CN100420002C

CN100420002C - 膜图案的形成法、有源矩阵基板、电光装置、电子仪器

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Publication number: CN100420002C
Application number: CNB2006100848660A
Authority: CN
Inventors: 守屋克之; 平井利充
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-05-24
Filing date: 2006-05-23
Publication date: 2008-09-17
Anticipated expiration: 2026-05-23
Also published as: US20060270082A1; US7371698B2; JP2006332158A; TW200705645A; CN1870250A; KR100723590B1; KR20060121691A; JP4200983B2; TWI304650B

Abstract

在基板P上形成划分具有第1图案形成区域(52、53)和由交叉部(56)分开的第2图案形成区域(55)的图案形成区域的围堰(51)。而且，在第1图案形成区域(52、53)内形成第1膜图案、在第2图案形成区域内形成第2膜图案后，对基板的全面实施疏液处理。其后，选择地保持第2膜图案的各规定位置的疏液性的情况下、降低基板上的疏液性。在第1膜图案和第2膜图案上层叠盖层，除去第2膜图案的各规定位置的疏液性，使各规定位置之间由导电膜连接。在分开的图案形成区域内形成具有盖层的膜图案时，通过使其形成工序简单化，提供可以提高膜图案的生产率的膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光学装置和电子仪器。

Description

膜图案的形成法、有源矩阵基板、电光装置、电子仪器

技术领域

本发明涉及膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光(学)装置及电子仪器。

背景技术

历来众所周知在基板上层叠配置由导体构成的薄膜(膜图案)的电路布线、覆盖电路布线的绝缘膜等的薄膜和由半导体构成的薄膜的半导体装置。作为这样的半导体装置中的薄膜的有效的形成方法，周知将作为分散质含有薄膜材料等的功能液的液滴，由液滴喷出头喷出、使弹落的功能液干燥、除去分散剂而形成薄膜的液滴喷出法(喷墨法)(例如，参照专利文献1)。

由液滴喷出法形成膜图案时，形成划分图案形成区域的围堰，并向由该围堰划分的凹部状的图案形成区域内喷出功能液。而且，通过干燥喷到上述图案形成区域的功能液，形成膜图案。

近年，用上述液滴喷出法形成与具备有源矩阵基板的多个薄膜晶体管导通的源极布线(膜图案)及栅极布线(膜图案)。

有源矩阵基板具有如下结构：在基板上与上述各薄膜晶体管导通的源极布线和栅极布线互相配置成格子状，通常源极布线和栅极布线经(借助于)层间绝缘膜在不同的面上形成。

而且，由于上述源极布线和栅极布线由金属材料形成，所以担心因金属离子扩散，发生漏电而晶体管不能良好地动作。因此，有如下技术：通过在各布线上层叠由相对于构成上述源极布线及栅极布线的金属材料其导电性低的Ni构成的盖层而防止上述金属离子的扩散。

另一方面，也可以考虑对于具有经层间绝缘膜由层叠结构形成的栅极布线和源极布线的有源矩阵基板、通过在同一面上由相同的制造工序形成栅极布线及源极布线，谋求布线形成工序的简略化的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在栅极布线和源极布线交叉的交叉部、例如以源极布线被栅极布线分开的状态形成。另外，在上述有源矩阵基板上形成用于连接被分开的源极布线之间的导电部(导电膜)。

另外，可以考虑具备防止上述金属离子扩散的盖层，而且具有分开的源极布线(膜图案)结构的有源矩阵基板。

【特许文献1】特开平11-274671号公报。

但是，在由围堰划分的布线形成区域(图案形成区域)中形成的栅极布线及被该栅极布线分开的源极布线上面，用液滴喷出法配置盖层时，成为盖层的材料在上述布线形成区域湿润扩展，盖层呈覆盖栅极布线和源极布线上的全面的状态。在此，如上所述，盖层的导电性比构成栅极布线和源极布线的金属材料低。因此，为了使被分开的源极布线之间可以良好地导通，有需要除去覆盖该源极布线的使导电性降低的盖层，在露出的源极布线上直接形成导电部，使分开的源电极布线之间连接。

但是，形成连接这样分开的源极布线之间的导电部之际，需要除去上述那样的盖层的工序时，源极布线的形成工序难以简单化，成为妨碍提高生产率的一个原因。

发明内容

鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供在分开的图案形成区域内形成具有盖层的膜图案之际，通过使其形成工序简单化，可以提高膜图案的生产率的膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光学装置和电子仪器。

本发明的膜图案的形成方法是将功能液配置在设在基板上的由围堰划分的图案形成区域内而形成膜图案的方法，其中，具备以下工序：

在上述基板上形成划分图案形成区域的围堰的工序，所述图案形成区域具备第1图案形成区域和与该第1图案形成区域交叉、并在该交叉部中分开的第2图案形成区域；通过将功能液配置在上述第1图案形成区域内而作为第1膜图案、将功能液配置在上述第2图案形成区域内而作为第2膜图案的工序；对包括上述第1膜图案、上述第2膜图案、以及上述围堰的基板的全面，实施疏液处理的工序；其后，选择性地保持以分开的状态形成的上述第2膜图案的各自的规定位置的疏液性、直接降低上述基板上的疏液性的工序；降低疏液性后，在上述第1膜图案和上述第2膜图案上层叠盖层的工序；层叠了上述盖层后，除去以分开的状态形成的第2膜图案的各自的规定位置的疏液性的工序；和在上述各规定位置之间形成导电膜、电连接以分开的状态形成的第2膜图案的工序。

本发明的膜图案的形成方法，在以形成用于连接以分开的状态形成的第2膜图案的导电膜的各自的位置作为规定的位置的情况下，成为在第2膜图案的各自的规定的位置上选择地保留疏液性的状态。因此，在第1膜图案和第2膜图案上层叠盖层之际，在选择地保留疏液性的第2膜图案的规定位置上不层叠盖层。这样，由于在上述规定的位置不层叠盖层，所以形成连接分开的第2膜图案之间的导电膜的情况下，不进行除去覆盖形成导电膜的膜图案的盖层的工序，通过上述导电膜可以使第2膜图案之间导通。

这样，具有以盖层覆盖的结构、连接分开的膜图案之间时，采用本发明，通过丢掉在形成导电膜的规定位置中的除去盖层的工序，可以谋求形成膜图案的工序的简单化，从而提高膜图案的生产率。

另外，上述膜图案的形成方法，优选在上述围堰上面中的所降低的疏液性，变成为至少将配置在围堰上的成为盖层的功能液排斥程度的强度。

根据这样，例如在图案形成区域配置盖层时，即使成为盖层的功能液载置到围堰上的情况下，因围堰上保留的疏液性也可以确实地落入上述图案形成区域内。

另外，上述膜图案的形成方法，优选上述围堰的形成材料，由作为固体成分的聚硅氮烷、聚硅烷或者聚硅氧烷的任一种作为主成分的无机质材料构成。

根据这样，由于围堰的形成材料由作为固体成分的聚硅氮烷、聚硅烷或者聚硅氧烷的任一种作为主成分，所以与由有机材料构成的围堰相比，其耐热性高，特别是适宜于烧成配置在该围堰之间的功能液而形成膜图案的情况。

另外，上述膜图案的形成方法，优选通过在包括上述第1膜图案、第2膜图案和上述围堰的基板的全面上形成自组织化膜而进行疏液处理。

作为使基板上方疏液化的处理进行等离子体处理的情况下，会给予成为基底的第1膜图案、第2膜图案因等离子体造成的损伤。因此，例如通过使基板全面吸附氟代烷基硅烷，以使氟代烷基位于膜的表面，使各化合物取向而形成自组织化膜，可以赋予膜的表面以均匀的疏液性。这样，由于通过形成自组织化膜进行疏液处理，所以可以减轻给予第1膜图案和第2膜图案的损伤。

本发明的有源矩阵基板的特征在于，具备了由上述膜图案的形成方法形成的作为使第1膜图案与薄膜晶体管导通的栅极布线和作为使第2膜图案与薄膜晶体管导通的源极布线。

根据本发明的有源矩阵基板，因在基板上以分开的状态形成源极布线，可以采用在基板的同一面上形成栅极布线和源极布线的结构。此时，如上所述，由于可以使形成由导电膜连接与薄膜晶体管导通的分开的布线之间的源极布线的工序简单化，所以可以提高有源矩阵基板自体的生产率。

本发明的电光学装置的特征在于，具备上述有源矩阵基板。

根据本发明的电光学装置，因具备生产率高的有源矩阵基板，也就可以提高电光学装置自体的生产率，谋求成本的降低。

本发明的电子仪器的特征在于，具备上述电光学装置。

根据本发明的电子仪器，如上所述，由于具备生产率高、可以谋求成本的降低的电光学装置，所以具备其的电子仪器自体也就生产率高而成本低。

附图说明

图1是有源矩阵基板的局部放大图。

图2是液滴喷出装置的概略立体图。

图3是液滴喷出头的剖面图。

图4是表示制造有源矩阵基板的顺序的图。

图5是表示与图4接续顺序的图。

图6是表示与图5接续顺序的图。

图7是表示与图6接续顺序的图。

图8是表示与图7接续顺序的图。

图9是表示与图8接续顺序的图。

图10是表示与图9接续顺序的图。

图11是表示与图10接续顺序的图。

图12是表示与图11接续顺序的图。

图13是表示与图12接续顺序的图。

图14是表示与图13接续顺序的图。

图15是表示与图14接续顺序的图。

图16是从对向基板侧看液晶显示装置的平面图。

图17是液晶显示装置的剖面图。

图18是表示液晶显示装置中的等效电路的图。

图19是表示电子仪器的具体例的图。

图中：P-基板，F-疏液膜(自组织化膜)，20-有源矩阵基板，30-TFT(开关元件)，37-导电层连接部(规定的位置)，39-导电膜，40-栅极布线(第1膜图案)，42-源极布线(第2膜图案)，47-金属保护层(盖层)，51-围堰，52-栅极布线用形成区域(第1图案形成区域)，53-电容线形成区域(第1图案形成区域)，55-源极布线用形成区域(第2图案形成区域)，100-液晶显示装置(电光学装置)，600-移动电话机(电子仪器)

具体实施方式

以下参照附图说明本发明的膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光学装置及电子仪器。另外，在参照的各图中，为了在附图上成为可辨认的大小，有时其缩尺在各层和各构件中不同。

图1是表示使具备由本发明的膜图案的形成方法形成的栅极布线(第1膜图案)40、源极布线(第2膜图案)42和电容线(第1膜图案)46的有源矩阵基板20的局部放大的概略构成的平面图。

该有源矩阵基板20，备有在基板P上以格子状布线的多个栅极布线40和源极布线42。而且，以与上述栅极布线40大体平行的方式在基板P上形成电容线46。另外，栅极布线40、源极布线42和电容线46，形成在有源矩阵基板20的同一面上。

在本实施方式中的有源矩阵基板20中，源极布线42以由栅极布线40和电容线46分开的状态形成。而且，在由栅极布线40和电容线46分开的源极布线42的各端部设有导电层49，藉此，具有作为连续形成的源极布线42的功能。该导电层49通过经后述的绝缘层在栅极布线40上形成，成为在源极布线42和栅极布线40及电容线46之间保持绝缘性的状态。

另外，通过后述的制造工序，以分别覆盖上述栅极布线40、上述源极布线42、及上述电容线46的方式形成金属保护层(盖层)，但在图1中省略了该图示。

另外，栅极电极41与上述栅极布线40连接，在该栅极电极41上经绝缘层(未图示)形成有TFT30。另一方面，源电极43与源极布线42连接，源电极43的一端与TFT30连接。

而且，在由栅极布线40和源极布线42围住的区域内配置像素电极45，经漏电极44连接于TFT30。

以下说明用本发明的膜图案的形成方法，形成与在有源矩阵基板20上形成的TFT导通的栅极布线40和源极布线42的实施方式。

在此，在本实施方式中，作为配置构成上述栅极布线40、源极布线42及电容线46的布线图案用墨水(功能液)和构成在这些布线上形成的金属保护层的金属保护层形成材料(功能液)的方法，采用液滴喷出法(喷墨法)。这样，通过使用液滴喷出法，与旋转涂法等的其它的涂布技术相比，具有使液体材料消耗的浪费少、容易进行配置到基板上的功能液的数量和位置的控制的优点。

在此，作为液滴喷出法的喷出技术可以举出带电控制方式、加压振动方式、电机械转换式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式用带电电极赋予材料以电荷，用偏转电极控制材料的飞翔方向而从喷嘴喷出。另外，加压振动方式对材料施加30kg/cm²左右的超高压，在喷嘴的前端侧喷出材料，不施加控制电压的情况下，材料一直前进从喷嘴喷出，施加控制电压时，材料间发生静电排斥，材料飞散，不从喷嘴喷出。另外，电机械转换方式利用压电元件(压电元件)接受脉冲的电信号而变形的性质，通过压电元件变形，经可挠物质将压力赋予贮存材料的空间，使材料从该空间压出而从喷嘴喷出。

另外，电热转换方式是由设在贮存了材料的空间内的加热器，使材料急剧地气化生成气泡(泡)，由泡的压力使空间内的材料喷出。静电吸引方式是向贮存了材料的空间内施加微小压力，在喷嘴上形成材料的弯液面，在该状态下由施加静电引力将材料引出。另外，除此以外，也可以适用于利用由电场产生的流体的粘性变化的方式或由放电火花飞出的方式等的技术。液滴喷出法具有在材料的使用中浪费少而且可以确实地将希望的量的材料配置在希望的位置上的优点。另外，由液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量，例如是1～300毫微克。

在本实施方式中，作为这样的液滴喷出装置使用用压力元件(压电元件)的电机械转换方式的液滴喷出装置(喷墨装置)。

图2是表示液滴喷出装置IJ的概略构成的立体图。

液滴喷出装置IJ备有液滴喷出头301、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导向轴5、控制装置CONT、台307、清洗机构308、基台309和加热器315。

台307支持通过该液滴喷出装置IJ配置布线图案用墨水(功能液)的基板P，备有将基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。另外，该基板P用于构成有源矩阵基板20。

液滴喷出头301是具备多个喷出嘴的多喷嘴型的液滴喷出头，长度方向和X轴方向相一致。多个喷出嘴以一定间隔设在液滴喷出头301的下面。从液滴喷出头301的喷出嘴，以对于支持在台307上的基板P喷出含有上述导电性微粒子的布线图案用墨水。

X轴方向驱动马达302连接于X轴方向驱动轴304。X轴方向驱动马达302由步进马达等构成，从控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号时，X轴方向驱动轴304旋转。X轴方向驱动轴304旋转时，液滴喷出头301沿X轴方向移动。

Y轴方向导向轴305以相对于基台309不动地被固定。台307具备Y轴方向驱动马达303。Y轴方向驱动马达303是步进马达等，从控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号时，使台307沿Y轴方向移动。

控制装置CONT将液滴喷出控制用电压供给液滴喷出头301。另外，将控制液滴喷出头301的X轴方向移动的驱动脉冲信号供给X轴方向驱动马达302，将控制台307的Y轴方向移动的驱动脉冲信号供给Y轴方向驱动马达303。

清洗机构308清洗液滴喷出头301。在清洗机构308中备有未图示的Y轴方向的驱动马达。通过该Y轴方向的驱动马达的驱动，清洗机构沿Y轴方向导向轴305移动。清洗机构308的移动也由控制装置CONT控制。

在此，加热器315是用氙灯使基板P进行热处理的机构，进行配置到基板P上的液体材料中含有的溶剂的蒸发及干燥。该加热器315的电源的接通及断开也由控制装置CONT控制。

液滴喷出装置IJ，相对地扫描支持液滴喷出头301和基板P的台307，同时对于基板P，以从在液滴喷出头301的下面沿X轴方向排列的多个喷嘴中喷出液滴。

在此，本实施方式中所用的布线图案用墨水(功能液)是由将导电性微粒子分散到分散剂中的分散液构成的墨水。作为这样的导电性微粒子，例如除含有金、银、铜、铝、铬、锰、钼、钛、钯、钨及镍中的至少一种的金属微粒子以外，也可以使用它们的氧化物及导电性聚合物或超电导体的微粒子等。这些导电性粒子也可以为提高分散性在其表面涂敷有机物等而使用。优选导电性微粒子的粒径是1nm以上、0.1μm以下。比0.1μm大时，担心后述的液滴喷出头的喷嘴发生孔堵塞。另外，比1nm小时，相对导电性微粒子的涂覆剂的体积比增大，得到的膜中的有机物的比例过多。

作为分散剂，只要是可以分散上述的导电性微粒子、不发生凝聚就不作特别的限定。例如，除水以外，可以例示出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类；正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、双戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等的烃类化合物；另外乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、二(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等的醚系化合物；和碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等的极性化合物。其中，从微粒子的分散性和分散液的稳定性及适用于液滴喷出法(喷墨法)的难易度出发，优选水、醇类、烃类化合物、醚系化合物，作为更优选的分散剂可以举出水、烃类化合物。

优选上述导电性微粒子的分散液的表面张力在0.02N/m以上、0.07N/m以下的范围内。用液滴喷出法喷出墨水之际表面张力低于0.02N/m时，因墨水对于喷嘴面的润湿性增大而容易发生飞行弯曲，超过0.07N/m时，因喷嘴前端的弯液面的形状不稳定而难以控制喷出量和喷出时间。为了调整表面张力，在不会大幅度降低与基板的接触角的范围内，可以向上述分散液中微量添加氟系、硅系、非离子系等的表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂有益于提高墨水体对基板的湿润性、改善膜的调平性、防止膜的微细的凹凸的发生等。上述表面张力调节剂也可以根据需要含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。

优选上述分散液的粘度是1mPa·s以上、50mPa·s以下。用液滴喷出法以墨水作为液滴喷出之际、粘度比1mPa·s小的情况下，喷嘴周边部因墨水的流出容易被污染，另外粘度比50mPa·s大的情况下，喷嘴孔处的孔堵塞的频率增高，喷出顺利的液滴变得困难。

图3是用于说明由压电方式的液体材料的喷出原理的图。

在图3中，与收容液体材料(布线图案用墨水、功能液)的液体室312邻接而设置有压电元件322。经包括收容液体材料的材料容器的液体材料供给系统323将液体材料供给液体室312。压电元件322与驱动电路324连接，经该驱动电路324将电压施加到压电元件322上，通过使压电元件322变形，可以使液体室312变形，从喷嘴325中喷出液体材料。此时，通过改变施加电压的值，控制压电元件322的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，控制压电元件322的变形速度。由于由压电方式的液滴喷出不会使材料增热，所以具有不赋予材料组成以影响的优点。

以下说明含有用上述的液滴喷出装置IJ配置布线图案用墨水和金属保护层形成材料，与由金属保护层覆盖的栅极布线40和源极布线42导通的TFT30的有源矩阵基板20的制造方法。

图4、图5是说明源极布线、栅极布线的形成工序的图。另外，图4(b)、图5(b)分别是沿图4(a)、图5(a)中的A-A’线的剖面图。

首先，在形成划分用于喷出功能液的区域的围堰时，在基板P上形成由绝缘性材料构成的围堰51。该围堰51用于将后述的布线图案用墨水配置在基板P的规定位置上。

在此，作为上述基板P适宜采用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。另外也可以使用在这些各种原材料基板的表面上以半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为基底层而形成的基板。

如图4(a)所示，根据光刻法在清洗的基板P的上面形成栅极布线形成区域(第1图案形成区域)52、源极布线形成区域(第2图案形成区域)55、电容线形成区域(第1图案形成区域)53、及划分图案形成区域的围堰51，所述图案形成区域包括与上述栅极布线形成区域52连接而形成的栅极电极形成区域54和上述源极布线形成区域55。

具体地说，如图4(a)所示，源极布线形成区域55以沿X方向延伸的方式而形成，栅极布线形成区域52沿Y方向延伸的方式而形成，它们大体垂直地形成。另外，电容线用形成区域53以与上述栅极布线形成区域52大体平行地设置，以沿X方向延长而形成。而且，在上述源极布线形成区域55和上述栅极布线形成区域52及上述电容线用形成区域53的各交叉部56处，上述源极布线形成区域55呈多个分开的状态。

作为上述围堰51的形成方法，可以使用光刻法和印刷法等任意的方法。例如，使用光刻法的情况下，用旋涂、喷涂、辊涂、模涂、浸渍涂等规定的方法，在基板P的上形成由围堰的形成材料构成的层后，通过蚀刻或研磨等制作布线图案，得到规定图案形状的围堰。另外，也可以在与基板P不同的物体上形成围堰，将其配置在基板P上。

作为构成上述围堰51的围堰形成材料，例如使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯树脂、三聚氰胺树脂等的高分子材料。另外，考虑耐热性等也可以是含有无机质的材料。作为无机质的围堰材料，例如可以举出在聚硅氮烷、聚硅氧烷、硅氧烷系抗蚀剂、聚硅烷系抗蚀剂等的骨架中含有硅的高分子无机材料或感光性无机材料，含有石英玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半噁烷聚合物、氢化烷基硅倍半噁烷聚合物、聚芳基醚中的任一种的自旋(定向)玻璃膜、金刚石膜及非晶质氟化碳膜等。另外，作为无机质的围堰材料也可以使用例如气凝胶、多孔质二氧化硅等。在使用作为含有聚硅氮烷和光酸发生剂或光碱发生剂的任一种感光性聚硅氮烷组合物那样的具有感光性的材料的情况下，因不要抗蚀剂掩模而优选。作为构成本实施方式的围堰51的材料使用以聚硅氮烷作为主成分的无机质材料。藉此，由于形成的围堰51是以聚硅氮烷作为主成分的无机质，所以与由有机材料构成的有机质的围堰相比，其耐热性高，而且围堰和基板间的热膨胀率之差小。因此，可以抑制干燥喷出的功能液时的由热导致的围堰51的劣化，可以形成良好的膜图案。

另外，为了将布线图案用墨水良好地配置在上述各布线形成区域52、53、54、55内，也可以对围堰51的上面实施疏液处理。作为这样的疏液处理，实施例如CF₄等离子体处理(用具有氟成分的气体的等离子体处理)等。另外，也可以预先向围堰51的原材料自体填充疏液成分(氟基等)，代替CF₄等离子体处理等。藉此，可以防止布线图案用墨水附着在围堰上面，通过使布线图案用墨水良好地落入各布线形成区域52、53、54、55中，可以正确地形成希望形状的膜图案。

然后，由上述的液滴喷出装置IJ将含有导电性微粒子的布线用墨水喷出·配置到图案形成区域57(各布线形成区域52、53、54、55)内，在基板P上形成由栅极布线40和源极布线42等构成的格子状的作为膜图案的布线。

在本实施方式中，作为布线图案用墨水使用由将上述导电性微粒子分散在分散剂中的分散液或将有机银化合物和氧化银毫微粒子分散在溶剂(分散剂)的溶液构成的墨水。作为导电性微粒子，例如除了金、银、铜、锡、铅等的金属微粒子以外，也可以使用它们的氧化物及导电性聚合物或超电导体的微粒子等。这些导电性微粒子也可以为提高分散性在其表面涂敷有机物等而使用。

另外，在本实施方式中，由1层的膜图案形成栅极布线40、源极布线42和栅极电极41等的各布线，但是也可以层叠例如2层以上的不同的材料形成附加高功能的特性的布线图案。

这样，将布线图案用墨水喷到由围堰51划分的图案形成区域57内后，为了除去喷出的布线用墨水中的分散剂及确保膜厚，根据需要进行中间干燥处理。中间干燥处理例如除了由加热基板P自体的通常的加热板(轻便电炉)、电炉等的处理以外，也可以由灯退火进行。作为灯退火所使用的光的光源不作特别的限定，可以以红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等的受激准分子激光器等作为光源使用。这些光源一般在输出功率为10W以上、5000W以下的范围内使用，本实施方式在100W以上、1000W以下的范围内是充分的。

另外，由1次的功能液配置工序和中间干燥工序可形成的栅极布线40、源极布线42和栅极电极41的厚度不能达到需要的膜厚的情况下，通过重复进行配置上述墨水的工序和中间干燥工序，层叠墨水的液滴，可以形成具有充分膜厚的栅极布线40、源极布线42和栅极电极41、源电极17及漏电极14。

如图5(a)、(b)所示，通过进行上述的中间干燥处理，在各布线形成区域52、54、55内形成分别对应的栅极布线40、栅极电极41、源极布线42。

(疏液处理工序)

形成覆盖上述栅极布线40、栅极电极41、源极布线42的各上面的金属保护层(盖层)之际，如图5(c)所示，对包括上述栅极布线40、栅极电极41、源极布线42及电容线46的各自的上面和围堰51的上面的基板P的全面实施疏液处理。

作为上述疏液处理的方法，有在基板P表面上形成自组织化膜的方法，或通过使用以CF₄(四氟甲烷)作为气体的等离子体处理使基板P的表面直接疏液化的方法。等离子体处理是在常压或真空中对基板P进行等离子体照射。另外，用于等离子体处理的气体种类可以考虑需要形成布线图案的基板P的表面材质等而进行种种选择。作为CF₄气体以外的处理气体可以例示出例如全氟己烷、全氟癸烷等。在此，进行基板P的疏液处理之际使用等离子体处理的情况下，担心给予图案形成区域57内形成的栅极布线40及源极布线42等由等离子体造成的损伤。

因此，在本实施方式中，作为对于基板P的全面的疏液处理采用形成自组织化膜的方法。

在形成自组织化膜的方法中，首先，在基板P的表面上形成有机分子膜(未图示)。由于该有机分子膜由可与基板P表面结合的官能基和具有亲液基或者疏液基的表面改质功能的官能基用碳链连接的有机分子构成，所以可以将这样的有机分子均匀地吸附在基板P的表面上而形成。

在此，所谓自组织化膜是使由可与基板的基底层等的构成原子反应的结合性官能基和其以外的直链分子构成，通过直链分子的相互作用具有极高的取向性的化合物取向而形成的膜。由于该自组织化膜可以使单分子取向而形成，所以其膜厚可以非常薄，而且以分子级成为均匀的膜。也就是说，由于相同的分子位于膜的表面，所以膜的表面均匀，而且可以赋予优良的疏液性。

作为具有上述高的取向性的化合物，例如通过使用氟代烷基硅烷，以使氟代烷基位于膜的表面上那样，使各化合物取向而形成自组织化膜，赋予膜的表面以均匀的疏液性。

作为形成自组织化膜的化合物，

可以例示出十七氟-1，1，2，2四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟代烷基硅烷(以下称为“FAS”)。这些化合物既可以单独使用，也可以组合2种以上使用。另外，通过使用FAS在基板P的全面上形成图6(a)中用双点画线表示的密接性高的疏液膜F。

FAS通常用结构式RnSiX(4-n)表示。在此，n表示1以上、3以下的整数，X是甲氧基、乙氧基、卤素原子等的水解基。另外，R是氟代烷基，具有(CF₃)(CF₂)_x(CH₂)_y(其中，x表示0以上、10以下的整数，y表示0以上、4以下的整数)的结构，多个R或者x与硅结合的情况下，R或者x既可以各自完全相同，也可以不同。用x表示的水解基通过水解形成硅烷醇，与基板P(玻璃、硅)的基底的羟基反应，以硅氧烷键与基板P结合。另一方面，由于R在其表面具有(CF₂)等的氟基，所以不湿润基板P的基底表面(表面能低)而使表面改质。

通过将上述的原料化合物和基板P放入同一密闭容器中，在室温下放置2～3日就可以在基板上形成自组织化膜。或者，通过在100℃下保持密闭容器全体，可以用3小时左右在基板P上形成。这些是由气相的形成法，但也可以由液相形成自组织化膜。例如，通过将基板P浸渍在含有原料化合物的溶液中、清洗、干燥，在基板P上形成自组织化膜。优选在形成自组织化膜之前，通过对基板P的表面照射紫外光或者由溶剂清洗而对基板P的表面实施前处理。

在此，图6(a)、(b)表示图4(a)中的A-A’线箭头方向所视的侧剖面图，图6(c)表示与图4(a)对应的基板P的平面图。

这样，如图6(a)所示，用自组织化膜形成法使基板P的全面疏液化后，在以由上述栅极布线40和电容线46分开的状态形成的源极布线42的各自的上面的规定位置上选择地保持疏液性的情况下，降低上述基板P上的疏液性。在此，所谓规定的位置是指由后述的工序设置连接分开的源极布线42间的导电层49的位置。以下，以该规定的位置作为导电层连接部37进行说明。如上所述，由于成为通过由FAS在基板P的全面上形成的疏液膜F赋予疏液性的状态，所以为了使上述导电层连接部37选择地保留疏液性，如图6(b)所示，使用具有可以遮住照射到上述导电层连接部37的紫外线的形状的掩模M。而且，例如将波长170～400nm的紫外光照射到基板P上。

这样，上述导电层连接部37以外的区域没有被掩模M遮住紫外线的情况，紫外线直接照射到基板P上。这样，如图6(c)所示，上述导电层连接部37以外的疏液性降低，同时只有源极布线42的导电层连接部37成为选择地保留疏液性的状态。另外，作为降低疏液性的程度可以通过紫外光的照射时间来调整，但是，也可以通过与紫外光的强度、波长、热处理(加热)的组合等来调整。

另外，作为掩模M，例如通过使用半色调掩模相对于照射到围堰51上的紫外线，增加照射到上述导电层连接部37以外的源极布线42部分、栅极布线40、电容线46和漏电极41上的紫外线量，以希望的状态调节疏液性的强度。

在此，优选栅极布线40、源极布线42和电容线46的上面的湿润性具有可以湿润扩展喷出的金属保护层形成材料的程度的疏液性。另外，优选在由液滴喷出法形成后述的金属保护层时围堰51上面的疏液性至少具有对载置到围堰51上的金属保护层形成材料(功能液)排斥的程度的强度。

根据这样，向图案形成区域57配置金属保护层时，即使在金属保护层形成材料载置到围堰上方的情况下，因围堰51上面保留的疏液性，也可以确实地落入上述图案形成区域57内。

(金属保护层的形成工序)

图7是说明在上述源极布线42和上述栅极布线40上层叠金属保护层(盖层)42的工序的图。另外，图7(a)、(b)分别是表示与沿图4(a)中的A-A’线的断面形状相同的基板P的图，图7(c)是形成金属保护层42后的基板P的平面图。

如图7(a)所示，首先用上述液滴喷出装置IJ，在各布线40、41、42、46上配置金属保护层形成材料47a。在此，作为上述金属保护层形成材料47a，喷出配置作为导电性微粒子使用Ni(镍)、作为溶剂(分散剂)使用水和二乙醇胺的材料。另外，作为导电性微粒子也可以使用Ni以外的Ti及W、Mn或者以这些金属作为主成分的合金。

此时，如上所述，由于至少赋予围堰51的上面以对金属保护层形成材料47a排斥的程度的疏液性，所以可以良好地落入形成各布线40、41、42、46的图案形成区域57内。

另外，各布线40、41、42、46的表面上的疏液性成为金属保护层形成材料47a可以湿润扩展的程度，但是由于后述的工序中在连接导电层的源极布线42的各导电层连接部37上形成有上述的疏液膜F，所以使金属保护层形成材料47排斥，在该导电层连接部37上没有层叠金属保护层47。

喷出金属保护层形成材料47a后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理。干燥处理例如可以进行由加热基板P的通常的加热板、电炉等的加热处理。处理条件例如是加热温度180℃、加热时间60分钟左右。对于这样的加热，可以在氮气气氛下等中进行，不一定在大气中进行。

另外，该干燥处理也可以由灯退火进行。作为灯退火中所使用的光的光源可以使用在先的第1电极层形成工序后的中间干燥工序中列举的光源。另外，加热时的输出功率也可以同样在100W～1000W的范围内。

另外，为了提高微粒子之间的密接性，喷出工序后的金属保护层47需要完全除去分散剂。另外，在导电性微粒子的表面上涂覆用于提高在液中的分散性的有机物等的涂覆剂的情况下，也需要除去该涂覆剂。因此，对喷出工序后的基板实施热处理和/或光处理。

该热处理和/或光处理通常在大气中进行，但是根据需要也可以在氮气、氩气、氦气等的惰性气体的气氛中进行。热处理和/或光处理的处理温度可以考虑分散剂的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒子的分散性或氧化性等的热行为、涂覆剂的有无或量、基体材料的耐热温度等而适宜决定。

通过以上的工序，喷出工序后的干燥膜可以确保其微粒子间的密接性，如图7(b)、(c)所示，在不形成疏液膜F的区域、即导电层连接部37以外的源极布线42、栅极布线40、电容线46上形成金属保护层47。

这样，形成金属保护层47后，使用紫外光照射或紫外线和热处理(加热)的组合等除去上述疏液膜F。

这样，通过用金属保护层47覆盖栅极布线40、源极布线42、电容线46，可以防止金属离子的扩散，使由这些布线40、42、46导通的TFT可以良好地动作。

然而，比较源极布线42的导电性和金属保护层47的导电性时，金属保护层47一方的导电性低。因此，在金属保护层覆盖分开的源极布线42的全面的情况下，在形成导通源极布线42之间的导电膜时，需要用蚀刻等除去金属保护膜47的一部分而露出源极布线42。

在本发明中的膜图案的形成方法中，通过在形成导电膜的源极布线42的导电层连接部37选择地保留疏液性，使该部分预先不形成金属保护层47。因此，形成后述的导电层时，可以使除去该导电层连接部37中的金属保护层47的工序简单化。这样，由导电膜连接以分开的状态形成的源极布线42之间时，无须除去导电层连接部37的金属保护层47，可以由导电膜直接导通源极布线42之间。

(层叠部形成工序)

接着，如图8所示，在上述工序中形成的栅极布线40、分开状态的源极布线42等的膜图案上形成新的布线层。在此，若围堰51的表面的亲液性不充分、在围堰51的表面上直接形成源电极等的情况下，电极形成用的功能液由围堰51而排斥，不能形成良好的膜图案。因此，在形成源电极等之前，预先用紫外线照射等降低成为基底的围堰51的表面的疏液性，使之呈赋予充分的亲液性的状态。

使围堰51的表面亲液化后，如图8所示，用等离子体CVD法对基板P上的全面进行绝缘膜31、活性层32、接触层33的连续成膜。在此，图8(a)表示基板P的平面图，图8(b)表示根据图8(a)中的A-A’线箭头方向所视的剖面图。

此时，没有形成金属保护层47的源极布线42对于围堰51呈凹部形状。此时，通过使绝缘膜31沿上述凹部的内壁面形成，其上面不能严密地成为平坦面，但是，在本实施方式中，为了使说明简单化，通过适宜调节CVD法的条件，以埋住凹部形状的状态形成该绝缘膜31，使基板P的上平坦化。具体地说，如图8所示，作为绝缘膜31使用氮化硅膜，在由该绝缘膜平坦化的面上通过改变原料气体或等离子体条件用等离子体CVD法使作为活性层32的非晶质硅膜、作为接触层33的n⁺型硅膜连续地成膜。

然后，如图9所示，用光刻法如图9(a)所示，在栅极布线40和源极布线42的交叉部56上、栅极电极41上和电容线46上配置抗蚀剂58a、58b、58c。在此，图9(b)～图11(b)分别是图9(a)～图11(a)中的沿A-A’线的剖面图，图9(c)～图11(c)分别是图9(a)～图11(a)中的沿B-B’线的剖面图。另外，配置在交叉部56上的抗蚀剂58a和配置在电容线46上的抗蚀剂58b以不接触的方式形成。另外，如图9(b)所示，通过进行半曝光，在配载置到栅极电极41上的抗蚀剂58c的上形成沟59。另外，在9(c)～图11(c)中表示了被电容线46分开的源极布线42的导电层连接部37，但对于被栅极布线40分开的源极布线42的导电层连接部37也具有相同的结构，省略其图示。

然后，对基板P的全面实施蚀刻处理，除去接触层33及活性层32。再次实施蚀刻处理，除去绝缘膜31。

藉此，如图10所示，从配置抗蚀剂58(58a、58b、58c)的区域以外，除去接触层33、活性层32、绝缘膜31。另一方面，在配置了抗蚀剂58的规定位置上形成由绝缘膜31和半导体膜(接触层33、活性层32)构成的层叠部35。此时，如图10所示，成为不形成上述的金属保护层47的露出导电层连接部37的状态。

另外，如上所述，由于在栅极电极41上形成的层叠部35，抗蚀剂58c进行半曝光而形成沟59，所以通过蚀刻前的再次显影而使沟贯通。如图10(b)所示，与沟59对应的接触层33被除去，形成分开为2部分的状态。藉此，在栅极电极41上形成由活性层32及接触层33构成的作为开关元件的TFT30。

另外，如图11(a)～(c)所示，在基板P的全面上成膜作为保护接触层33的保护膜60的氮化硅膜。

(像素电极形成工序)

图12～图15是说明像素电极的形成工序的图。另外，图12(b)～图15(b)分别是图12(a)～图15(a)中的沿A-A’线的剖面图，图12(c)～图15(c)分别是图12(a)～图15(a)中的沿B-B’线的剖面图。另外，12(c)～图15(c)表示被电容线46分开的源极布线42的导电层连接部37，对于被栅极布线40分开的源极布线42的导电层连接部37也具有相同的结构，省略其图示。

在本工序中形成源电极43、漏电极44、导电层49和像素电极45。

源电极43、漏电极44和导电层49可以由与形成栅极布线40和源极布线42相同的材料形成。由于像素电极45需要具有透明性，所以优选由ITO(铟锡氧化物)等透光性材料形成。它们的形成与形成上述的栅极布线40、源极布线42等的工序同样使用液滴喷出法。

首先，如图12(a)所示，根据光刻法形成覆盖栅极布线40、源极布线42、电容线46等的围堰61。也就是说，如图12(a)～(c)所示，形成大体格子状的围堰61。另外，在源极布线42和栅极布线40及源极布线42和电容线46的交叉部56处形成开口部62，在与TFT30的漏区域对应的位置上形成开口部63。

另外，如图12(b)所示，以在栅极电极41上形成的层叠部35(TFT30)的一部分露出的方式形成开口部62、63。也就是说，围堰61形成得使沿图12(a)中的X方向将层叠部35(TFT30)分为2部分。

作为构成该围堰61的材料，例如既可以与上述的围堰51同样，使用以聚硅氮烷作为主成分的无机质的材料，也可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、烯树脂、密胺树脂等的高分子材料等。为了良好地配置墨水，优选围堰61的表面具有疏液性。因此，作为围堰61也可以使用预先将疏液成分(氟基等)填充在原材料自体中的材料。

在此，由上述围堰61形成的开口部62，与连接分开的源极布线42的导电层、或者源电极的形成位置相对应(参照图15)。另外，由围堰61形成的开口部63，与漏电极的形成位置相对应(参照图15)。另外，在其以外的部分由围堰61围住的区域，与像素电极的形成位置相对应(参照图15)。也就是说，通过将导电性材料配置在围堰61的开口部62、63内及由围堰61围住的区域内，形成将分开的源极布线42进行连接的导电层、源电极、像素电极。

然后，用蚀刻处理除去在基板P的全面上成膜的保护膜60。藉此，如图13(a)～(c)所示，除去在没有配置围堰61的区域内成膜的保护层60。

此时，由于在导电层连接部37上没有形成金属保护层47，所以蚀刻由上述围堰61上露出的保护膜60后，无须进行用于除去金属保护层47的其它的蚀刻工序而可以在开口部62内露出源极布线42。因此，可以使导通分开的源极布线42之间的工序简单化。

然后，如图14(a)～(c)所示，由上述的液滴喷出装置IJ将含有源电极43或漏电极44等的电极材料的电极用墨水喷出·配置在围堰61的开口部62、63内。电极用墨水可以使用与用于形成栅极布线40所用的布线图案用墨水同样的墨水。在基板上喷出电极用墨水后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理、烧成处理。通过干燥·烧成处理，可以确保导电性微粒子之间的电接触，转换为导电性膜。

另外，在图中使源电极43和漏电极44形成单层膜，但是这些电极也可以形成由多层构成的层叠膜。通过重复材料配置工序和中间干燥工序可以顺次形成这些层。

这样，如图14(a)～(c)所示，在基板P上形成将分开的源极布线42进行连接的导电层49、源电极43、漏电极44。

这样，在本实施方式中，如上所述，由于在形成上层侧的布线层(源电极43、漏电极44、像素电极45)之前使成为基底的围堰51的表面亲液化，所以可以提高围堰51和成为布线的墨水(功能液)的湿润性，形成均匀的布线图案。

另外，虽然没有图示，但是对于被栅极布线40分开的源极布线42同样通过导电层49成为导通的状态。因此，通过导电层49，源极布线42作为连续的膜图案发挥功能。

然后，用激光等除去围堰61中位于像素电极45和漏电极44的边界的部分61a，将含有像素电极45的电极材料的像素电极用墨水喷出·配置在由围堰61围住的区域内。像素电极用墨水是将ITO等导电性微粒子分散在分散剂中的分散液。将像素电极用墨水喷到基板P上后，为了除去分散剂，根据需要进行干燥处理、烧成处理。通过干燥·烧成处理，可以确保导电性微粒子之间的电接触，转换为导电性膜。

这样，如图15(a)～(c)所示，在基板P上形成与漏电极44导通的像素电极45。

另外，在本工序中，为了导通漏电极44和像素电极45，用激光等除去它们的边界的部分围堰61，但是本工序并不限于此。例如，只要预先通过半曝光等可以使该边界部分的围堰61的厚度变薄，即使不除去该部分的围堰61，也可以以与漏电极44重叠得方式喷出·配置像素电极用墨水。

通过经过以上的工序可以制造有源矩阵基板20。

根据本实施方式，对于以分开的状态形成的源极布线42中的导电层连接部37在上述导电层连接部37上无须层叠金属保护层47。这样，由于在上述规定的位置上没有层叠盖层，所以在形成连接分开的第2膜图案之间的导电膜的情况下，不必如历来那样进行除去覆盖形成导电膜的膜图案的盖层的工序，可以通过上述导电膜使第2膜图案之间导通。

这样，由于在导电层连接部37上没有层叠金属保护层47，所以由导电膜39连接被分开的源极布线42之间时，无须由蚀刻除去导通源极布线42之间时的金属保护层47的工序，可以谋求形成源极布线42的工序的简单化，可以提高具有与该源极布线42导通的TFT30的有源矩阵基板的生产率。

另外，在本实施方式中，对有源矩阵基板的优选的一种实施方式进行了说明，但是，并不限定于该构成构件的形状或组合的方式。例如，说明了在与栅极布线40的交叉部56处分开源极布线42的构成，但是除了栅极布线40以外，也可以适应于具备电容线的结构。此时，源极布线42成为由栅极布线42和电容线分开的状态，但也可以用本发明的膜图案的形成方法形成导通各自的交叉部的导通部，谋求工序的简单化，同时提高其生产率。

(电光学装置)

以下，说明作为具备由上述制造工序得到的有源矩阵基板20的电光学装置的一例的液晶显示装置100。

图16是从对向基板侧看液晶显示装置100的平面图。图17是沿图16的H-H’线的剖面图。

另外，在以下的说明中所用的各图中，为了使各层和各构件在附图上成为可识别程度的大小，使各层和各构件的缩尺不同。

在图16和图17中，液晶显示装置(电光学装置)100，其包括有源矩阵基板20的TFT阵列基板110和对向基板20由作为光固化性的密闭材料的密封材料152粘合，在由该密封材料152划分的区域内封入并保持液晶150。密封材料152在基板面内的区域内形成闭合的框状，不具备液晶注入口，没有用密闭材料密封的痕迹的构成。

在密封材料152的形成区域的内侧区域，形成由遮光性材料构成的周边分型面153。在密封材料152的外侧区域，沿着TFT阵列基板110的一边，形成数据线驱动电路201及安装端子202，沿与该边邻接的两边，形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板110的剩下的一边，设有用于连接设在图像显示区域两侧的扫描线驱动电路204之间的多个布线205。另外，在对向基板120的角部的至少一个地方，配设有用于TFT阵列基板110和对向基1板20间电导通的基板间导通材料206。

另外，也可以例如经各向异性导电膜，使安装驱动用LSI的TAB(TapeAutomated Bonding)基板和在TFT阵列基板110的周边部形成的端子群进行电及机械地连接，代替在TFT阵列基板110上形成数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204。

另外，在液晶显示装置100中，分别根据使用的液晶150的种类、即TN(扭转向列Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等的动作模式或标准白模式/标准黑模式，以规定的方向配置相位差片、偏光片等，在此，省略图示。

另外，以液晶显示装置100作为彩色显示用而构成的情况下，在对向基板120中与TFT阵列基板110的后述的各像素电极对向的区域内，与其保护膜同时形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片。

在具有这样结构的图像显示区域中，如图18所示，以矩阵状构成多个像素100a，同时在这些像素100a的各自中，形成有像素开关用的TFT(开关元件)30，供给像素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的像素信号S1、S2、…、Sn，既可以以线顺序顺序地供给，也可以对于邻接的多个数据线6a彼此以每组供给。另外，扫描线3a与TFT30的栅极电连接，在规定的时间内将脉冲的扫描信号G1、G2、…、Gn按该顺序以线顺序施加到扫描线3a上。

像素电极19电连接在TFT30的漏电极，通过使作为开关元件的TFT30只在一定期间呈接通状态，可以将由数据线6a供给的像素信号S1、S2、…、Sn在规定的时间内写入各像素中。这样，经像素电极19写入液晶的规定电平的像素信号S1、S2、…、Sn，在图10所示的与对向基板20的对向电极121间保持恒定期间。另外，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，与像素电极19和对向电极121之间形成的液晶电容并列地增加存储电容60。例如，通过存储电容60可以使像素电极19的电压只保持比施加源极电压的时间长3位的时间。藉此，可以改善电荷的保持特性、实现对比度高的液晶显示装置100。

图18是构成液晶显示装置100的等效电路图。

这样，将上述有源矩阵基板20用于液晶显示装置100的情况下，在图像显示区域中，矩阵状地构成多个像素100a。在这些像素100a的各自中，形成像素开关用的TFT30，供给像素信号S1、S2、…、Sn的源极布线42经源电极43与TFT30的源极电连接。供给源极布线42的像素信号S1、S2、…、Sn，既可以以该顺序作为线顺序供给，也可以对于邻接的多个源极布线42彼此以每组供给。

另外，栅极布线40经栅极电极41与TFT30的栅极电连接。而且在规定的时间内将脉冲的扫描信号G1、G2、…、Gn以该顺序作为线顺序施加到栅极布线40上。

像素电极45经漏电极44与TFT30的漏极电连接。而且，通过使作为开关元件的TFT30只在一定期间呈接通状态，将由源极布线42供给的像素信号S1、S2、…、Sn在规定的时间内写入各像素中。这样，经像素电极45写入液晶的规定电平的像素信号S1、S2、…、Sn，在图17所示的与对向基板120的对向电极121之间保持恒定期间。

另外，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，由电容线46，与在像素电极45和对向电极121之间形成的液晶电容并列地增加存储电容48。例如，仅通过存储电容48就可以使像素电极45的电压保持比施加源极电压的时间长3位的时间。藉此，可以改善电荷的保持特性、实现对比度高的液晶显示装置100。

另外，上述的有源矩阵基板20，也可以应用于液晶显示装置以外的其它的电光学装置，例如有机EL(电致发光)显示装置等中。有机EL显示装置是如下的元件：具有在阴极和阳极之间夹住含有荧光性的无机和有机化合物的薄膜的构成，通过对上述薄膜注入电子和空穴(孔)而激励，生成激发子(激子)，利用该激子再结合时发出的光(荧光、磷光)而发光。而且，在上述具有TFT30的基板上，以用于有机EL显示元件的荧光性材料中，呈红、绿和蓝的各发光色的材料、即发光层形成材料及形成空穴注入/电子输送层的材料作为墨水，使其各进行图案形成，从而可以制造自发光彩色EL器件。本发明的电光学装置的范围也包括这样的有机EL器件。

另外，有源矩阵基板20也可以适用于PDP(等离子体显示面板)或利用通过使电流平行地流到在基板上形成的小面积的薄膜上的膜面内，而产生电子发射的现象的表面传导型电子发射元件等中。

根据本发明的液晶显示装置100，由于形成与TFT30导通的、以分开状态形成的源极布线42的工序可以简单化，所以可以提高有源矩阵基板自体的生产率。具备生产率高的有源矩阵基板20，就可以提高液晶显示装置100自体的生产率，谋求成本的降低。

(电子仪器)

以下，说明本发明的电子仪器的具体例。

图19是表示移动电话机一例的立体图。在图19中，600表示移动电话机的主体，601表示具备上述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。

如上所述，由于图19所示的移动电话机600备有生产率高、可以谋求成本降低的电光学装置，所以具备其的电子仪器自体的生产率也高，成本也低。

另外，本实施方式的电子仪器是具备液晶装置的电子仪器，但是也可以是具备有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其它的电光学装置的电子仪器。

另外，除上述电子仪器以外也可以适用于各种电子仪器。例如适用于具备液晶投影仪、多媒体对应的个人计算机(PC)及工程·工作站(EWS)、寻呼机、文字处理机、电视、探测型或监控直视型的视频信号磁带记录器、电子记事本、计算器、汽车导航装置、POS终端、触摸面板的装置等的电子仪器。

以上参照附图同时对本发明的优选的实施方式的例进行了说明，但是本发明当然并不限于这些。上述的例中所示的各构成构件的诸形状和组合等是一例，在不偏离本发明主旨的范围内可以根据设计要求进行各种变更。

Claims

1. 一种膜图案的形成方法，将功能液配置在设在基板上的由围堰划分的图案形成区域内而形成膜图案，其中，具备以下工序：

在上述基板上形成划分图案形成区域的围堰的工序，所述图案形成区域具备第1图案形成区域和与该第1图案形成区域交叉、并在该交叉部中分开的第2图案形成区域；

通过将功能液配置在上述第1图案形成区域内而作为第1膜图案、将功能液配置在上述第2图案形成区域内而作为第2膜图案的工序；

对包括上述第1膜图案、上述第2膜图案、以及上述围堰的基板的全面，实施疏液处理的工序；

其后，在选择性地保持以分开的状态形成的上述第2膜图案的各自的规定位置的疏液性的情况下、降低上述基板上的疏液性的工序；

降低疏液性后，在上述第1膜图案和上述第2膜图案上层叠盖层的工序；

层叠了上述盖层后，除去以分开的状态形成的第2膜图案的各自的规定位置的疏液性的工序；和

在上述各规定位置之间形成导电膜、电连接以分开的状态形成的第2膜图案的工序。

2. 根据权利要求1所述的膜图案的形成方法，其中，在上述围堰上面中的所降低的疏液性，变成为至少对配置在围堰上的成为盖层的功能液排斥的程度的强度。

3. 根据权利要求1或2所述的膜图案的形成方法，其中，上述围堰的形成材料，由作为固体成分的聚硅氮烷、聚硅烷或者聚硅氧烷的任一种作为主成分的无机质材料构成。

4. 根据权利要求1～2的任一项所述的膜图案的形成方法，其中，通过在包括上述第1膜图案、上述第2膜图案和上述围堰的基板的全面上形成自组织化膜而进行疏液处理。

5. 一种有源矩阵基板，其中，具备由权利要求1～4的任一项所述的膜图案的形成方法形成的，第1膜图案作为与薄膜晶体管导通的栅极布线、第2膜图案作为与薄膜晶体管导通的源极布线。

6. 一种电光学装置，其中，具备权利要求5所述的有源矩阵基板。

7. 一种电子仪器，其中，具备权利要求6所述的电光学装置。