CN101019241A - 用于白光发光二极管(led)的新颖磷光体系统 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示用于白光LED的新颖磷光体系统。所述磷光体系统由非可见光到近UV辐射源来激发,所述辐射源具有在约250nm到420nm范围内的激发波长。所述磷光体系统可包含一个磷光体、两个磷光体,且可视情况包括第三且甚至第四磷光体。在本发明的一个实施例中,所述磷光体为具有蓝光磷光体和黄光磷光体的双磷光体系统,其中所述蓝光磷光体的长波长端与所述黄光磷光体的短波长端大体上是同一波长。或者,在所述黄光磷光体与所述蓝光磷光体之间可存在波长间隙。所述黄光磷光体可为基于磷酸盐的或基于硅酸盐的,且所述蓝光磷光体可为基于硅酸盐的或基于铝酸盐的。本发明还揭示由非可见光辐射激发的单磷光体系统。在本发明的其它实施例中,使用单个磷光体来产生白光照明,所述单个磷光体具有宽发射光谱,其具有在约520nm到560nm范围内的峰值强度。

Description

用于白光发光二极管(LED)的新颖磷光体系统
技术领域
本发明实施例大体上针对用于例如白光发光二极管(LED)的白光照明系统的新颖磷光体。具体地说,本发明的白光LED包含:辐射源,其发射在非可见光到近紫外线(UV)到紫光波长范围中的光;第一发光材料,其包含蓝光磷光体;和第二发光材料,其包含黄光磷光体。
背景技术
技术发展现状
已经提出完全或部分基于发光二极管的白光照明源将可能代替常规的白炽灯泡。此类装置通常被称为“白光LED”,尽管这可能有点用词不当,因为LED通常是向另一组件(磷光体)提供能量的系统组件,所述磷光体发射具有大约一种颜色的光;来自这些磷光体中若干者的光(可能加上来自初始泵浦LED的光)经混合以形成白光。
尽管如此,此项技术中仍已知白光LED,且它们是相对较新近的创新。直到开发了发射在电磁波谱的蓝光/紫外线区域中的光的LED,才能够制作基于LED的白光照明源。经济上,尤其随着生产成本降低和技术进一步发展,白光LED具有代替白炽光源(灯泡)的潜力。具体地说,认为白光LED的潜力在寿命、稳定性和效率方面优于白炽灯泡的潜力。举例来说,预望基于LED的白光照明源满足100,000个小时的使用寿命和百分之80到90的效率的工业标准。高亮度LED已经代替白炽灯泡对例如交通灯信号的社会各领域产生实质影响,且因此不会令人感到惊讶的是,它们将很快在家庭和商业以及其它日常应用上提供一般化照明必需品。
CIE图上的色度坐标和CRI
通过混合来自电磁波谱的可见光部分的各种或若干单色颜色来构造白光照明,电磁波谱的可见光部分包含大约400nm到700nm。人眼对约475nm与650nm之间的区域最敏感。为了从LED系统或由短波长LED泵浦的磷光体系统产生白光,必须以恰当的强度比率来混合来自至少两个互补源的光。通常在CIE“色度图”中显示颜色混合的结果,其中单色颜色位于图的外围上,且白色位于中心。因此,目的在于掺和颜色,以使得所得光可映射到图中心处的坐标。
另一技术术语是“色温”,其用于描述白光照明的光谱特性。所述术语对于“白光”LED不具有任何物理意义,但在此项技术中使用此术语来将白光的颜色坐标与由黑体源达成的颜色坐标联系起来。在www.korry.com中展示高色温LED与低色温LED。
Srivastava等人已经在第6,621,211号美国专利中描述了色度(CIE色度图上的颜色坐标)。上文所述的现有技术蓝光LED-YAG:Ce磷光体白光照明系统的色度位于所谓的“黑体轨迹”或BBL附近,在6000K与8000K的温度之间。显示邻近BBL的色度坐标的白光照明系统遵守普朗克等式(Planck′s equation)(在所述专利的第1栏第60-65行中描述),且是合乎需要的,因为此类系统产生令人类观察者感到舒适的白光。
显色指数(CRI)是一照明系统与黑体辐射器的照明系统对比结果的相对测量。如果由白光照明系统照明的一组测试颜色的颜色坐标与由黑体辐射器照射的同一组测试颜色所产生的坐标相同,那么CRI等于100。
制作白光LED的现有技术方法
一般来说,已存在三种用于制作白光LED的一般方法。一种是组合来自两个或两个以上LED半导体结的输出,例如从蓝光LED和黄光LED发射的输出,或更一般地从红光、绿光和蓝光(RGB)LED发射的输出。第二种方法称为磷光体转换,其中蓝光发光LED半导体结与磷光体组合。在后者情形下,某些光子由磷光体降频转换而产生以黄光频率为中心的宽发射;接着,黄颜色与来自蓝光发光LED的其它蓝光光子混合以产生白光。
磷光体是普遍已知的,且可在例如CRT显示器、UV灯和平板显示器的不同应用中找到。磷光体通过吸收某种形式的能量(其可呈电子或光子束或者电流的形式)且接着在称为发光的过程中将能量发射作为在较长波长区域中的光来起作用。为了实现从白光LED发射出所需量的发光(亮度),需要高强度半导体结来充分激发磷光体,以使得所述磷光体发射所需的颜色,所述颜色将与其它发射颜色混合以形成被人眼视为白光的光束。
在很多技术领域中,磷光体是掺有过渡金属(例如Ag、Mn、Zn)或稀土金属(例如Ce、Eu或Tb)的硫化锌或氧化钇。呈晶体形式的过渡金属和/或稀土元素掺杂物起点缺陷作用,从而在电子过渡到价带或导带中的状态或从价带或导带中的状态过渡时,在材料的带隙中提供中间能态以供电子占用。此类型的发光机制与晶格中原子的温度相关波动有关,其中晶格(声子)的振荡导致移位电子从由不完整性产生的势阱中逃逸。当它们放松到初始状态能态时,它们可在所述过程中发射光。
Shimizu等人的第5,998,925号美国专利揭示了使用450nm蓝光LED来激发包含钇铝石榴石(YAG)荧光材料的黄光磷光体。在此方法中,InGaN芯片充当可见蓝光发光LED,且掺有铈的钇铝石榴石(称为“YAG:Ce”)充当系统中的单个磷光体。所述磷光体通常具有以下化学计量式:Y3Al5O12:Ce3+。由蓝光LED发射的蓝光激发磷光体,导致其发射黄光,但不是所有的由蓝光LED发射的蓝光都由所述磷光体吸收;一部分透射穿过磷光体,所述部分接着与由磷光体发射的黄光混合,以提供被观看者视为白光的辐射。
Ellens等人的第6,504,179号美国专利揭示一种基于混合蓝-黄-绿(BYG)颜色的白光LED。黄光发光磷光体是稀土元素Y、Tb、Gd、Lu和/或La(其中Y与Tb的组合是优选的)的由Ce激活的石榴石。在一个实施例中,黄光磷光体是掺有铈的铽铝石榴石(TbAG)(Tb3Al5O12-Ce)。绿光发光磷光体包含掺有Eu的CaMg氯硅酸盐框架(CSEu),且可能包括大量其它掺杂物(例如Mn)。替代性绿光磷光体为SrAl2O4:Eu2+和Sr4Al14O25:Eu2+。代替5998925的新材料使用450nm蓝光LED来激发绿光与黄光磷光体(Tb3Al5O12-Ce)的混合物。
Bogner等人的第6,649,946号美国专利揭示了基于碱土氮化硅材料作为主晶格的黄光到红光磷光体,其中磷光体可由以450nm波长发射的蓝光LED激发。红光到黄光发光磷光体使用氮硅酸盐类型MxSiyNz:Eu的主晶格,其中M是从Ca、Sr和Ba群组中选择的碱土金属中的至少一者,且其中z=2/3x+4/3y。材料组分的一个实例是Sr2Si5N8:Eu2+。以蓝光发光初级源连同一个或一个以上红光和绿光磷光体来揭示此类红光到黄光磷光体的使用。此类材料的目的在于改进红色显色R9(将显色调节为红移),以及提供具有改进的总体显色Ra的光源。
Mueller-Mach的第2003/0006702号美国专利申请案揭示了一种发光装置,其具有从峰值波长为470nm的蓝光LED接收初级光的(补充)荧光材料,所述补充荧光材料辐射在可见光谱的红光光谱区域中的光。所述补充荧光材料与主荧光材料结合使用以增加合成输出光的红色成分,从而改进白色输出光显色。在第一实施例中,主荧光材料是由Ce激活的且掺有Gd的钇铝石榴石(YAG),而补充荧光材料是通过将YAG主荧光材料与Pr掺杂而产生的。在第二实施例中,补充荧光材料是由Eu激活的SrS磷光体。红光磷光体可为(例如)(SrBaCa)2Si5N8:Eu2+。主荧光材料(YAG磷光体)具有响应于来自蓝光LED的初级光而发射黄光的特性。补充荧光材料向来自蓝光LED的蓝光和来自主荧光材料的黄光添加红光。
现有技术蓝光LED-YAG:Ce磷光体白光照明系统的缺点
现有技术的蓝光LED-YAG:Ce磷光体白光照明系统具有若干缺点。一个缺点在于此照明系统产生色温在从6000K到8000K的范围内(其相当于阳光)和典型显色指数(CRI)为约70到75的白光。这些规格被视为缺点,因为在某些情况下,具有较低色温(例如在约3000K与4100K之间)的白光照明系统是优选的,且在其它情况下,需要较高的CRI,例如高于90。尽管可通过增加磷光体厚度来降低此类型的现有技术系统的色温,但系统的总效率随着此类方法而减小。
现有技术的蓝光LED-YAG:Ce磷光体白光照明系统的另一缺点在于系统的输出可能由于LED的制造不一致性的缘故而变化。LED颜色输出(由光谱功率分布和峰值发射波长确定数量)随着LED活性层的带隙且随着施加到LED的功率而变化。在LED生产期间,某一部分的LED被制造成具有实际带隙大于或小于所需宽度的活性层。因此,此类LED的颜色输出偏离所需参数。此外,即使特定LED的带隙具有所需宽度,在白光照明系统的操作期间,其也常常会偏离所需值。这还导致LED的颜色输出偏离所需参数。由于从照明系统发射的白光含有来自LED的蓝光成分,因而来自照明系统的光输出的特征可随着来自LED的光输出的特征改变而改变。与所需参数的显著偏离可能导致照明系统呈现非白色;即如果LED输出比所需的更强烈,那么呈现浅蓝色,且如果不及所需的强烈,那么呈现淡黄色。
发射可见光的LED(例如具有InGaN活性层的现有技术LED)具有以下缺点:在InGaN层沉积期间,In与Ga的比率变化导致带隙宽度可能偏离所需厚度的活性层。磷光体(白光照明系统的发光部分)的颜色输出变化不像依赖于蓝光LED中的组分变化那样多地依赖于磷光体的组分变化。此外,磷光体的制造不像LED制造那样易于出现组分误差。使用来自辐射源的约400nm的激发波长的另一优点在于例如GaInAlN的LED在此范围周围具有其最高输出强度。
因此,此项技术需要一种白光照明系统,其具有大体上发射非可见光的辐射源和颜色输出稳定且颜色混合导致所需色温和显色指数的磷光体。
发明内容
在本发明的一个实施例中,白光LED包含:辐射源,其经配置以发射波长在约250nm到420nm范围内的辐射;黄光磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的至少一部分辐射,且发射在从约530nm到590nm的范围内的波长中具有峰值强度的光;和蓝光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,且发射在从约470nm到530nm的范围内的波长中具有峰值强度的光。
由辐射源发射的辐射的250nm到400nm部分大体上为非可见紫外线(UV)辐射,且400nm到420nm部分大体上为来自电磁波谱的近UV光。辐射源可为发光二极管(LED)。
根据此实施例,黄光磷光体可为基于硅酸盐的磷光体或基于磷酸盐的磷光体。如果黄光磷光体为基于硅酸盐的磷光体,那么其可具有化学式A2SiO4:Eu2+,其中A为选自由Sr、Ca、Ba、Mg、Zn和Cd组成的群组的至少一种二价金属。在任何一种磷光体中可能存在一种以上类型的二价金属A。Eu的目的在于充当发光激活剂,取代A二价金属中的任何一者的至少一部分,其中Eu存在约零到10%的克分子比。适合此描述的黄光磷光体的实例为Sr0.98-x-yBaxCayEu0.02SiO4,其中0≤x≤0.8且0≤y≤0.8。或者,黄光磷光体可为基于磷酸盐的磷光体,其根据化学式(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7,其中0.03≤x≤0.08,0.06≤y≤0.16且0≤z≤0.05。
进一步根据此实施例,蓝光磷光体可为基于硅酸盐的磷光体或基于铝酸盐的磷光体。举例来说,蓝光磷光体可适合描述Sr0.98-x-yMgxBayEu0.02SiO4;其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。如果蓝光磷光体为铝酸盐,那么其可具有化学式Sr1-xMgEuxAl10O17(其中0.2≤x≤1.0)或SrxEu0.1A114O25(其中x小于4)。在一个实施例中,此磷光体的化学式为Sr3.9Eu0.1Al14O25
在替代实施例中,白光LED包含:辐射源,其经配置以发射波长在约250nm到420nm范围内的辐射;黄光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,且发射在从约550nm到590nm的范围内的波长中具有峰值强度的光;和蓝光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,且发射在从约480nm到510nm的范围内的波长中具有峰值强度的光。
在其它实施例中,黄光磷光体经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,且发射波长在约550nm到575nm范围内的光;且蓝光磷光体经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,且发射波长在约480nm到495nm范围内的光。
本发明的替代实施例是用于白光LED的单磷光体系统,所述磷光体系统包含:辐射源,其经配置以发射波长在约250nm到420nm范围内的辐射;单个磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的至少一部分辐射,且发射在从约520nm到560nm的范围内的波长中具有峰值强度的宽谱光。
如此揭示案中其它地方所论述,在这些情况中的每一种情况下,黄光磷光体可为基于硅酸盐或磷酸盐的,且蓝光磷光体可为基于硅酸盐或铝酸盐的。
本发明的其它实施例包括从单或双磷光体系统(所述磷光体系统视情况甚至包括第三和/或第四磷光体)产生白光照明的方法。此类方法可包含以下步骤:提供一辐射源,其经配置以发射波长在约250nm到420nm范围内的辐射;将黄光磷光体曝光到来自所述辐射源的至少一部分辐射,以产生波长在约530nm到590nm范围内的光;将蓝光磷光体曝光到来自所述辐射源的至少一部分辐射,以产生波长在约470nm到530nm范围内的光;和将来自黄光磷光体的光与来自蓝光磷光体的光进行混合以产生白光照明。
附图说明
图1是现有技术照明系统的示意性表示,所述现有技术照明系统包含发射可见光的辐射源和响应于来自所述辐射源的激发而发射的磷光体,其中从所述系统产生的光是来自磷光体的光与来自辐射源的光的混合物;
图2是现有技术照明系统的示意性表示,所述现有技术照明系统包含发射非可见光的辐射源,以使得来自所述辐射源的光无助于由照明系统产生的光;
图3是双磷光体系统的发射波长的示意性表示,其展示所述磷光体中的一者的长波长端如何可大体上与另一磷光体的短波长端相同;
图4是双磷光体系统的发射波长的示意性表示,其中在此实施例中,在所述磷光体中的一者的长波长端与另一磷光体的短波长端之间存在波长间隙;
图5是根据本实施例的示范性的基于磷酸盐的黄光磷光体的发射光谱,其展示磷光体中的磷的量的变化如何轻微影响发射波长且强烈影响发射强度;
图6展示具有Ba与Sr、或Ba与Ca,或单独的Sr的黄光磷光体的比较;具体地说,展示在400nm激发辐射下测试的黄光磷光体(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08、(Ca0.5Ba0.5Eu0.02)2Si1.02C4.08和(Sr0.7Eu0.02)2Si1.02O4.08的发射光谱;
图7是含有元素Ba、Sr和Ca中所有三者的示范性黄光磷光体的发射光谱;图7中测试的特定磷光体为(Ba0.5Sr0.5-xCaxEu0.02)2Si1.02O4.08,其中x的值在0.15与0.35之间变化;
图8是在400nm激发辐射下测试的示范性黄光磷光体(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08和(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)Si1.02O4.08-xFx的发射光谱,其展示通过用氟来掺杂所述组分来显著增加发射强度;
图9A和9B是与商用YAG黄光磷光体相比较而测试的示范性黄光磷光体(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08-xFx的激发和发射光谱;
图10描述示范性的基于硅酸盐的蓝光磷光体,其中磷光体可具有化学式(SrxMg1-xEu0.02)2SiO4,且其中Eu存在较小量作为发光激活剂,Sr可用于代替浓度高达约x=0.5的单相固体溶液中的Mg,因为当Sr取代x为0.6时,将形成两个单独相Mg2SiO4和Sr2SiO4(如图10的曲线3中所示);
图11是示范性的基于铝酸盐的蓝光磷光体的发射光谱,所述磷光体具有化学式Sr1-xMgEuxAl10O17(其中0.2<x≤1.0),且其中较高浓度的Eu增强了峰值发光强度且将峰值波长移位到较长波长;
图12是由化学式(Sr3.9Eu0.1)Al14O25描述的替代示范性基于铝酸盐的蓝光磷光体的发射光谱;
图13是来自结合非可见光(到紫光)辐射源使用的单磷光体系统的发射波长的示意性表示;
图14展示具有双磷光体系统的白光LED的发射光谱,其中所述磷光体系统的所述两个磷光体为蓝光和黄光的,其中一者为基于磷酸盐的黄光磷光体,且另一者为基于铝酸盐的蓝光磷光体;以不同比率混合所述两个磷光体,以使得当非可见UV LED用于激发时,需要较高蓝光磷光体比率;
图15展示由为近UV LED设计的五个不同磷光体系统构造的白光LED的发射光谱;所述五个不同磷光体系统中的两个为蓝光和黄光双磷光体系统,一个为具有两个黄光磷光体的双磷光体系统,且两个为具有两个黄光磷光体和一个蓝光磷光体的三磷光体系统;和
图16是图14中所述的三个磷光体系统的色温的计算。
具体实施方式
本实施例的白光照明系统依赖于大体上无助于所述系统的白光输出的激发源,因为所述激发源发射在电磁波谱的人眼不可见的区域中的光。图1和2中示意性地说明了所述概念。
参看图1的现有技术系统10,辐射源11(其可为LED)发射在电磁波谱的可见光部分中的光12、15。光12和15为相同的光,但出于说明目的而展示为两个单独的光束。从辐射源11发射的一部分光(光12)激发磷光体13,所述磷光体13是能够在吸收来自LED11的能量之后发射光14的光致发光材料。光14通常为黄色。辐射源11还发射可见光中的不被磷光体13吸收的蓝光;此为图1中所示的可见蓝光15。可见蓝光15与黄光14混合以提供附图中展示的所需白光照明16。图1的现有技术照明系统10的缺点在于系统10的颜色输出取决于辐射源11的输出15。
如果本白光照明系统所发射的白光不以人眼显著可见的波长来发射辐射,那么所述系统的颜色输出不会随着辐射源(例如LED)的颜色输出而显著改变。举例来说,一LED可经构造以发射波长为380nm或更小的紫外线(UV)辐射,所述紫外线(UV)辐射对人眼来说是不可见的。此外,人眼对于波长在约380nm与400nm之间的UV辐射不是非常敏感,且对于波长在约400nm与420nm之间的紫光也不是相当敏感。因此,由源发射的波长为约420nm或更小的辐射大体上不影响白光照明系统的颜色输出。
图2中说明本发明的此方面。参看图2,从辐射源21大体上发射非可见光作为光22、23。光22、23具有相同特征,但已使用不同参考数字来说明以下一点:光22可用于激发磷光体(例如磷光体24或25),但从辐射源21发射的不撞击磷光体的光23无助于来自磷光体的颜色输出28,因为光23对于人眼来说大体上不可见。在本发明的一个实施例中,辐射源21是发射通常波长在约250nm到410nm范围内的光的LED。在替代实施例中,激发波长高达420nm的辐射源是可行的。所属领域的技术人员将了解,如果辐射源的强度足够强,那么400nm或更高的近UV辐射可能有助于从白光LED发射的白光的显色。
避免影响白光照明系统30的颜色输出的第二种方法在于配置发光材料24、25(参看图2),使得它们每一者都具有足以防止来自LED21的辐射穿过所述材料的厚度。举例来说,如果LED发射在约420nm与650nm之间的可见光,那么为了确保磷光体厚度不会影响系统的颜色输出,磷光体应足够厚以防止由LED发射的任何显著量的可见光辐射穿透磷光体。
现有技术方法已包括了可由紫外线LED激发的磷光体。Srivastava等人的第6,555,958号美国专利描述了一种由发射在范围360-420nm内的光的UV LED激发的蓝-绿光照明系统。发光材料是具有材料组分Ba2SiO4:Eu+2、Ba2(MgZn)Si2O7:Eu+2和/或Ba2Al2O4:Eu+2的磷光体。尽管此专利教示非可见光辐射源的使用,但仅设计了一个磷光体来产生在光谱的蓝-绿区域中的光。
Srivastava等人的第6,621,211号美国专利中揭示了经设计以使用非可见UV LED来发射白光的现有技术方法。此方法中所产生的白光由撞击以下类型的三个(且视情况具有第四个)磷光体的非可见光辐射产生:第一磷光体,其发射峰值发射波长在575nm与620nm之间的橙光,且优选地包含根据化学式A2P2O7:Eu2+,Mn2+的掺有铕和锰的碱土焦磷酸盐磷光体。或者,可将橙光磷光体的化学式写成(A1-x-yEuxMny)2P2O7,其中0<x≤0.2且0<y≤0.2。第二磷光体发射峰值发射波长在495nm与550nm之间的蓝-绿光,且是由二价铕激活的碱土硅酸盐磷光体ASiO:Eu2+,其中A包含Ba、Ca、Sr或Mb中的至少一者。第三磷光体发射峰值发射波长在420nm与480nm之间的蓝光,且包含两种市售磷光体“SECA”(D5(PO4)3Cl:Eu2+,其中D为Sr、Ba、Ca或Mg中的至少一者)或“BAM”(其可写成AMg2Al16O27,其中A包含Ba、Ca或Sr中的至少一者;或者其可写成BaMgAl10O17:Eu2+)中的一者。可选第四磷光体发射峰值发射波长在620nm与670nm之间的红光,且其可包含镁氟锗酸盐磷光体MgO*MgF*GeO:Mn4+
上文所述的现有技术利用非可见光辐射源来激发照明系统的磷光体,但此项技术中并未描述利用具有相对较少磷光体的非可见光辐射源的白光照明系统。第6,555,958号美国专利仅揭示了一个磷光体,但所述应用针对于蓝-绿光照明系统,且因此仅需要一个磷光体。第6,621,211号美国专利中的应用针对于白光照明系统,但需要三个(且视情况需要第四个)磷光体来产生白光。现有技术中尚未描述的是具有非可见光辐射系统的仅使用一个、两个(且视情况使用第三个)磷光体的白光照明系统。减少磷光体数目的优点包括易于制造、成本和由此产生的白光的质量。下一部分将集中在本实施例的新颖磷光体。
磷光体的发射波长范围
根据本发明实施例,提供一种包含两个磷光体的白光照明系统。在此实施例中,第一磷光体经配置以吸收从非可见光辐射源发射的至少一部分辐射,并发射在一个波长范围内的光,且第二磷光体经配置以吸收从非可见光辐射源发射的至少一部分辐射,并发射在第二波长范围内的光,其中所述范围中的一者的最长波长大体上与另一范围的最短波长相同。图3中说明此概念。参看图3,通常以30展示的磷光体系统包含:第一磷光体31,其在由参考数字32描绘的波长范围内具有峰值发射;和第二磷光体33,其在由参考数字34描绘的范围内具有峰值发射。磷光体31的短波长端由参考数字35表示,且磷光体31的长波长端由波长36表示。类似地,磷光体33的长波长端由波长37表示,且磷光体33的短波长端由数字36表示。因此,磷光体31的长波长端大体上与磷光体33的短波长端相同。
在此实施例的实例中,磷光体33可为黄光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,并发射波长在从约530nm到590nm范围内的光,且磷光体31可为蓝光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,并发射波长在从约470nm到530nm范围内的光。在此实施例中,蓝光磷光体发射的最长波长大体上等于黄光磷光体发射的最短波长。此实施例中的辐射源可以是经设计以发射在电磁波谱的非可见光部分中或在光谱的人眼大体上不敏感的一部分中的辐射的LED,例如发射波长在约250nm到420nm范围内的光的LED。
在替代实施例中,可将双磷光体系统设计为类似于图3的系统,不同之处只是第一磷光体的最长波长与第二磷光体的最短波长之间存在微小间隙。图4中说明此概念。参看图4,通常以40展示的磷光体系统包含:第一磷光体41,其在由参考数字42描绘的波长范围内具有峰值发射;和第二磷光体43,其在由参考数字44描绘的范围内具有峰值发射。磷光体41的短波长端由参考数字45表示,且磷光体41的长波长端由波长46A表示。类似地,磷光体43的长波长端由波长47表示,且磷光体43的短波长端由数字46B表示。因此,在磷光体41的长波长端与磷光体43的短波长端之间形成间隙48。调整波长间隙48的大小以增强由白光照明系统提供的白光的质量是本实施例的新颖特征之一。
举例而言,磷光体43可为黄光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,并发射波长在约540nm到580nm范围内的光,且磷光体41可为蓝光磷光体,其经配置以吸收来自辐射源的至少一部分辐射,并发射波长在约480nm到510nm范围内的光。因此,此实施例中的间隙48将为约30nm。在替代实施例中,磷光体43可为黄光磷光体,其经配置以发射波长在约550nm到575nm范围内的光,且磷光体41可为蓝光磷光体,其经配置以发射波长在约480nm到495nm范围内的光。在此实施例中,间隙48可为约55nm。
示范性黄光磷光体
根据本发明实施例,黄光磷光体33、43可为基于硅酸盐的磷光体或基于磷酸盐的磷光体。另外,黄光磷光体33、43可具有化学式M1M2M3SiO4,其中M1、M2和M3个别地为Sr、Ca或Ba。如果黄光磷光体33、43为基于硅酸盐的磷光体,那么其可具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4,其中0≤x≤0.8且0≤y≤0.8。在替代实施例中,基于硅酸盐的黄光磷光体33、34可依照同一化学式,其中0≤x≤0.5且0≤y≤0.3,或其中0.5≤x≤0.7且0.2≤y≤0.5。或者,黄光磷光体33、34可为基于磷酸盐的磷光体,其根据化学式(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7,其中0.03≤x≤0.08,0.06≤y≤0.16且0≤2≤0.05。
作为特定实例,现相对于图5论述具有化学式(Sr0.8Mn0.16Eu0.04)2P2+xO7的基于磷酸盐的黄光磷光体,图5为展示磷光体中含磷量的变化如何轻微影响发射波长并强烈影响发射强度的发射光谱。磷光体由波长为约400nm的辐射源激发。图5展示将此磷光体的磷化学计量从2.00增加到2.02增加了发射强度,但接着进一步将化学计量增加到2.06减少了发射强度。
图6到9中展示基于硅酸盐的黄光磷光体33、43的实例。图6展示具有Ba与Sr、或Ba与Ca、或单独的Sr的黄光磷光体的比较。具体地说,图6中展示在400nm激发辐射下测试的黄光磷光体(Sr0.7Ba0.3Eu0.3)2Si1.02O4.08、(Ca0.5Ba0.5Eu0.02)2Si1.02O4.08和(Sr0.7Eu0.02)2Si1.02O4.08的发射光谱。数据展示可通过改变此基于硅酸盐的磷光体系统中Sr、Ba和/或Ca的含量来将发射光谱从绿-黄光(发射峰值出现在约520nm处)调节到橙-黄光(发射峰值出现在大约580nm处)。通过略微减少Ba的量并用Sr来代替Ca,可朝向黄光增加峰值发射波长。通过进一步增加Sr的量并消除Ba含量,可进一步增加峰值发射波长。
在图7中,描述根据本实施例的黄光磷光体,其中此实例中的磷光体含有元素Ba、Sr和Ca中的所有三者。图7中所测试的特定磷光体为(Ba0.5Sr0.5-xCaxEu0.02)2Si1.02O4.08,其中x的值在0.15与0.35之间变化。
在图8中,在400nm激发辐射下测试示范性黄光磷光体(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08和(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08-xFx的发射光谱。此处,数据展示通过用氟来掺杂所述组分或通过用氟来取代所述组分的某些氧含量来显著增加发射强度,而光谱的波长大体上维持不变。
图9A和9B中所示的激发和发射光谱表明本实施例的示范性黄光磷光体的额外优点。图9B是黄光磷光体(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08:Fx的发射光谱,其中x(其表示F含量)在0到0.05的范围内。测试此含氟材料所在的条件包括450nm激发辐射,以便与文献中先前所报告的商用YAG黄光磷光体的发射比较测试结果。此外,选择450nm的此激发波长来比较发射强度,因为如图9A中所示,这是商用YAG磷光体最易产生响应的波长。图9A展示YAG磷光体只能仅由峰值波长约为340nm或470nm的辐射来激发,而本发明的(Sr0.7Ba0.3Eu0.02)2Si1.02O4.08-xFx磷光体可由宽得多的范围的波长来激发,所述波长在从光谱的整个UV到蓝光区域(即280nm到470nm)的范围内。
示范性蓝光磷光体
根据本发明实施例,蓝光磷光体31、41可为基于硅酸盐的磷光体或基于铝酸盐的磷光体。示范性的基于硅酸盐的蓝光磷光体具有化学式Sr1-x-yMgxBaySiO4;其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。在另一实施例中,0.2≤x≤1.0且0≤y≤0.2。在此实施例中,Mg和Ba用于代替组分中的Sr。
在基于硅酸盐的蓝光磷光体的替代实施例中,磷光体可具有化学式(SrxMg1-xEu0.02)2Si1.02O4,其中Eu存在较小的量作为激活剂;Sr可用于以增加的量来代替材料中的Mg;且Si在SiO4基质中的量存在大于1比4的化学计量比率的量。图10中展示此类磷光体的实验结果。参看图10,组分中Sr的化学计量量已从20%(曲线1)增加到40%(曲线2),且接着进一步增加到60%(曲线3)。激发辐射的波长为400nm。结果展示:当镁的锶取代在此基于硅酸盐的系统中小于40%时,可由UV到蓝光辐射高效地激发蓝光发射。当锶取代高于40%时,形成硅酸盐的两个相(Mg2SiO4和Sr2SiO4),且接着,至少一部分发射偏移到大体上较长的波长。
或者,本实施例中的蓝光磷光体可以是基于铝酸盐的。在基于铝酸盐的蓝光磷光体的一个实施例中,磷光体具有化学式Sr1-xMgEuxAl10O17,其中0.2<x≤1.0。此新颖蓝光磷光体利用Eu的量大体上高于现有技术中所使用的量。图11中展示此类磷光体的发射光谱,其中已测量到“x”(Eu含量)为20、40、60和80化学计量百分比。在这些组分中,用Eu取代Sr,且激发辐射的波长为400nm。结果展示:Eu浓度影响来自此蓝光磷光体的发射的强度和波长两者:增加Eu含量会增加强度和波长两者。
在基于铝酸盐的蓝光磷光体的其它实施例中,磷光体具有化学式Sr3.9Eu0.1Al14O25。图12中说明此磷光体的实验结果,其中使用400nm激发辐射来测量示范性的基于铝酸盐的蓝光磷光体(Sr3.9Eu0.1)Al14O25的发射光谱。数据展示发射峰值约为500nm,且发射在约460nm到480nm的范围内。描述此蓝光铝酸盐磷光体的另一种方法是通过化学式SrxEu0.1Al14O25,其中x小于4。换句话说,组分中Sr的含量小于4,且其可为3.9。
磷光体的相对量和白光LED的发射光谱
所属领域的技术人员将了解,可以多种配置来使用本新颖磷光体系统,且当然没有必要一定要(尽管在某些情况下可能需要)使用一个黄光磷光体和一个蓝光磷光体。在此部分中通过给出若干不同磷光体系统的白光LED的示范性发射光谱来表明此系统的灵活性。在图14中,(例如)可通过使用非可见UV LED来产生白光以激发根据本实施例的蓝光和黄光磷光体,且可通过改变存在于磷光体系统中的两个磷光体的比率来调节所得白光的强度。
参看图14,通过混合基于磷酸盐的黄光磷光体与基于铝酸盐的蓝光磷光体且用提供在约370nm到400nm的范围内的激发辐射(换句话说,非可见光辐射)的辐射源来激发所述双磷光体混合物来构造白光LED。基于磷酸盐的黄光磷光体为(Sr0.8Mn0.16Eu0.04)2P2.02O7,且基于铝酸盐的蓝光磷光体为Si0.2MgEu0.8Al10O17。还测试了三磷光体混合物,其中基于铝酸盐的蓝光磷光体与基于磷酸盐的黄光磷光体的相对量在曲线“A”中约为50比50重量百分比,在曲线“B”中约为40比60重量百分比,且在曲线“C”中约为30比70重量百分比。数据展示可通过调节蓝光磷光体的量与黄光磷光体的量的比率来调整总发射光谱以实现所需效果,从而使不同应用的显色最优化,如图16中所示。
图15中展示在双磷光体和三磷光体系统中改变磷光体比率的效果的第二实例。此处,磷光体A为基于磷酸盐的黄光磷光体(Sr0.8Mn0.16Eu0.04)2P2.02O7;磷光体B为基于硅酸盐的黄光磷光体(Ba0.3Sr0.7Eu0.02)2Si1.02O4.08;磷光体C为基于铝酸盐的蓝光磷光体Sr0.2MgEu0.8Al10O17;且磷光体D为基于铝酸盐的蓝光磷光体Sr3.9Eu0.1A114O25。曲线1是从84重量%的磷光体B和16重量%的磷光体D的双磷光体系统得到的发射光谱;曲线2是从具有83重量%的磷光体B和17重量%的磷光体C的双磷光体系统得到的;曲线3是从36重量%的A和64重量%的B的双磷光体系统得到的;曲线4是从具有46重量%的A、42重量%的B和12重量%的D的三磷光体系统得到的,且曲线5是从具有61重量%的A、19重量%的B和20重量%的C的三磷光体系统得到的。
图15中的示范性双磷光体和三磷光体系统的数据展示,最大强度发射和最短波长发射峰值针对蓝光和黄光双磷光体系统而发生(曲线1和2)。中间的是由蓝光和黄光磷光体组成的双磷光体系统(曲线3)。尽管由两个黄光磷光体和一个蓝光磷光体组成的三磷光体系统(曲线4和5)的强度是所述群组中最低的,但这些发射具有最长的波长峰值发射,更多地朝向光谱的红光区域偏移。
图16中展示从图14的双黄光磷光体系统的三个比率计算白光的色温。
单磷光体系统
在本发明的其它实施例中,单个磷光体可与非可见光(到紫光)辐射源一起使用。图13中以通常以130展示的示意图来说明此概念,其中磷光体131具有短波长端135和长波长端136。所述单个磷光体结合辐射源使用,所述辐射源在光谱的非可见光到紫光区域中向所述单个磷光体提供激发辐射,所述激发辐射在约250nm到430nm的范围内。
单磷光体系统的示范性磷光体是含有元素Ba、Sr和Ca中所有三者且含有少量Eu激活剂的基于硅酸盐的黄光磷光体。图7中已经展示了此类磷光体的实例,其中针对在0.15与0.35之间变化的Ca含量(“x”)值测试了特定磷光体(Ba0.5Sr0.5-xCaxEu0.02)2Si1.02O4.08。在此实施例中,利用来自非可见光到紫光LED的波长范围为约400nm到430nm的激发辐射是有利的。此示范性磷光体经测试具有约为540nm的发射波长峰值、约为480nm的短波长端135(参看图13)和约为640nm的长波长端136(再次参看图13)。
在单磷光体概念的替代实施例中,所述单个磷光体可为具有少量Eu和仅含有Sr的组分的基于硅酸盐的黄光磷光体,例如由图6中曲线3表示的磷光体。此处,发射波长峰值出现在约570nm处;发射的短波长端出现在约500nm处;且长波长端出现在约680nm处。
因此,表明使用非可见光到紫光LED作为辐射源并使用从辐射源接收激发辐射且发射白光照明的单个磷光体来构造白光照明系统是可行的。
制备磷光体系统的方法
制备本磷光体的示范性方法包括溶胶-凝胶法和固体反应法。溶胶-凝胶法可用于生产粉末状磷光体,包括那些基于铝酸盐的、基于磷酸盐的和基于硅酸盐的磷光体。典型程序包含以下步骤:
1.a)将某些量的碱土硝酸盐(Mg、Ca、Sr、Ba)以及Eu2O3和/或Mn(NO3)2溶解在稀硝酸中;和
b)将对应量的硝酸铝、NH4H2PO4或硅胶w溶解在去离子水中以制备第二溶液。
2.在以上步骤1a)和1b)的两种溶液的固体大体上都溶解在溶液中后,混合所述两种溶液并搅拌两个小时。接着,使用氨来在混合溶液中产生凝胶。在形成凝胶后,将pH调节到约9.0,且在约60℃下连续搅拌经搅拌的凝胶状溶液约3小时。
3.在通过蒸发来干燥所述凝胶状溶液之后,将所得的干燥凝胶在500℃到700℃下煅烧约60分钟以分解并获取氧化物。
4.在冷却和研磨之后,在还原性气氛下烧结所述固体持续约6到10小时。对于基于铝酸盐和基于硅酸盐的磷光体,使用助熔剂来改进烧结特性,且烧结温度在约1300℃到1500℃的范围内。对于基于磷酸盐的磷光体,烧结温度在约900℃到1100℃的范围内。
5.对于含氟硅酸盐磷光体,在还原气氛下的最终烧结之前,使用具有约5重量%的NH4F粉末来与煅烧过的化学计量硅酸盐混合。所述烧结温度通常比不含氟的硅酸盐低约100℃,这是由于氟可在某些条件下充当助熔剂。
或者,使用固体反应法来生产粉末状磷光体,包括基于铝酸盐的、基于磷酸盐的和基于硅酸盐的磷光体。用于固体反应法的典型程序的步骤如下:
1.用球磨机来湿式混合所需量的碱土氧化物或碳酸盐(Mg、Ca、Sr、Ba)、Eu2O3和/或MnO的掺杂物、相应的Al2O3、NH4H2PO4或SiO2
2.在干燥和研磨之后,在还原性气氛下烧结所得粉末持续约6到10小时。对于基于铝酸盐和基于硅酸盐的磷光体,使用助熔剂来改进烧结特性,且烧结温度在约1300℃到1500℃的范围内。对于基于磷酸盐的磷光体,烧结温度在约900℃到1100℃的范围内。
所属领域的技术人员将容易想到上文所揭示的本发明的示范性实施例的多种修改。因此,应将本发明解释为包括属于所附权利要求书范围的所有结构和方法。

Claims (53)

1.一种白光LED,其包含:
辐射源,其经配置以发射具有在约250nm到420nm范围内的波长的辐射;
黄光磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的所述辐射的至少一部分,且发射在约530nm到590nm波长范围内具有峰值强度的光;和
蓝光磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的所述辐射的至少一部分,且发射在约470nm到530nm波长范围内具有峰值强度的光。
2.根据权利要求1所述的白光LED,其中由所述辐射源发射的辐射的250nm到400nm部分大体上为非可见紫外线(UV)辐射,且400nm到420nm部分为近UV。
3.根据权利要求1所述的白光LED,其中所述辐射源包含发光二极管(LED)。
4.根据权利要求3所述的白光LED,其中所述辐射源包含选自由GaN、ZnSe和SiC组成的群组的至少一个半导体层和选自由GaN、AlGaN、InGaN和InAlGaN组成的群组的至少一个包含p-n结的活性区域。
5.根据权利要求1所述的白光LED,其中所述黄光磷光体选自由基于硅酸盐的磷光体和基于磷酸盐的磷光体组成的群组。
6.根据权利要求5所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式A2SiO4:Eu2+F,且其中A为选自由Sr、Ca、Ba、Mg、Zn和Cd组成的群组的二价金属中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0≤x≤0.8;且
0≤y≤0.8。
8.根据权利要求6所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0≤x≤0.5;且
0≤y≤0.3。
9.根据权利要求6所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0.5≤x≤0.7;且
0.2≤y≤0.5。
10.根据权利要求5所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7;且其中
0.03≤x≤0.08;
0.06≤y≤0.16;且
0<z≤0.05。
11.根据权利要求1所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体选自由基于硅酸盐的磷光体和基于铝酸盐的磷光体组成的群组。
12.根据权利要求11所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体具有化学式Sr1-x-yMgxBaySiO4:Eu2+F;且其中
0.5≤x≤1.0;且
0≤y≤0.5。
13.根据权利要求11所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体具有化学式Sr1-xMgEuxAl10O17;且其中
0.01<x≤1.0。
14.根据权利要求11所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体具有化学式SrxAl14O25:Eu+2,且其中
x<4。
15.一种白光LED,其包含:
辐射源,其经配置以发射具有在约250nm到420nm范围内的波长的辐射;
黄光磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的辐射的至少一部分,且发射在约550nm到590nm波长范围内具有峰值强度的光;和
蓝光磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的所述辐射的至少一部分,且发射在约480nm到510nm波长范围内具有峰值强度的光。
16.根据权利要求15所述的白光LED,其中由所述辐射源发射的所述辐射的250nm到400nm部分大体上为非可见紫外线(UV)辐射,且400nm到420nm部分为近UV。
17.根据权利要求15所述的白光LED,其中所述辐射源包含发光二极管(LED)。
18.根据权利要求17所述的白光LED,其中所述辐射源包含选自由GaN、ZnSe和SiC组成的群组的至少一个半导体层和选自由GaN、AlGaN、InGaN和InAlGaN组成的群组的至少一个包含p-n结的活性区域。
19.根据权利要求15所述的白光LED,其中所述黄光磷光体选自由基于硅酸盐的磷光体和基于磷酸盐的磷光体组成的群组。
20.根据权利要求19所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式A2SiO4:Eu2+F,且其中A为选自由Sr、Ca、Ba、Mg、Zn和Cd组成的群组的二价金属中的至少一种。
21.根据权利要求20所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0≤x≤0.8;且
0≤y≤0.8。
22.根据权利要求20所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0≤x≤0.5;且
0≤y≤0.3。
23.根据权利要求20所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0.5≤x≤0.7;且
0.2≤y≤0.5。
24.根据权利要求19所述的白光LED,其中所述黄光磷光体具有化学式(Sr1-x-yEuxMny)2P2+zO7;且其中
0.03≤x≤0.08;
0.06≤y≤0.16;且
0<z≤0.05。
25.根据权利要求15所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体选自由基于硅酸盐的磷光体和基于铝酸盐的磷光体组成的群组。
26.根据权利要求25所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体具有化学式Sr1-x-yMgxBaySiO4:Eu2+F;且其中
0.5≤x≤1.0;且
0≤y≤0.5。
27.根据权利要求25所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体具有化学式Sr1-xMgEuxAl10O17;且其中
0.01<x≤1.0 。
28.根据权利要求25所述的白光LED,其中所述蓝光磷光体具有化学式SrxAl14O25:Eu+2,且其中
x<4。
29.一种用于白光LED的单磷光体系统,所述磷光体系统包含:
辐射源,其经配置以发射具有在约250nm到420nm范围内的波长的辐射;
磷光体,其经配置以吸收来自所述辐射源的所述辐射的至少一部分,且发射在约520nm到560nm波长范围内具有峰值强度的宽谱光。
30.根据权利要求29所述的白光LED,其中由所述辐射源发射的辐射的250nm到400nm部分大体上为非可见紫外线(UV)辐射,且所述400nm到420nm部分大体上为来自电磁波谱的可见光范围的紫光。
31.根据权利要求29所述的白光LED,其中所述辐射源包含发光二极管(LED)。
32.根据权利要求31所述的白光LED,其中所述辐射源包含选自由GaN、ZnSe和SiC组成的群组的至少一个半导体层和选自由GaN、AlGaN、InGaN和InAlGaN组成的群组的至少一个包含p-n结的活性区域。
33.根据权利要求29所述的白光LED,其中所述单个磷光体选自由基于硅酸盐的磷光体组成的群组。
34.根据权利要求29所述的白光LED,其中所述单个磷光体具有化学式A2SiO4:Eu2+F,其中A为选自由Sr、Ca、Ba、Mg、Zn和Cd组成的群组的二价金属中的至少一种。
35.根据权利要求29所述的白光LED,其中所述单个磷光体具有化学式Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu+2F;且其中
0.3≤x≤0.8;且
0.1≤y≤0.5。
36.根据权利要求1所述的白光照明系统,其中所述黄光磷光体与所述蓝光磷光体的比率在约9到1的范围内。
37.根据权利要求15所述的白光照明系统,其中所述黄光磷光体与所述蓝光磷光体的比率在约9到0.2的范围内。
38.一种由根据权利要求1所述的白光LED产生的白光照明。
39.一种由根据权利要求15所述的白光LED产生的白光照明。
40.一种由根据权利要求29所述的单磷光体系统产生的白光照明。
41.根据权利要求38所述的白光照明,其中所述白光照明包含约百分之10到50的由所述蓝光磷光体发射的光和约百分之50到90的由所述黄光磷光体发射的光。
42.根据权利要求39所述的白光照明,其中所述白光照明包含约百分之20到50的由所述蓝光磷光体发射的光和约百分之50到80的由所述黄光磷光体发射的光。
43.根据权利要求1所述的白光照明,其中所述白光照明具有在约3000K到6500K范围内的色温。
44.根据权利要求15所述的白光照明,其中所述白光照明具有在约3000K到6500K范围内的色温。
45.根据权利要求29所述的白光照明,其中所述白光照明具有在约3000K到6500K范围内的色温。
46.根据权利要求1所述的白光照明,其中所述白光照明具有大于约70的显色指数(CRI)。
47.根据权利要求15所述的白光照明,其中所述白光照明具有大于约70的显色指数(CRI)。
48.根据权利要求29所述的白光照明,其中所述白光照明具有大于约70的显色指数(CRI)。
49.一种从双磷光体系统产生白光照明的方法,所述方法包含:
提供辐射源,所述辐射源经配置以发射具有在约250nm到420nm范围内的波长的辐射;
将黄光磷光体曝光到来自所述辐射源的辐射的至少一部分,以产生具有波长在约530nm到590nm范围内的光;
将蓝光磷光体曝光到来自所述辐射源的辐射的至少一部分,以产生具有在约470nm到530nm范围内的波长的光;和
将来自所述黄光磷光体的所述光与来自所述蓝光磷光体的所述光混合,以产生所述白光照明。
50.一种由根据权利要求49所述的方法产生的白光照明。
51.根据权利要求50所述的白光照明,其中所述白光照明包含约百分之10到50的来自光谱的蓝光区域的可见光辐射和约百分之50到90的来自所述光谱的黄光区域的可见光辐射。
52.根据权利要求50所述的白光照明,其中所述白光照明具有在约3000K到6500K范围内的色温。
53.根据权利要求50所述的白光照明,其中所述白光照明具有大于约70的显色指数(CRI)。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010102442A1 (zh) * 2009-03-10 2010-09-16 海洋王照明科技股份有限公司 产生白光的方法及发光装置
CN101896576A (zh) * 2007-12-14 2010-11-24 奥斯兰姆有限公司 荧光材料和具有这种荧光材料的照明系统
CN102660773A (zh) * 2012-04-25 2012-09-12 中国科学院福建物质结构研究所 非线性光学晶体硼酸氧镉钇
CN102803438A (zh) * 2009-06-24 2012-11-28 首尔半导体股份有限公司 具有掺杂Eu2+的硅酸盐发光体的发光物质
CN101999169B (zh) * 2008-02-15 2013-12-25 克里公司 用于提供白色光输出的宽带发光器件灯

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1413619A1 (en) 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR101209488B1 (ko) 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
US20060027785A1 (en) * 2004-08-04 2006-02-09 Intematix Corporation Novel silicate-based yellow-green phosphors
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7390437B2 (en) * 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
US7601276B2 (en) * 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
KR20060034055A (ko) 2004-10-18 2006-04-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광소자
ATE498206T1 (de) * 2004-11-18 2011-02-15 Koninkl Philips Electronics Nv Lichtquelle mit verbessertem abdunkelungsverhalten und methode zu derer ansteuerung
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
JP4706358B2 (ja) * 2005-07-04 2011-06-22 三菱化学株式会社 青色発光蛍光体およびその製造方法、発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライト並びにディスプレイ
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
JP2007165728A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toshiba Discrete Technology Kk 発光装置及び可視光通信用照明装置
EP1852488A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-07 Association Suisse pour la Recherche Horlogère Phosphorescent compounds
EP1837387B1 (fr) * 2006-03-13 2011-01-05 Association Suisse pour la Recherche Horlogère Composés phosphorescents
US20070247060A1 (en) * 2006-04-25 2007-10-25 Janet Chua Bee Y Blue-light light-emitting diode
US8440049B2 (en) 2006-05-03 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
US8044419B2 (en) * 2006-05-30 2011-10-25 University Of Georgia Research Foundation, Inc. White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting LEDS, methods of making white light emitting LEDS, and light bulb structures
US20080074583A1 (en) * 2006-07-06 2008-03-27 Intematix Corporation Photo-luminescence color liquid crystal display
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7830434B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-09 Intematix Corporation Semiconductor color image sensor responsive at shorter wavelengths
US7713442B2 (en) 2006-10-03 2010-05-11 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
EP2128219B1 (en) * 2007-02-23 2014-05-07 Kyocera Corporation Phosphor, method for production thereof, wavelength converter, illumination device and luminaire
US7687816B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-30 International Business Machines Corporation Light emitting diode
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
JP5399617B2 (ja) * 2007-05-14 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 発光組成物及びこれを用いた光源装置並びにこれを用いた表示装置
US8319949B2 (en) * 2007-06-18 2012-11-27 Leddartech Inc. Method for detecting objects with visible light
US8767215B2 (en) 2007-06-18 2014-07-01 Leddartech Inc. Method for detecting objects with light
CN100558852C (zh) * 2007-11-08 2009-11-11 同济大学 一种近紫外led用白光荧光粉的制备方法
US20100232135A1 (en) * 2007-11-23 2010-09-16 Kawamura Munehiro Photosynthesis inhibiting light source and illuminating device that uses the same
DE102007060198A1 (de) * 2007-12-14 2009-06-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED
US20090161369A1 (en) 2007-12-19 2009-06-25 Keren Regev Waveguide sheet and methods for manufacturing the same
US8172447B2 (en) 2007-12-19 2012-05-08 Oree, Inc. Discrete lighting elements and planar assembly thereof
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
DE102008029191A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
WO2009109974A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8740400B2 (en) 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
US8567973B2 (en) * 2008-03-07 2013-10-29 Intematix Corporation Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs)
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
FR2940679B1 (fr) 2008-12-31 2016-06-10 Finan Trading Company Systeme d'eclairage a diodes electroluminescentes.
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
WO2010150202A2 (en) 2009-06-24 2010-12-29 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
TWI426629B (zh) * 2009-10-05 2014-02-11 Everlight Electronics Co Ltd 白光發光裝置、其製造方法及應用
TWI403005B (zh) * 2009-10-12 2013-07-21 Intematix Technology Ct Corp 發光二極體及其製作方法
CA2779965A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Alcon Research, Ltd. Photonic lattice leds for ophthalmic illumination
US20110149592A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Artsyukhovich Alexander N Light collector for a white light led illuminator
CN101769455A (zh) * 2009-12-28 2010-07-07 深圳市成光兴实业发展有限公司 一种采用整体荧光转换技术的led灯泡
WO2011079474A1 (zh) * 2009-12-31 2011-07-07 海洋王照明科技股份有限公司 基于紫光led的白光发光装置
CN102140346A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 大连路明发光科技股份有限公司 一种Eu2+激活的硅氧磷灰石发光材料及其制备方法
US8936377B2 (en) 2010-03-31 2015-01-20 Alcon Research, Ltd. Apparatus for enhancing brightness of a wavelength converting element
CN102844404A (zh) 2010-03-31 2012-12-26 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 磷光体和含有它的leds
JP2011228403A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Panasonic Electric Works Co Ltd 波長変換部材及びそれを用いた照明装置
US8222652B2 (en) * 2010-04-20 2012-07-17 Bridgelux, Inc. Method for controlling color accuracy in a light-emitting semiconductor-based device and process for producing a light-emitting semiconductor-based device with controlled color accuracy
CN101915369A (zh) * 2010-07-20 2010-12-15 上海亚明灯泡厂有限公司 Led白光光源模块
CN102337123B (zh) * 2010-07-20 2013-11-27 海洋王照明科技股份有限公司 硅酸盐发光材料及其制备方法
US8573801B2 (en) * 2010-08-30 2013-11-05 Alcon Research, Ltd. LED illuminator
US8534901B2 (en) 2010-09-13 2013-09-17 Teledyne Reynolds, Inc. Collimating waveguide apparatus and method
JP5841406B2 (ja) 2010-11-05 2016-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US8974695B2 (en) 2010-11-11 2015-03-10 Auterra, Inc. Phosphors of rare earth and transition metal doped Ca1+xSr1-xGayIn2-ySzSe3-zF2; manufacturing and applications
CN102097571A (zh) * 2010-11-16 2011-06-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种黄绿光二极管、背光源、手机及照明指示装置
JP5770205B2 (ja) * 2010-11-22 2015-08-26 宇部マテリアルズ株式会社 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置
KR101180081B1 (ko) * 2010-11-29 2012-09-06 한국조폐공사 다층 구조를 가지는 형광 은선 및 그 제조방법
JP5707505B2 (ja) 2010-12-14 2015-04-30 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド ハロゲンケイ酸塩発光材料及びその調製方法
JP5948052B2 (ja) 2010-12-28 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
JP5735014B2 (ja) 2011-02-14 2015-06-17 株式会社小糸製作所 蛍光体の製造方法
TWI418610B (zh) * 2011-03-07 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 螢光材料、及包含其之發光裝置
US8608328B2 (en) 2011-05-06 2013-12-17 Teledyne Technologies Incorporated Light source with secondary emitter conversion element
CN104011457B (zh) * 2011-11-07 2016-08-24 株式会社东芝 白色光源以及包括所述白色光源的白色光源系统
US8992042B2 (en) 2011-11-14 2015-03-31 Halma Holdings, Inc. Illumination devices using natural light LEDs
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
DE102012101920A1 (de) * 2012-03-07 2013-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9605200B2 (en) * 2012-03-26 2017-03-28 Ube Material Industries, Ltd. Deep-red light-emitting magnesium fluoro-germanate fluoroescent body and method for producing same
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
EP3176836B1 (en) * 2012-10-04 2024-04-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device, lighting system, and dental lighting system
CN105209570B (zh) 2013-05-13 2018-03-09 飞利浦照明控股有限公司 Uv辐射装置
JP2014224182A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
DE102013113188A1 (de) * 2013-11-28 2015-05-28 Osram Gmbh Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einem solchen Lumineszenzkonversionselement
US20150184813A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-02 Xicato, Inc. Efficient led-based illumination modules with high color rendering index
US10066160B2 (en) 2015-05-01 2018-09-04 Intematix Corporation Solid-state white light generating lighting arrangements including photoluminescence wavelength conversion components
CN104877675B (zh) * 2015-05-12 2016-08-24 岭南师范学院 一种混合价态铕离子掺杂单一基质颜色可调荧光粉及其制备方法
WO2017121833A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
US10153405B2 (en) * 2016-02-26 2018-12-11 Nichia Corporation Fluorescent material, light emitting device, and method for producing fluorescent material
US11172560B2 (en) 2016-08-25 2021-11-09 Alcon Inc. Ophthalmic illumination system with controlled chromaticity
CN109803969B (zh) 2016-10-06 2022-08-05 巴斯夫欧洲公司 2-苯基苯氧基取代的苝双酰亚胺化合物及其用途
JP7297756B2 (ja) 2017-12-19 2023-06-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア シアノアリール置換ベンゾ(チオ)キサンテン化合物
KR102072437B1 (ko) * 2018-03-12 2020-02-03 한국과학기술연구원 백색 발광이 가능한 산화아연 계열 양자점 집합체
KR20200132946A (ko) 2018-03-20 2020-11-25 바스프 에스이 황색 광 방출 장치
US11162025B2 (en) 2018-04-10 2021-11-02 Nichia Corporation Boron nitride fluorescent material, and method for producing the same
CN109638115B (zh) * 2018-11-14 2020-02-21 五邑大学 仿钠黄光led灯珠及其制备方法
CN113985691B (zh) * 2020-07-27 2023-10-20 中强光电股份有限公司 波长转换装置及其制造方法
CN112341183A (zh) * 2020-11-09 2021-02-09 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 一种激光照明的荧光复合陶瓷光纤的制备方法
CN113999671B (zh) * 2021-12-01 2023-10-13 兰州大学 一种照明显示白光led用荧光粉及其制备和应用

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3505240A (en) * 1966-12-30 1970-04-07 Sylvania Electric Prod Phosphors and their preparation
JPS5993782A (ja) * 1982-11-18 1984-05-30 Toshiba Corp 2価金属フツ化ハロゲン化酸化物「けい」光体
JPS61266488A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Mitsubishi Electric Corp 陰極線管用蛍光体
DE4324266A1 (de) * 1993-07-20 1995-01-26 Fischer Artur Werke Gmbh Kassettenhalterung mit Klemmeinrichtung
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
ES2230623T3 (es) 1997-03-26 2005-05-01 Zhiguo Xiao Material luminiscente de silicato con postluminiscencia de larga duracion y procedimiento de fabricacion del mismo.
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6501100B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
WO2001093342A1 (de) * 2000-05-29 2001-12-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
US6685852B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP3985486B2 (ja) * 2001-10-01 2007-10-03 松下電器産業株式会社 半導体発光素子とこれを用いた発光装置
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色led用蛍光体とそれを用いた白色led
KR20040050125A (ko) * 2002-12-09 2004-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 램프 및 그 제조방법
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6982045B2 (en) 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101896576A (zh) * 2007-12-14 2010-11-24 奥斯兰姆有限公司 荧光材料和具有这种荧光材料的照明系统
CN101896576B (zh) * 2007-12-14 2013-12-18 奥斯兰姆有限公司 荧光材料和具有这种荧光材料的照明系统
CN101999169B (zh) * 2008-02-15 2013-12-25 克里公司 用于提供白色光输出的宽带发光器件灯
WO2010102442A1 (zh) * 2009-03-10 2010-09-16 海洋王照明科技股份有限公司 产生白光的方法及发光装置
CN102369603A (zh) * 2009-03-10 2012-03-07 海洋王照明科技股份有限公司 产生白光的方法及发光装置
CN102369603B (zh) * 2009-03-10 2013-01-30 海洋王照明科技股份有限公司 产生白光的方法及发光装置
CN102803438A (zh) * 2009-06-24 2012-11-28 首尔半导体股份有限公司 具有掺杂Eu2+的硅酸盐发光体的发光物质
CN102803438B (zh) * 2009-06-24 2015-04-15 首尔半导体股份有限公司 具有掺杂Eu2+的硅酸盐发光体的发光物质
CN102660773A (zh) * 2012-04-25 2012-09-12 中国科学院福建物质结构研究所 非线性光学晶体硼酸氧镉钇

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