CN100428486C - 固态成像装置、相机模块以及电子设备模块 - Google Patents

固态成像装置、相机模块以及电子设备模块 Download PDF

Info

Publication number
CN100428486C
CN100428486C CNB2005100996259A CN200510099625A CN100428486C CN 100428486 C CN100428486 C CN 100428486C CN B2005100996259 A CNB2005100996259 A CN B2005100996259A CN 200510099625 A CN200510099625 A CN 200510099625A CN 100428486 C CN100428486 C CN 100428486C
Authority
CN
China
Prior art keywords
solid state
image pickup
pickup device
state image
photo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100996259A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1763965A (zh
Inventor
江崎孝之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1763965A publication Critical patent/CN1763965A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100428486C publication Critical patent/CN100428486C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses

Abstract

本发明提供了一种能够在不使用滤色器的情形下进行像素的颜色分离的背照射型固态成像装置，以及结合有该固态成像装置的相机模块和电子设备模块。该固态成像装置包括：形成在半导体衬底(22)中的光电转换元件PD；读出部分，该读出部分形成在半导体衬底(22)的一个表面侧上并从光电转换元件PD读出信号电荷，半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；像素，所述像素通过调节光电转换元件和在光入射表面一侧上的累积层(28)之间的pn结深度h2[h2r，h2g，h2b]来使特定波长或更长的光被光电转换。

Description

固态成像装置、相机模块以及电子设备模块
技术领域
本发明涉及一种背照射型固态成像装置以及包括该固态成像装置的相机模块以及电子设备模块，在该固态成像装置中，布置了多个单元像素，这些像素将通过光电转换元件中的光电转换所获得的信号电荷转换为待输出的电信号。
背景技术
固态成像装置已知有以CMOS图像传感器为代表的CMOS固态成像装置和以CCD图像传感器为代表的CCD固态成像装置。在固态成像装置中，光从半导体衬底正面一侧进入的前照明型固态成像装置广为接受。另一方面，也公开了背照射型固态成像装置，其中灵敏度可以通过使光电转换元件比前照明型固态成像装置中的要大而得以提高。
图6是背照射型CMOS固态成像装置的示例。CMOS固态成像装置1包括：像素分隔区域4，其由p型即第二导电类型的半导体区域制成并形成在第一导电类型(例如n型)的硅半导体衬底中，使得像素区域3彼此隔开；和光电二极管PD以及所需要数量的MOS晶体管Tr，光电二极管作为光电转换元件，而MOS晶体管用于读出通过光电转换元件获得并存储在光电二极管PD中的信号电荷，它们形成在由p型像素分隔区域4包围的每个像素区域3中。
p型像素分隔区域4形成在衬底的深度方向上，使得该区域从衬底2的正面延伸到背面。在衬底2的正面一侧，MOS晶体管Tr形成在p型半导体区域5中，其与p型像素分隔区域4相连接并延伸。光电二极管PD形成来延伸到衬底2的背面，使得光电二极管延伸到其中已形成MOS晶体管Tr的p型半导体区域靠下的部分。每个光电二极管PD包括n型半导体区域7和作为p型半导体区域5靠下的层的高浓度p+半导体区域6，n型半导体区域7是由被p型像素分隔区域4所包围的n型衬底2形成的。pn结j1主要形成在n型半导体区域7和p+半导体区域6之间。
用于抑制暗电流发生的p+累积层8由高杂质浓度的p型半导体区域制成，并形成在构成光电二极管PD的n型半导体区域7的背面上对每个像素公共的界面处。而且，p+累积层11还形成在n型半导体区域7的正面上的界面处。另一方面，MOS晶体管Tr具有形成在p型半导体区域5中的n型源漏区9，以及形成在一对n型源漏区9之间和之上的栅电极10，在其间有栅极绝缘膜。如图所示的MOS晶体管Tr包括光电二极管PD、n型源漏区9和栅电极10来形成读出晶体管。
在半导体衬底2的正面上，形成了多层线路层(multilayer wiring layer)14，其中多层线路13与其间的层间绝缘膜12相叠，层间绝缘膜12例如是由二氧化硅膜等形成的，在该多层线路层14上形成了例如由硅衬底制成的支撑衬底15以用于增强。在半导体衬底2的背面上，形成了滤色器17，并且在其间有绝缘层16，并且在其上形成了芯片上微透镜(on-chip microlens)18。
在该背照射型CMOS固态成像装置1中，光通过芯片上微透镜从衬底的背面进入。光由滤色器17分离成红、绿、蓝的光束，它们分别进入相应像素的光电二极管PD。之后，每个像素的信号电荷通过在衬底正面一侧的MOS晶体管Tr读出，这样形成了彩色图像。由于背照射型CMOS固态成像装置1面积大，从而光电二极管PD延伸到MOS晶体管Tr的下层，可以获得高的灵敏度。
在上述背照射型固态成像装置中，由形成于光入射表面侧的p+累积层8和光电二极管PD的n型半导体区域7形成了每个像素中具有相同的深度的pn结j2；光电二极管PD的pn结j1类似地在每个像素中形成了相同的深度。为了获得彩色图像，这样的背照射型固态成像装置使用彩色滤波器17并且将特定波长的光光电转换来获得来自每个像素的信号。因此，存在这样的问题，其中滤色器的形成工艺导致制备工艺的数量增加、成本上升以及成品率变劣。
有鉴于此，本发明提供了一种背照射型固态成像装置，其中，可以在不使用滤色器的情形下进行像素的颜色分离，本发明还提供了结合有该固态成像装置的相机模块和电子设备模块。
发明内容
根据本发明的固态成像装置包括：形成在半导体衬底中的光电转换元件；读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；像素，所述像素通过调节所述光电转换元件和在所述光入射表面一侧上的累积层之间的pn结深度来使特定波长或更长波长的光被光电转换。
根据本发明的固态成像装置包括：形成在半导体衬底中的光电转换元件；读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；像素，所述像素通过调节在所述光电转换元件的一个表面侧上的pn结深度来使特定波长或更短波长的光被光电转换。
此外，在本发明中，上述固态成像装置可以通过组合多个像素来获得彩色图像，该多个像素在第一pn结和第二pn结之间在光电转换元件区域的深度方向上具有不同的位置。
根据本发明的相机模块包括固态成像装置和光学透镜系统，并且包括上述根据本发明的其中调节了pn结深度的任何一个固态成像装置。
根据本发明的电子设备模块包括固态成像装置、光学透镜系统和信号处理部分，并且包括上述根据本发明的其中调节了pn结深度的任何一个固态成像装置。
附图说明
图1是示出了根据本发明的背照射型固态成像装置的第一实施例的结构视图；
图2是示出了根据本发明的背照射型固态成像装置的第二实施例的结构视图；
图3是示出了根据本发明的背照射型固态成像装置的第三实施例的结构视图；
图4是示出了包括本发明的固态成像装置和光学透镜系统的模块的示例的示意性结构视图；
图5是示出了根据本发明的模块的实施例的示意型结构视图；
图6是示出了传统背照射型固态成像装置的示例的结构视图。
具体实施方式
下面，将参考附图对本发明的实施例进行说明。
图1示出了第一实施例，其中，根据本发明的背照射型固态成像装置应用于CMOS固态成像装置。该图示出了在成像区域中的像素部分。
在根据本发明的背照射型CMOS固态成像装置21中，由p型即第二导电类型的半导体区域制成的像素分隔区域24形成在第一导电类型(例如n型)的硅半导体衬底22中来将单元像素区域23彼此分隔开，作为光电转换元件的光电二极管PD以及所需数量的MOS晶体管Tr形成在由p型像素分隔区域24围绕的每个像素区域23中，MOS晶体管Tr用于读出通过光电转换元件获得并聚集在光电二极管PD中的信号电荷。
p型像素分隔区域24形成在衬底的深度方向，使得该区域从衬底22的正面延伸到背面。MOS晶体管Tr形成在衬底22的正面一侧、p型半导体区域25中，其与p型像素分隔区域24相连接并延伸。光电二极管PD形成来延伸到衬底2的背面，使得光电二极管延伸在其中已形成MOS晶体管Tr的p型半导体区域25之下。每个光电二极管PD包括n型半导体区域27和作为p型半导体区域5的下层的高浓度p+半导体区域26，n型半导体区域27是由p型像素分隔区域24所包围的n型衬底22形成的，主pn结j1形成在n型半导体区域27和p+半导体区域26之间。n型半导体区域27是光电二极管PD的一个组成部分，并具有这样的浓度分布，其中在衬底背面层的杂质浓度是低的n浓度，并且在靠近衬底正面一侧时逐渐增加到高的n+浓度。
用于抑制暗电流发生的p+累积层28由高杂质浓度的p型半导体区域制成，并相对于每个像素形成在构成光电二极管PD的n型半导体区域27的背面上的界面处。pn结j2形成在p+累积层28和光电二极管PD的n型半导体区域27之间。而且，p+累积层31还形成在n型半导体区域27的正面上的界面处。
另一方面，每个MOS晶体管Tr包括形成在p型半导体区域25中的n型源漏区29，以及形成在一对n型源漏区29之间和之上的栅电极30，在其间有栅极绝缘膜。例如，当一个像素包括一个光电二极管和四个MOS晶体管时，该MOS晶体管Tr是读出晶体管、复位晶体管、放大器晶体管和竖直选择晶体管。在图1中，一侧的n+源漏区29形成在p型半导体区域25中并接近光电二极管PD，栅电极30形成在上述n+源漏区29和光电二极管PD的n型半导体区域27之间和之上，其还作为源漏区域的另一侧，在其间具有栅极绝缘膜，由此就构成了读出晶体管。
在半导体衬底2的正面上，形成了多层线路层34，其中多层线路33与其间的层间绝缘膜32相叠，层间绝缘膜32例如是由二氧化硅膜等形成的，在该多层线路层34上形成了例如由硅衬底制成的支撑衬底35以用于增强。在作为光入射表面的半导体衬底22的背面上，形成了芯片上微透镜38，其间具有绝缘层36。
在本实施例中，特别是省略了滤色器，在光电二极管PD中，通过调节pn结j2[j2r，j2g，j2b]至背面的深度的结深度h2[h2r，h2g，h2b]来仅光电转换特定波长或更长波长的光，pn结j2在构成光电二极管PD一侧的n型半导体区域27和在衬底背面上的光入射表面上的p+累积层28之间。具体地，在本示例中，对应于红色像素的结深度(换句话说，在深度方向的位置)h2r制备得大于对应于绿色和蓝色像素的其它pn结深度，对应于蓝色像素的结深度h2b制备得最小，对应于绿色像素的结深度h2g设定在红色像素和绿色像素的pn结深度的中间(h2r＞h2g＞h2b)。
换句话说，在红色像素中，设定结深度h2r来使得波长等于或大于红光的长波长光将得以进入n型半导体区域27中。在绿色像素中，设定结深度h2g来使得波长等于或大于绿光的长波长光将得以进入n型半导体区域27中。在蓝色像素中，设定结深度h2b来使得波长等于或大于蓝光的长波长光将得以进入n型半导体区域27中。
红、绿、蓝像素的光电二极管PD的pn结j1[j1r，j1g，j1b]至背面的深度的结深度h1被制成为相同的结深度(h1r＝h1g＝h1b)。
在根据本发明的背照射型CMOS固态成像装置21中，在红色像素的光电二极管PD中，几乎只有红光被光电转换且对应于红色的电荷被聚集；在绿色像素的光电二极管PD中，几乎只有绿光和红光被光电转换且对应于红色和绿色的电荷被聚集；在蓝色像素的光电二极管PD中，几乎只有蓝光、绿光和红光被光电转换且对应于蓝色、绿色和红色的电荷被聚集。从红色像素读出的红色输出信号，从绿色像素读出的绿色+红色输出信号，从蓝色像素读出的蓝色+绿色+红色输出信号由信号处理电路分离为红色信号、绿色信号和蓝色信号，最后输出为彩色图像信号。
所以，根据本实施例的背照射型CMOS固态成像装置21，可以在没有滤色器的情形进行像素的颜色分离，从而可以简化结构，将制备工艺的数量减少至减少了滤色器的形成工艺的程度，从而降低了成本、提高了产率。
图2示出了第二实施例，其中，根据本发明的背照射型固态成像装置应用于CMOS固态成像装置。该图示出了在成像区域中的像素部分，类似于如上所述的实施例。
在根据本发明的背照射型CMOS固态成像装置41中，省略了滤色器，在光电二极管PD中，通过调节pn结j1[j1r，j1g，j1b]至背面的深度的结深度h1[h1r，h1g，h1b]来仅光电转换特定波长或更短的光，pn结j1在形成光电二极管PD的衬底正面一侧上。具体地，在本实施例中，对应于红色像素的结深度(换句话说，在深度方向的位置)h1r制备得大于对应于绿色和蓝色像素的其它pn结深度，对应于蓝色像素的结深度h1b制备得最小，对应于绿色像素的结深度h1g设定在红色像素和绿色像素的pn结深度的中间(h1r＞h1g＞h1b)。
换句话说，在红色像素中，设定结深度h1r来使得波长等于或小于红光的光将得以排他地(exclusively)进入构成光电二极管PD的一侧的n型半导体区域27中。在绿色像素中，设定结深度h1g来使得波长等于或小于绿光的光将得以进入n型半导体区域27中。在蓝色像素中，设定结深度h1b来使得波长等于或小于蓝光的光将得以进入n型半导体区域27中。
结深度h2是在构成红色、绿色和蓝色像素的光电二极管PD的一侧的n型半导体区域27和在衬底背面上光入射表面侧上的p+累积层28中间的pn结j2[j2r，j2g，j2b]至背面的深度，将其设定为相同的结深度(h2r＝h2g＝h2b)。
其它结构与在上述图1中的那些相同，从而将省略冗余的解释。
在根据本发明的背照射型CMOS固态成像装置41中，在红色像素的光电二极管PD中，几乎只有红光、绿光和蓝光被光电转换且对应于红色、绿色和蓝色的电荷被聚集；在绿色像素的光电二极管PD中，几乎只有绿光和蓝光被光电转换且对应于绿色和蓝色的电荷被聚集；在蓝色像素的光电二极管PD中，几乎只有蓝光被光电转换且对应于蓝色的电荷被聚集。从红色像素读出的红色+绿色+蓝色输出信号，从绿色像素读出的绿色+蓝色输出信号，从蓝色像素读出的蓝色输出信号由信号处理电路分离为红色信号、绿色信号和蓝色信号，最后输出为彩色图像信号。
所以，根据本实施例的背照射型CMOS固态成像装置41，可以在没有滤色器的情形进行像素的颜色分离，从而可以简化结构，将制备工艺的数量减少至减少滤色器的形成工艺的程度，从而降低了成本、提高了产率。
图3示出了第三实施例，其中，根据本发明的背照射型固态成像装置应用于CMOS固态成像装置。该图示出了在成像区域中的像素部分，类似于如上所述的实施例。
在根据本实施例的背照射型CMOS固态成像装置51中，省略了滤色器，在光电二极管PD中，通过组合图1中pn结j2[j2r，j2g，j2b]至背面的深度的结深度h2[h2r，h2g，h2b]和图2中pn结j1[j1r，j1g，j1b]至背面的深度的结深度h1[h1r，h1g，h1b]，并且通过结深度h2和结深度h1之间的区域，即在n型半导体区域27深度方向上的位置，来仅光电转换特定波长范围内的光。
也即，在红色像素中，设定在n型半导体区域27深度方向上的位置使得在红色波长范围内的光将排它地进入n型半导体区域27。在绿色像素中，设定在n型半导体区域27深度方向上的位置使得在绿色波长范围内的光将排它地进入n型半导体区域27。在蓝色像素中，设定在n型半导体区域27深度方向上的位置使得在蓝色波长范围内的光将排它地进入n型半导体区域27。
其它结构类似于在上述图1中所述的那些，从而省略了冗余的叙述。
在根据本实施例的背照射型CMOS固态成像装置51中，在红色像素的光电二极管PD中，几乎只有红光被光电转换且对应于红色的电荷被聚集；在绿色像素的光电二极管PD中，几乎只有绿光被光电转换且对应于绿色的电荷被聚集；在蓝色像素的光电二极管PD中，几乎只有蓝光被光电转换且对应于蓝色的电荷被聚集。随后，红色输出信号、绿色输出信号和蓝色输出信号分别从红色像素、绿色像素和蓝色像素读出，并且彩色图像信号通过信号处理电路输出。
因此，根据本实施例的背照射型CMOS固态成像装置51，可以在没有滤色器的情形进行像素的颜色分离，从而可以简化结构，将制备工艺的数量减少到减少滤色器的形成工艺的程度，从而降低了成本、提高了产率。
虽然在上述实施例中，本发明应用于获得了彩色图像的背照射型CMOS固态成像装置，本发明也可以应用于获得单色图像和双色和更多色彩图像的背照射型CMOS固态成像装置。
根据本发明，可以获得图像拾取相机(image-pickup camera)以及各种包括上述实施例的固态成像装置的模块。图4示出了其中将上述背照射型固态成像装置21、41或51与光学透镜系统53相组合的实施例。
图5示出了根据本发明的电子设备模块和相机模块的实施例的示意性结构。图5中的模块构造可以应用于电子设备模块和相机模块。根据本实施例的模块110包括：上述实施例的背照射型固态成像装置21、41和51中的一个、光学透镜系统111、输入-输出部分112和数字信号处理器113，它们结合为一个单元。而且，作为电子设备模块或相机模块115，该模块可以仅由固态成像装置21、41或51以及光学透镜系统111、输入-输出部分112组成。也可以形成模块116，该模块116包括固态成像装置21、41或51以及光学透镜系统111、输入-输出部分112、数字信号处理器113。
根据本发明的电子设备模块和相机模块，由于提供了上述实施例的背照射型固态成像装置21、41或51，所以可以实现产率的提高，而且可以降低成本。特别地，由于在固态成像装置中没有滤色器，所以消除了需要在耐热温度或之下制备滤色器的工艺限制，并因此便利了制备模块时的工艺。由于固态成像装置是背照射型的，所以可以提供具有高灵敏度成像功能的模块。
虽然在上述实施例中根据本发明的固态成像装置应用于背照射型CMOS固态成像装置，但是本发明的固态成像装置也可以应用于背照射型CCD固态成像装置。
如上所述，在本发明的固态成像装置中，在没有使用滤色器的情形下实现了颜色分离，从而可以简化结构，并且将制备工艺的数量减少到减少滤色器形成工艺的程度，从而降低了成本、提高了产率。
如上所述，在本发明的相机模块和电子设备模块中，由于包括了根据本发明的上述固态成像装置，可以获得产率提高并且可以降低成本。具体而言，在固态成像装置中，由于没有提供滤色器，所以消除了需要在耐热温度或之下制备滤色器的模块工艺的限制，并因此便利了制备模块时的工艺。由于固态成像装置是背照射型的，所以可以提供具有高灵敏度成像功能的模块。
本申请要求于2004年8月31日向日本专利局递交的日本专利申请JP2004-253590的优先权，在此将其全文引入以作参考。

Claims (27)

1、一种固态成像装置，包括：
形成在半导体衬底中的光电转换元件；
读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；以及
像素，所述像素不具有滤色器且通过调节所述光电转换元件和在所述光入射表面一侧上的累积层之间的pn结深度来使特定波长或更长波长的光被光电转换。
2、根据权利要求1的固态成像装置，
包括两个或多个像素，所述两个或多个像素在所述光电转换元件和所述累积层之间具有不同的pn结深度。
3、根据权利要求2的固态成像装置，
其中，通过处理来自多个所述像素的信号获得彩色图像。
4、根据权利要求1的固态成像装置，
包括像素，所述像素通过调节在所述光电转换元件和所述累积层之间的第一pn结的深度以及所述光电转换元件中的第二pn结的深度，并且调节在所述第一pn结和所述第二pn结之间的深度方向上光电转换元件的区域的位置，来使在特定波长范围内的光被光电转换。
5、根据权利要求4的固态成像装置，
包括两个或多个像素，所述两个或多个像素在所述第一pn结和第二pn结之间的深度方向上具有不同的光电转换元件的区域的位置。
6、根据权利要求5的固态成像装置，
其中，通过处理来自多个所述像素的信号获得彩色图像。
7、一种固态成像装置，包括：
形成在半导体衬底中的光电转换元件；
读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；以及
像素，所述像素不具有滤色器且通过调节所述光电转换元件中的pn结深度来使特定波长或更短波长的光被光电转换。
8、根据权利要求7的固态成像装置，
包括两个或多个像素，所述两个或多个像素具有不同的所述光电转换元件的所述pn结深度。
9、根据权利要求8的固态成像装置，
其中，通过处理来自多个所述像素的信号获得彩色图像。
10、一种相机模块，包括：
固态成像装置和光学透镜系统，
其中，所述固态成像装置包括：形成在半导体衬底中的光电转换元件；读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；以及像素，所述像素不具有滤色器且通过调节所述光电转换元件和在所述光入射表面一侧上的累积层之间的pn结深度来使特定波长或更长波长的光被光电转换。
11、根据权利要求10的相机模块，
其中，所述固态成像装置包括两个或多个像素，所述两个或多个像素在所述光电转换元件和所述累积层之间具有不同的pn结深度。
12、根据权利要求11的相机模块，
其中，所述固态成像装置组合了多个所述像素，并对来自各个像素的信号进行处理来获得彩色图像。
13、根据权利要求10的相机模块，
其中，所述固态成像装置包括像素，所述像素通过调节在所述光电转换元件和所述累积层之间的第一pn结的深度以及所述光电转换元件中的第二pn结的深度，并且调节在所述第一pn结和第二pn结之间的深度方向上光电转换元件的区域的位置，来使在特定波长范围内的光被光电转换。
14、根据权利要求13的相机模块，
其中，所述固态成像装置包括两个或多个像素，所述两个或多个像素在所述第一pn结和第二pn结之间的深度方向上具有不同的光电转换元件的区域的位置。
15、根据权利要求14的相机模块，
其中，所述固态成像装置组合了多个所述像素来获得彩色图像。
16、一种相机模块，包括：
固态成像装置和光学透镜系统，
其中，所述固态成像装置包括：形成在半导体衬底中的光电转换元件；读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；以及像素，所述像素不具有滤色器且通过调节所述光电转换元件中的pn结深度来使特定波长或更短波长的光被光电转换。
17、根据权利要求16的相机模块，
其中，所述固态成像装置包括两个或多个像素，所述两个或多个像素具有不同的所述光电转换元件中的所述pn结深度。
18、根据权利要求17的相机模块，
其中，所述固态成像装置组合了多个所述像素，并对来自各个像素的信号进行处理来获得彩色图像。
19、一种电子设备模块，包括固态成像装置、光学透镜系统和信号处理部分，
其中，所述固态成像装置包括：形成在半导体衬底中的光电转换元件；读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；以及像素，所述像素不具有滤色器且通过调节所述光电转换元件和在所述光入射表面一侧上的累积层之间的pn结深度来使特定波长或更长波长的光被光电转换。
20、根据权利要求19的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置包括两个或多个像素，所述两个或多个像素在所述光电转换元件和所述累积层之间具有不同的pn结深度。
21、根据权利要求20的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置组合了多个所述像素，并对来自各个像素的信号进行处理来获得彩色图像。
22、根据权利要求19的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置包括像素，所述像素通过调节在所述光电转换元件和所述累积层之间的第一pn结的深度和所述光电转换元件中的第二pn结的深度，并且调节在所述第一pn结和第二pn结之间的深度方向上光电转换元件的区域的位置，来使在特定波长范围内的光被光电转换。
23、根据权利要求22的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置包括两个或多个像素，所述两个或多个像素在所述第一pn结和第二pn结之间的深度方向上具有不同的光电转换元件的区域的位置。
24、根据权利要求23的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置组合了多个所述像素来获得彩色图像。
25、一种电子设备模块，包括固态成像装置、光学透镜系统和信号处理部分，
其中，所述固态成像装置包括：形成在半导体衬底中的光电转换元件；读出部分，所述读出部分形成在所述半导体衬底的一个表面侧上并从所述光电转换元件读出信号电荷，所述半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；以及像素，所述像素不具有滤色器且通过调节所述光电转换元件中的pn结的深度来使特定波长或更短波长的光被光电转换。
26、根据权利要求25的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置包括两个或多个像素，所述两个或多个像素具有不同的所述光电转换元件中的所述pn结深度。
27、根据权利要求26的电子设备模块，
其中，所述固态成像装置组合了多个所述像素，并对来自各个像素的信号进行处理来获得彩色图像。
CNB2005100996259A 2004-08-31 2005-08-30 固态成像装置、相机模块以及电子设备模块 Expired - Fee Related CN100428486C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004253590A JP4507769B2 (ja) 2004-08-31 2004-08-31 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
JP253590/04 2004-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1763965A CN1763965A (zh) 2006-04-26
CN100428486C true CN100428486C (zh) 2008-10-22

Family

ID=35941881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100996259A Expired - Fee Related CN100428486C (zh) 2004-08-31 2005-08-30 固态成像装置、相机模块以及电子设备模块

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7535073B2 (zh)
JP (1) JP4507769B2 (zh)
KR (1) KR101125966B1 (zh)
CN (1) CN100428486C (zh)
TW (1) TWI298201B (zh)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165362A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Sony Corp 固体撮像素子
US20070001100A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light reflection for backside illuminated sensor
US7704782B2 (en) * 2005-08-30 2010-04-27 Aptina Imaging Corporation Method of forming pixel cells with color specific characteristics
KR100710207B1 (ko) * 2005-09-22 2007-04-20 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100660714B1 (ko) * 2005-12-29 2006-12-21 매그나칩 반도체 유한회사 백사이드 조명 구조의 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법
US8704277B2 (en) * 2006-05-09 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Spectrally efficient photodiode for backside illuminated sensor
US7638852B2 (en) * 2006-05-09 2009-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making wafer structure for backside illuminated color image sensor
JP4976765B2 (ja) * 2006-07-07 2012-07-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US7791170B2 (en) 2006-07-10 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of making a deep junction for electrical crosstalk reduction of an image sensor
WO2008010292A1 (fr) * 2006-07-21 2008-01-24 Renesas Technology Corp. Dispositif de conversion photoélectrique et dispositif d'imagerie
JP2008060476A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Sharp Corp 固体撮像装置および電子情報機器
US7781715B2 (en) * 2006-09-20 2010-08-24 Fujifilm Corporation Backside illuminated imaging device, semiconductor substrate, imaging apparatus and method for manufacturing backside illuminated imaging device
US20080079108A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for Improving Sensitivity of Backside Illuminated Image Sensors
US8436443B2 (en) * 2006-09-29 2013-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside depletion for backside illuminated image sensors
US8053287B2 (en) 2006-09-29 2011-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for making multi-step photodiode junction structure for backside illuminated sensor
JP4396684B2 (ja) * 2006-10-04 2010-01-13 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP4742057B2 (ja) * 2007-02-21 2011-08-10 富士フイルム株式会社 裏面照射型固体撮像素子
JP2008258474A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置および撮像装置
JP5023808B2 (ja) * 2007-05-24 2012-09-12 ソニー株式会社 固体撮像装置およびカメラ
TWI479887B (zh) * 2007-05-24 2015-04-01 Sony Corp 背向照明固態成像裝置及照相機
KR100885921B1 (ko) * 2007-06-07 2009-02-26 삼성전자주식회사 후면으로 수광하는 이미지 센서
JP4677425B2 (ja) * 2007-06-21 2011-04-27 富士フイルム株式会社 カラー画像撮像用固体撮像素子
JP4659788B2 (ja) 2007-06-22 2011-03-30 富士フイルム株式会社 裏面照射型撮像素子
JP5180537B2 (ja) * 2007-08-24 2013-04-10 キヤノン株式会社 光電変換装置及びマルチチップイメージセンサ
KR101152389B1 (ko) * 2007-09-13 2012-06-05 삼성전자주식회사 이미지 센서와 그 제조 방법
US7999342B2 (en) * 2007-09-24 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Image sensor element for backside-illuminated sensor
US7888763B2 (en) * 2008-02-08 2011-02-15 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity
US7741666B2 (en) * 2008-02-08 2010-06-22 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with backside P+ doped layer
WO2009103048A1 (en) * 2008-02-14 2009-08-20 Quantum Semiconductor Llc Dual photo-diode cmos pixels
JP2009206356A (ja) 2008-02-28 2009-09-10 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP5374941B2 (ja) * 2008-07-02 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP5269527B2 (ja) * 2008-08-29 2013-08-21 株式会社東芝 半導体装置
US8618458B2 (en) * 2008-11-07 2013-12-31 Omnivision Technologies, Inc. Back-illuminated CMOS image sensors
US8400537B2 (en) * 2008-11-13 2013-03-19 Omnivision Technologies, Inc. Image sensors having gratings for color separation
JP5538922B2 (ja) * 2009-02-06 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2010206181A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム
JP2010206178A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法
JP2010192483A (ja) * 2009-02-16 2010-09-02 Panasonic Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
DE102009009814A1 (de) * 2009-02-20 2010-08-26 Espros Photonics Ag Photosensor und Photosensormatrix
JP5347999B2 (ja) * 2009-03-12 2013-11-20 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP5299002B2 (ja) * 2009-03-23 2013-09-25 ソニー株式会社 撮像装置
KR20100108109A (ko) * 2009-03-27 2010-10-06 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP5493430B2 (ja) 2009-03-31 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
US20110101201A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-05 Vincent Venezia Photodetector Array Having Electron Lens
US8227884B2 (en) * 2009-11-04 2012-07-24 Omnivision Technologies, Inc. Photodetector array having array of discrete electron repulsive elements
JP2011129873A (ja) * 2009-11-17 2011-06-30 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、電子機器
JP5478217B2 (ja) * 2009-11-25 2014-04-23 パナソニック株式会社 固体撮像装置
US8587081B2 (en) * 2010-04-28 2013-11-19 Calvin Yi-Ping Chao Back side illuminated image sensor with back side pixel substrate bias
JP5682174B2 (ja) * 2010-08-09 2015-03-11 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP5279775B2 (ja) 2010-08-25 2013-09-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR101133154B1 (ko) 2011-02-03 2012-04-06 디지털옵틱스 코포레이션 이스트 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 차등 높이 실리콘을 포함하는 이면 조사 센서 패키지
KR101095945B1 (ko) 2011-02-03 2011-12-19 테쎄라 노쓰 아메리카, 아이엔씨. 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 흡광 재료를 포함하는 이면 조사 센서 패키지
JP5358747B2 (ja) 2011-03-25 2013-12-04 富士フイルム株式会社 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP2012238648A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
US20140085570A1 (en) * 2011-05-31 2014-03-27 Mitsubishi Electric Corporation Backlight and liquid crystal display device
JP5508356B2 (ja) * 2011-07-26 2014-05-28 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、固体撮像装置の製造方法、並びに電子情報機器
FR2997596B1 (fr) * 2012-10-26 2015-12-04 New Imaging Technologies Sas Structure d'un pixel actif de type cmos
FR3008230B1 (fr) * 2013-07-03 2016-11-11 E2V Semiconductors Capteur d'image couleur matriciel, sans filtres colores
US20150054997A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 Aptina Imaging Corporation Image sensors having pixel arrays with non-uniform pixel sizes
FR3009890B1 (fr) 2013-08-23 2016-12-23 Commissariat Energie Atomique Photodiode bsi a haut rendement quantique
JP5711323B2 (ja) * 2013-08-29 2015-04-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
KR102114343B1 (ko) 2013-11-06 2020-05-22 삼성전자주식회사 센싱 픽셀 및 이를 포함하는 이미지 센서
US20150311240A1 (en) * 2014-04-28 2015-10-29 Sony Corporation Deep well photodiode for nir image sensor
JP6469996B2 (ja) * 2014-09-09 2019-02-13 オリンパス株式会社 撮像素子および内視鏡装置
US9570491B2 (en) * 2014-10-08 2017-02-14 Omnivision Technologies, Inc. Dual-mode image sensor with a signal-separating color filter array, and method for same
JP6339032B2 (ja) * 2015-02-19 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 遮光体を含む光学装置の製造方法、および記憶媒体
KR20170040468A (ko) * 2015-10-05 2017-04-13 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
WO2017061951A1 (en) * 2015-10-08 2017-04-13 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules operable to collect spectral data and distance data
JP6607777B2 (ja) * 2015-12-28 2019-11-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW202310384A (zh) * 2016-01-27 2023-03-01 日商新力股份有限公司 固體攝像元件及電子機器
JP6230637B2 (ja) * 2016-02-10 2017-11-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2017174936A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 ソニー株式会社 固体撮像素子及び電子機器
KR20210098208A (ko) 2020-01-31 2021-08-10 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 전자 장치
CN114280837A (zh) * 2021-12-25 2022-04-05 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组、电子设备、以及供电方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60245165A (ja) * 1984-05-21 1985-12-04 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPH05153500A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像装置
JPH1187680A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Nikon Corp 光電変換素子及び光電変換装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5814569A (ja) * 1981-07-17 1983-01-27 Olympus Optical Co Ltd カラ−撮像装置
JPH0472664A (ja) * 1990-07-13 1992-03-06 Sony Corp 固体撮像素子
JP3050583B2 (ja) 1990-10-17 2000-06-12 ソニー株式会社 固体撮像装置
US6150683A (en) * 1997-06-27 2000-11-21 Foveon, Inc. CMOS-based color pixel with reduced noise in the blue signal
KR100399951B1 (ko) * 1998-12-30 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 칼라이미지센서제조방법
US6731397B1 (en) * 1999-05-21 2004-05-04 Foveon, Inc. Method for storing and retrieving digital image data from an imaging array
JP2001339056A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Canon Inc 固体撮像装置
US6548833B1 (en) * 2000-10-26 2003-04-15 Biomorphic Vlsi, Inc. Color-optimized pixel array design
JP3759435B2 (ja) 2001-07-11 2006-03-22 ソニー株式会社 Ｘ−ｙアドレス型固体撮像素子
JP4000449B2 (ja) * 2002-02-26 2007-10-31 ソニー株式会社 イメージセンサ、撮像装置および携帯電話機
JP3948393B2 (ja) 2002-03-13 2007-07-25 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3722367B2 (ja) 2002-03-19 2005-11-30 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP4123415B2 (ja) * 2002-05-20 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
KR20040036087A (ko) * 2002-10-23 2004-04-30 주식회사 하이닉스반도체 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법
US7164182B2 (en) * 2003-07-07 2007-01-16 Micron Technology, Inc. Pixel with strained silicon layer for improving carrier mobility and blue response in imagers
JP4046069B2 (ja) 2003-11-17 2008-02-13 ソニー株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
US6852562B1 (en) * 2003-12-05 2005-02-08 Eastman Kodak Company Low-cost method of forming a color imager
JP4341421B2 (ja) 2004-02-04 2009-10-07 ソニー株式会社 固体撮像装置
US7541627B2 (en) * 2004-03-08 2009-06-02 Foveon, Inc. Method and apparatus for improving sensitivity in vertical color CMOS image sensors
JP4389626B2 (ja) 2004-03-29 2009-12-24 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
US7400022B2 (en) * 2004-12-17 2008-07-15 Unique Ic's Photoreceiver cell with color separation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60245165A (ja) * 1984-05-21 1985-12-04 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPH05153500A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像装置
JPH1187680A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Nikon Corp 光電変換素子及び光電変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7535073B2 (en) 2009-05-19
US20060043519A1 (en) 2006-03-02
TW200616215A (en) 2006-05-16
US20090212383A1 (en) 2009-08-27
TWI298201B (en) 2008-06-21
KR20060050804A (ko) 2006-05-19
US8063461B2 (en) 2011-11-22
JP2006073682A (ja) 2006-03-16
JP4507769B2 (ja) 2010-07-21
KR101125966B1 (ko) 2012-03-22
CN1763965A (zh) 2006-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100428486C (zh) 固态成像装置、相机模块以及电子设备模块
US9515105B2 (en) Dual photodiode image pixels with preferential blooming path
US7859027B2 (en) Back irradiating type solid state imaging device
KR101683296B1 (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자기기
KR102398120B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법, 및 전자 기기
US8159584B2 (en) Solid-state imaging apparatus and camera
US8354292B2 (en) CMOS image sensor having a crosstalk prevention structure and method of manufacturing the same
KR20170117905A (ko) 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 전자 기기
US20100157117A1 (en) Vertical stack of image sensors with cutoff color filters
JP4154165B2 (ja) 光電変換素子及びそれを用いた固体撮像装置、カメラ及び画像読み取り装置
US20030189656A1 (en) Photoelectric conversion element and solid-state image sensing device using the same
KR20230136704A (ko) 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법 및 전자 기기
KR20090092241A (ko) 고체 촬상 장치 및 카메라
JP6045250B2 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
US8829637B2 (en) Image sensor with controllable vertically integrated photodetectors using a buried layer
TWI708362B (zh) 影像感測器像素及像素之陣列
US20220336508A1 (en) Image sensor, camera assembly and mobile terminal
CN102246300A (zh) 图像传感器内的紫外光滤光层
US20050104989A1 (en) Dual-type solid state color image pickup apparatus and digital camera
US20100025802A1 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
CN220253244U (zh) 图像传感器及电子设备
CN216435905U (zh) 图像传感器
US20240089619A1 (en) Light detection device and electronic apparatus
CN116741793A (zh) 图像传感器、制备方法、成像方法及电子设备
CN115732519A (zh) 图像传感器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170111

Address after: Kanagawa Japan Atsugi Asahi 4-14-1

Patentee after: SONY semiconductor solutions

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Patentee before: Sony Corp.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081022

Termination date: 20180830