CN100375299C - 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明叙述了可表面装配的发光二极管光源,其中对于表面装配所要求的引导结构弯曲是位于透明的塑料压制材料内部向着壳体反面。此外本发明叙述了在发射紫外和蓝色的半导体LED(1)基础上制造混合光源有益的是白光源的方法,其中将LED(1)装配在引导结构(10)上,将透明的塑料压制材料(3)与转换材料(4)和必要时其他的填充材料混合成压制材料,和引导结构(10)有益的是用压铸方法这样用压制材料成形,LED(1)在其出光边被压制材料包围。
Description
技术领域
本发明涉及到一种可表面装配的发光二极管光源,其中在一个引导结构上装配了LED芯片并且引导结构是用整体的透明塑料封装物体封装的,从塑料封装物体的至少两个侧面每个伸出一个用于LED芯片的引导结构接头。
此外本发明涉及到在半导体发光二极管(以下简称为半导体LED)基础上,特别是在可表面装配的半导体LED基础上制造光源的方法。它特别涉及到一种半导体LED混合光源,特别是白光源。在按照本发明方法中特别是使用具有紫外或蓝色光谱范围的发射光谱的半导体LED和在其出光边将半导体LED被包括转换材料的压制材料包围,通过转换材料将LED半导体发射的光谱至少部分地转换为另外波长的光,这样就产生白光源的光学印象,也就是说光源总体发射白色光。
背景技术
可表面装配的LED组件具有与壳体距离很远的焊接部分在WO 98/12757中是已知的。在其上将引导结构的焊接连接带从芯片-装配面出发直线地在装配面平面上从塑料壳体中引导出来和在塑料壳体之外向着部件-装配边弯成S形状,这样在S弯曲的接头上产生焊接连接面。用焊接连接面可以将组件装配在印刷电路板上。
此外在WO98/12757中叙述了在透明环氧树脂基础上电子辉光组件的波长转换的压制材料与发送紫外,蓝色和绿色光的物体,透明环氧树脂是用一种发光材料掺入的,特别是由一组磷构成的发光材料的无机发光材料颜料粉末。作为优异的实施形式叙述了一种白光源,在其中使用了在GaAlN基础上具有发射最大值在420nm和460nm之间共同与一种发光材料的发射射线的半导体LED,这个是这样选择的,将半导体物体发送的蓝色辐射转换为互补的波长范围,特别是蓝和黄,和应该附加的三重色,例如蓝,绿和红。此外将黄或者绿和红光由发光材料产生。这样涉及到混合和浓度通过适当地选择发光材料可以将产生的白光色调(在CIE-比色图表上的颜色地点)进行改变。
同样WO 98/54929公开了发射可见光的紫外一/蓝-LED的半导体组件,将这个安装在载体的凹槽中,其表面有一个反光层和用一种透明材料填充,透明材料包围着LED的出光边。为了改善光耦合透明材料有一个折射指数,这个是低于LED光作用区域的折射指数。
在JP 05 037 008中叙述了可表面装配的LED组件。将焊接连接带在塑料铸件的下边从塑料物体中引导出来。将焊接连接带在塑料物体的出口地方这样弯曲,它的端部在塑料体的下边沿着直线水平地向外伸出。
在DE 196 04 492 C1中叙述了一种所谓的径向结构形式的LED组件。这种结构形式不适合用于表面装配,而只适合于在印刷电路板上的插件装配。原则上定义径向结构形式的塑料壳体铸件是由聚碳酸脂构成的。
在JP-10093146 A中叙述了一种径向的LED组件,在其中为了改善辐射强度和亮度在塑料壳体铸件中将一种发光材料结合在一起,这种材料被半导体LED芯片激励和用比较长的波长发射。
一种径向的LED结构形式也叙述在U.S.5,777,433中。在其中例如用环氧树脂或另外适合的透明的有机铸件材料构成的径向的塑料铸件中为了提高塑料材料的折射指数与毫微粒子结合在一起,这些毫微粒子比透明的铸件材料有比较大的折射指数。
从公开文件DE 38 04 293中已知在半导体LED基础上的白光源。在其中叙述了具有电子辉光二极管或激光二极管的一种装置,在其中将二极管发射的发射谱借助于掺入磷辉光的,光转换的有机颜料的塑料元素移动到比较长的波长。因此从装置中发射出的光比由发光二极管发送出的光有另外的颜色。依赖于掺入到塑料中的颜料种类用一种和用同一种发光二极管类型可以制造出具有不同颜色发光的发光二极管装置。
在很多有潜力的发光二极管的应用领域例如载重汽车仪表板范围的显示元件,在飞机和汽车上的照明和在适宜于全色LED显示器以及具有显示器元件的便携式仪表或后照明部件(例如在移动电话上)出现强烈要求特别节省位置的发光二极管装置。特别是需要相应的LED组件,用它可以产生混合颜色的光,特别是白光。
在上述已知的可表面装配的结构形式中首先这样制造一个预制的壳体部件,将预加工的引导结构用一种适合的塑料材料在压力下从外部注入,这个构成了部件的壳体。这个部件在表面上有一个凹槽,将引导结构接头从两个相对的侧边引入到凹槽中,将半导体LED粘在其上和电接触。然后将掺入发光材料的浇铸材料,一般来说将透明的环氧树脂在凹槽中填满。
这种已知的可表面装配的结构形式的优点在于,可以这样达到非常定向的辐射,如果将塑料壳体构成的侧壁可以构成为斜置的反射器时。然而不是无条件要求的或可以用另外的方法达到这种定向辐射应用场合时,这种制造方法代表了相对复杂和多阶段的,因为壳体塑料和浇铸材料是由两种不同材料构成的和必须用分开的处理步骤封装。此外必须始终解决在浇铸材料和壳体塑料之间充分的和温度稳定的粘附问题。在实际中这特别是在高功率应用时始终又导致了问题。由于由两部分构成的壳体使得可微型化受到限制。
上述径向结构形式由于所要求的插装使可微型化同样受到限制。此外插件装配在目前一般来说用表面装配制造的电路装置中代表了一种单独的和相对于表面装配在技术上另外构成的装配步骤。
发明内容
以下任务特别是以本发明为基础的,叙述有很小位置需求的可表面装配的发光二极管光源。此外应该叙述制造这种光源特别是在半导体LED基础上制造可表面装配的光源的方法,这个用比较少的制造步骤就足够了,这在使用中涉及到温度强度相对于已知的装置有改善的特性。此外特别应该叙述制造混合颜色的LED光源,特别是白光源。
第一个任务是通过具有以下特征的可表面装配的发光二极管光源解决的。
按照本发明的一种可表面装配的发光二极管光源,其中在一个引导结构上装配了LED芯片并且引导结构是用整体的透明塑料封装物体封装的,从塑料封装物体的至少两个侧面每个伸出一个用于LED芯片的引导结构接头,其特征在于,在所述透明塑料封装物体内每个引导结构接头在LED芯片和发光二极管光源的装配边之间从芯片装配区域到所述发光二极管光源的装配边有一个S形状的弯曲,该弯曲是由塑料封装物体封装的,其中,所述透明塑料封装物体是由塑料压制材料制成的。
在这种组件中已经将引导结构接头引导到塑料壳体或塑料封装物体构成的装配面上。随后已经将引导结构接头的下部从其中引导到塑料封装物体下部平面上和此外必须不再有弯曲,一方面弯曲要求增加位置需求和另外一方面在弯曲处理期间引起塑料封装物体的机械负荷。最后在塑料封装物体和引导结构之间避免了分层的危险,分层一般来说导致湿度稳定性的减小。
本发明还包括可表面装配的发光二极管光源的优异实施形式。
第二个任务是通过具有以下特征的一种方法解决的。
按照本发明的一种制造上述发光二极管光源的方法,在其中,在芯片装配区域将LED芯片装配在引导结构上和与引导结构接头是导电连接的;在半导体LED装配之前或之后给引导结构接头配备S形状的弯曲;和,将半导体LED和具有S形状弯曲的引导结构用一种透明的塑料压制材料(3)封装。
按照本发明的一种在紫外或蓝色光谱范围发射光辐射的半导体LED的基础上制造白光源的方法,在其中,将LED装配在引导结构上;将透明的塑料压制材料与转换材料和其他的填充材料混合成压制材料;和,将引导结构用压制材料封装,在其出光边LED被压制材料包围。
本方法还包括基于上述技术方案的扩展结构。
将本方法特别优异地使用于在半导体LED基础上制造白光源,这个半导体LED在紫外或蓝色光谱范围发射光辐射,在这种方法中将LED装配在引导结构上和进行电接触,将透明的塑料压制材料与一种转换材料混合,和将引导结构有益的用压铸方法这样与压制材料封装,将LED在其出光边被压制材料包围。
因此按照本发明方法放弃了凹槽的封装和放弃了使用两种不同材料和代替这些安排了使用唯一的透明塑料压制材料,将这个首先与转换材料混合和然后围绕引导结构封装,优异的是压铸的。因此将固化的压制材料同时用于部件壳体还用于透明的转换材料母体上。因此将制造方法一方面显著地简化,因为在唯一的封装过程,特别是压铸过程中不仅构成壳体而且还提供了转换材料。此外制造了有改善稳定性的一个组件,因为不再可能出现有不同温度膨胀系数的两种材料之间的粘着问题。
这样达到可重复的和有目的的颜色位置调整在窄的界线内,在仓储和处理时特别是由于快速的固化步骤在很大程度上将转换材料的沉积排除在外。由于简单的处理步骤用比较简单的配料可能性和在树脂准备,混合和剂量时磨蚀的微型化提高了转换材料的质量。
通过处理具有透明固体树脂的发光材料借助于辉光转换元素的压制材料处理显著地改善了转换树脂制造,仓储和处理时无机发光材料的沉积性能。因此白光源的x,y颜色位置只受到很少的波动和改善了辉光二极管的发光图像。不成块的转换浇铸树脂发光材料的长时间的弥散和调整稳定的黏度也在浇铸树脂仓储期间省去了如同压铸封装的复杂包装。例如在上述情况下将片状的或颗粒状的透明压制材料共同与发光材料通过磨制和必要时过筛相互混合。因此可以最大程度地避免在制造和仓储时发光材料的沉积。
由于只还使用壳体形状的唯一的压制塑料封装物体和转换材料母体得到广阔的微型化空间。将这种附加的微型化潜力可以利用在应用这种白光源的移动电子产品系统中。被提高的光效率由于更加充分利用在具有其他结构自由度或纯粹侧边光耦合可能性的专门的结构状态扩展了功能性。
将商业上可以买到的压制材料作为塑料压制材料的初始材料和原则上例如是由环氧树脂甲醛酚醛清漆或由具有去水剂或苯酚硬化系统的环氧树脂系统构成的。转换材料可以是由具有普遍公式A3B5X12:M的一组磷有机发光材料颜料粉末构成的,这些在塑料压制材料中是弥散的。特别是可以使用由一组铈添加的石榴石粒子发光材料,其中特别应该叙述的是铈添加的钇铝石榴石(Y3Al5O12:Ce)。其他可以想象的转换材料是在硫化物和氧硫化物基础上的基网格,铝酸盐,硼酸盐等,具有在短波范围可激励的相应金属中心。在基的网格上的发光材料金属中心M包括:普遍公式A3B5X12或硫化物,氧硫化物,硼酸盐,铝酸盐或金属螯合复合物。也可以考虑金属有机的发光材料系统。
将发光材料同样可以由溶解的和难溶解的有机颜料和发光材料混合物构成。
此外有益的是可以将增附剂优异的以液体形状掺入优异的预干燥的转换材料中,以便改善转换材料与塑料压制材料的粘着能力。特别是当使用无机发光材料颜料时可以使用3-甘氨酸氧基三甲氢氧硅烷或在三烷氧基硅烷基础上的其他衍生物作为增附剂。
为了发光材料表面的改性可以使用具有碳酸-,碳酸脂-,乙醚-和酒精组的单层或多层功能的有极性的试剂,例如二乙乙二醇单甲烷乙醚(Diethylenglykolmonomethylether)。因此可以改善高能发光材料表面的可润湿性和因此改善压制材料处理时的相容性和弥散作用。
此外掺入转换材料之前可以将塑料压制材料掺入脱模剂或分离剂。这种脱模剂可以使固化的压制材料容易从压模中取出。作为这种脱模剂可以使用脂基的固体脱模剂或具有长链碳酸脂的金属皂,特别是硬脂类的。
例如可以掺入无机填充材料作为其他的填充材料,通过这些可以提高压制材料的折射指数,因此可以提高白光源的光功率。例如可以使用TiO2,ZrO2,α-Al2O3等作为这种填充材料。
有益的是这样掺入转换材料和必要时其他的填充材料,如果将它们粗混合和然后在一个磨中磨碎,从而得到非常细的,均匀的粉末。
因此混合的压制材料可以包括以下组成部分(用重量%):
a)塑料压制材料≥60%
b)转换材料>0和≤40%
c)增附剂≥0和≤3%
d)脱模剂≥0和≤2%
e)表面改性剂≥0和≤5%
f)氧化稳定剂≥0和≤5%
(例如在磷基础上的或在硬脂阻碍的酚基础上的)
g)紫外光稳定剂≥0和≤2%
在优异的实施形式中可以这样进行本方法,其中将可表面装配的部件制造出来。
附图说明
在沿着引导结构纵轴截面上的本申请附图上表示了按照本发明制造白光源的一个实施例。
具体实施方式
在原本单件的和相互有关系的引导结构10上构成两个引导结构接头11和12,用原本已知的方法一开始也通过窄的连接桥将这两个相互连接在一起,然而随着通常多阶段的在压力下从外部注入塑料由于连接桥的分开相互绝缘。在引导结构接头12的内部端部用导电连接剂如导体银或类似的粘上已经制造好的半导体LED 1,这样半导体LED的n-边或p-边与引导结构接头12是连接的。将对面的n-或p-导电接触边通过连接线2与另外的引导结构接头11的端部连接。
将LED-芯片1安装在芯片安装区域16的引导结构10是用一种透明塑料压制材料3封装的,从其中两个相对的侧面每个伸出一个引导结构接头11,12。在透明的塑料压制材料3内每个引导结构接头11,12从芯片装配区域16到发光二极管光源的装配边13有S-形状的弯曲14,15。例如优异的是使用树脂基础上的一种塑料压制材料3和原则上是由一种预反应的环氧树脂,特别是由环氧树脂苯酚醛清漆或环氧树脂甲醛酚醛清漆构成的。环氧树脂特别是与苯酚树脂和/或去水剂树脂预反应。有益的是将脱模剂或将分离剂掺入塑料压制材料中。例如脱模剂是脂基的固体脱模剂或具有长链的碳酸脂的金属皂,特别是硬脂类的。
为了提高折射指数可以将无机填充材料例如TiO2,ZrO2,α-Al2O3掺入塑料压制材料中。
在按照附图制造发光二极管光源的方法中在芯片装配区域16将LED芯片1装配在引导结构10上和与引导结构接头11,12导电连接。在装配具有S形状弯曲14,15的半导体LED芯片1装配之前和之后配备上引导结构接头11,12。将半导体LED芯片1包括引导结构10的S形状弯曲14,15有益的用压铸方法用透明塑料压制材料3封装。
在白光源上半导体LED 1有位于紫外或蓝色光谱范围的发射谱。有益的是半导体LED 1是建立在GaN或InGaN基础上的。然而它有选择地还可以由材料系统ZnS/ZnSe或由适合于这个光谱范围的材料系统构成。
将半导体LED 1装上或接触之后在适当的压铸机上将透明塑料压制材料3压铸在引导结构接头11和12上。将发光材料粒子置入这种塑料压制材料3中,发光材料粒子是由转换材料构成的,用转换材料导致半导体LED 1发射的光辐射至少部分地波长转换。通过这种波长转换产生引起白光源光学印象的发射谱。引导结构10的预制和在压力下从外部注入是通过塑料压制材料3,必要时发光材料粒子4和必要时其他的填充材料组成的压制材料这样进行的,将引导结构接头11和12水平地从压制材料中伸出,和是这样,将其焊接接头面11A和12A原则上位于与铸件反面13同一个平面上,这个平面通常代表了组件在印刷电路板上的安装面。此外在压力下从外部注入之前将引导结构接头11和12已经弯曲成最终的形状。这样它们就有一个芯片连接区域16作为装配面(由反面13和焊接接头面11A和12A构成)的S形状的弯曲14,15,这样在制造塑料封装物体之后在部件上不再进行折弯。这特别是在非常微型化的具有小体积塑料壳体的组件时是非常大的优点,因为正巧在这里例如通过折弯在压制材料和引导结构之间分层上的脱开存在非常大的危险,不可能达到已加工部件严密的密封性。
在平的水平接头面11A和12A上可以优异地用逆流方法将已加工的部件焊接在印刷电路板上。从而制造成适合于SMT-(表面装配技术)装配的组件。
制造由发光材料粒子4和必要时其他填充材料组成的塑料压制材料3代表了本发明的重要元素。
有益的是将预反应的,仓储稳定的和辐射稳定的由环氧树脂甲醛酚醛清漆与苯酚硬化剂组成的透明压制材料使用作为塑料压制材料的初始材料,其总氯含量位于1500ppm以下。有益的是这种压制材料包括一种内部的脱模剂或分离剂,通过这个将固化的压制材料从压铸模具中容易取出。然而存在这种内部脱模剂并不代表必须这样。例如可以使用下面的商业可以买到的Nitto和Sumitomo公司的压制材料:
Nitto NT-600(没有内部脱模剂)
Nitto NT-300H-10.000(具有内部脱模剂)
Nitto NT-300S-10.000(具有内部脱模剂)
Nitto NT-360-10.000(具有内部脱模剂)
Sumitomo EME 700L(没有内部脱模剂)
将这种压制材料已经以棒材或板材形式标准化地提供使用。
可以将已经叙述在上述文献WO 90/50132和WO 98/12757中的所有发光材料使用作为转换材料。此外也可以使用在硫化物和氧硫化物基础上以及铝酸盐,硼酸盐等的基网格具有在短波长范围相应的可激励的金属中心或金属有机的发光材料系统。此外可以将溶解的和难溶解的有机颜料和发光材料混合物使用作为转换材料。特别是可以将由具有通用公式A3B5X12:M的磷组组成的具有发光材料颜料的无机发光材料颜料粉末使用作为发光材料,其中特别应该叙述添加铈的石榴石。在基的网格上的发光材料金属中心M包括:普遍公式A3B5X12或硫化物,氧硫化物,硼酸盐,铝酸盐或金属螯合复合物。特别是由发光材料颜料YAG:Ce组成的粒子由于特殊的转换效率是优秀的。这种转换材料在Osram公司的产品名称L175中是已知的。将这种转换材料已经与一种压制材料混合进行了试验,其中压制材料型号为Nitto NT-300H10.000具有内部脱模剂已经投入使用。作为试验准备已经将转换材料L175在200℃大约8小时进行预干燥。随后将液体形状名称为二乙乙二醇单甲烷乙醚的表面改性剂掺入预干燥的转换剂中(0.1重量%以压制材料的重量为基础)。将这种混合物空气密封地封闭在玻璃器皿中和隔夜搁置。在处理前直接将转换材料掺入上述型号的压制材料中。在这之前将压制材料已经在磨(例如球磨)中磨制成粉末形状。混合比例为20重量%转换材料/DEGME混合物和80重量%Nitto NT 300H-10.000。通过搅拌将混合物粗掺入之后将混合物重新在磨(例如球磨)中充分混合和磨制和因此产生非常细的粉末。
然后用这种压制材料在型号FICO Brilliant 100的机器上进行压铸试验。将已经相应预干燥的引导结构10在压力下从外部注入之前在150℃预热和在压力下从外部注入时调整以下机器参数:
模具温度:150℃
压铸时间:22.4秒
压铸压力:73-82巴(取决于被调制的材料量)
固化时间:(硬化居里时间:120秒)
作为结果有可能达到非常均匀的,固化的压制材料,这种压制材料由于非常好的无气孔和无缩孔而出色。总之已经确定,掺入之前涉及到无气孔和无缩孔将压制材料磨制成非常细的粉末比使用粗颗粒的剩余材料粉末得到比较好的结果。
附加地也还可以使用一种增附剂例如Huels公司产品型号A-187的3-甘氨酸氧基三甲氢氧硅烷。将这种增附剂可以在干燥过程之后以浓度到3重量%直接加入发光材料中和隔夜在室温与其混合。
按照实施例借助于SMD(表面装配设计)结构形式叙述按照本发明的方法,然而将这个同样可以实现在所谓的径向二极管上。
按照本发明方法同样可以使用在制造侧边方向的,也就是说平行于印刷电路板的平面辐射的主辐射方向的LED-组件。
Claims (31)
1.一种可表面装配的发光二极管光源,其中在一个引导结构(10)上装配了LED芯片(1)并且引导结构(10)是用整体的透明塑料封装物体(3)封装的,从塑料封装物体的至少两个侧面每个伸出一个用于LED芯片(1)的引导结构接头(11,12),
其特征在于,
在所述透明塑料封装物体(3)内每个引导结构接头(11,12)在LED芯片(1)和发光二极管光源的装配边(13)之间从芯片装配区域(16)到所述发光二极管光源的装配边(13)有一个S形状的弯曲(14,15),该弯曲(14,15)是由塑料封装物体(3)封装的,其中,所述透明塑料封装物体(3)是由塑料压制材料制成的。
2.按照权利要求1的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
所述塑料压制材料主要有预反应的环氧树脂。
3.按照权利要求2的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,所述塑料压制材料主要有环氧树脂酚醛清漆或环氧树脂甲醛酚醛清漆。
4.按照权利要求2的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
所述环氧树脂是与苯酚树脂和/或去水树脂预反应的。
5.按照权利要求1至4的其中之一的可表面装配的发光二极管光源,其特征在于,
将一种脱模剂或分离剂掺入所述塑料压制材料中。
6.按照权利要求5的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
所述脱模剂是脂基的固体脱模剂或具有长链的碳酸金属皂。
7.按照权利要求6的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
所述脱模剂是硬脂类的。
8.按照权利要求1的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
将至少一种无机的填充材料掺入所述塑料压制材料中,通过这些提高压制材料的折射指数。
9.按照权利要求8的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
所述无机的填充材料是TiO2、ZrO2或α-Al2O3。
10.按照权利要求1的可表面装配的发光二极管光源,
其特征在于,
将至少一种有机或无机的转换材料掺入所述塑料压制材料中,所述转换材料吸收LED发送的辐射的一部分和发射相对于被吸收的辐射波长比较长的辐射,以使该光源发射由LED芯片的初级光和转换材料的次级光形成的混合色的光。
11.一种制造按照权利要求1的发光二极管光源的方法,
在其中,
-在芯片装配区域(16)将LED芯片(1)装配在引导结构(10)上并且与引导结构接头(11,12)导电连接;
-在半导体LED(1)装配之前或之后给引导结构接头(11,12)配备S形状的弯曲(14,15);和
-将半导体LED(1)和具有S形状弯曲的引导结构(10)用一种透明的塑料压制材料(3)封装。
12.一种在紫外或蓝色光谱范围发射光辐射的半导体LED(1)的基础上制造白光源的方法,
在其中,
-将LED(1)装配在引导结构(10)上;
-将透明的塑料压制材料(3)与转换材料(4)和其他的填充材料混合成压制材料;和
-将引导结构(10)用压制材料封装,在其出光边LED(1)被压制材料包围。
13.按照权利要求11或12的方法,
其特征在于,
-使用树脂基的塑料压制材料(3)。
14.按照权利要求13的方法,
其特征在于,
-塑料压制材料(3)主要是由预反应的环氧树脂组成的。
15.按照权利要求14的方法,
-塑料压制材料主要有环氧树脂酚醛清漆或环氧树脂甲醛酚醛清漆组成的。
16.按照权利要求14的方法,
其特征在于,
-环氧树脂是与苯酚树脂和/或脱水树脂预反应的。
17.按照权利要求11或12的方法,
其特征在于,
-转换材料(4)是有机或者无机的发光材料或者是该有机和无机的发光材料的混合物。
18.按照权利要求17的方法,
其特征在于,
所述转换材料是一种无机的发光材料,并且
-具有带有可激励的金属中心的主晶格,其中该主晶格基于硫化物,氧硫化物,硼酸盐,铝酸盐或金属螯合复合物,或者
-具有通式为A3B5X12:M的发光材料颜料。
19.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-在掺入塑料压制材料(3)之前将增附剂掺入转换材料(4)中,以便改善转换材料(4)与塑料压制材料(3)的粘着能力。
20.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-使用3-甘氨酸氧基三甲氢氧硅烷或在三烷氧基硅烷基础上的其他衍生物作为增附剂。
21.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-在掺入塑料压制材料(3)之前将表面改性剂掺入转换材料(4)中,以便将转换材料(4)表面改性。
22.按照权利要求21的方法,
其特征在于,
-使用二乙乙二醇单甲烷乙醚作为表面改性剂。
23.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-将脱模剂或分离剂在与转换材料(4)混合之前掺入塑料压制材料中。
24.按照权利要求23的方法,
其特征在于,
-脱模剂是脂基的固体脱模剂或具有长链碳酸脂的金属皂。
25.按照权利要求23的方法,
其特征在于,
-脱模剂是硬脂类的
26.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-将无机填充材料附加掺入塑料压制材料中,通过这些提高压制材料的折射指数。
27.按照权利要求26的方法,
其特征在于,
所述无机填充材料是TiO2、ZrO2或α-Al2O3。
28.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-将塑料压制材料(3)和转换材料(4)和其他的填充材料这样混合,将它们首先粗混合然后将混合物在磨中磨制从而得到非常细的均匀的粉末。
29.按照权利要求28的方法,
其特征在于,
-将塑料压制材料(3)在与转换材料(4)和其他的填充材料混合之前在磨中磨制。
30.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-混合的压制材料包括以下组成部分:
a)塑料压制材料≥60%
b)转换材料>0和≤40%
c)增附剂≥0和≤3%
d)脱模剂≥0和≤2%
e)表面改性剂≥0和≤5%
f)氧化稳定剂≥0和≤5%
g)紫外光稳定剂≥0和≤2%。
31.按照权利要求11的方法,
其特征在于,
-在被制成白光源的装配边将引导结构接头(11,12)在构成水平装配面(11A,12A)下面的侧边从压制材料中引导出来。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19963806.3 | 1999-12-30 | ||
DE19963806A DE19963806C2 (de) | 1999-12-30 | 1999-12-30 | Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1421048A CN1421048A (zh) | 2003-05-28 |
CN100375299C true CN100375299C (zh) | 2008-03-12 |
Family
ID=7935014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB008180903A Expired - Fee Related CN100375299C (zh) | 1999-12-30 | 2000-12-28 | 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7098588B2 (zh) |
EP (1) | EP1243031B9 (zh) |
JP (2) | JP2003519929A (zh) |
CN (1) | CN100375299C (zh) |
DE (2) | DE19964252A1 (zh) |
WO (1) | WO2001050540A1 (zh) |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AUPQ818100A0 (en) | 2000-06-15 | 2000-07-06 | Arlec Australia Limited | Led lamp |
AUPR570501A0 (en) * | 2001-06-15 | 2001-07-12 | Q1 (Pacific) Limited | Led lamp |
DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10134968A1 (de) * | 2001-07-23 | 2003-02-20 | Lite On Electronics Inc | Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung |
DE10147986A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
DE10153615C1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen |
DE10213294B4 (de) | 2002-03-25 | 2015-05-13 | Osram Gmbh | Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement |
DE10214208B9 (de) * | 2002-03-28 | 2006-12-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gußform für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement |
US6870311B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-03-22 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light-emitting devices utilizing nanoparticles |
US6841802B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-01-11 | Oriol, Inc. | Thin film light emitting diode |
WO2004010472A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Microsemi Corporation | Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound |
WO2004017407A1 (de) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
DE10234978A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20050047115A1 (en) * | 2002-09-17 | 2005-03-03 | Hsi-Huang Lin | Method for making a lamp string |
US6879040B2 (en) * | 2002-09-18 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Surface mountable electronic device |
DE10250877B4 (de) * | 2002-10-31 | 2008-09-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Halbleiterbauelement, Herstellungsverfahren und Verwendung dafür, eine Vielzahl der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente enthaltendes Modul und dessen Verwendung |
DE10258193B4 (de) | 2002-12-12 | 2014-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement |
DE10261672B4 (de) * | 2002-12-31 | 2005-11-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstellen eines derartigen LED-Chips |
DE10303455B4 (de) * | 2003-01-29 | 2007-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
KR20040092512A (ko) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | (주)그래픽테크노재팬 | 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치 |
US7318659B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-01-15 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission |
US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
US7965031B2 (en) | 2003-09-24 | 2011-06-21 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | White-emitting LED having a defined color temperature |
JP4457110B2 (ja) | 2003-09-24 | 2010-04-28 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 改善された演色性を有するledをベースとする高効率の照明系 |
TWI275189B (en) | 2003-12-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component |
DE10361801A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2005310756A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Koito Mfg Co Ltd | 光源モジュールおよび車両用前照灯 |
DE102004038199A1 (de) | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | LED mit niedriger Farbtemperatur |
DE102004047640A1 (de) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement |
JP4757477B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-08-24 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US20060186428A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Tan Kheng L | Light emitting device with enhanced encapsulant adhesion using siloxane material and method for fabricating the device |
DE102005009066A1 (de) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement |
US7489073B2 (en) | 2005-04-15 | 2009-02-10 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Blue to yellow-orange emitting phosphor, and light source having such a phosphor |
DE102006016548B9 (de) | 2005-04-15 | 2021-12-16 | Osram Gmbh | Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
DE102005036520A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung |
US7350933B2 (en) * | 2005-05-23 | 2008-04-01 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Phosphor converted light source |
KR100616684B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
JP2007053170A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Toshiba Corp | 発光装置 |
DE102005041064B4 (de) * | 2005-08-30 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102005059521A1 (de) | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff |
JP2009530798A (ja) | 2006-01-05 | 2009-08-27 | イルミテックス, インコーポレイテッド | Ledから光を導くための独立した光学デバイス |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7635915B2 (en) * | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
WO2008042351A2 (en) | 2006-10-02 | 2008-04-10 | Illumitex, Inc. | Led system and method |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
KR101456266B1 (ko) * | 2006-12-08 | 2014-11-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자 |
WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
US7968900B2 (en) * | 2007-01-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | High performance LED package |
US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US7510400B2 (en) * | 2007-03-14 | 2009-03-31 | Visteon Global Technologies, Inc. | LED interconnect spring clip assembly |
US7621752B2 (en) * | 2007-07-17 | 2009-11-24 | Visteon Global Technologies, Inc. | LED interconnection integrated connector holder package |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
US7993940B2 (en) * | 2007-12-05 | 2011-08-09 | Luminus Devices, Inc. | Component attach methods and related device structures |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
JP5463447B2 (ja) | 2008-01-18 | 2014-04-09 | 三洋電機株式会社 | 発光装置及びそれを備えた灯具 |
WO2009100358A1 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
US8049230B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
DE102008052751A1 (de) | 2008-10-22 | 2010-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzkonversionselements, Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Bauteil |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
KR20100087851A (ko) * | 2009-01-29 | 2010-08-06 | 삼성전자주식회사 | 발광 유닛, 이의 제조 방법 및 발광 유닛을 포함하는 광원 장치 |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
US20110037083A1 (en) * | 2009-01-14 | 2011-02-17 | Alex Chi Keung Chan | Led package with contrasting face |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
US20110101062A1 (en) * | 2009-11-04 | 2011-05-05 | Benjamin Franklin Roberts | Pouch and pouches to carry personal items and lights on a belt |
DE102009058796A1 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-22 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
US9653656B2 (en) | 2012-03-16 | 2017-05-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | LED packages and related methods |
US8637887B2 (en) | 2012-05-08 | 2014-01-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Thermally enhanced semiconductor packages and related methods |
DE102012106984A1 (de) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
DE102012109754A1 (de) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
US9059379B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-06-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light-emitting semiconductor packages and related methods |
US9618191B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-04-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light emitting package and LED bulb |
US9431319B2 (en) * | 2014-08-01 | 2016-08-30 | Linear Technology Corporation | Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages |
DE102016104790A1 (de) | 2016-03-15 | 2017-09-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Materialien für die LED-Verkapselung |
CN108540086A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-09-14 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池接线盒的导电模块 |
CN111430343A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 深圳市唯亮光电科技有限公司 | 一种垂直式集成封装组件及其封装方法 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0537008A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Sharp Corp | 光結合装置 |
CN1228873A (zh) * | 1996-06-26 | 1999-09-15 | 西门子公司 | 具有发光变换元件的发光半导体器件 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3935501A (en) * | 1975-02-13 | 1976-01-27 | Digital Components Corporation | Micro-miniature light source assemblage and mounting means therefor |
GB1557685A (en) * | 1976-02-02 | 1979-12-12 | Fairchild Camera Instr Co | Optically coupled isolator device |
US4412135A (en) * | 1979-03-23 | 1983-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo coupler device molding including filler particles |
US4287105A (en) * | 1980-01-14 | 1981-09-01 | Plaskon Products, Inc. | Flash resistant epoxy encapsulating composition and process for preparing same |
US4334035A (en) * | 1981-03-19 | 1982-06-08 | Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. | Unsaturated polyester resin composition |
JPS596839A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-13 | Fuji Oil Co Ltd | 大豆乳製品の製造法 |
JPS596839U (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPS60101141A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | エポキシ樹脂用着色剤 |
JPS6195581A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Toshiba Corp | 光結合素子 |
DE3804392A1 (de) * | 1988-02-12 | 1989-08-24 | Basf Ag | Fuellstoffhaltige polyamid-formmassen mit verbesserter oberflaeche und lackierbarkeit |
DE3804293A1 (de) | 1988-02-12 | 1989-08-24 | Philips Patentverwaltung | Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode |
JPH02169619A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Toshiba Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いてなる光半導体素子 |
US5137940A (en) * | 1989-02-09 | 1992-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
JPH05183075A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
TW332348B (en) * | 1992-06-23 | 1998-05-21 | Sony Co Ltd | Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin. |
JP3232698B2 (ja) * | 1992-09-14 | 2001-11-26 | ソニー株式会社 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
EP0646971B1 (de) | 1993-09-30 | 1997-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
JPH07309927A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
WO1996000247A1 (fr) * | 1994-06-24 | 1996-01-04 | Seiko Epson Corporation | Substance plastique transparente, article d'optique realise en cette substance et procede de production |
JPH08222757A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Sharp Corp | 光結合素子 |
JPH0983013A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Sharp Corp | 光結合装置及びその製造方法 |
DE19604492C1 (de) * | 1996-02-08 | 1997-06-12 | Wustlich Hans Dieter | Spritzgießwerkzeug zur Herstellung von Leuchtdioden |
US5803579A (en) * | 1996-06-13 | 1998-09-08 | Gentex Corporation | Illuminator assembly incorporating light emitting diodes |
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US5777433A (en) * | 1996-07-11 | 1998-07-07 | Hewlett-Packard Company | High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material |
US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
FR2765517B1 (fr) * | 1997-07-04 | 1999-08-27 | Oreal | Article en matiere plastique, procede de fabrication et composition de moulage |
JPH11163419A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
JP3391681B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2003-03-31 | 松下電工株式会社 | 光半導体封止用のエポキシ樹脂組成物および樹脂封止型光半導体装置 |
DE29901093U1 (de) * | 1999-01-22 | 1999-04-08 | Goang Han Technology Co | Fotoabtastelement-Leuchtdiode für SMD |
-
1999
- 1999-12-30 DE DE19964252A patent/DE19964252A1/de not_active Ceased
- 1999-12-30 DE DE19963806A patent/DE19963806C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-12-28 JP JP2001550820A patent/JP2003519929A/ja active Pending
- 2000-12-28 WO PCT/DE2000/004660 patent/WO2001050540A1/de active Application Filing
- 2000-12-28 CN CNB008180903A patent/CN100375299C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-28 EP EP00991779.0A patent/EP1243031B9/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-07-01 US US10/186,661 patent/US7098588B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-07-10 US US11/456,301 patent/US7534634B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-11 JP JP2011223818A patent/JP2012009902A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0537008A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Sharp Corp | 光結合装置 |
CN1228873A (zh) * | 1996-06-26 | 1999-09-15 | 西门子公司 | 具有发光变换元件的发光半导体器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060244000A1 (en) | 2006-11-02 |
US20020195935A1 (en) | 2002-12-26 |
JP2003519929A (ja) | 2003-06-24 |
DE19963806C2 (de) | 2002-02-07 |
DE19963806A1 (de) | 2001-07-19 |
US7534634B2 (en) | 2009-05-19 |
EP1243031B9 (de) | 2017-07-26 |
WO2001050540A1 (de) | 2001-07-12 |
DE19964252A1 (de) | 2002-06-06 |
JP2012009902A (ja) | 2012-01-12 |
EP1243031A1 (de) | 2002-09-25 |
EP1243031B1 (de) | 2017-03-08 |
CN1421048A (zh) | 2003-05-28 |
US7098588B2 (en) | 2006-08-29 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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