CN101009213A - 加热处理装置和方法、控制程序和计算机可读存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可兼顾高均匀性和高制品生产率的加热处理装置和加热处理方法，并提供可进行重视高均匀性处理和重视高制品生产率处理的加热处理装置，包括：加热基板W用的加热板(121)；围绕加热板(121)上方空间的盖(123)；排出盖(123)内的气体并在加热板(121)上方空间形成排气流的排气流形成机构(135、149)；在加热板(121)上的基板W上面形成一样地供给的下冲气流的下冲气流形成机构(141、153)；以及控制机构(155)，能够进行控制，以切换由下冲气流形成机构(144、153)形成下冲气流并加热基板W的模式和由排气流形成机构(135、149)形成排气流并加热基板W的模式。

Description

加热处理装置和方法、控制程序和计算机可读存储介质
技术领域
本发明涉及例如在半导体晶片等基板上进行涂敷和显影处理以制造半导体装置等时所使用的加热基板的加热处理装置和加热处理方法、以及实施所述方法的控制程序和计算机可读存储介质。
背景技术
在半导体器件的光刻工序中，在半导体晶片(以下简单称为晶片)上涂敷抗蚀剂，并根据规定的回路图形使由此形成的抗蚀剂膜曝光，通过将该曝光的图形进行显影处理，在抗蚀剂膜上形成回路图形。
在这种光刻工序中，进行涂敷抗蚀剂或者BARC等药液后的加热处理(预烘焙)、曝光后的加热处理(后曝光烘焙)、显影后的加热处理(后烘焙)等各种加热处理。
通常，这些加热处理利用配置有由加热器加热的加热板(热板)的加热处理装置(热板部件)来进行。在这种加热处理装置中，为了极力均匀地加热处理晶片，一般采用下述方法，即，根据现有技术，在加热处理时，利用盖覆盖加热板，其中这样进行气流控制，使得形成从加热板的外周向着中央的气流，并从盖的中央向上方排气。
然而，近年来，半导体器件回路图形的细线化、微细化和高集成化急速地发展，为了与此对应而要求进一步提高加热处理时的处理均匀性。但是，在上述气流控制中，难以确保为了得到希望的处理均匀性，特别是关键尺寸(CD)的均匀性所必要的相对于晶片的气流的均匀性，因此，要求能够进行均匀性更高的加热处理的技术。作为实现这种高均匀性的加热处理的技术，在专利文献1中揭示有一种从上方一样地将气流供给至基板的整个表面来进行加热处理的技术。在该技术中，由于气体流均匀地与晶片等基板的整体表面碰撞接触，因此，能够提高处理的均匀性，特别是涂敷膜的膜厚处理的均匀性。
然而，在下一代设备中，要求CD在50nm以下所谓的极微细图形，在形成这种微细图形时，即便是稍许尘埃也有可能成为产生缺陷的原因，因此，必需要迅速地除去因加热处理而生成的升华物等，但是，在上述专利文献1所揭示的技术中，不能充分地除去升华物等，从而，导致制品的生产率降低。特别是，与下一代CD相对应，对于与为了进一步提高曝光的析像性能而使用短波长的氟化氩(ArF)对应的涂敷膜，特别容易产生这种因升华物而引起生产率降低的问题。
另外，在这种加热处理中，存在重视CD的均匀性的情况和重视提高通过除去由升华物等尘埃引起的物质来提高制品生产率的情况，但利用上述专利文献1的技术，不能利用涂敷膜而与后者对应，因此，要求能够与这两者对应的加热处理技术。
专利文献1：日本特开2003-318091号公报。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够兼容高均匀性和高制品生产率的加热处理装置以及加热处理方法。此外，另一目的在于提供一种能够进行重视高均匀性的处理和重视高制品生产率的处理双方的加热处理装置。再一个目的在于提供一种实行所述加热处理方法的控制程序和计算机可读存储介质。
为了解决上述问题，根据本发明的第一观点提供一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：加热基板用的加热板；围绕上述加热板的上方空间的盖；在上述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；和在上述加热板的上方空间形成主要排出除去从基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构，其中，能够有选择地切换上述第一气流形成机构和上述第二气流形成机构。
根据本发明的第二观点，提供一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：加热基板用的加热板；围绕上述加热板的上方空间的盖；在上述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；在上述加热板的上方空间形成主要排出除去从基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构；以及控制机构，其进行控制，以切换通过上述第一气流形成机构形成气流并加热基板的模式和通过上述第二气流形成机构形成气流并加热基板的模式。
在上述第二观点中，上述控制机构可以在加热处理中途从上述两种模式中的一种切换至另一种。在这种情况下，上述控制机构能够最初进行通过上述第一气流形成机构形成气流并加热基板的模式，其次切换至通过上述第二气流形成机构形成气流并加热基板的模式。
在上述第一或第二观点中，上述第一气流形成机构形成同样地供给上述加热板上的基板的上面的下冲气流。此外，上述第二气流形成机构构成为排出上述加热板的上方空间中的气体而形成沿着基板的气流。在这种情况下，上述第二气流形成机构可以在上述加热板的上方空间形成从基板周边向着中心的气流，也可以在上述加热板的上方空间形成从基板的一侧向着另一侧的单向气流。
根据本发明的第三观点提供一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：加热基板用的加热板；围绕上述加热板的上方空间的盖；排出上述盖内的气体而在上述加热板的上方空间形成排气流的排气流形成机构；和形成相对上述加热板上的基板的上面同样地进行供给的下冲气流的下冲气流形成机构，其中，能够切换通过上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式和通过上述排气流形成机构形成排气流并加热基板的模式。
根据本发明的第四观点提供一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：加热基板用的加热板；围绕上述加热板的上方空间的盖；排出上述盖内的气体而在上述加热板的上方空间形成排气流的排气流形成机构；形成相对上述加热板上的基板的上面同样地进行供给的下冲气流的下冲气流形成机构；和控制机构，其进行控制，能够切换通过上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式和通过上述排气流形成机构形成排气流并加热基板的模式。
在上述第四观点中，上述控制机构可以在加热处理中途从上述两种模式中的一种切换至另一种。在这种情况下，上述控制机构构成为最初实行通过上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式，其次，切换至通过上述排气机构进行排气并加热基板的模式。
在上述第三或第四观点中，上述下冲气流形成机构构成为具有从上述盖的顶壁呈喷淋状向基板的上面供给气体的气体供给机构和向基板的外周方向进行排气的外周排气机构。另外，上述排气流形成机构具有设置在上述盖的顶壁中央的排气部和将气体从基板的外周侧导入至上述加热板的上方空间的气体导入部，通过从上述气体导入部导入气体并从上述排气部进行排气，而能够在上述加热板的上方空间形成从基板周边向着中心的排气流，或者，上述排气流形成机构具有设置在上述加热板的上方空间的一侧上的气体导入部和设置在上述空间的另一侧上的排气部，通过从上述气体导入部导入气体并从上述排气部进行排气，而能够在上述加热板的上方空间形成从基板一侧向另一侧的单向排气流。
根据本发明的第五观点提供一种加热处理方法，利用加热处理装置进行加热处理，其中，上述加热处理装置包括：加热基板用的加热板；围绕上述加热板的上方空间的盖；在上述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；以及在上述加热板的上方空间形成主要排出除去由基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构，上述加热处理方法的特征在于，包括下列工序：通过上述第一气流形成机构形成气流并加热基板的工序；和通过上述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序。
在上述第五观点中，优选最初进行通过上述第一气流形成机构形成气流并加热基板的工序，其次进行通过上述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序。另外，也可以在通过上述第一气流形成机构形成气流并加热基板的工序中，形成相对上述加热板上的基板的上面同样地供给的下冲气流。另外，也可以在通过上述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序中，排出上述加热板的上方空间中的气体而形成沿着基板的气流，具体地说，在上述加热板的上方空间形成从基板周边向着中心的气流，或者在上述加热板的上方空间形成从基板的一侧向着另一侧的单向气流。
根据本发明第六观点提供一种加热处理方法，利用加热处理装置进行加热处理，其中，上述加热处理装置包括：加热基板用的加热板；围绕上述加热板的上方空间的盖；从盖的上部或侧面排出上述盖内气体而在上述加热板的上方空间形成排气流的排气流形成机构；以及形成相对上述加热板上的基板的上面同样地供给的下冲气流的下冲气流形成机构，上述加热处理方法的特征在于，包括下述工序：通过上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的工序；和通过上述排气流形成机构在上述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序。
在上述第六观点中，优选最初进行通过上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的工序，其次进行通过上述排气流形成机构在上述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序。另外，可以在最初通过上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的工序中，从上述盖的顶壁呈喷淋状向基板的上面供给气体，并通过向基板的外周方向进行的排气而形成上述下冲气流。另外，在利用上述排气流形成机构在上述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序中，在上述加热板的上方空间形成从基板的周边向着中心的排气流，或者，在通过上述排气流形成机构在上述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序中，在上述加热板的上方空间形成从基板的一侧向着另一侧的单向排气流。
在上述第五或第六观点中，在基板的表面上形成有涂敷膜，加热处理是上述涂敷膜的烘焙处理。
根据本发明的第七观点提供一种控制程序，其特征在于：在计算机上工作，由计算机控制加热处理装置，使得在实施时进行上述第五或第六观点上述的方法。
根据本发明的第八观点提供一种计算机可读存储介质，其存储有在计算机上工作的控制程序，其特征在于：由计算机控制加热处理装置，使上述控制程序在实施时进行第五或第六观点上述的方法。采用本发明，由于具有在上述加热板的上方空间中形成主要是实现均匀加热处理的气流的第一气流形成机构，和在上述加热板的上方空间中，形成主要是排出除去由基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构，并且可以有选择地切换上述第一气流形成机构和上述第二气流形成机构，更具体地说，具有排出上述盖内的气体，在上述加热板的上方空间中形成排气流的排气流形成机构和在上述加热板上的基板上面形成同样地供体的下冲气流的下冲气流动形成机构，可以切换由上述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式和由上述排气流形成机构形成排气流并加热基板的模式，因此，可以根据基板，进行重视高均匀性的处理和重视高制品生产率的处理两双方。
另外，通过控制使得可切换这些模式，能够串行地进行重视均匀性的处理和重视高制品生产率的处理，可以兼顾高均匀性和高制品生产率。
附图说明
图1是表示放置本发明的一个实施方式的加热处理单元的半导体器件的抗蚀剂涂敷和显影处理系统的全体结构的平面图。
图2是图1所示的抗蚀剂涂敷和显影处理系统的正视图。
图3是图1所示的抗蚀剂涂敷和显影处理系统的背面图。
图4是表示图1的抗蚀剂涂敷和显影处理系统中具有的主晶片搬送装置的大致结构的立体图。
图5是表示图1的抗蚀剂涂敷和显影处理系统的控制系统的框图。
图6是表示本发明的一个实施方式的加热处理单元的截面图。
图7是放大表示本发明的一个实施方式的加热处理单元的加热部的截面图。
图8是表示本发明的一个实施方式的加热处理单元的加热部的盖的立体图。
图9是本发明的一个实施方式的加热处理单元的内部的大致平面图。
图10是说明本发明的一个实施方式的加热处理单元的两种模式的示意图。
图11是说明本发明的一个实施方式的加热处理单元的加热处理方法的流程图。
图12是说明在本发明的一个实施方式的加热处理单元中，进行加热处理后的晶片与冷却板的交换顺序的示意图。
图13是放大表示本发明的另一个实施方式的加热处理单元的加热部的截面图。
图14是表示本发明的另一个实施方式加热处理单元的加热部的大致水平截面图。
图15是说明本发明的另一个实施方式的加热处理单元的二种模式的示意图。
标号说明
120-加热部；121-加热板；122-支承部件；123-盖；126-电气加热器；133a-气体输出孔；135-排气管；138-气体排出口；142-清洗气体导入口；143-清洗气体管路；144-清洗气体供给机构；146、150、154-阀；148-排气管路；149-中心排气机构；152-排气管路；153-外周排气机构；155-控制器；160-冷却部；161-冷却板；CHP-加热处理单元；W-半导体晶片。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的实施方式。
图1为表示放置本发明一个实施方式的加热处理单元的抗蚀剂涂敷和显影处理系统的简要平面图，图2为其正视图，图3为其背面图。
该抗蚀剂涂敷和显影处理系统1包括：作为搬送站的盒站11，具有多个处理单元的处理站12，以及在与处理站12相邻而设置的曝光装置14和处理站12之间交换晶片W用的交接站13。
在抗蚀剂涂敷和显影处理系统1中，水平收容有进行处理的多块晶片W的晶片盒(CR)，从另一个系统搬入至盒站11。另外相反，在抗蚀剂涂敷和显影处理系统1中，收容有处理结束的晶片W的晶片盒(CR)，从盒站11搬出至另一系统。而且，盒站11在晶片盒(CR)和处理站12之间进行晶片W的搬送。
如图1所示，在盒站11中，沿着X方向在盒放置台20上成一列形成有多个(图1中为5个)定位突起部20a，晶片盒(CR)的晶片搬入搬出口，能够向着处理站12而放置该突起部20a的位置上。
在盒站11中设置有晶片搬送机构21，使其位于盒放置台20和处理站12之间。该晶片搬送机构21具有能够在盒配置方向(X方向)和晶片盒(CR)中的晶片W的配置方向(Z方向)移动的晶片搬送用拾取元件21a，该晶片搬送用拾取元件21a能够在图1中所示的θ方向转动。这样，晶片搬送用拾取元件21a可以接近任何一个晶片盒(CR)，而且可以接近设置在后述的处理站12的第三处理单元群G3中的传送单元(TRS-G3)。
在处理站12中，在系统的前面侧，从盒站11侧开始依次设置有第一处理单元群G1和第二处理单元群G2。另外，在系统的背面，从盒站11侧开始依次配置有第三处理单元群G3、第四处理单元群G4和第五处理单元群G5。在第三处理单元群G3和第四处理单元群G4之间还设置有第一主搬送部A1，在第四处理单元群G4和第五处理单元群G5之间设第二主搬送部A2。而且，在第一主搬送部A1的背面侧还设置有第六处理单元群G6，在第二主搬送部A2的背面侧设置有第七处理单元群G7。
如图1和图2所示，第一处理单元群G1共计5层重叠5台旋转型处理单元(例如3台抗蚀剂涂敷单元(COT)和形成防止曝光时的光反射的反射防止膜的底部涂敷单元(BARC))，该5台旋转型处理单元可作为在盖(CP)内将晶片W放置在旋转夹头SP上进行规定处理的液体供给单元。另外，在第二处理单元群G2中，5层重叠5台旋转器型处理单元(例如显影部件(DEV))。
如图3所示，第三处理单元群G3从下面开始分10层重叠温度调整单元(TCP)；在盒站11和第一主搬送部A1之间作为晶片W的交接部的传送单元(TRS-G3)；将晶片W放置在放置台上来进行规定处理的开放型处理单元；可以设置所希望的开放型处理单元等的备用空间V；在高精度温度管理下，对晶片W进行加热处理的三个高精度温度调整单元(CPL-G3)；以及对晶片W进行规定加热处理的4个高温热处理单元(BAKE)构成。
如图3所示，第四处理单元群G4从下面开始分10层重叠高精度温度调整单元(CPL-G4)；对抗蚀剂涂敷后的晶片W进行加热处理的4个预烘焙单元(PAB)；和对显影处理后的晶片W进行加热处理的5个后烘焙单元(POST)构成。
如图3所示，第五处理单元群G5从下面开始分10层重叠4个高精度温度调整单元(CPL-G5)以及6个对曝光后显影前的晶片W进行加热处理的后曝光烘焙单元(PEB)。
如后所述，设置在第三～第五处理单元群G3～G5中的高温热处理单元(BAKE)、预烘焙单元(PAB)、后烘焙单元(POST)、后曝光烘焙单元(PEB)具有全部相同的结构，构成本实施方式的加热处理单元。另外，第三～第五处理单元群G3～G5的重叠层数和部件的配置不限于图示，可以任意地对其进行设定。
第六处理单元群G6从下面开始，分4层重叠两个粘附单元(AD)和两个加热晶片W的加热单元(HP)而构成。也可以在粘附单元(AD)中具有调节晶片W温度的机构。另外，第七处理单元群G7从下面开始分两层重叠测定抗蚀剂膜厚的膜厚测定装置(FTI)和选择性地只使晶片W的边缘曝光的周边曝光装置(WEE)而构成。周边曝光装置(WEE)也可以配置成多层。另外，在第二主搬送部A2的背面侧，与在第一主搬送部A1的背面侧相同，也可以配置加热单元(HP)等的热处理单元。
在第一主搬送部A1上设置第一主晶片搬送装置16。该第一主晶片搬送装置16可以有选择地接近第处理单元群G1第3处理单元群G3，第四处理单元群G4和第六处理单元群G6中具有的各个部件。另外，在第二搬送部A2上设置第二主晶片搬送装置17。该第二主晶片搬送装置17可以有选择地接近第二处理单元群G2，第四处理单元群G4，第五处理单元群G5，第七处理单元群G7中具的各个部件。
如图4所示，第一主晶片搬送装置16具有保持晶片W的三个臂7a、7b、7c。这些臂7a～7c能够沿着基台52前后移动。基台52可转动地支承在支承部53上，由内置于支承部53的电机驱动而回转。支承部53可沿着在垂直方向延伸的支承柱55升降。在支承柱55上沿着垂直方向形成套筒55a，从支承部53向侧面突出的凸缘部56能够在套筒55a中滑动。支承部53利用图中没有示出的升降机构，经由凸缘部56升降。利用这种结构，第一主晶片搬送装置16的臂7a～7c能够在X方向、Y方向、Z方向的各个方向移动，而且能够在XY面内转动。这样，如上所述，可分别接近(访问)第一处理单元群G1、第三处理单元群G3，第四处理单元群G4和第六处理单元群G6的各个部件。
其中，在臂7a和臂7b之间安装有遮蔽从两个臂发出的放射热的遮蔽板8。另外，在最上层的臂7a的前端上方设有安装着发光元件(图中没有示出)的传感器构件59，在基台52的前端设有受光元件(图中没有示出)。利用由这些发光元件和受光元件构成的光学传感器，可确认在臂7a～7c中有无晶片W和晶片W的突出等。另外，图4所示的壁57为在第一处理单元群G1上的第一主搬送部A1的壳体的一部分。在壁57上形成在第一处理单元群G1的各个部件之间进行晶片W的交换的窗部57a。第二主晶片搬送装置17的结构与第一主晶片搬送装置16相同。
在第一处理单元群G1和盒站11之间设置有液温调节泵24和导管28，在第二处理单元群G2和交接站13之间设置有液温调节泵25和导管29。液温调节泵24、25分别将规定的处理液供给至第一处理单元群G1和第二处理单元群G2。另外，导管28、29从设置在抗蚀剂涂敷显影处理系统1外的图中没有示出的空调器将清洁的空气供给至各个处理单元群G1～G5的内部。
第一处理单元群G1～第七处理单元群G7，为了对其进行维修而能够将其取出，处理站12的背面侧的板可以取出或开闭。另外，在第一处理单元群G1和第二处理单元群G2的下方设置有将规定的处理液供给至第一处理单元群G1和第二处理单元群G2的化学单元(CHM)26、27。
交接站13由处理站12侧的第一交接站13a和曝光装置14侧的第二交接站13b构成。在第一交接站13a上，配置有与第五处理单元群G5的开口相对的第一晶片搬送体62；在第二交接站13b中配置有能够在X方向移动的第二晶片搬送体63。
如图3所示，在第一晶片搬送体62的背面侧，从下开始依次配置有暂时收容从曝光装置14搬出的晶片W的输出用缓冲盒(OUTBR)，暂时收容搬送至曝光装置14的晶片W的输入用缓冲盒(INBR)和层叠周边曝光装置(WEE)构成的第八处理单元群G8。输入用缓冲盒(INBR)和输出用缓冲盒(OUTBR)可以收容多块(例如25块)晶片。另外，如图2所示，在第一晶片搬送体62的正面侧，从下开始依次配置有层叠两层高精度温度调节单元(CPL-G9)和传送单元(TRS-G9)而构成的第九处理单元群G9。
第一晶片搬送体62能够在Z方向移动，而且可以在θ方向转动，还具有在X-Y面内可自由进退的晶片交换用的叉62a。该叉62a可以有选择地接近第五处理单元群G5、第八处理单元群G8、第九处理单元群G9的各个部件，这样，能够在这些部件间搬送晶片W。
同样，第二晶片搬送体63也可以在X方向和Z方向移动，而且在θ方向转动，还具有在X-Y面内可自由进退的晶片交换用的叉63a。该叉63a可以有选择地接近第九处理单元群G9的各个部件和曝光装置14的输入站14a以及输出站14b，在这些各个部分之间进行晶片W的搬送。
如图2所示，在盒站11的下部设置有控制该抗蚀剂涂敷和显影处理系统1全体的集中控制部19。如图5所示，该集中控制部19具有过程控制器101，该过程控制器101具有控制抗蚀剂涂敷和显影处理系统1的各个部件和各个搬送机构等的各个构成部分的CPU，由工序管理者进行管理抗蚀剂涂敷和显影处理系统1的各个构成部分用的指令输入操作等的键盘、可视化显示抗蚀剂涂敷和显影处理系统1的各个构成部分的工作状况的显示器等构成的用户界面102、以及存储部103与该过程控制器101连接，其中，该存储部103可存放记录有通过过程控制器101的控制实现在抗蚀剂涂敷和显影处理系统1中进行的各种处理用的控制程序或处理条件数据等的方案。
然后，根据需要，接受从用户界面102发出的指示，从存储部103中调出任意的方案，通过在过程控制器101中实行，在过程控制器101的控制下，在抗蚀剂涂敷和显影处理系统1中，进行所希望的各种处理。方案不但可以存放在CD-ROM、硬盘、软盘、非易失性存储器等的能够读出的存储介质中的状态，而且还可以从适当的装置，例如通过专用线路而随时传送，从而能够在线利用。其中，在各个构成部中设置有下位的控制器，这些控制器根据过程控制器101的指令，控制各个构成部分的动作。
在这样构成的抗蚀剂涂敷和显影处理系统1中，利用晶片搬送机构21从晶片盒(CR)一个一个地取出处理前的晶片W，将该晶片W搬送至配置在处理站12的处理单元群G3中的传送单元(TRS-G3)中，其次，在利用温度调节单元(TCP)对晶片W进行温度调节处理后，利用属于第一处理单元群G1的底部涂敷单元(BARC)形成反射防止膜，在加热单元(HP)中进行加热处理、在高温热处理单元(BAKE)中进行烘焙处理。在利用底部涂敷单元(BARC)在晶片W上形成反射防止膜前，可以利用粘附单元(AD)进行粘接处理。其次，在利用高精度温度调节单元(CPL-G4)进行晶片W的温度调节后，将晶片W搬送至属于第一处理单元群G1的抗蚀剂涂敷单元(COT)后，进行抗蚀剂液的涂敷处理，然后，利用设置在第四处理单元群G4中的预烘焙单元(PAB)对晶片W进行预烘焙处理，利用周边曝光装置(WEE)进行周边曝光处理后，利用高精度温度调节单元(CPL-G9)等调节温度。然后，利用第二晶片搬送体63将晶片W搬送至曝光装置14内。利用第二晶片搬送体63将由曝光装置14进行曝光处理的晶片W搬入传送单元(TRS-G9)中，利用第一晶片搬送体62，在属于第五处理单元群G5的后曝光烘焙单元(PEB)中进行后曝光烘焙处理，再搬送至属于第二处理单元群G2的显影部件(DEV)并进行显影处理后，利用后烘焙单元(POST)进行后烘焙处理，在利用高精度温度调节单元(CPL-G3)进行温度调节处理后，通过传送单元(TRS-G3)搬送至盒站11的晶片盒(CR)的规定位置上。
其次，详细说明本发明的一个实施方式的加热处理单元。如上所述，高温热处理单元(BAKE)、预烘焙单元(PAB)、后烘焙单元(POST)、后曝光烘焙单元(PEB)具有全部相同的结构，构成本实施方式的加热处理单元，构成作为带有冷却板的加热处理单元(CHP)。图6表示为本实施方式的加热处理单元的截面图。图7为放大表示其加热部的截面图，图8为表示加热单元的加热部的盖的立体图，图9为加热单元内部的简要平面图。
该加热处理单元(CHP)具有壳体110，其内部的一侧成为加热部120，另一侧成为冷却部160。
加热部120包括：加热晶片W的圆板状的加热板121；上部形成为开放的扁平圆筒状，在其内部空间中支承加热板121的支持部件122；和下部形成为开放的扁平圆筒状，覆盖支承部件122的上方的盖123。盖123利用图中没有示出的升降机构二升降，在上升状态下，可以将晶片W搬入搬出加热板121，在下降状态下，其下端与支承部件122的上端靠紧，从而形成加热处理空间S，另外，支承部件122固定在配置在壳体110的底面上的隔板124上。
加热板121例如由铝制成，在其表面上设有接近销(proximity pin)125。在与加热板121接近的状态下，晶片W放置在该接近销125上。具有规定图形的电气加热器126埋入加热板121中，通过从加热器电源127对该电气加热器126进行通电而能够将加热板121设定为规定温度。加热温度的控制是通过利用设置在加热板121的表面附近的热电偶(图中没有示出)的反馈控制而进行。
在加热板121的中心形成有三个通孔128(图6中只表示2个)，能够使晶片W升降的销129可自由升降地安装在这些通孔128中。这些升降销129由支承板130所支承，通过该支承板130，利用设置在壳体110下方的缸体机构131而升降。
如图7放大所示，盖123由顶壁123a和侧壁部123b构成。顶壁123a具有上板132和下板133，在其之间形成有气体扩散空间d。另外，在顶壁123a的下板133上均匀地形成有多个气体输出孔133a。而且，排气管135沿垂直方向在顶壁123a的中心贯通。在盖123的侧壁部123b的上面形成有沿着周围方向的多个空气入口136，从空气入口136向着加热处理空间S形成空气导入路137。其中，也可以设置导入N2等其他气体的气体导入机构来代替空气入口136。
在盖123的侧壁部123b的下部，沿着内周形成有多个气体排出口138。在侧壁部123b的内部，设置有从气体排出口138水平延伸、在中间向垂直上方延伸的多个垂直排气路140。另外，在侧壁部123b的上部设置有环状排气路141。垂直排气路140与该环状排气路141连接。
在盖123的顶壁123a的上面形成有清洗气体导入口142，清洗气体供给机构144通过清洗气体管路143而与该清洗气体导入口142连接。清洗气体导入口142通过图中没有示出的流路，与设置在上板132内的环形流路145连接。在环状流路145的下部形成有多个可使清洗气体呈喷雾状输出的气体输出孔145a。因此，从清洗气体供给机构144出来的清洗气体，从清洗气体导入口142通过图中没有示出的流路和环状流路145，再从输出口145a呈喷雾状地输出至气体扩散空间d中。导入气体扩散d中的清洗气体，通过下板133的气体输出孔133a，而呈喷淋状地输出至加热处理空间S中。清洗气体的开关和流量调整用的阀146被设置在清洗气体管路143中。其中，作为清洗气体可以使用空气或者N2或者Ar等惰性气体。
在盖123的上面中心，在垂直方向层叠第一排气构件147a和第二排气构件147b。排气管135插入下侧的第一排气构件147a的内部，排气管路148与第一排气构件147a连接，中心排气机构149与排气管路148连接。排气的开关和排气量调节用的阀150被设置在排气管路148上。加热处理空间S的气氛，可通过中心排气机构149，经由排气路35、第一排气构件147a、排气管路148而排出。
在盖123的上面设置有外周排气构件151。如图8所示，外周排气构件151具有设置在盖123上面的周边上的4个地方的垂直部151a以及与4个地方的垂直部151a中的每两个连接的两个水平部151b。垂直部151a通过气体流路141a而与侧壁部123b的环状排气路141连接。两个水平部151b的中心部分由所述第二排气构件147b连接。排气管路152与第二排气构件147b的侧壁中心连接，外周排气机构153与排气管路152连接。另外，排气的通断和排气量调节用的阀154被设置在排气管路152上。利用外周排气机构153，通过排气路139、140和环状排气路141、以及外周排气构件151、第二排气构件147b和排气管152，而能够从排气口138进行排气。
阀146、150、154的开关和调节利利用控制器155来进行。控制器155根据从集中控制部19的过程控制器101发出的指令，进行阀146、150、154的控制，而可以进行第一模式和第二模式的切换，其中，第一模式为图10(a)所示的利用从气体输出孔133a输出清洗气体，通过排气口138向外周排气，将一样的下冲气流供给至晶片W的上面，并进行加热处理，而第二模式为图10(b)所示的通过盖123的顶壁123a的中心的排气管135进行排气，并从空气入口136取入空气，在加热处理空间S中形成沿着晶片W从外周向着中心的气流(排气流)，并进行加热处理。即：清洗气体供给机构144、外周排气机构153、气体输出孔133a、排气口138和连接它们的管路等构成形成第一模式的气流的第一气流形成机构，中心排气机构149、排气管135、空气入口136、空气导入路137等构成形成所述第二模式的气流的第二气流形成机构。
冷却部160具有冷却板161和在水平方向驱动冷却板161的驱动机构162。在冷却板161上设置有接近销163，晶片W在接近冷却板161的状态下而被放置在接近销163上，进行冷却处理。驱动机构162利用带机构或滚珠丝杠机构等适当的机构，沿着导轨164移动冷却板161。当晶片W在加热板121上被接收和交换时，冷却板161在加热部120中移动，当冷却处理和加热处理时，位于图示的基准位置。这样，当移动时，为了避免冷却板161和升降销129互相干涉，如图9所示，在冷却板161上形成沿冷却板161上搬送方向的槽165。
加热板161可利用图中没有示出的冷却机构而被冷却，冷却温度的控制可通过利用设置在冷却板161表面附近的热电偶(图中没有示出)的反馈控制来进行。
其次，参照图11所示的流程图说明这样构成的加热处理单元的加热处理动作。这里，说明形成有涂敷液后的晶片W的加热处理。
首先，例如，将涂敷规定的涂敷液后或者曝光处理后，或者显影处理后的晶片W搬入壳体110内(步骤1)。这时，使盖123成为上升的状态，将晶片W放置于在加热板121的上方突出状态的升降销129上，其次，使升降销129下降，将晶片W放置在保持规定温度的加热板121的接近销125上(步骤2)。其次，使盖123下降，形成加热处理空间S。
其次，如图10(a)所示，通过从气体输出孔133a呈喷淋状输出清洗气体并经由排气口138向外周排气，将一样的下冲气流供给至晶片W的上面，并进行加热处理，通过该第一模式进行加热处理(步骤3)。在该工序中，通过形成一样地将下冲气流供给至晶片W的全部上表面的气流，而可以在晶片的全部表面上实现均匀的加热处理，可以使形成的抗蚀剂膜或者BARC等的涂敷膜的膜质均匀。这样，能够使显影后的CD的均匀性良好。在该工序中，根据控制器155的指令控制阀154和阀146，通过控制从清洗气体供给机构144送出的清洗气体的流量和从排气口138排出的外周排气量，而可以形成所希望的下冲气流。
然而，在加热形成涂敷膜的晶片时，特别是形成涂敷膜后的加热处理时，产生许多气体或升华物。这种气体或升华物在现有技术中对品质并不会成为特别的问题，但是，当CD为50nm以下的微细尺寸时，由于它们附着在晶片W上成为缺陷，而导致降低制品的生产率。特别是，在形成ArF用的BARC后的晶片烘焙处理中，产生许多这种气体或升华物，其影响大，然而，所述第一模式由于是重视均匀性而将下冲气流给与晶片W的工序，所以对于除去原来气体或者升华物不合适，当勉强提高排气效率时，其均匀性受到损害。
与此相对，在现有技术中进行的中心排气，由于形成从晶片的周边向着中心且沿着晶片的气流，从顶壁中心排出，因此，气体或者升华物与气流一起排出而被除去，难以附着在晶片上。这种模式的加热处理的均匀性差，本发明者们的研究结果发现，如果在涂敷膜的膜质稳定前，以第一模式进行加热处理后，则即使形成重视排气的气流，膜质也不会损害。
因此，在以所述第一膜式进行加热处理后，作为第二模式，从盖123的顶壁123a的中心的排气管135排气，并进行加热处理(步骤4)。如图10(b)所示，在该工序中，通过进行从排气管135的排气，空气从空气入口136、经过空气导入路137，而导入加热处理空间S中，形成沿着晶片W从晶片W的周边向着中心的气流(排气流)。这样，由加热处理产生的气体或升华物，经过排气路35排出而被除去，难以附着在晶片W上。另外，通过形成这种气流，可以有效地除去在以第一模式的加热处理中附着在晶片W上的气体或升华物。在该工序中，在按第一模式加热处理后，根据控制器155的指令来控制，使得关闭阀146和154，停止清洗气体的供给和外周排气，或调整这些阀，形成由涂敷膜产生的气体或升华物不侵入气体输出孔133a中的程度的输出流，打开阀150而成为规定的排气量。这样，形成从外周向着中心的所希望的气流。通过结束第二模式，来结束加热处理。
以在300mm晶片上涂敷ArF激光用的BARC后的烘焙处理为例，表示步骤3和4的第一模式和第二模式的加热处理的条件例如下。
烘焙温度：180～220℃(例如215℃)
第一模式：
清洗气体供给量：5L/min；
外周排气量：5L/min；
第二模式：
中心排气量：20L/min
(清洗气体供给量：4L/min(根据需要))
从第一模式向第二模式的切换时间(总共60秒)：40秒。
如上这样，在规定时间加热处理晶片W后，将晶片放置在冷却板161上，进行规定的冷却处理(步骤5)。参照图12，说明这时的晶片搬送顺序。首先，利用升降销129使晶片W突出，其次，如图12(a)所示，在加热板121上移动冷却板161，再其次，如图12(b)所示，通过使升降销129下降，将晶片W放置在冷却板161上的接近销163上。此外，如图12(c)所示，将冷却板161移动至原来位置，进行冷却处理。在冷却处理后，通过图中没有示出的搬入搬出口，搬出晶片W(步骤6)。利用加热处理单元(CHP)，由于这样加热后立刻冷却，因此，在晶片的热历程中不产生差别，可以减小加热处理的晶片间的偏差。
如以上那样，在本实施方式的加热处理单元中，可以在第一模式和第二模式中进行切换，而在现有技术中，在加热处理单元中，这样切换气流形成模式的设想完全不存在。本发明者们最初发现，在加热处理中间，通过切换模式，可以兼顾CD均匀性和生产率。
其次，说明本发明的另一个实施方式的加热处理单元。
图13为放大表示另一实施方式的加热处理单元的加热部的截面图，图14为其简要水平截面图。在本实施方式中，加热部的所述第二模式的气流形成方式与所述实施方式不同，其他与现有技术的实施方式的基本结构相同，用相同的符号表示并省略其说明。
与现有技术的实施方式同样，该实施方式的加热处理单元在壳体中并排放置有加热部和冷却部。加热部120’具有与现有的实施方式完全相同结构的加热板121。还具有在其内部空间中支承加热板121的支承部件222和覆盖支承部件222的上方的盖223。支承部件222形成为上部开放的扁平四方形筒状，盖223形成为下部开放的扁平四方形筒状。盖223与现有实施方式的盖123同样，可以升降，在上升状态下，能够将晶片W搬入搬出加热板121，在下降状态下，形成加热处理空间S’。
盖223由顶壁223a和侧壁223b构成。顶壁223a具有上板232和下板233，在其间形成有气体扩散空间d’。另外，在顶壁223a的下板233上均匀地形成有多个气体输出孔233a。
在盖223的侧壁223b的下部，沿着内周形成有多个气体排气口238。在侧壁223b的内部设置有从气体排出口238水平延伸、在中途垂直上方延伸的多个垂直排气路240。另外，在侧壁223b的上部设置有环状排气路241。垂直排气路240与该环状排气路241连接。
另外，在盖223的侧壁223b的冷却部侧的壁部的加热板121的上方位置，形成有在水平方向延伸的扁平状的气体输出口242a，在侧壁223b的该壁部内垂直延伸的多个垂直气体流路243a与该气体输出口242a连接。此外，在该壁部的上部还设置有在水平方向延伸的水平气体流路244a。垂直气体流路243a与该水平气体流路243a连接。另一方面，在与盖223的侧壁223b的所述侧部相对的壁的加热板121的上方位置形成有在水平方向延伸的扁平状的排气口242b。在该壁内垂直延伸的多个垂直排气路243b与该排气口242b连接。另外，在该壁的上部设置有在水平方向延伸的水平排气路244b。垂直排气路243b与该水平排气路244b连接。
在盖223的顶壁223a上面的中心形成有清洗气体导入口245，清洗气体供给机构247通过清洗气体管路246而与该清洗气体导入口245连接。上板232内的流路248与清洗气体导入口245连接，从清洗气体供给机构247送出的清洗气体通过流路248，到达设置在气体扩散空间d’的中心上部的气体导入件249，从该气体导入件249呈放射状导入至气体扩散空间d’。导入气体扩散空间d’的清洗气体，通过下板233的气体输出孔233a而输出至加热空间。清洗气体的开关和流量调整用的阀250被安装在清洗气体管路246上。
另一方面，向上方延伸的排气路251与所述环状排气路241的多个地方连接，该排气路251在盖223的上方与排气管路252a连接。排气管路252a与集合管路252b连接，外周排气机构253与集合管路252b连接。另外，排气的开关和排气量调节用的阀254被设置在集合排气管路252b上。利用外周排气机构253，经由垂直排气路240以及环状排气路241、还有排气管路252a、集合排气管路252b，而能够从排气口238进行排气。
而且，向上方延伸的气体流路255a与所述水平气体流路244a连接，该气体流路255a在盖233的上方与气体供给管路256a连接。气体供给机构257a与气体供给管路256a连接。另外，在气体供给管路256a上安装有气体供给的开关和流量调整用的阀258a。向上方延伸的排气流路255b与所述水平排气路243b连接。该排气路255b在盖223的上方与排气管路256b连接。排气机构257b与排气管路256b连接。在排气管路256b上安装有排气开关和排气量调整用的阀258b。另外，将从气体供给机构257a送出的规定量的气体(例如空气)，经过气体流路255a、水平气体流路244a、垂直气体流路243a、气体输出口242a，而输出至加热处理空间S’，再利用排气机构257b，经过排气口242b、垂直排气路243b、水平排气路244b、排气路255b、排气管路256b，进行与气体输出量相应的排气，这样，在加热处理空间S’中形成一个方向的流动。
阀250、254、258a、258b的开关和调节利用控制器259进行。控制器259根据从集中控制部19的过程控制器101发出的指令，控制阀250、254、258a、258b，能够在第一模式和第二模式中切换。第一模式为图15(a)所示的从气体输出孔233a输出清洗气体，并通过排气口238进行外周排气，这样将一样的下冲气流供给至晶片W的上面，并进行加热处理，而第二模式为如图15(b)所示的形成从气体输出口242a向着排气口242b的一个方向的流动，并进行加热处理。在该实施方式中，清洗气体供给机构247、外周排气机构253、气体输出孔233a、排气口238和连接它们的管路等，构成形成第一模式的气流的第一气流形成机构，气体供给机构257a、排气机构257b、气体输出口242a、排气口242b、其他流路和管路等构成形成所述第二模式的气流的第二气流形成机构。
在该实施方式中，也与现有技术的实施方式同样，在进行重视膜质均匀性的第一模式的加热处理后，进行重视除去由加热处理产生的气体或升华物的第二模式的加热处理。在本实施方式中，当第二模式加热处理时，通过形成从气体输出口242a向着排气口242b的单向流动，而能够与该单向流动一起排出并除去加热处理产生的气体或者升华物，使它们难以附着在晶片W上。另外，通过形成这种单向流动，而可以有效地除去第一模式的加热处理所附着在晶片W上的气体或升华物。在现有技术的实施方式中，由于排气管135在晶片W的上方形成，滞留或附着在上面的气体或升华物成为尘埃，存在落在晶片W上的危险性，而在本实施方式中，没有这种危险性。此外，由于将排气结构设置在顶壁上，因此可以减小加热处理单元上下的尺寸。
本发明不是仅限于所述实施方式，其可以有各种变形。例如，在所述实施方式中，最初进行在使膜质均匀的模式下的加热处理，然后，在可除去由涂敷膜产生的气体或升华物的模式下的加热处理，但是，最初因涂敷膜容易产生气体或升华物，在这种情况下，也可以在按能够除去气体或升华物的模式进行加热处理后，按使膜质均匀的模式进行加热处理。另外，根据被处理基板，也可以只按使膜质均匀的模式或只按可除去因涂敷膜产生的气体或升华物的模式进行加热处理。
另外，在所述实施方式中，表示了具有冷却板的加热处理单元，但本发明也可以在没有冷却板的加热处理单元中应用。
另外，本发明可以在通常的光刻的加热处理中使用，也可以在液浸曝光过程的加热处理中应用。
另外，在所述实施方式中，是将本发明应用于在半导体晶片上形成涂敷膜后的加热处理中，但是并不局限于此，也可以应用于液晶显示装置(LCD)用的基板等其它基板的加热处理中，还可以应用于不形成涂敷膜的基板的加热处理中。

Claims (29)

1.一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
加热基板用的加热板；
围绕所述加热板的上方空间的盖；
在所述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；和
在所述加热板的上方空间形成主要排出除去从基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构，其中，
能够有选择地切换所述第一气流形成机构和所述第二气流形成机构。
2.一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
加热基板用的加热板；
围绕所述加热板的上方空间的盖；
在所述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；
在所述加热板的上方空间形成主要排出除去从基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构；以及
控制机构，其进行控制，以切换通过所述第一气流形成机构形成气流并加热基板的模式和通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的模式。
3.如权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于：
所述控制机构可以在加热处理中途从所述两种模式中的一种切换至另一种。
4.如权利要求3所述的加热处理装置，其特征在于：
所述控制机构最初进行通过所述第一气流形成机构形成气流并加热基板的模式，其次切换至通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的模式。
5.如权利要求1～4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述第一气流形成机构形成同样地供给所述加热板上的基板的上面的下冲气流。
6.如权利要求1～5中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述第二气流形成机构排出所述加热板的上方空间中的气体而形成沿着基板的气流。
7.如权利要求6所述的加热处理装置，其特征在于：
所述第二气流形成机构在所述加热板的上方空间形成从基板周边向着中心的气流。
8.如权利要求6所述的加热处理装置，其特征在于：
所述第二气流形成机构在所述加热板的上方空间形成从基板的一侧向着另一侧的单向气流。
9.一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
加热基板用的加热板；
围绕所述加热板的上方空间的盖；
排出所述盖内的气体而在所述加热板的上方空间形成排气流的排气流形成机构；和
形成相对所述加热板上的基板的上面同样地进行供给的下冲气流的下冲气流形成机构，其中，
能够切换通过所述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式和通过所述排气流形成机构形成排气流并加热基板的模式。
10.一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
加热基板用的加热板；
围绕所述加热板的上方空间的盖；
排出所述盖内的气体而在所述加热板的上方空间形成排气流的排气流形成机构；
形成相对所述加热板上的基板的上面同样地进行供给的下冲气流的下冲气流形成机构；和
控制机构，其进行控制，能够切换通过所述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式和通过所述排气流形成机构形成排气流并加热基板的模式。
11.如权利要求10所述的加热处理装置，其特征在于：
所述控制机构可以在加热处理中途从所述两种模式中的一种切换至另一种。
12.如权利要求11所述的加热处理装置，其特征在于：
所述控制机构最初实行通过所述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的模式，其次，切换至通过所述排气机构进行排气并加热基板的模式。
13.如权利要求9～12中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述下冲气流形成机构具有从所述盖的顶壁呈喷淋状向基板的上面供给气体的气体供给机构和向基板的外周方向进行排气的外周排气机构。
14.如权利要求9～13中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述排气流形成机构具有设置在所述盖的顶壁中央的排气部和将气体从基板的外周侧导入至所述加热板的上方空间的气体导入部，通过从所述气体导入部导入气体并从所述排气部进行排气，而能够在所述加热板的上方空间形成从基板周边向着中心的排气流。
15.如权利要求9～13中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述排气流形成机构具有设置在所述加热板的上方空间的一侧上的气体导入部和设置在所述空间的另一侧上的排气部，通过从所述气体导入部导入气体并从所述排气部进行排气，而能够在所述加热板的上方空间形成从基板一侧向另一侧的单向排气流。
16.一种加热处理方法，利用加热处理装置进行加热处理，其中，所述加热处理装置包括：加热基板用的加热板；围绕所述加热板的上方空间的盖；在所述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；以及在所述加热板的上方空间形成主要排出除去由基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构，所述加热处理方法的特征在于，包括下列工序：
通过所述第一气流形成机构形成气流并加热基板的工序；和
通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序。
17.如权利要求16所述的加热处理方法，其特征在于：
最初进行通过所述第一气流形成机构形成气流并加热基板的工序，其次进行通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序。
18.如权利要求16或17所述的加热处理方法，其特征在于：
在通过所述第一气流形成机构形成气流并加热基板的工序中，形成相对所述加热板上的基板的上面同样地供给的下冲气流。
19.如权利要求16～18中任一项所述的加热处理方法，其特征在于：
在通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序中，排出所述加热板的上方空间中的气体而形成沿着基板的气流。
20.如权利要求19所述的加热处理方法，其特征在于：
在通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序中，在所述加热板的上方空间形成从基板周边向着中心的气流。
21.如权利要求19所述的加热处理方法，其特征在于：
在通过所述第二气流形成机构形成气流并加热基板的工序中，在所述加热板的上方空间形成从基板的一侧向着另一侧的单向气流。
22.一种加热处理方法，利用加热处理装置进行加热处理，其中，所述加热处理装置包括：加热基板用的加热板；围绕所述加热板的上方空间的盖；从盖的上部或侧面排出所述盖内气体而在所述加热板的上方空间形成排气流的排气流形成机构；以及形成相对所述加热板上的基板的上面同样地供给的下冲气流的下冲气流形成机构，所述加热处理方法的特征在于，包括下述工序：
通过所述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的工序；和
通过所述排气流形成机构在所述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序。
23.如权利要求22所述的加热处理方法，其特征在于：
最初进行通过所述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的工序，其次进行通过所述排气流形成机构在所述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序。
24.如权利要求22或23所述的加热处理方法，其特征在于：
在最初通过所述下冲气流形成机构形成下冲气流并加热基板的工序中，从所述盖的顶壁呈喷淋状向基板的上面供给气体，并通过向基板的外周方向进行的排气而形成所述下冲气流。
25.如权利要求22～24中任一项所述的加热处理方法，其特征在于：
在利用所述排气流形成机构在所述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序中，在所述加热板的上方空间形成从基板的周边向着中心的排气流。
26.如权利要求22～24中任一项所述的加热处理方法，其特征在于：
在通过所述排气流形成机构在所述加热板的上方空间形成排气流并加热基板的工序中，在所述加热板的上方空间形成从基板的一侧向着另一侧的单向排气流。
27.如权利要求16～26中任一项所述的加热处理方法，其特征在于：
在基板的表面上形成有涂敷膜，加热处理是所述涂敷膜的烘焙处理。
28.一种控制程序，其特征在于：
在计算机上工作，由计算机控制加热处理装置，使得在实施时进行权利要求16～27中任一项所述的方法。
29.一种计算机可读存储介质，其存储有在计算机上工作的控制程序，其特征在于：
由计算机控制加热处理装置，使所述控制程序在实施时进行权利要求16～27中任一项所述的方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094159A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 细美事有限公司 基板处理设备及基板处理方法
US9513568B2 (en) 2012-07-06 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN106971960A (zh) * 2015-10-27 2017-07-21 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
CN107546123A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 细美事有限公司 基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10216786C5 (de) * 2002-04-15 2009-10-15 Ers Electronic Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden
JP4527670B2 (ja) 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7877895B2 (en) * 2006-06-26 2011-02-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20080008837A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Yasuhiro Shiba Substrate processing apparatus and substrate processing method for heat-treating substrate
JP4833005B2 (ja) * 2006-09-11 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20110200742A1 (en) * 2008-10-16 2011-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Drying method and drying device
JP5490741B2 (ja) * 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置
EP2717306B1 (en) * 2011-05-25 2020-09-16 Murata Machinery, Ltd. Load port apparatus, carrier system, and container conveyance method
JP5575706B2 (ja) * 2011-06-17 2014-08-20 東京エレクトロン株式会社 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記録媒体。
US8900364B2 (en) * 2011-11-29 2014-12-02 Intermolecular, Inc. High productivity vapor processing system
JP5914922B2 (ja) * 2012-10-18 2016-05-11 アユミ工業株式会社 半導体熱処理用ヒーター
US9245767B2 (en) * 2013-09-12 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Anneal module for semiconductor wafers
JP6406192B2 (ja) * 2014-12-10 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
US10217652B2 (en) * 2014-12-10 2019-02-26 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus, heat treatment method, and storage medium
TWI544973B (zh) * 2015-03-20 2016-08-11 家登精密工業股份有限公司 半導體容器清洗機的運作方法
JP6430870B2 (ja) * 2015-03-20 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 クランプ装置及びこれを用いた基板搬入出装置、並びに基板処理装置
KR101670494B1 (ko) 2015-06-02 2016-10-31 (주)에스아이 화학기상증착장치
JP6659368B2 (ja) * 2016-01-15 2020-03-04 株式会社荏原製作所 洗浄装置、基板処理装置、および基板処理方法
CN205561438U (zh) * 2016-03-23 2016-09-07 常州捷佳创精密机械有限公司 一种槽式烘干结构
KR101885101B1 (ko) * 2016-09-19 2018-08-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102037915B1 (ko) * 2016-12-27 2019-10-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101870651B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US10535538B2 (en) * 2017-01-26 2020-01-14 Gary Hillman System and method for heat treatment of substrates
JP6811638B2 (ja) * 2017-02-14 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及びその装置
CN107246770A (zh) * 2017-07-28 2017-10-13 嘉兴正联纺织有限公司 一种纺织布料用烘干机
JP2019047042A (ja) 2017-09-05 2019-03-22 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置
WO2019181605A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置及び加熱処理方法
JP7153485B2 (ja) * 2018-07-02 2022-10-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板熱処理装置及び基板熱処理方法
KR102139615B1 (ko) 2018-07-10 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102255278B1 (ko) * 2018-08-22 2021-05-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102204883B1 (ko) 2019-05-09 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20220002741A (ko) * 2019-05-28 2022-01-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 후면측 펌핑을 이용하는 열 프로세스 챔버 덮개
KR102346529B1 (ko) 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN112289701A (zh) * 2019-07-22 2021-01-29 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
JP7359680B2 (ja) 2019-07-22 2023-10-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び処理方法
KR102324408B1 (ko) * 2019-08-23 2021-11-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11390551B2 (en) 2019-10-01 2022-07-19 Owens-Brockway Glass Container Inc. Cooling panel for a melter
US11912608B2 (en) 2019-10-01 2024-02-27 Owens-Brockway Glass Container Inc. Glass manufacturing
CN112687575A (zh) * 2019-10-17 2021-04-20 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
KR102545752B1 (ko) * 2020-09-10 2023-06-20 세메스 주식회사 베이크 장치 및 기판 처리 장치
CN114812121A (zh) * 2022-04-15 2022-07-29 通威太阳能（安徽）有限公司 硅片烘干装置及烘干方法、制绒硅片后处理系统及方法

Family Cites Families (186)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3491457A (en) * 1967-10-10 1970-01-27 Bechtel Int Corp Microwave drying method and apparatus
US4022580A (en) * 1973-05-07 1977-05-10 Phillips Petroleum Company Catalyst activation
BE817066R (fr) * 1973-11-29 1974-10-16 Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-concuctrice sur des corps de support chauffes
US4143468A (en) * 1974-04-22 1979-03-13 Novotny Jerome L Inert atmosphere chamber
US3918168A (en) * 1974-10-04 1975-11-11 Olin Corp Method for drying adherent particulate matter such as a polyvinyl chloride resin
US4327665A (en) * 1979-07-26 1982-05-04 Clemens Arrasmith Method and apparatus for coating composition on can seams
US5090898A (en) * 1979-11-16 1992-02-25 Smith Thomas M Infra-red heating
US4458428A (en) * 1981-03-16 1984-07-10 Olin Corporation Glass batch pellet production and drying process and apparatus
US4455762A (en) * 1981-03-16 1984-06-26 Olin Corporation Glass batch pellet production and drying process and apparatus
US4416624A (en) * 1981-11-27 1983-11-22 Cts Corporation Vertical tunnel kiln
JPS58110034A (ja) * 1981-12-24 1983-06-30 Fujitsu Ltd 縦型気相エピタキシヤル装置
JPS58212126A (ja) * 1982-06-03 1983-12-09 Toshiba Corp 半導体製造装置
JPS59104117A (ja) * 1982-12-06 1984-06-15 Agency Of Ind Science & Technol 減圧堆積装置
JPS60167416A (ja) * 1984-02-10 1985-08-30 Hitachi Ltd 処理装置
US4754769A (en) * 1985-03-12 1988-07-05 Salon Pro, Inc. Nail dryer
JPH0736386B2 (ja) * 1985-06-14 1995-04-19 東芝機械株式会社 気相成長装置
US4640726A (en) * 1985-06-27 1987-02-03 Kimberly-Clark Corporation Heat activation process and apparatus for heat shrinkable material
JPH0783002B2 (ja) * 1986-09-09 1995-09-06 光洋リンドバ−グ株式会社 半導体熱処理装置
US4728531A (en) * 1986-11-04 1988-03-01 Ford Motor Company Method of drying refractory coated foam patterns
US4785552A (en) * 1987-07-08 1988-11-22 Best Willie H Convection stabilized radiant oven
US4957432A (en) * 1987-09-01 1990-09-18 Phillips Petroleum Company Forced jet convection oven for vacuum bagging
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US4922277A (en) * 1988-11-28 1990-05-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Silicon wafer photoresist developer
EP0379684B1 (de) * 1988-12-23 1993-10-27 Bühler Ag Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Kristallisieren von Polyestermaterial
WO1990013687A2 (en) * 1989-05-08 1990-11-15 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken Apparatus and method for treating flat substrates under reduced pressure
DE3927627A1 (de) * 1989-08-22 1991-02-28 Hoechst Ag Verfahren und vorrichtung zum trocknen einer auf einem bewegten traegermaterial aufgebrachten fluessigkeitsschicht
US5099586A (en) * 1989-09-08 1992-03-31 W. R. Grace & Co.-Conn. Reflector assembly for heating a substrate
US5010659A (en) * 1989-09-08 1991-04-30 W. R. Grace & Co.-Conn. Infrared drying system
JPH03238819A (ja) * 1990-02-15 1991-10-24 Seiichiro Sogo 半導体材料の乾燥方法および装置
US5237756A (en) * 1990-08-28 1993-08-24 Materials Research Corporation Method and apparatus for reducing particulate contamination
US5205051A (en) * 1990-08-28 1993-04-27 Materials Research Corporation Method of preventing condensation of air borne moisture onto objects in a vessel during pumping thereof
JPH04196528A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Toshiba Corp マグネトロンエッチング装置
US5105557A (en) * 1991-03-11 1992-04-21 Vadasz Jozsef T System for rapidly drying parts
US5174045A (en) * 1991-05-17 1992-12-29 Semitool, Inc. Semiconductor processor with extendible receiver for handling multiple discrete wafers without wafer carriers
US5210959A (en) * 1991-08-19 1993-05-18 Praxair Technology, Inc. Ambient-free processing system
US5307568A (en) * 1991-09-09 1994-05-03 Tokyo Electron Limited Gas supply system
US5216820A (en) * 1991-09-25 1993-06-08 M & R Printing Equipment, Inc. Curing unit and method of curing ink
US5228206A (en) * 1992-01-15 1993-07-20 Submicron Systems, Inc. Cluster tool dry cleaning system
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US5746008A (en) * 1992-07-29 1998-05-05 Shinko Electric Co., Ltd. Electronic substrate processing system using portable closed containers
KR100304127B1 (ko) * 1992-07-29 2001-11-30 이노마다 시게오 가반식 밀폐 컨테이너를 사용한 전자기판 처리시스템과 그의 장치
JP2906006B2 (ja) * 1992-10-15 1999-06-14 東京エレクトロン株式会社 処理方法及びその装置
US5489337A (en) * 1993-01-28 1996-02-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for applying organic material to semiconductor wafer in which the nozzle opening adjusts in response to data
SG130022A1 (en) * 1993-03-25 2007-03-20 Tokyo Electron Ltd Method of forming coating film and apparatus therefor
US5575079A (en) * 1993-10-29 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate drying apparatus and substrate drying method
US5451524A (en) * 1994-02-01 1995-09-19 The Gillette Company In vitro chamber for human organ tissue samples
US5727332A (en) * 1994-07-15 1998-03-17 Ontrak Systems, Inc. Contamination control in substrate processing system
US5551165A (en) * 1995-04-13 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated Enhanced cleansing process for wafer handling implements
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5715612A (en) * 1995-08-17 1998-02-10 Schwenkler; Robert S. Method for precision drying surfaces
US5752532A (en) * 1995-08-17 1998-05-19 Schwenkler; Robert S. Method for the precision cleaning and drying surfaces
US5886326A (en) * 1996-01-19 1999-03-23 Thermotrex Corporation Microwave waste incinerator
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
US5821035A (en) * 1996-03-06 1998-10-13 Sony Corporation Resist developing apparatus and resist developing method
JPH09260364A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JPH1012517A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JPH1012536A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
US5993916A (en) * 1996-07-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Method for substrate processing with improved throughput and yield
EP0821395A3 (en) * 1996-07-19 1998-03-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5884412A (en) * 1996-07-24 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing
US5960555A (en) * 1996-07-24 1999-10-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for purging the back side of a substrate during chemical vapor processing
US5713138A (en) * 1996-08-23 1998-02-03 Research, Incorporated Coating dryer system
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3511156B2 (ja) * 1996-11-18 2004-03-29 パロマ工業株式会社 ガス炊飯器
US5735194A (en) * 1997-01-03 1998-04-07 Cochran; David M. Apparatus for separating chaff and roasting coffee and cocoa beans
JP3346716B2 (ja) * 1997-02-14 2002-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板冷却方法および基板冷却装置
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US5908292A (en) * 1997-03-07 1999-06-01 Semitool, Inc. Semiconductor processing furnace outflow cooling system
US5899001A (en) * 1997-05-19 1999-05-04 Layton; Howard M. Laminar flow system for drying critical parts
JPH10321584A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Mitsubishi Electric Corp 乾燥装置および乾燥方法
US6122837A (en) * 1997-06-25 2000-09-26 Verteq, Inc. Centrifugal wafer processor and method
TW442336B (en) * 1997-08-19 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Film forming method
JP3194036B2 (ja) * 1997-09-17 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 乾燥処理装置及び乾燥処理方法
US5962070A (en) * 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JPH11214317A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6067728A (en) * 1998-02-13 2000-05-30 G.T. Equipment Technologies, Inc. Supercritical phase wafer drying/cleaning system
US6286524B1 (en) * 1998-02-27 2001-09-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Wafer drying apparatus and method with residual particle removability enhancement
US5913981A (en) * 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
SG81975A1 (en) * 1998-04-14 2001-07-24 Kaijo Kk Method and apparatus for drying washed objects
KR100267885B1 (ko) * 1998-05-18 2000-11-01 서성기 반도체 박막증착장치
JPH11340119A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2963443B1 (ja) * 1998-06-19 1999-10-18 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造装置
US6308436B1 (en) * 1998-07-01 2001-10-30 The Procter & Gamble Company Process for removing water from fibrous web using oscillatory flow-reversing air or gas
US6085437A (en) * 1998-07-01 2000-07-11 The Procter & Gamble Company Water-removing apparatus for papermaking process
CN1255603C (zh) * 1998-07-01 2006-05-10 佐治亚科技研究公司 采用振荡回流冲击气体从纤维幅片中去除水的方法
JP3764278B2 (ja) * 1998-07-13 2006-04-05 株式会社東芝 基板加熱装置、基板加熱方法及び基板処理方法
US6319322B1 (en) * 1998-07-13 2001-11-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
TW428216B (en) * 1998-07-29 2001-04-01 Tokyo Electron Ltd Substrate process method and substrate process apparatus
JP2000074227A (ja) * 1998-08-26 2000-03-14 Sony Corp 真空処理装置および磁気シール回転軸受けユニット
JP2000091185A (ja) * 1998-09-07 2000-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および方法
US6402844B1 (en) 1998-09-08 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing unit
JP2000124195A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Tokyo Electron Ltd 表面処理方法及びその装置
JP2000181080A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性樹脂層積層方法
AU5173100A (en) * 1999-05-27 2000-12-18 Lam Research Corporation Apparatus and methods for drying batches of wafers
JP3448613B2 (ja) * 1999-06-29 2003-09-22 オメガセミコン電子株式会社 乾燥装置
US6263590B1 (en) * 1999-07-12 2001-07-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling byproduct induced defect density
US6354832B1 (en) * 1999-07-28 2002-03-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6342691B1 (en) * 1999-11-12 2002-01-29 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates
KR100728244B1 (ko) * 1999-11-18 2007-06-13 동경 엘렉트론 주식회사 실리레이션처리장치 및 방법
JP2001185471A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Toshiba Corp 加熱処理装置及びパターン形成方法
JP4115641B2 (ja) * 1999-12-28 2008-07-09 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
DE60012005T2 (de) * 2000-01-17 2005-07-14 Toho Kasei Co., Ltd. Verfahren und vorrichtung zur trocknung eines substrats
SG105487A1 (en) * 2000-03-30 2004-08-27 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3545672B2 (ja) * 2000-04-21 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP3833439B2 (ja) * 2000-05-02 2006-10-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 大型基板用多段加熱炉、及び両面加熱式遠赤外線パネルヒーター、並びに該加熱炉内の給排気方法
DE60106675T2 (de) * 2000-05-31 2005-12-01 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Verdampfer
US6877247B1 (en) * 2000-08-25 2005-04-12 Demoore Howard W. Power saving automatic zoned dryer apparatus and method
JP3535457B2 (ja) * 2000-09-11 2004-06-07 東京エレクトロン株式会社 基板の熱処理装置
US20030230003A1 (en) * 2000-09-24 2003-12-18 3M Innovative Properties Company Vapor collection method and apparatus
US6553689B2 (en) * 2000-09-24 2003-04-29 3M Innovative Properties Company Vapor collection method and apparatus
US6370796B1 (en) * 2000-09-29 2002-04-16 Sony Corporation Heater block cooling system for wafer processing apparatus
US6830389B2 (en) * 2000-10-25 2004-12-14 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with the application of a differential voltage
US6688784B1 (en) * 2000-10-25 2004-02-10 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure
US6363624B1 (en) * 2000-11-21 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning a semiconductor process chamber
US6647642B2 (en) * 2000-12-15 2003-11-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
KR100899609B1 (ko) * 2000-12-28 2009-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US6651357B2 (en) * 2001-01-12 2003-11-25 Megtec Systems, Inc. Web dryer with fully integrated regenerative heat source and control thereof
US6425191B1 (en) * 2001-04-18 2002-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for reducing solvent residue in a solvent-type dryer for semiconductor wafers
JP3547724B2 (ja) * 2001-09-25 2004-07-28 沖電気工業株式会社 レジストパターンのベーク装置及びレジストパターンの形成方法
US6634805B1 (en) * 2001-10-10 2003-10-21 Advanced Micro Devices, Inc. Parallel plate development
JP3616366B2 (ja) * 2001-10-23 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3827205B2 (ja) * 2001-11-22 2006-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2003174007A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Supurauto:Kk 基板の真空乾燥方法
KR100456527B1 (ko) * 2001-12-11 2004-11-09 삼성전자주식회사 마란고니 효과를 증대시키기 위한 건조 장비 및 건조 방법
JP3913062B2 (ja) * 2002-01-09 2007-05-09 キヤノン株式会社 インクジェット記録装置およびインクジェット記録方法
US7107701B2 (en) * 2002-01-22 2006-09-19 Toho Kasei Co., Ltd. Substrate drying method and apparatus
JP3921234B2 (ja) * 2002-02-28 2007-05-30 キヤノンアネルバ株式会社 表面処理装置及びその製造方法
US6796054B2 (en) * 2002-03-12 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Low-pressure dryer and low-pressure drying method
US6749655B2 (en) * 2002-04-17 2004-06-15 Speedline Technologies, Inc. Filtration of flux contaminants
US20040123490A1 (en) * 2002-04-22 2004-07-01 The Procter & Gamble Company Fabric article treating method and device comprising a heating means
JP4043831B2 (ja) * 2002-04-24 2008-02-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US6658764B2 (en) * 2002-05-10 2003-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Apparatus and method for preventing droplets on wafers during solvent drying process
JP3913625B2 (ja) * 2002-07-12 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
JP3687666B2 (ja) * 2002-11-18 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 乾燥装置及びこれを備えるワーク処理装置
JP3758636B2 (ja) * 2002-12-11 2006-03-22 ソニー株式会社 熱処理装置
JP2004235516A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc ウエハ収納治具のパージ方法、ロードポートおよび半導体装置の製造方法
US7268323B2 (en) * 2003-03-04 2007-09-11 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Heat treating apparatus and heat treating method for sheet-like article
US7669530B2 (en) * 2003-05-16 2010-03-02 Printing Research, Inc. UV curing assembly having sheet transfer unit with heat sink vacuum plate
JP3718688B2 (ja) * 2003-06-17 2005-11-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
JP2005019593A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱処理方法および装置
JP3592702B1 (ja) * 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4467266B2 (ja) * 2003-08-13 2010-05-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
JP4020260B2 (ja) * 2003-10-17 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、および異物検出方法並びに異物除去方法
JP2005183638A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP4290579B2 (ja) * 2004-01-19 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
US6920704B1 (en) * 2004-01-21 2005-07-26 Silverbrook Research Pty Ltd Drying method for a printer
US6944970B2 (en) * 2004-01-21 2005-09-20 Silverbrook Research Pty Ltd In-line dryer for a printer
JP4074593B2 (ja) * 2004-02-26 2008-04-09 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP4270457B2 (ja) * 2004-03-10 2009-06-03 大日本スクリーン製造株式会社 有機物除去装置および膜厚測定装置
KR100830485B1 (ko) * 2004-04-02 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100574058B1 (ko) * 2004-08-20 2006-04-27 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이크 장치
KR100645042B1 (ko) * 2004-09-07 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치
JP3969419B2 (ja) * 2004-12-16 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 被加熱体の乾燥方法、加熱炉、及びデバイスの製造方法
US7699021B2 (en) * 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7396412B2 (en) * 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
US7798764B2 (en) * 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP4179276B2 (ja) * 2004-12-24 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 溶媒除去装置および溶媒除去方法
KR100601979B1 (ko) * 2004-12-30 2006-07-18 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 베이킹 장치
KR100589107B1 (ko) * 2005-01-19 2006-06-12 삼성전자주식회사 기판 상의 막을 베이크하는 방법 및 이를 수행하기 위한장치
JP4302646B2 (ja) * 2005-02-08 2009-07-29 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
JP4475136B2 (ja) * 2005-02-18 2010-06-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム、前処理装置及び記憶媒体
US7638780B2 (en) * 2005-06-28 2009-12-29 Eastman Kodak Company UV cure equipment with combined light path
JP4145905B2 (ja) * 2005-08-01 2008-09-03 セイコーエプソン株式会社 減圧乾燥装置
JP4519037B2 (ja) * 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
US7367138B2 (en) * 2005-10-11 2008-05-06 Nikon Corporation Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles
US7526879B2 (en) * 2005-11-04 2009-05-05 Lg Electronics Inc. Drum washing machine and clothes dryer using peltier thermoelectric module
US7665227B2 (en) * 2005-12-30 2010-02-23 Whirlpool Corporation Fabric revitalizing method using low absorbency pads
US7644512B1 (en) * 2006-01-18 2010-01-12 Akrion, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7745079B2 (en) * 2006-03-09 2010-06-29 Nikon Corporation Apparatus for and method of thermophoretic protection of an object in a high-vacuum environment
JP2007271137A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujifilm Corp 塗布膜の乾燥方法及び装置並びに光学フィルムの製造方法
JP2008016764A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP4832201B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008137002A (ja) * 2006-11-07 2008-06-19 Fujifilm Corp 塗布膜の乾燥方法及び装置、並びにそれを用いた光学フイルム
US9632425B2 (en) * 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7727594B2 (en) * 2007-01-19 2010-06-01 Fujifilm Corporation Method for drying coated film, and apparatus therefor
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
DE112008000374T5 (de) * 2007-02-08 2010-03-11 Lg Electronics Inc. Heißluft-Erzeugungsvorrichtung und Trockner mit dieser
US7942969B2 (en) * 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
JP4832368B2 (ja) * 2007-06-19 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100901716B1 (ko) * 2007-09-04 2009-06-08 엘지전자 주식회사 덕트리스 건조기
JP5029535B2 (ja) * 2007-10-12 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP4994211B2 (ja) * 2007-12-20 2012-08-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4862903B2 (ja) * 2009-03-06 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、濾材の再生方法及び記憶媒体
JP2010219228A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094159A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 细美事有限公司 基板处理设备及基板处理方法
CN103094159B (zh) * 2011-10-31 2016-02-24 细美事有限公司 基板处理设备及基板处理方法
US9748117B2 (en) 2011-10-31 2017-08-29 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
US9513568B2 (en) 2012-07-06 2016-12-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US10788763B2 (en) 2012-07-06 2020-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN106971960A (zh) * 2015-10-27 2017-07-21 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
CN107546123A (zh) * 2016-06-24 2018-01-05 细美事有限公司 基板处理单元、烘焙装置及基板处理方法

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