) EP1829093B1 (zh)
JP (1) JP4965451B2 (zh)
KR (1) KR101109300B1 (zh)
CN (2) CN102337080B (zh)
AT (1) ATE421769T1 (zh)
DE (1) DE602005012546D1 (zh)
IL (1) IL182536A (zh)
MY (1) MY143941A (zh)
TW (1) TWI313703B (zh)
WO (1) WO2006049912A2 (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101469252A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 福吉米股份有限公司 研磨用组合物
WO2010012159A1 (zh) * 2008-08-01 2010-02-04 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液
WO2010034181A1 (zh) * 2008-09-05 2010-04-01 安集微电子科技(上海)有限公司 胺类化合物的应用以及一种化学机械抛光液
CN101177591B (zh) * 2007-12-07 2010-06-02 天长市华润清洗科技有限公司 金属抛光剂及其制备方法
CN102089866A (zh) * 2008-07-11 2011-06-08 霓达哈斯股份有限公司 研磨组合物
CN102804345A (zh) * 2009-06-04 2012-11-28 嘉柏微电子材料股份公司 用于镍-磷存储盘的抛光组合物
CN102361950B (zh) * 2009-02-03 2014-05-28 嘉柏微电子材料股份公司 用于镍-磷存储磁盘的抛光组合物
CN101960519B (zh) * 2008-01-08 2014-09-24 卡伯特微电子公司 用于抛光覆盖有镍-磷的铝硬磁盘的组合物及方法
CN105405454A (zh) * 2010-08-03 2016-03-16 西部数据传媒公司 用于高温应用的无电涂覆磁盘及其制造方法
WO2016097915A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) composition for high effective polishing of substrates comprising germanium
CN107541731A (zh) * 2017-09-05 2018-01-05 江苏飞拓界面工程科技有限公司 一种铝及铝合金高效环保抛光液及其制备方法
CN110036086A (zh) * 2016-12-28 2019-07-19 霓达哈斯股份有限公司 研磨用组合物
CN112646151A (zh) * 2020-12-09 2021-04-13 华南师范大学 一种可降解的生物基缓释型铅离子螯合剂及其制备方法和应用

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
US7531105B2 (en) * 2004-11-05 2009-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7504044B2 (en) 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
KR100684877B1 (ko) * 2005-01-05 2007-02-20 삼성전자주식회사 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학적 기계적 연마 공정을포함하는 반도체 소자 제조 방법
US20080096385A1 (en) * 2006-09-27 2008-04-24 Hynix Semiconductor Inc. Slurry composition for forming tungsten pattern and method for manufacturing semiconductor device using the same
US20080148652A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Compositions for chemical mechanical planarization of copper
CN103045099B (zh) * 2007-09-14 2015-03-25 安集微电子(上海)有限公司 用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
JP5280774B2 (ja) * 2007-09-14 2013-09-04 花王株式会社 垂直磁気記録方式ハードディスク用基板用水系洗浄剤組成物
US8540894B2 (en) * 2007-09-28 2013-09-24 Nitta Haas Incorporated Polishing composition
US7905994B2 (en) * 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
JP4981750B2 (ja) * 2007-10-29 2012-07-25 花王株式会社 ハードディスク基板用研磨液組成物
US20090188553A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Emat Technology, Llc Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures
US8247326B2 (en) * 2008-07-10 2012-08-21 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing nickel-phosphorous
JP5576634B2 (ja) * 2008-11-05 2014-08-20 山口精研工業株式会社 研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法
KR101178717B1 (ko) 2008-12-22 2012-08-31 제일모직주식회사 다결정 실리콘 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
US8883034B2 (en) * 2009-09-16 2014-11-11 Brian Reiss Composition and method for polishing bulk silicon
JP5536433B2 (ja) * 2009-12-11 2014-07-02 花王株式会社 ハードディスク基板用研磨液組成物
KR20120020556A (ko) * 2010-08-30 2012-03-08 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정의 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 상변화 메모리 소자의 형성 방법
KR20120136881A (ko) * 2011-06-10 2012-12-20 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
JP2013030235A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Alphana Technology Co Ltd 回転機器および回転機器を製造する方法
US9039914B2 (en) * 2012-05-23 2015-05-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks
KR102136432B1 (ko) * 2012-06-11 2020-07-21 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 몰리브덴을 연마하기 위한 조성물 및 방법
JP5580441B2 (ja) * 2013-03-05 2014-08-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US9196283B1 (en) 2013-03-13 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording transducer using a chemical buffer
US8961807B2 (en) 2013-03-15 2015-02-24 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions with low solids content and methods related thereto
MY177717A (en) 2013-10-18 2020-09-23 Cmc Mat Inc Polishing composition and method for nickel-phosphorous coated memory disks
US9401104B2 (en) 2014-05-05 2016-07-26 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for edge roll-off improvement
TWI530557B (zh) * 2014-05-29 2016-04-21 卡博特微電子公司 具高移除速率及低缺陷率之對氧化物與多晶矽及氮化物具有選擇性的cmp組合物
US9828574B2 (en) 2015-01-13 2017-11-28 Cabot Microelectronics Corporation Cleaning composition and method for cleaning semiconductor wafers after CMP
US10315285B2 (en) 2015-04-06 2019-06-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition and method for polishing rigid disks
US11193059B2 (en) 2016-12-13 2021-12-07 Current Lighting Solutions, Llc Processes for preparing color stable red-emitting phosphor particles having small particle size
CN111566735B (zh) * 2017-12-27 2022-06-03 花王株式会社 铝制磁盘的制造方法
JP7183863B2 (ja) * 2018-03-13 2022-12-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
US10479911B1 (en) 2018-06-05 2019-11-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing memory hard disks exhibiting reduced edge roll off
JP2019131814A (ja) * 2019-03-08 2019-08-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
WO2021231090A1 (en) * 2020-05-11 2021-11-18 Versum Materials Us, Llc Novel pad-1 n-a-bottle (pib) technology for advanced chemical-mechanical planarization (cmp) slurries and processes
WO2022026369A1 (en) * 2020-07-29 2022-02-03 Versum Materials Us, Llc Pad-in-a-bottle (pib) technology for copper and through-silicon via (tsv) chemical-mechanical planarization (cmp)

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5230833A (en) * 1989-06-09 1993-07-27 Nalco Chemical Company Low sodium, low metals silica polishing slurries
US5196353A (en) * 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US6614529B1 (en) * 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5433651A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
JP3270282B2 (ja) * 1994-02-21 2002-04-02 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP3313505B2 (ja) * 1994-04-14 2002-08-12 株式会社日立製作所 研磨加工法
US5964643A (en) * 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5838447A (en) * 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
US5858813A (en) * 1996-05-10 1999-01-12 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
KR100302671B1 (ko) * 1996-07-25 2001-09-22 피. 제리 코더 화학기계적연마용조성물및화학기계적연마방법
US5872633A (en) * 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6039891A (en) * 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6068787A (en) * 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US6190237B1 (en) * 1997-11-06 2001-02-20 International Business Machines Corporation pH-buffered slurry and use thereof for polishing
US6432828B2 (en) * 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
JP4163785B2 (ja) * 1998-04-24 2008-10-08 スピードファム株式会社 研磨用組成物及び研磨加工方法
US6177026B1 (en) * 1998-05-26 2001-01-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP slurry containing a solid catalyst
CN1092698C (zh) * 1998-08-04 2002-10-16 长兴化学工业股份有限公司 半导体制程用的化学机械研磨组合物
JP4053165B2 (ja) * 1998-12-01 2008-02-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP2000160139A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6395194B1 (en) * 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
KR100447551B1 (ko) * 1999-01-18 2004-09-08 가부시끼가이샤 도시바 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
US6855266B1 (en) * 1999-08-13 2005-02-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system with stopping compound and method of its use
US6471735B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-29 Air Liquide America Corporation Compositions for use in a chemical-mechanical planarization process
US6429133B1 (en) * 1999-08-31 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Composition compatible with aluminum planarization and methods therefore
US6376381B1 (en) * 1999-08-31 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6280490B1 (en) * 1999-09-27 2001-08-28 Fujimi America Inc. Polishing composition and method for producing a memory hard disk
US6488729B1 (en) * 1999-09-30 2002-12-03 Showa Denko K.K. Polishing composition and method
US6435944B1 (en) * 1999-10-27 2002-08-20 Applied Materials, Inc. CMP slurry for planarizing metals
US6350393B2 (en) * 1999-11-04 2002-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Use of CsOH in a dielectric CMP slurry
JP3841995B2 (ja) * 1999-12-28 2006-11-08 Necエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP2001269859A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
JP4552275B2 (ja) * 2000-05-30 2010-09-29 株式会社アドヴィックス 車両の液圧ブレーキ装置
JP4156175B2 (ja) * 2000-05-31 2008-09-24 山口精研工業株式会社 タンタル酸リチウム/ニオブ酸リチウム単結晶材料用精密研磨組成物
US6468913B1 (en) * 2000-07-08 2002-10-22 Arch Specialty Chemicals, Inc. Ready-to-use stable chemical-mechanical polishing slurries
JP2002075927A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6541384B1 (en) * 2000-09-08 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method of initiating cooper CMP process
US6461227B1 (en) * 2000-10-17 2002-10-08 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a memory or rigid disk with an ammonia-and/or halide-containing composition
JP3768401B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Necエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP4009986B2 (ja) * 2000-11-29 2007-11-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法
JP2002231666A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6579923B2 (en) * 2001-02-05 2003-06-17 3M Innovative Properties Company Use of a silicone surfactant in polishing compositions
CN100378145C (zh) * 2001-06-21 2008-04-02 花王株式会社 研磨液组合物
JPWO2003005431A1 (ja) * 2001-07-04 2004-10-28 セイミケミカル株式会社 半導体集積回路用化学機械的研磨スラリー、研磨方法、及び半導体集積回路
SG144688A1 (en) * 2001-07-23 2008-08-28 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method employing it
US6677239B2 (en) * 2001-08-24 2004-01-13 Applied Materials Inc. Methods and compositions for chemical mechanical polishing
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US7097541B2 (en) 2002-01-22 2006-08-29 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US6641630B1 (en) * 2002-06-06 2003-11-04 Cabot Microelectronics Corp. CMP compositions containing iodine and an iodine vapor-trapping agent
US6604987B1 (en) * 2002-06-06 2003-08-12 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions containing silver salts
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
US6896591B2 (en) * 2003-02-11 2005-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same
JP2004247605A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Toshiba Corp Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101177591B (zh) * 2007-12-07 2010-06-02 天长市华润清洗科技有限公司 金属抛光剂及其制备方法
CN101469252A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 福吉米股份有限公司 研磨用组合物
CN101960519B (zh) * 2008-01-08 2014-09-24 卡伯特微电子公司 用于抛光覆盖有镍-磷的铝硬磁盘的组合物及方法
CN104031609B (zh) * 2008-07-11 2016-08-03 霓达哈斯股份有限公司 研磨组合物
CN102089866A (zh) * 2008-07-11 2011-06-08 霓达哈斯股份有限公司 研磨组合物
US8709278B2 (en) 2008-07-11 2014-04-29 Nitta Haas Incorporated Polishing composition
WO2010012159A1 (zh) * 2008-08-01 2010-02-04 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光液
WO2010034181A1 (zh) * 2008-09-05 2010-04-01 安集微电子科技(上海)有限公司 胺类化合物的应用以及一种化学机械抛光液
CN102361950B (zh) * 2009-02-03 2014-05-28 嘉柏微电子材料股份公司 用于镍-磷存储磁盘的抛光组合物
CN102804345A (zh) * 2009-06-04 2012-11-28 嘉柏微电子材料股份公司 用于镍-磷存储盘的抛光组合物
CN102804345B (zh) * 2009-06-04 2016-01-20 嘉柏微电子材料股份公司 用于镍-磷存储盘的抛光组合物
CN105405454A (zh) * 2010-08-03 2016-03-16 西部数据传媒公司 用于高温应用的无电涂覆磁盘及其制造方法
WO2016097915A1 (en) * 2014-12-16 2016-06-23 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) composition for high effective polishing of substrates comprising germanium
CN107406721A (zh) * 2014-12-16 2017-11-28 巴斯夫欧洲公司 用于高效率抛光含锗基材的化学机械抛光(cmp)组合物
EP3234049A4 (en) * 2014-12-16 2018-11-14 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) composition for high effective polishing of substrates comprising germanium
US10227506B2 (en) 2014-12-16 2019-03-12 Basf Se Chemical mechanical polishing (CMP) composition for high effective polishing of substrates comprising germanium
CN110036086A (zh) * 2016-12-28 2019-07-19 霓达哈斯股份有限公司 研磨用组合物
CN110036086B (zh) * 2016-12-28 2022-04-26 霓达杜邦股份有限公司 研磨用组合物
CN107541731A (zh) * 2017-09-05 2018-01-05 江苏飞拓界面工程科技有限公司 一种铝及铝合金高效环保抛光液及其制备方法
CN112646151A (zh) * 2020-12-09 2021-04-13 华南师范大学 一种可降解的生物基缓释型铅离子螯合剂及其制备方法和应用
CN112646151B (zh) * 2020-12-09 2022-08-02 华南师范大学 一种可降解的生物基缓释型铅离子螯合剂及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
TWI313703B (en) 2009-08-21
KR20070072617A (ko) 2007-07-04
JP2008517791A (ja) 2008-05-29
IL182536A (en) 2014-06-30
EP1829093B1 (en) 2009-01-21
ATE421769T1 (de) 2009-02-15
EP1829093A2 (en) 2007-09-05
TW200621961A (en) 2006-07-01
CN102337080A (zh) 2012-02-01
JP4965451B2 (ja) 2012-07-04
IL182536A0 (en) 2007-09-20
DE602005012546D1 (de) 2009-03-12
US7524347B2 (en) 2009-04-28
WO2006049912A3 (en) 2006-10-26
US20060096496A1 (en) 2006-05-11
WO2006049912A2 (en) 2006-05-11
MY143941A (en) 2011-07-29
KR101109300B1 (ko) 2012-01-31
CN102337080B (zh) 2016-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101044600A (zh) 包含表面活性剂的化学机械抛光(cmp)组合物
JP5385141B2 (ja) 水に可溶性酸化剤を使用する炭化ケイ素の研磨方法
JP5423669B2 (ja) 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
WO2010143579A1 (ja) 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法
EP2311074B1 (en) Method of polishing nickel-phosphorous
US9330703B2 (en) Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks
TW201213472A (en) Polishing agent and polishing method
KR20200021519A (ko) 연마액, 연마액 세트 및 연마 방법
US8226841B2 (en) Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks
CN104745092A (zh) 一种应用于sti领域的化学机械抛光液及其使用方法
CN104584199B (zh) 用于铂和钌材料的选择性抛光的组合物和方法
TWI566884B (zh) 硏磨用組成物、及使用該硏磨用組成物之化合物半導體基板之製造方法
WO2015057433A1 (en) Polishing composition and method for nickel-phosphorous coated memory disks
TWI692510B (zh) 用於拋光記憶體硬碟以展現減少之表面刮痕之組合物及方法
US10894901B2 (en) Method for producing polishing composition and polishing method
US20090173717A1 (en) Composition and method for polishing nickel-phosphorous-coated aluminum hard disks
TW202235557A (zh) 用於拋光硼摻雜之多晶矽之組合物及方法
KR20210132204A (ko) Cmp 슬러리에 대한 입자 분산을 개선하는 첨가제

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20070926